第一电极图形9与刻蚀阻挡层的第一厚度区域的图形相对应，二者拥有相同的边界。
[0092]位于刻蚀阻挡层6和第一电极图形表面9的薄膜晶体管源极11、薄膜晶体管沟道区域12、和薄膜晶体管漏极13以及与薄膜晶体管源、漏极同时形成的数据线(图中未标出)，所述薄膜晶体管的源极11、所述薄膜晶体管的漏极13通过第一过孔10与有源层5电连接，所述薄膜晶体管的漏极13搭接在第一电极9上。
[0093]位于所述数据线(图中未标出)、所述薄膜晶体管的源极11以及所述薄膜晶体管的漏极13的表面的含有第二过孔15的钝化层14，所述第二过孔15贯穿所述钝化层14、刻蚀阻挡层6和所述栅绝缘层4，露出公共电极线3。
[0094]位于所述钝化层表面的第二电极16，所述第二电极通过所述第二过孔15与所述公共电极线电连接3。
[0095]在本发明实施例中，第一电极9为像素电极，其形状为板状；第二电极16为公共电极，其形状为狭缝状。第一电极9和第二电极16之间可以形成多维水平电场。本发明实施例提供的显示基板，所述显示基板中蚀阻挡层图形和第一电极图形采用一次构图工艺形成。这样一来，与现有技术相比，省去了刻蚀阻挡层的MASK工艺，可以将以金属氧化物为有源层的ADS型显示基板制作过程中的构图工艺使用次数从7次减少到6次，从而简化了产品的生产步骤，显著降低了产品的生产成本。
[0096]需要说明的是，上述实施例中是以刻蚀阻挡层图形和第一电极图形通过一次构图工艺形成的显示基板为例进行的说明。可以理解的是，凡是通过一次构图工艺形成刻蚀阻挡层图形和第一电极图形的显示基板都属于本发明所保护的范围，因此，本发明实施例提供的显示基板通过适当的变形也可以适用于其他类型的薄膜晶体管显示基板。
[0097]本发明实施例提供的显示装置，包括如上所述的显示基板。
[0098]该显示基板具体包括薄膜晶体管、第一电极和第二电极。其中，薄膜晶体管中的刻蚀阻挡层图形和第一电极图形是在一次构图工艺中形成的。
[0099]需要说明的是本发明所提供的显示装置可以为:液晶面板液晶电视、液晶显示器、数码相框、手机、平板电脑等具有任何显示功能的产品或部件。
[0100]本发明实施例提供的显示装置，包括显示基板，该显示基板采用一次构图工艺形成刻蚀阻挡层图形和第一电极图形。这样一来，刻蚀阻挡层图形和第一电极图形可以通过一次构图工艺加工得到，与现有技术相比，省去了刻蚀阻挡层单独形成的构图工艺，可以将ADS显示基板制作过程中的构图工艺使用次数从7次减少到6次，从而简化了产品的生产步骤，显著降低了产品的生产成本。
[0101]以上所述，仅为本发明的【具体实施方式】，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。
【主权项】
1.一种显示基板的制造方法，其特征在于，包括: 步骤1、提供一基板，在所述基板上形成栅绝缘层和有源层的图形； 步骤2、在完成步骤I的基板上依次形成刻蚀阻挡层薄膜和第一电极薄膜； 步骤3、通过一次构图工艺形成刻蚀阻挡层图形和第一电极图形。
2.根据权利要求1所述显示基板的制造方法，其特征在于，在形成所述栅绝缘层的步骤之前，所述方法还包括: 通过构图工艺在所述基板上形成栅线、栅电极以及公共电极线的图形。
