用于有机电致发光器件的材料的制作方法

技术特征：

1.式(1)的化合物

其中所使用的符号和标记如下：

A是O或S；

X两个相邻的X是式(2)的基团

其中^指示式(1)中相应的相邻X基团，并且两个剩余的X基团是CR；

Z是CR；或者两个相邻的Z是式(2a)的基团并且两个其他Z是CR，

其中^指示式(2)中相应的相邻Z基团；W在此是O、S、NR或CR₂；

Ar是具有5至40个芳族环原子并可以被一个或多个R基团取代的芳族或杂芳族环系；

R在每种情况下是相同或不同的并且选自：H，D，F，Cl，Br，I，CN，NO₂，N(Ar¹)₂，N(R¹)₂，C(＝O)Ar¹，C(＝O)R¹，P(＝O)(Ar¹)₂，P(Ar¹)₂，B(Ar¹)₂，Si(Ar¹)₃，Si(R¹)₃，具有1至40个碳原子的直链烷基、烷氧基或硫代烷基基团或者具有3至40个碳原子的支链或环状的烷基、烷氧基或硫代烷基基团或者具有2至40个碳原子的烯基或炔基基团，所述基团中的每个可被一个或多个R¹基团取代，其中一个或多个不相邻的CH₂基团可以被R¹C＝CR¹、C≡C、Si(R¹)₂、C＝O、C＝S、C＝NR¹、P(＝O)(R¹)、SO、SO₂、NR¹、O、S或CONR¹代替并且其中一个或多个氢原子可以被D、F、Cl、Br、I、CN或NO₂代替，具有5至60个芳族环原子并且在每种情况下可被一个或多个R¹基团取代的芳族或杂芳族环系，具有5至40个芳族环原子并且可被一个或多个R¹基团取代的芳氧基或杂芳氧基基团；同时，任选地两个相邻的R取代基可以形成单环或多环的脂族、芳族或杂芳族环系，其可被一个或多个R¹基团取代；

Ar¹在每种情况下是相同或不同的并且是具有5至30个芳族环原子并可被一个或多个非芳族R¹基团取代的芳族或杂芳族环系；同时，与同一氮、磷、硼或硅原子键合的两个Ar¹基团也可通过单键或选自N(R¹)、C(R¹)₂、O和S的桥连基彼此桥连；

R¹在每种情况下是相同或不同的并且选自：H，D，F，CN，具有1至20个碳原子的脂族烃基基团，或者具有5至30个芳族环原子的芳族或杂芳族环系，其中一个或多个氢原子可以被D、F、CN或具有1至10个碳原子的烷基基团代替；同时，两个或更多个相邻的R¹取代基可一起形成单环或多环的脂族环系；

p在每种情况下是相同或不同的并且是0、1、2、3或4。

2.根据权利要求1所述的化合物，其选自式(3)至(8)的化合物：

其中所使用的符号和标记具有权利要求1中给出的定义。

3.根据权利要求1或2所述的化合物，其特征在于p在每种情况下是相同或不同的并且是0或1。

4.根据权利要求1至3中的一项或多项所述的化合物，其选自式(3a)至(8a)的化合物

其中所使用的符号具有权利要求1中给出的定义。

5.根据权利要求1至4中的一项或多项所述的化合物，其选自式(3b)至(8b)的化合物：

其中所使用的符号具有权利要求1中给出的定义。

6.根据权利要求1至5中的一项或多项所述的化合物，其特征在于A是氧。

7.根据权利要求1至6中的一项或多项所述的化合物，其选自式(3d)至(8d)的化合物：

其中所使用的符号具有权利要求1中给出的定义。

8.根据权利要求1至7中的一项或多项所述的化合物，其特征在于Ar选自苯基、联苯、三联苯、四联苯、芴、螺二芴、萘、吲哚、苯并呋喃、苯并噻吩、咔唑、二苯并呋喃、二苯并噻吩、茚并咔唑、吲哚并咔唑、吡啶、嘧啶、吡嗪、哒嗪、三嗪、菲、三亚苯或者两种或三种这些基团的组合，其中这些基团各自可以被一个或多个R基团取代。

9.根据权利要求1至8中的一项或多项所述的化合物，其特征在于R在每种情况下是相同或不同的并选自：H，D，F，CN，N(Ar¹)₂，C(＝O)Ar¹，P(＝O)(Ar¹)₂，具有1至10个碳原子的直链烷基或烷氧基基团或者具有3至10个碳原子的支链或环状烷基或烷氧基基团或者具有2至10个碳原子的烯基基团，所述基团中的每个可被一个或多个R¹基团取代，其中一个或多个不相邻的CH₂基团可被O代替并且其中一个或多个氢原子可被D或F代替，或者具有5至30个芳族环原子并且在每种情况下可被一个或多个R¹基团取代的芳族或杂芳族环系。

10.用于制备根据权利要求1至9中的一项或多项所述的化合物的方法，所述方法包括以下反应步骤：

a)合成尚不含有Ar基团的基本骨架；和

b)将来自a)的所述基本骨架在C-N偶联或在亲核芳族取代反应中转化以引入所述Ar基团。

11.制剂，其包含至少一种根据权利要求1至9的一项或多项所述的化合物和至少一种溶剂。

12.根据权利要求1至9中的一项或多项所述的化合物在电子器件中或根据权利要求11所述的制剂在制造电子器件中的用途。

13.电子器件，其包含至少一种根据权利要求1至9中的一项或多项所述的化合物。

14.根据权利要求13所述的电子器件，其是有机电致发光器件，其特征在于根据权利要求1至9的一项或多项所述的化合物被用于发光层中用作磷光发光体的基质材料，或者用于电子传输层或空穴传输层或激子阻挡层或空穴阻挡层中。