1.一种低介电常数微波介质陶瓷材料，其特征在于，包括以质量计的以下组分：
主料，所述主料含量为75-85wt％，所述主料为r掺杂的zn2sio4，其中，r包括nb、sm、la、nd中的一种或多种，r的含量为si的摩尔含量的0.01-0.1倍；
辅料，所述辅料为tio2，所述辅料含量为10-17wt％；
烧结助剂，所述烧结助剂包括sio2、na2o和b2o3中的一种或多种，所述烧结助剂含量为1-10wt％。
2.如权利要求1所述的低介电常数微波介质陶瓷材料，其中，以sio2、na2co3、h3bo3为相应原料引入所述烧结助剂。
3.如权利要求1或2所述的低介电常数微波介质陶瓷材料，其中，所述低介电常数微波介质陶瓷材料介电常数为8-11、品质因数大于40000、谐振频率温度系数τf为-35～0ppm/℃。
4.如权利要求1-3所述的低介电常数微波介质陶瓷材料的制备方法，包括：
(1)按所需化学组成，称取相应的zn源、si源和r源，混合、球磨、研磨分散、干燥、过筛后煅烧，煅烧温度为1040-1060℃，煅烧时间为3-5h，合成所述主料；
(2)将主料、辅料和烧结助剂按照配方配料，混合、球磨、研磨分散，向研磨分散后的浆料中加入粘结剂、脱模剂和消泡剂，充分混合后进行喷雾造粒；
(3)对造粒后的物料进行成型、排胶和烧结，烧结温度为1000-1100℃，得到所述低介电常数微波介质陶瓷材料。
5.如权利要求4所述的低介电常数微波介质陶瓷材料的制备方法，其中，所述步骤(1)中，所述zn源为zno，所述si源为sio2，所述r源为nb2o5、sm2o3、la2o3、nd2o3中的一种或多种。
6.如权利要求4所述的低介电常数微波介质陶瓷材料的制备方法，其中，所述步骤(2)中，以sio2、na2co3、h3bo3为原料引入所述烧结助剂。
7.如权利要求4所述的低介电常数微波介质陶瓷材料的制备方法，其中，所述步骤(2)中，所述粘结剂为聚乙烯醇、聚乙二醇、丙烯酸类粘结剂中的两种或者三种。
8.如权利要求4所述的低介电常数微波介质陶瓷材料的制备方法，其中，所述步骤(2)中，粘结剂含量为3-9wt％。
9.一种陶瓷元器件，其包括如权利要求1-3任一所述的低介电常数微波介质陶瓷材料。
10.如权利要求9所述的陶瓷元器件，其中，所述陶瓷元器件包括介质谐振天线、滤波器、双工器。