专利名称：：具有潜在活化层的有机发光器件的制作方法具有潜在活化层的有机发光器件相关申请的交叉引用本申请是在2005年10月4日提交的第11/243194号共同待决的申请的部分继续申请，本申请完整收录其内容作为参考。关于联邦政府资助的研究和开发的声明本发明在政府的支持下完成，合同号码为70NANB3H3030,并得到国家标准与技术研究院的资助。政府在本发明中具有某些权利。
背景技术：
：本发明一般涉及有机电子器件。本发明具体涉及有机发光器件。有机电子器件包括有机发光器件和有机光伏器件。有机电子器件通过电荷注入运行，此结合在有机发光器件中导致能量辐射，或在光伏器件中导致电荷的分离。本领域技术人员应该理解的是，有机发光器件(OLED)通常包括至少一位于两极之间的有机层。OLED可包含另外的层，例如空穴注入层、空穴转移层、发光层和电子转移层。通过应用合适的电压于OLED，注入的正电荷和负电荷在发光层中再结合来产生光。在器件中加入某些材料能促进电荷的注入、转移、再结合、分离等。在一些实例中，加入的材料通过增加存在于系统中电荷载体的数量而提高系统或器件的电导率。传统的方法包括例如加入酸性化合物(加入空穴供体或电子受体)和减少如金属氟化物、碱金属或碱土金属的材料(加入电子供体)的方法。在形成多层器件时这些材料的反应特质会产生问题。例如，存在于层中的强酸通常会由于在层的顶上加入层迁移。另外，已知的电子供体通常与空气或湿气反应并且可在制造期间分解。传统的制备低功函数阴极的方法包括气相沉积。气相沉积不适合连续的生产。有机发光器件包括光板。有机电子器件通过注入电荷运行，电荷结合在发光器件中导致能量辐射，或在光伏器件中导致电荷的分离。本领域技术人员应该理解的是，有机发光器件(OLED)通常包括至少一位于两极之间的有机层。OLED可包含另外的层，例如空穴注入层、空穴转移层、发光层和电子转移层。通过应用合适的电压于OLED,注入的正电荷和负电荷在发光有机层中再结合而产生光。OLED的阴极在低功函数时具有最好的性能。传统的制备OLED低功函数阴极的方法包括气相沉积。气相沉积不适合使用空气敏感的前体的连续生产。在OLEDs的生产期间，通常需要惰性的工作环境。相应地，需要技术来解决在例如发光器件的有机光电器件中的上述一个或多个问题。在美国专利4,249，105中，Kaegawa等人(1卵1)公开了可通过热分解二叠氮化钡来产生钡和Ba3N2来制作气体放电显示板的阴极。见Col.5，lis.11-20。在美国专利5,534,312中，Hill等人(1996)公开了将金属配合物的膜在空气中旋涂于基板之上并用光照该配合物。见摘要。在美国专利申请2001/0005112中，Saito等人公开了将具有小于2至3[eV]的功函数的电子发光物质用于从金属前体制备场致发光阴极。见段落和。在美国专利申请2004/0101988Al中，Roman等人公开了从自发地热分解的配体生成掩模。见段落-。在美国专利申请2004/0164293中，Maloney等人7>开了通过在大气条件下沉积前体并将该前体转换为成像层生成阻挡层的方法。见l史落、、和。发明筒述简要地，依照本技术的方面说明了有机发光器件。该有机发光器件包括基板和至少一包括潜在活化材料的层。依照本技术另一方面，说明了有机发光器件。该有机发光器件包括基板和至少一包括潜在活化材料的活化产物的层。依照本技术的另一方面，说明了具有潜在活化材料或潜在活化材料的活化产物的有机发光器件的制作方法。本发明具体涉及有机发光器件。OLED器件具有阴极层，所述阴极层包含当暴露于热或光下时能释放至少一低功函数金属的至少一金属前体的反应产物。