3.根据权利要求2所述显示基板的制造方法，其特征在于，在形成所述刻蚀阻挡层图形和第一电极图形的步骤之后，所述方法还包括: 在形成有所述刻蚀阻挡层图形和第一电极图形的显示基板上形成数据线、所述薄膜晶体管的源极、所述薄膜晶体管的漏极以及所述薄膜晶体管沟道区域，所述薄膜晶体管的源极、所述薄膜晶体管的漏极通过第一过孔与有源层电连接，所述薄膜晶体管的漏极搭接在第一电极上； 在形成有所述数据线、所述薄膜晶体管的源极、所述薄膜晶体管的漏极以及所述薄膜晶体管沟道区域的基板上形成具有第二过孔的钝化层，所述第二过孔贯穿所述钝化层、所述刻蚀阻挡层、所述栅绝缘层，露出所述公共电极线； 在所述钝化层上形成第二电极图形，所述第二电极图形通过所述第二过孔与所述公共电极线电连接。
4.一种显示基板，所述显示基板至少包含栅绝缘层、有源层、刻蚀阻挡层和第一电极的图形，其特征在于， 所述刻蚀阻挡层图形位于所述栅绝缘层与所述有源层之上且包括第一过孔区域、第一厚度区域和第二厚度区域； 所述刻蚀阻挡层图形的第一过孔区域具有贯穿整个刻蚀阻挡层以部分露出所述有源层的第一过孔图形； 所述刻蚀阻挡层图形的第一厚度区域位于所述栅绝缘层之上，对应于所述显示基板的第一电极； 所述刻蚀阻挡层图形的第二厚度区域位于除所述第一过孔区域与第一厚度区域之外的区域，第二厚度区域对应的刻蚀阻挡层厚度小于第一厚度区域的刻蚀阻挡层厚度； 所述第一电极图形位于所述刻蚀阻挡层的第一厚度区域之上且拥有与第一厚度区域相同的边界。
5.根据权利要求4所述的显示基板，其特征在于， 所述刻蚀阻挡层中的第一过孔图形完全位于有源层之上。
6.根据权利要求4所述的显示基板，其特征在于，所述刻蚀阻挡层中的第一过孔图形位于有源层与栅绝缘层之上。
7.根据权利要求4所述的显示基板，其特征在于，所述显示基板还包括: 基板； 位于所述基板之上且位于所述栅绝缘层之下的栅线、栅电极以及公共电极线； 位于所述刻蚀阻挡层图形和第一电极图形表面的薄膜晶体管源极和薄膜晶体管漏极以及与薄膜晶体管源、漏极同时形成的数据线，所述薄膜晶体管的源极、所述薄膜晶体管的漏极通过第一过孔与有源层电连接，所述薄膜晶体管的漏极搭接在第一电极上； 位于所述数据线、所述薄膜晶体管的源极以及所述薄膜晶体管的漏极的表面的含有第二过孔的钝化层，所述第二过孔贯穿所述钝化层和所述栅绝缘层，露出所述公共电极线；位于所述钝化层表面的第二电极，所述第二电极通过所述第二过孔与所述公共电极线电连接。
8.根据权利要求4至7任一所述的显示基板，其特征在于，所述有源层采用呈半导体特性的透明金属氧化物材料。
9.一种显示装置，其特征在于，所述显示装置包括如权利要求4至8任一所述的显示基板。
【专利摘要】本发明实施例提供一种显示基板及其制造方法、显示装置，涉及显示技术领域。方法包括在基板上形成刻蚀阻挡层图形和第一电极图形的步骤，形成所述刻蚀阻挡层图形和第一电极图形的步骤包括：依次形成刻蚀阻挡层薄膜和第一电极薄膜，通过一次构图工艺形成刻蚀阻挡层图形和第一电极图形。本发明省去了刻蚀阻挡层图形单独形成的构图工艺，简化了工艺流程，节省了制作成本。本发明实施例用于制造显示装置。
【IPC分类】H01L27-12, H01L21-77, G02F1-1368, G02F1-1362
【公开号】CN104733384
【申请号】CN201510178332
【发明人】段献学, 白明基, 徐德智, 邹志翔
【申请人】合肥京东方光电科技有限公司, 京东方科技集团股份有限公司
【公开日】2015年6月24日
【申请日】2013年8月22日