的第一过孔可以使有源层5的侧面露出，所以较图13中的第一过孔可以获得更大的接触面积。所述刻蚀阻挡层图形6的第一厚度区域位于所述栅绝缘层4之上，对应于所述显示基板的第一电极
9。所述刻蚀阻挡层图形6的第二厚度区域位于除所述第一过孔区域与第一厚度区域之外的区域，第二厚度区域对应的刻蚀阻挡层厚度小于第一厚度区域的刻蚀阻挡层厚度，需要指出的是，如图13或14所示，保护薄膜晶体管中有源层不受后续源漏金属刻蚀液影响的刻蚀阻挡层位于第二厚度区域。
[0068]S 1039、去除剩余的光刻胶，露出第一电极图形。
[0069]本发明实施例提供的显示基板制造方法，采用一次构图工艺形成刻蚀阻挡层图形和第一电极图形，与现有技术相比，省去了刻蚀阻挡层单独形成的构图工艺。
[0070]进一步地，本发明实施例提供的显示基板制造方法，如图3所示，具体包括:
[0071 ] S 201,在基板上形成栅线、栅电极以及公共电极线。
[0072]在显示基板的实际生产过程当中，基板具体可以是采用玻璃或透明树脂等具有一定坚固性的透明材料制成。在基板上需要采用一次构图工艺以形成栅线、栅电极以及公共电极线等结构的图形。
[0073]例如，可以采用等离子增强化学气相沉积(PECVD)、磁控溅射、热蒸发或其它成膜方法，在基板上形成金属层。其中，该金属层可以是钼、铝、铝铷合金、钨、铬、铜等金属形成的单层薄膜，也可以是以上金属多层形成的多层薄膜。在该金属层的表面形成有光刻胶，通过具有特定图案的掩膜板进行曝光显影以使光刻胶产生图案，剥离掉未覆盖光刻胶处的金属层，如图4所示，最终在基板I的表面形成栅线(图4中未示出)、栅电极2以及公共电极线3的图案。
[0074]S 202、在基板、栅线、栅电极以及公共电极线上形成栅绝缘层。
[0075]S 203、在栅绝缘层上形成有源层图形。
[0076]S204、在栅绝缘层上沉积刻蚀阻挡层薄膜和第一电极薄膜，通过一次构图工艺形成刻蚀阻挡层图形和第一电极图形。
[0077]上述三个步骤S 202,S 203、S204与前述实施例中S 1US 102,S 103中的步骤相同，此处不再赘述。
[0078]S 205、形成数据线、薄膜晶体管源极、薄膜晶体管漏极以及沟道区域。
[0079]在完成步骤S 204的基板上沉积一层金属薄膜，金属薄膜可以采用Cr、W、T1、Ta、Mo、Al、Cu等金属或合金，也可以采用由多层金属薄膜构成的复合薄膜。如图15所示，采用普通掩膜板通过构图工艺在形成有刻蚀阻挡层6和第一电极图形9的基板上形成数据线(图中未标出)、所述薄膜晶体管的源极11、所述薄膜晶体管的漏极13以及所述薄膜晶体管沟道区域12。所述薄膜晶体管的源极11、所述薄膜晶体管的漏极13通过第一过孔10与有源层5电连接，所述薄膜晶体管的漏极13搭接在第一电极9上。
[0080]S 206、在形成有数据线、薄膜晶体管的源极以及薄膜晶体管的漏极的基板上形成含有第二过孔的钝化层，所述第二过孔贯穿钝化层、刻蚀阻挡层和栅绝缘层，露出公共电极线。
[0081]采用PECVD方法沉积钝化层14。钝化层14可以采用氧化物、氮化物或氧氮化合物，对应的反应气体可以为SiH4、NH3、N^混合气体或SiH2Cl2、NH3、N^混合气体。如图16所示，采用普通掩模板通过构图工艺形成第二过孔15，第二过孔15位于公共电极线3的上方，贯穿所述钝化层14、所述刻蚀阻挡层6与所述栅绝缘层4，并露出所述公共电极线3。本构图工艺中，还同时形成有栅线接口区域(栅线PAD)的栅线接口过孔(图中未标出)和数据线接口区域(数据线PAD)的数据线接口过孔(图中未标出)等图形。通过构图工艺形成栅线接口过孔和数据线接口过孔图形的工艺已广泛应用于目前的构图工艺中。