在一个实施方案中，至少一低功函数金属具有小于3.0eV功函数值。在另一个实施方案中，至少一低功函数金属选自基本上由元素周期表I族碱金属元素组成的组包括锂(Li)、钠(Na)、钾(K)、铷(Rb)、铯(Cs)和钫(Fr);元素周期表II族碱土金属元素铍(Be)、4美(Mg)、钙(Ca)、锶(Sr)、钡(Ba)和镭(Ra);元素周期表IIIB族稀土金属元素包括镧、铈、镨、钕、钷、钐、铕、礼、铽、镝、钬、铒、4妄、镱、镥的镧系金属。在另一个实施方案中，低功函数金属包含钡。在另一个实施方案中，金属前体包含具有式RXM的有机金属化合物，其中M是金属，x具有从1至3的值，所述值是金属的化合价，R是脂肪族或芳香族基团。在另一个实施方案中，金属前体包含具有式RXM的有机金属化合物，其中M是II族金属或镧系金属或任何它们的组合，当M是II族金属时x是2，当M是镧系金属时x具有从2至3的值，R是脂肪族或芳香族基团。在另一个实施方案中，金属前体包含含有下列的材料碱土金属环戊二烯基衍生物、二(四-异丙基-环戊二烯基)钡、二(四-异丙基-环戊二烯基)钙、二(五-异丙基-环戊二烯基)M(其中M是钙、钡或锶)、二(三-叔丁基-环戊二烯基)M(其中M是钙、钡或锶)、镧系过渡金属的环戊二烯基衍生物、碱土金属的芴基衍生物、二(芴基)钙、二(芴基)钡或镧系过渡金属的芴基衍生物或任何它们的组合。在另一个实施方案中，金属前体包含式M(N3)x化合物，其中M是元素周期表I族(IUPAC型)碱金属元素包括锂(Li)、钠(Na)、钾(K)、铷(Rb)、铯(Cs)和钫(Fr);元素周期表II族碱土金属元素铍(Be)、镁(Mg)、钙(Ca)、锶(Sr)、钡(Ba)和镭(Ra);元素周期表IIIB族稀土金属包括镧、铈、镨、钕、钷、钐、铕、札、铽、镝、钬、铒、铥、镱、镥的镧系元素。X具有从l至3的值，当M是碱土金属时x为1，当M是碱土金属时x为2，当M是稀土金属时x为从2至3的值。在另一个实施方案中，金属前体包含式Ba(N3)2的二叠氮化钡。在另一个实施方案中，有机发光器件包含a)基板，b)覆盖基板一个表面的至少一部分的至少一阴极层，该阴极层包含至少一式M(N3)x金属前体的分解反应产物，其中M选自基本上由下列组成的组元素周期表I族(IUPAC型)石咸金属元素包括锂(Li)、钠(Na)、钾(K)、凝。(Rb)、铯(Cs)和钫(Fr);元素周期表II族碱土金属元素铍(Be)、镁(Mg)、钙(Ca)、锶(Sr)、钡(Ba)和镭(Ra);元素周期表IIIB族稀土金属包括镧、铈、镨、钕、钷、衫、铕、礼、铽、镝、钬、铒、铥、镱、镥的镧系元素。X具有从l至3的值，当M是;威土金属时x为1，当M是碱土金属时x为2,当M是稀土金属时x为从2至3的值；c)覆盖第二个基板的至少一部分的阳极层材料；及d)位于阴极层和阳极层之间的有机发光材料，所述有机发光材料当将相反的电荷应用于阳极层和阴极层时发光。在另一个实施方案中，阴极层材料包含钡。在另一个实施方案中，金属前体包含具有式R2M的有机金属化合物，其中M是碱土金属，R是脂肪族或芳香族基团或取代的脂肪族或取代的芳香族基团。在另一个实施方案中，金属前体包含具有式RXM的有机金属化合物，其中M是II族金属或镧系金属或任何它们的组合，其中R是脂肪族或芳香族基团并且其中当M是II族金属时x为2,当M是镧系金属时x具有从2至3的值。在另一个实施方案中，金属前体包含含有下列的材料碱土金属环戊二烯基衍生物、二(四-异丙基-环戊二烯基)钡、二(四-异丙基-环戊二烯基)钙、二(五-异丙基-环戊二烯基)M(M是钙、钡或锶)和二(三-叔丁基-环戊二烯基)M(M是4丐、钡或锶)、镧系过渡金属的环戊二烯基衍生物、碱土金属的芴基衍生物、二(芴基)钙、二(芴基)钡或镧系过渡金属的芴基衍生物或任何它们的组合。