位信号，第η行像素单元(5)的所有第一薄膜晶体管(Τ1)与第二薄膜晶体管(Τ2)均打开，第三薄膜晶体管(Τ3)关闭，第η行第m列像素单元(5)内的主区像素电极(51)与次区像素电极(52)被充电至相同的电压；当正向扫描到第η+1行像素单元(5)时，第η+1条栅极扫描线(G(n+1))传递高电位信号，第η+1行像素单元(5)的所有第一薄膜晶体管(Τ1)与第二薄膜晶体管(Τ2)均打开对主区像素电极(51)与次区像素电极(52)充电的同时，对应于第η行像素单元(5)设置的正向控制薄膜晶体管(Τ5)连通第η+1条栅极扫描线(G(n+1))与对应于第η行像素单元(5)设置的行控制分线(40)，使得对应于第η行像素单元(5)设置的行控制分线(40)传递高电位信号，第η行像素单元(5)的所有第三薄膜晶体管(Τ3)打开，第η行第m列像素单元(5)内的电荷共享电容(C1)拉低次区像素电极(52)的电压，使得次区像素电极(52)的电压小于主区像素电极(51)的电压。3.如权利要求1所述的像素驱动电路，其特征在于，反向扫描时，所述反向控制薄膜晶体管(T6)打开；当反向扫描到第η行像素单元(5)时，第η条栅极扫描线(G(n))传递高电位信号，第η行像素单元(5)的所有第一薄膜晶体管(Τ1)与第二薄膜晶体管(Τ2)均打开，第三薄膜晶体管(Τ3)关闭，第η行第m列像素单元(5)内的主区像素电极(51)与次区像素电极(52)被充电至相同的电压；当反向扫描到第η-l行像素单元(5)时，第η-l条栅极扫描线(G(n-l))传递高电位信号，第η-l行像素单元(5)的所有第一薄膜晶体管(T1)与第二薄膜晶体管(T2)均打开对主区像素电极(51)与次区像素电极(52)充电的同时，对应于第η行像素单元(5)设置的反向控制薄膜晶体管(Τ6)连通第η-l条栅极扫描线(G(n_l))与对应于第η行像素单元(5)设置的行控制分线(40)，使得对应于第η行像素单元(5)设置的行控制分线(40)传递高电位信号，第η行像素单元(5)的所有第三薄膜晶体管(Τ3)打开，第η行第m列像素单元(5)内的电荷共享电容(C1)拉低次区像素电极(52)的电压，使得次区像素电极(52)的电压小于主区像素电极(51)的电压。4.如权利要求1所述的像素驱动电路，其特征在于，所述主区像素电极(51)与次区像素电极(52)均为“米”字型结构，材料均为ITO。5.一种阵列基板，其特征在于，具有像素驱动电路，所述像素驱动电路包括呈阵列式排布的多个像素单元(5)、自上而下对应第η行像素单元(5)设置的沿水平方向延伸的第η条栅极扫描线(G(n))、自左至右对应第m列像素单元(5)设置的沿竖直方向延伸的第m条数据线(D(m))、一条沿竖直方向延伸的第一控制总线(10)、一条沿竖直方向延伸的第二控制总线(20)、对应各行像素单元(5)分别设置的沿水平方向延伸的行控制分线(40)、对应各行像素单元(5)分别设置的正向控制薄膜晶体管(T5)、以及对应各行像素单元(5)分别设置的反向控制薄膜晶体管(T6)，η与m均为正整数； 每一像素单元(5)均包括第一薄膜晶体管(T1)、第二薄膜晶体管(T2)、第三薄膜晶体管(T3)、主区像素电极(51)、次区像素电极(52)、及电荷共享电容(C1);对于第n行第m列像素单元(5)，所述第一薄膜晶体管(T1)的栅极电性连接第η条栅极扫描线(G(n))、源极电性连接第m条数据线(D(m))、漏极电性连接主区像素电极(51)，所述第二薄膜晶体管(T2)的栅极电性连接第η条栅极扫描线(G(η))、源极电性连接第m条数据线(D(m))、漏极电性连接次区像素电极(52)，所述第三薄膜晶体管(T3)的栅极电性连接对应于第η行像素单元(5)设置的行控制分线(40)、源极电性连接次区像素电极(52)、漏极电性连接电荷共享电容(C1)的一端，电荷共享电容(C1)的另一端接入公共电压； 对于第η行像素单元(5)，所述正向控制薄膜晶体管(Τ5)的栅极电性连接第一控制总线(10)、源极电性连接对应于下一行像素单元(5)的第η+1条栅极扫描线(G(n+1))，漏极电性连接对应于第η行像素单元(5)设置的行控制分线(40)，所述反向控制薄膜晶体管(Τ6)的栅极电性连接第二控制总线(20)、源极电性连接对应于上一行像素单元(5)的第η-l条栅极扫描线(G(n-l))，漏极电性连接对应于第η行像素单元(5)设置的行控制分线(40); 正向扫描时，所述第一控制总线(10)提供高电位，第二控制总线(20)提供低电位；反向扫描时，所述第一控制总线(10)提供低电位，第二控制总线(20)提供高电位。