专利名称：液晶化合物的制作方法
技术领域：
本发明涉及包含五个或更多个苯环以及在这些环之间的两个桥接单元的新型化 合物，其中这些单元的至少一个表示-CF2O-桥。本发明另外涉及液晶介质和包括这些介质 的高频元件，特别是天线，特别是用于千兆赫范围的。该液晶介质用于例如用于可谐调的 “相控阵”天线的微波的相移。液晶介质已有一段时间被用于电光学显示器(液晶显示器-IXD)以显示信息。已 经提出将包含五个环和-CF2O-桥的化合物用于显示设备，例如在文献JP 2009-074050和 WO 2008/105286 中。然而，近来，也已提出将液晶介质用在用于微波技术的元件中，例如在DE 102004029429A 和 JP 2005-120208 (A)中。液晶介质在高频技术中的工业上有价值的应用是基于它们的介电性质能 通过可变电压得以控制的性能，特别是对于千兆赫的范围。这使得能够构造不包含 任何活动部件的可谐调天线(A. Gaebler, A. Moessinger, F. Goelden,等，"Liquid Crystal-ReconfigurableAntenna Concepts for Space Applications at Microwave andMillimeter Waves",International Journal of Antennas andPropagation,2009 论文号 876989,7 页，2009，doi :10. 1155/2009/876989)。DE 102004(^9429A描述了常规的液晶介质在微波技术中，特别是在相移器(phase shifter)中的应用。该文件已经研究了液晶介质关于它们在相应的频率范围内的性质。然而，迄今已知的组合物或单独化合物通常存在着缺点。除了其它缺陷外，它 们中的大多数产生不利的高损耗率和/或不充分的相移或者不够的材料品质(material quality)。对于在高频技术中的应用，要求具有特别的、迄今为止相当不平常、罕有的性质或 性质组合的液晶介质。因此需要具有改善性质的液晶介质的新型元件。特别是，在微波范围的损耗率必 须减小以及材料品质(n)必须改善。此外，存在着改善元件的低温行为的需要。操作性质和货架寿命的改善在此都是 必需的。因此，存在着对于相应实际应用具有合适的性质的液晶介质的相当大的需求。
发明内容
令人惊奇地，现在已经发现，使用根据本发明的化合物来获得具有合适的向列相 范围和高Δη的液晶介质是可能的，其中该液晶介质不具有现有技术材料的缺点，或至少 仅以显著降低的程度具有这样的缺点。本发明涉及式I的化合物权利要求
1.式I的化合物
2.根据权利要求1的化合物，其特征在于B1表示-CF2O-基团。
3.根据权利要求1或2的化合物，其特征在于m= 2。
4.根据权利要求1到3的一项或多项所述的化合物，其特征在于η和ο均为1。
5.根据权利要求1到4的一项或多项所述的化合物，其特征在于如果η= l、m = 2并 且ο = 0，则至少一个Y或L表示基团T。
6.液晶介质，其特征在于其包含一种或多种根据权利要求1到5的一项或多项所述的 式I的化合物。
7.根据权利要求6的液晶介质，其特征在于其另外包含一种或多种选自式II化合物的化合物
8.根据权利要求6或7的液晶介质，其特征在于在介质中式I的化合物的浓度在总计 从5%到95%的范围。
9.根据权利要求1到5的一项或多项所述的式I化合物在液晶混合物中的用途。
10.根据权利要求1到5的一项或多项所述的式I化合物在用于高频技术的元件中的 用途。
11.制备根据权利要求6到8的一项或多项所述的液晶介质的方法，其特征在于将一种 或多种式I的化合物与一种或多种选自如权利要求6所示的式II的化合物的化合物，以及 任选地与一种或多种其他的化合物以及任选地与一种或多种添加剂混合。
12.用于高频技术的元件，其特征在于它包含根据权利要求6到8的一项或多项所述的 液晶介质。
13.根据权利要求12的元件，其特征在于它是一种或多种功能上连接的相移器。
14.根据权利要求6到8的一项或多项所述的液晶介质在用于高频技术的元件中的用途。
15.相控阵天线，其特征在于它包含一个或多个根据权利要求12或13的一项或多项所述的元件。
全文摘要
本发明涉及包含以线型方式排列的五个或更多个苯环以及在这些环之间的两个桥接单元的液晶化合物，其中这些单元的至少一个表示-CF2O-桥。本发明另外涉及液晶介质和包含这些介质的高频元件，特别是天线，尤其是用于千兆赫范围的。
文档编号C09K19/20GK102050708SQ20101053142
公开日2011年5月11日 申请日期2010年11月4日 优先权日2009年11月4日
发明者H·亨泽尔, L·利曹, W·宾德尔, 真边笃孝 申请人:默克专利股份有限公司