在另一个实施方案中，金属前体包含式M(N3)x化合物，其中M选自基本上由下列组成的组元素周期表I族(IUPAC型)碱金属元素，包括锂(Li)、钠(Na)、钾(K)、铷(Rb)、铯(Cs)和钫(Fr);元素周期表II族i威土金属元素铍(Be)、镁(Mg)、钙(Ca)、锶(Sr)、钡(Ba)和镭(Ra);元素周期表IIIB族稀土金属包括镧、铈、镨、钕、钷、钐、铕、札、铽、镝、钬、铒、铥、镱、镥的镧系元素；X具有从l至3的值，当M是碱土金属时x为l，当M是碱土金属时x为2，当M是稀土金属时x为从2至3的值。在另一个实施方案中，金属前体包含二叠氮化钡。在另一个实施方案中，制备有机发光器件的方法包含a)将至少一包含至少一金属叠氮化物M(N3)x的金属前体的溶液在大气中应用于基板，其中M基本上选自由下列组成的组元素周期表I族碱金属元素包括锂(Li)、钠(Na)、钾(K)、铷(Rb)、铯(Cs)和4方(Fr);周期表II族碱土金属元素铍(Be)、镁(Mg)、钙(Ca)、锶(Sr)、钡(Ba)和镭(Ra);元素周期表IIIB族稀土金属包括镧、铈、镨、钕、钷、钐、铕、釓、铽、镝、钬、铒、铥、镱、镥的镧系元素。X具有从1至3的值，当M是碱土金属时x为1,当M是碱土金属时x为2,当M是稀土金属时x为从2至3的值；b)将至少一金属前体暴露于热或光下来释放至少一金属。在该方法的一个实施方案中，至少一金属前体是二叠氮化钡。另一个制作有机发光二极管的方法的实施方案包含a)提供至少一能转换成沉积的含金属层的金属前体；b)在基板之上形成包含至少一金属前体的层；c)转换前体层以便于形成沉积的含金属的阴极；d)将有机发光层与阴极结合；及e)将阳极层与阴极层和发光层结合，发光层位于阳极和阴极之间。在上述方法的实施方案中，至少一金属前体包含式M(N3)x化合物，其中M基本上选自由下列组成的组元素周期表I族(IUPAC型)石咸金属元素包括锂(Li)、钠(Na)、钾(K)、4如(Rb)、铯(Cs)和钫(Fr);元素周期表II族碱土金属元素铍(Be)、镁(Mg)、钙(Ca)、锶(Sr)、钡(Ba)和镭(Ra);包括镧、铈、镨、钕、钷、彭、铕、札、铽、镝、钬、铒、铥、镱、镥的镧系元素。X具有从1至3的值，当M是碱土金属时x为1,当M是碱土金属时x为2,当M选自镧系元素时x为从2至3的值。在上述方法中，至少一金属前体是金属叠氮化物。至少一种前述前体可以是二叠氮化钡。在上述方法中，使用选自下列的能源完成转换光、热、电子束辐射、离子束辐射及它们的组合。在上述方法中，至少一金属前体以流体形式使用。在上述方法中，阴极具有小于3.0eV的功函数值。在另一个实施方案中，上述有机发光器件包括光板。在一个实施方案中，在光板中阴极层材料包含钡。在光板的另一个实施方案中，至少一金属前体包含二叠氮化钡。附图简述当参考下述详细说明与伴随的参考附图(类似的特征代表了贯穿全文的附图中类似的部分)时，将会更好地理解本发明的这些和其他特征、方面和优点，其中图1是根据本技术方面的有机发光器件的示例性实施方案的代表性的截面图2是根据本技术方面的有机发光器件的另一个示例性实施方案的代表性的截面图3是根据本技术方面的有机发光器件的另一个示例性实施方案的代表性的截面图4是根据本技术方面的有机发光器件的另一个示例性实施方案的代表性的截面图5是根据本技术方面的有机发光器件的另一个示例性实施方案的代表性的截面图6是根据本技术方面的有机发光器件的另一个示例性实施方案的代表性的截面图7-22是根据本技术方面在图1-6中说明的有机发光器件的示例性制作工艺的代表性截面图23是说明根据本技术方面的有机发光器件的示例性制作工艺的流程图；；、、、'、口、、、图25是说明才艮据本技术方面的有机发光器件的示例性制作工艺的流程图26是说明根据本技术方面的有机发光器件的效率-电流密度的曲线图。