含蒽类化合物、其制备方法及其应用、有机发光器件的制作方法
【专利摘要】本发明提供了一种用于荧光主体材料，空穴注入材料或者空穴传输材料蒽类化合物及其应用,和包含有该有机发光化合物的有机发光器件。所述蒽类化合物的分子结构通式为：其中，R基团选自碳原子数为6～19个原子构成的芳香基、稠环芳基、芳族杂环基或取代的芳族杂环基系列基团。该有机化合物具有良好的热稳定性，是一种高效率长寿命的材料。
【专利说明】含蒽类化合物、其制备方法及其应用、有机发光器件
【技术领域】
[0001 ] 本发明涉及有机光电材料领域，尤其涉及一类含蒽类化合物、制备方法及其应用。【背景技术】
[0002]有机发光器件的基本结构包括两个相对的电极，即阴极和阳极，以及包含有机材料层。在阳极和阴极之间施加电压，空穴就从阳极通过空穴传输层注入到发光层中。同时，电子从阴极通过电子传输层注入到发光层中。在发光层区域，载流子重排形成激子。激发态激子转变到基态，引起发光层分子发光，发光因此形成。发光材料根据发光机理分为两组:一组由利用单线态激子的荧光材料组成，另一组由利用三线态激子的磷光物质组成。
[0003]有机电致发光现象是电流通过特定有机分子的内部作用而转化成可见光线。在有机发光器件中，通常包含阴极、阳极和阴极与阳极之间的有机材料层。就这一点而言，有机材料层可包含几个由不同材料形成的层的多层结构以提高所形成的OLED的效率和稳定性。例如，有机材料层可包含空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层等。
[0004]发光材料可发出蓝色、绿色、红色和黄色等几种光。为提高发光层的发光效率，可在发光层中加入其他具有更高量子产量的发光材料。已知激发子具有将其能量转移给重新组合部位附近的材料中具有更小带隙的材料的倾向。因此，掺杂剂选自比主材料具有更高的量子产量和更小的带隙(更大的波长)的材料；否则，激发子的能量将转移至具有更低量子产量的主材料，并因此产生弱的发射或者不发射。
[0005]为了有效发挥有机电致发光器件的优秀特征，可以采用稳定有效率的材料作为OLED器件内的有机材料层，即空穴注入层、空穴传输层、发光层，电子传输层、电子注入层等。但是至今没有理想的稳定高效率的有机发光材料用于有机材料层，所以新材料的研究势在必行。·
【发明内容】
[0006]鉴于上述现有技术的不足，本发明在蒽上引入高效率及热稳定性好的芳香族，提高了材料的发光效率及稳定性。本发明的目的在于提供一类含蒽类化合物、制备方法及其应用，旨在提供一种新的闻效的有机电致发光材料。
[0007]本发明的技术方案如下:
[0008]一类含蒽类化合物，其特征在于，所述蒽类化合物的分子通式为:
[0009]
【权利要求】
1.一种含蒽类化合物，其特征在于，所述含蒽类化合物的分子结构通式为:
2.根据权利要求1所述的含蒽类化合物，其特征在于，所述含蒽类化合物至少为
3.—种如权利要求1所述的含蒽类化合物的制备方法，其特征在于，包括如下步骤: 步骤S1:对反应容器进行脱气，向反应容器中加入蒽衍生物的溴化物、含R基团取代的硼酸、碳酸钾和甲苯； 步骤S2:升高反应温度至70°C，然后加入催化剂并回流，充分反应； 步骤S3:经过滤、洗涤、重结晶得到所述蒽类化合物。
4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述步骤SI中的蒽衍生物的溴化物由2-溴-6-苯蒽和9，10-蒽醌制备而成。
5.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述步骤SI中的蒽衍生物的溴化物的制备方法，包括如下步骤: 步骤N1:对反应容器进行脱气，向反应容器中加入2-溴-6-苯蒽、四氢呋喃； 步骤N2:对反应体系降温，加入n-BuLi ； 步骤N3:加入所述9，10-蒽醌； 步骤N4:升高反应温度至室温，充分反应后加NH4Cl终止；步骤N5:经萃取、洗涤、干燥、柱层析纯化得到蒽类衍生物的醇类化合物； 步骤N6:加入碘化钾、磷酸二氢钠、冰醋酸进行脱水反应得到蒽类衍生物中间体； 步骤N7:加入溴水溴化后得到步骤SI中蒽类衍生物的溴化物。
6.根据权利要求1~2任一项所述的含蒽类化合物在有机电致发光器件中的应用，其特征在于，所述的含蒽类化合物在所述有机电致发光器件中用作荧光主体材料、空穴注入材料或者空穴传输材料。
7.根据权利要求6的蒽类化合物在有机电致发光器件中的应用，其特征在于，所述的含蒽类化合物在所述有机电致发光器件中用作荧光绿色主体材料。
8.—种有机发光器件,包括第一电极、第二电极和置于所述两电极之间的一个或多个有机化合物层，其特征在于，至少一个有机化合物层包含至少一种如权利要求1~2任一项所述含蒽类化合物。`
【文档编号】C07D277/66GK103787822SQ201310666464
【公开日】2014年5月14日 申请日期:2013年12月10日 优先权日:2013年12月10日
【发明者】李彦松, 马晓宇, 王辉, 李娜 申请人:京东方科技集团股份有限公司, 吉林奥来德光电材料股份有限公司