专利名称：纳米SiO的制作方法
技术领域：
本发明涉及纳米SiO2粉体制备技术，具体涉及化学沉淀法在添加剂(非表面活性剂、分散剂)等存在下，适量控制沉淀条件，采取减少团聚使用微波干燥，制得30～50nm高比面积沉淀SiO2粒子的制备技术、制备工艺及方法，其特征包括采用化学沉淀微波干燥法的新工艺。
纳米SiO2粉末是一种新型轻质纳米孔材料，它具有密度低、比表面积高，孔洞率高等特点，在橡胶、农药、造纸、油墨、塑料加工等行业具有广泛的应用前景。因而近几年来引起了广大科技工作者的关注。目前，制备纳米二氧化硅颗粒的方法有Sicl4气相水解法(气相法白碳黑)，极性有机溶剂与碱金属硅酸盐反胶束溶液反应法、硅醇盐溶胶-凝胶反应法等。这些方法的原料成本都比较高，比表面积低(550m2/g)。
本发明的目的在于提供一种设备简单、工艺流程短、投资少、成本低的生产纳米SiO2粉体制备的新工艺。
化学沉淀法以硅酸钠和盐酸为原料、低温加热发生反应，生成H4SiO4白色沉淀，加入分散剂和非表面活性剂，原硅酸经脱水生成经H2SiO2，经高温煅烧生成SiO2反应式如下
用此方法得到的SiO2粉体均匀分布，分散性好、纯度高、比表面机大大高于其它工艺方法，煅烧温度低、反应易控制、副反应少可达到工业化生产。
本发明最佳技术工艺条件为采用化学沉淀法合成。要得到性能优良纳米的SiO2粉体，最佳工艺条件为温度20～40℃，pH6，反应液质量浓度P120g/L，P21.20g/L，反应时间15min。
本发明将通过以下制备新工艺作进一步说明取3.3～3.5模数的硅酸钠溶液，放在已准备好的超级浴锅水中，慢慢加热不超过30℃，搅拌均匀后，滴加Hcl溶液发生反应，生成H4SiO4白色沉淀，然后边搅拌边加入少量分散剂和非表面活性剂，这样得到的沉淀物用离心法洗涤，以去掉其中的cl-离子，在微波炉中干燥30分钟左右，最后在马弗炉中以适宜的温度(430～480℃)热处理1h得到最终产品。
权利要求
1.一种纳米SiO2粉体的制备新工艺，其特征是采取化学沉淀微波干燥方法。
2.根据权利要求书1所述的化学沉淀微波干燥方法，它是采用原料混合低温加热反应沉淀、脱水、微波干燥、高温煅烧制得粉体。
全文摘要
一种纳米SiO
文档编号C01B33/18GK1418812SQ0215796
公开日2003年5月21日 申请日期2002年12月23日 优先权日2002年12月23日
发明者崔春芳, 童忠良 申请人:童忠良, 崔春芳