6.如权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，正向扫描时，所述正向控制薄膜晶体管(Τ5)打开；当正向扫描到第η行像素单元(5)时，第η条栅极扫描线(G(n))传递高电位信号，第η行像素单元(5)的所有第一薄膜晶体管(Τ1)与第二薄膜晶体管(Τ2)均打开，第三薄膜晶体管(Τ3)关闭，第η行第m列像素单元(5)内的主区像素电极(51)与次区像素电极(52)被充电至相同的电压；当正向扫描到第η+1行像素单元(5)时，第η+1条栅极扫描线(G(n+1))传递高电位信号，第η+1行像素单元(5)的所有第一薄膜晶体管(Τ1)与第二薄膜晶体管(T2)均打开对主区像素电极(51)与次区像素电极(52)充电的同时，对应于第η行像素单元(5)设置的正向控制薄膜晶体管(Τ5)连通第η+1条栅极扫描线(G(n+1))与对应于第η行像素单元(5)设置的行控制分线(40)，使得对应于第η行像素单元(5)设置的行控制分线(40)传递高电位信号，第η行像素单元(5)的所有第三薄膜晶体管(Τ3)打开，第η行第m列像素单元(5)内的电荷共享电容(C1)拉低次区像素电极(52)的电压，使得次区像素电极(52)的电压小于主区像素电极(51)的电压。7.如权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，反向扫描时，所述反向控制薄膜晶体管(T6)打开；当反向扫描到第η行像素单元(5)时，第η条栅极扫描线(G(n))传递高电位信号，第η行像素单元(5)的所有第一薄膜晶体管(Τ1)与第二薄膜晶体管(Τ2)均打开，第三薄膜晶体管(Τ3)关闭，第η行第m列像素单元(5)内的主区像素电极(51)与次区像素电极(52)被充电至相同的电压；当反向扫描到第η-l行像素单元(5)时，第η-l条栅极扫描线(G(n-l))传递高电位信号，第η-l行像素单元(5)的所有第一薄膜晶体管(T1)与第二薄膜晶体管(T2)均打开对主区像素电极(51)与次区像素电极(52)充电的同时，对应于第η行像素单元(5)设置的反向控制薄膜晶体管(Τ6)连通第η-l条栅极扫描线(G(n_l))与对应于第η行像素单元(5)设置的行控制分线(40)，使得对应于第η行像素单元(5)设置的行控制分线(40)传递高电位信号，第η行像素单元(5)的所有第三薄膜晶体管(Τ3)打开，第η行第m列像素单元(5)内的电荷共享电容(C1)拉低次区像素电极(52)的电压，使得次区像素电极(52)的电压小于主区像素电极(51)的电压。8.如权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，所述主区像素电极(51)与次区像素电极(52)均为“米”字型结构，材料均为ITO。9.一种液晶面板，其特征在于，包括相对设置的阵列基板(1)、彩色滤光片基板(2)、及配置于阵列基板⑴与彩色滤光片基板⑵之间的PSVA液晶层(3);所述PSVA液晶层(3)包括聚合物层(31)及分散于所述聚合物层(31)内的液晶(32);所述阵列基板(1)为权利要求5至8任一项所述的阵列基板。
【专利摘要】本发明提供一种像素驱动电路、阵列基板及液晶面板。所述像素驱动电路设置第一控制总线(10)与第二控制总线(20)、对应各行像素单元(5)分别设置行控制分线(40)、对应各行像素单元(5)分别设置正向控制薄膜晶体管(T5)与反向控制薄膜晶体管(T6)；正向扫描时，所述第一控制总线(10)提供高电位，第二控制总线(20)提供低电位；对于第n行第m列像素单元(5)，第三薄膜晶体管(T3)的栅极电性连接对应于第n行像素单元(5)设置的行控制分线(40)、源极电性连接次区像素电极(52)、漏极电性连接电荷共享电容(C1)的一端；能够实现在正向扫描驱动和反向扫描驱动时均进行色偏补偿，提升液晶面板的显示品质。
【IPC分类】G02F1/1343, G09G3/36, G02F1/1362
【公开号】CN105278192
【申请号】CN201510781034
【发明人】徐向阳
【申请人】深圳市华星光电技术有限公司
【公开日】2016年1月27日
【申请日】2015年11月13日