[0082]S 207、通过构图工艺在形成有钝化层的基板上上形成第二电极图形，第二电极图形通过第二过孔与公共电极线3电连接。
[0083]如图17所示，在完成S 206步骤的基板上，采用磁控溅射或热蒸发的方法，沉积一层第二电极薄膜，第二电极薄膜可以采用ITO、ZnO, InGaZnO, InZnO, InGaO等透明导电材料。采用普通掩模板通过构图工艺形成第二电极图形16，第二电极图形通过第二过孔15与公共电极线3电连接。
[0084]需要说明的是，在本发明实施例中，第一电极9为像素电极，其形状为板状；第二电极16为公共电极，其形状为狭缝状。第一电极9和第二电极16之间可以形成多维水平电场。
[0085]本发明实施例提供的显示基板制造方法，采用一次构图工艺形成刻蚀阻挡层图形和第一电极图形。这样一来，与现有技术相比，省去了刻蚀阻挡层的单独形成的构图工艺，可以将金属氧化物作为有源层的ADS型显示基板制作过程中的构图工艺使用次数从7次减少到6次，从而简化了产品的生产步骤，显著降低了产品的生产成本。
[0086]图17为本发明实施例提供的显不基板的截面图，参照图17，该显不基板包括:
[0087]形成在基板I上的栅线(图中未标出)、栅电极2、公共电极线3，栅线2和公共电极线3隔离设置。
[0088]形成在栅线、栅电极2以及公共电极线3之上并将栅线、栅电极以及公共电极线覆盖的栅绝缘层4，栅绝缘层4可采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)方法形成，栅绝缘层4材料可以采用氧化物、氮化物或氧氮化合物。
[0089]位于栅绝缘层4上的有源层5，其中，有源层5可以采用呈半导体特性的透明金属氧化物材料，例如，有源层可以为InGaZnO、InGaO, ITZO, AlZnO等材料中的至少一种。
[0090]位于所述栅绝缘层4与所述有源层5之上的刻蚀阻挡层图形6，刻蚀阻挡层6的作用是保护有源层5，以消除在刻蚀源漏金属层时刻蚀液对金属氧化物的影响，通常刻蚀阻挡层可以采用致密的氮化硅、氧化硅、氮氧化硅等材料。如图17所示，刻蚀阻挡层的图形包含第一过孔区域、第一厚度区域和第二厚度区域。第一过孔区域具有至少两个贯穿整个刻蚀阻挡层以部分露出所述有源层5的第一过孔10。由于第一过孔10的作用是用来电连接所述有源层5与薄膜晶体管的源漏电极，可以理解的是，只要能够实现上述功能，不同形状的第一过孔都是可以采用的，如图13所示，所述第一过孔10边缘可以完全位于有源层5之上；也可以如图14所示，所述第一过孔10的边缘一端位于有源层5之上，另一端位于栅绝缘层4之上。由于图14中所述的第一过孔可以使有源层5的侧面露出，所以较图13中的第一过孔，可以获得更大的接触面积。所述刻蚀阻挡层6的第一厚度区域位于所述栅绝缘层之上，对应于所述显示基板的第一电极。所述刻蚀阻挡层图形6的第二厚度区域位于除所述第一过孔区域与第一厚度区域之外的区域，第二厚度区域对应的刻蚀阻挡层厚度小于第一厚度区域的刻蚀阻挡层厚度，需要指出的是，如图17所示，保护薄膜晶体管中有源层不受源漏金属刻蚀液影响的刻蚀阻挡层位于第二厚度区域。
[0091]位于所述刻蚀阻挡层6的第一厚度区域之上的所述第一电极9，第一电极为像素电极，如前述显示基板制造方法的实施例所述，刻蚀阻挡层图形6和第一电极图形9在同一次构图工艺中形成，所以形成的