图27和28展示了实施例6计算的电流效率和功率效率曲线图。图29和30展示了实施例7计算的电流效率和功率效率曲线图。图31展示了电流效率-电压曲线图。图32展示了实施例8的第一个OLED的功率效率-电压曲线图。图33M示电流效率-电压的另一曲线图，图34是另一个展示实施例8的用聚乙二醇制备的OLED的功率效率-电压的曲线图。发明详述在下列说明和权利要求中，将会引用许多在下文中定义而具有下述意义的术语。除非上下文明确指明，单数形式"一"、"一个"、"一种"包括复数指示物。本申请使用的术语"电活性"是指一种材料，该材料(l)能转移、阻断或存储电荷(正电荷或负电荷)(2)吸光或发光，尽管一般不需要荧光，和/或(3)用于生成光介导的电荷，和/或(4)通过应用偏压改变颜色、反射率、透射率。"电活性器件"是包含电活性材料的器件。在本发明上下文中，电活性层是电活性器件的一层，其包含至少一种电活性有机材料或至少一种电极材料。本申请使用的术语"有机材料"是指小分子有机化合物，或高分子有机化合物，包括但不局限于树形化合物，或包括具有2至10个重复单元的低聚物的大分子聚合物和具有IO个以上重复单元的聚合物。本申请使用的术语"活化材料"(activatormaterial)是指能使电荷注入、电荷转移、电荷再结合或电荷分离增加的材料。在一些实施方案中，活化材料是空穴或电子供体。活化材料的实例包括但不局限于光致酸(或可互换地使用光生酸)和光致石威(或可互换地使用光生碱)。本申请使用的术语"活化层"(activatedlayer)是指具有至少一种活化材料的层。在非限制性的实例中，活化层包括光致酸或光致石威。在另外的实例中，预期具有空穴供体、p-活化层的层与不含有活化材料的层相比具有提高的功函数，然而预期具有电子供体、n-活化层的层与不含有活化材料的层相比具有降低的功函数。本申请使用的术语"潜在活化材料(latentactivatormaterial)"是指其活化产物包含至少一种活化材料的材料。潜在活化材料的实例包括但不局限于光致酸生成剂和光致》成生成剂。本申请使用的术语"潜在活性层(latentactivatedlayer)"是指具有至少一种潜在活化材料的层。在非限制性的实例中，潜在的活性层是包含聚(3,4-亚乙基二氧p塞吩)四异丁烯酸酯(PEDOT)材料的电荷转移层，其另外包括例如二苯基六氟磷酸碘鑰盐的潜在活化材料。本申请使用的术语"活化(activation)"是指使用光或热生成活化材料。本申请使用的术语"活化产物(activationproducts)"是指潜在活化材料的热或光活化的直接或间接的反应产物。例如，光致酸是光活化光致酸生成剂潜在活化材料的活化产物。本申请使用的术语"钝化(passivation)"是指通过照射与活性区域接触的潜在活化材料来提供反活化材料而中和活性区域中的活化材料，从而使层中的活化区域失活。例如，碱性材料可通过引入与碱性材料接触的例如光致酸生成剂的潜在活化材料，并活化光致酸生成剂来释^:光致酸而中和该i威性材料。本申请使用的术语"配置于之上(disposedover)"或"沉积于之上(depositedover)，，是指直接配置或沉积于层上并且与之接触，或者配置或沉积于层上但其间具有中间层。在本发明各个实施方案中使用的术语"烷基(alkyl)"倾向于指包含碳和氢的直链烷基、支链烷基、芳烷基、环烷基、二环烷基、三环烷基和多环烷基团，并且除-灰和氬外任选地含有例如选自周期表15、16、17族的原子，例如卣原子。烷基基团可以是饱和的或不饱和的，并且可含有例如乙烯基或烯丙基。术语"烷基"也包含烷氧基的烷基部分。除非另外说明，在各个实施方案中，直链和支链烷基包含1至约32个碳原子，并且包含说明性的非限制性实例d-C32烷基(以一个或多个选自d-C32烷基、Q-d5环烷基或芳基的基团任选地取代)和以一个或多个选自CrC32烷基或芳基的基团任选取代的C3-Qs环烷基。一些说明性的非限制性的实例包含曱基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、仲丁基、叔丁基、戊基、新戊基、己基、庚基、辛基、壬基、癸基、十一烷基和十二烷基。环烷基和二环烷基一些具体的说明性的非限制性的实例包括环丁基、环戊基、环己基、曱基环己基、环庚基、二环庚基和金刚烷基。在各个实施方案中芳烷基包括含有7至14个碳原子的基团，这些基团包括但不局限于千基、苯基丁基、苯基丙基和苯基乙基。在本发明各个实施方案中使用的术语"芳基(aryl)"倾向于指包含6至20个碳原子的取代或未取代的芳基。芳基的一些说明性的非限制性的实例包括以一或多个选自下列基团任意取代的CVC20芳基d-C32烷基、C3-C!5环烷基、芳基和包含选自元素周期表15、16和17族原子的官能团。芳基的一些具体说明性的非限制性的实例包括取代或未取代的苯基、联苯基、曱苯基、二曱苯基、萘基和联萘基。根据本发明一个实施方案，提供了包含至少一种潜在活化材料的至少一潜在活化层的有机发光器件。参照图1，说明了有机发光器件(OLED)IO的第一个示例性实施方案。在说明性的实施方案中，所示的发光器件10包括第一个电极12、具有潜在活化材料的潜在活性层14、电活性层16和第二个电极18。在非限制性的实例中，第一个电极是阳极，潜在的活化层是空穴注入和/或转移层，电活性层是发光层，第二个电极是阴极。本领域技术人员应该理解的是，在本技术供选的实施方案中，可具有更少或更多数量的电活性层。潜在的活化层可另外包含例如空穴转移材料、空穴注入材料、电子转移材料、电子注入材料、吸光材料、电致发光材料、阴极材料或阳极材料或任何它们的组合的材料。潜在活化材料可以是无机材料、有机金属材料、有机材料、聚合材料或任何它们的组合。在一些实施方案中，活化材料在有机基质中作为分散剂存在。在某些实施方案中，潜在活化材料是具有至少一光致酸生成官能团、或光致碱生成官能团或热致酸生成官能团或任何它们的组合的材料。潜在的空穴供体材料包括但不局限于光致酸生成剂或热致酸生成剂，潜在的电子供体材料包括但不局限于光致碱生成剂和在活化中生成零价氧化态金属的有机金属化合物。例如，光致酸生成剂(photoacidgenerator)二苯基六氟磷酸硤鎗盐(Ph2lPF6)可用作p-活化的潜在活化材料。Ph,EPR<T》通常通过光活化，生成苯基和苯基碘基团。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage13</formula>光照产生的苯基(Ph+)和苯基碘(Phl+)基是高度反应性的基团并且预期会进一步与溶剂或其他杂质反应生成用作p-活化剂的六氟磷酸。光致酸的生<formula>formulaseeoriginaldocumentpage14</formula>成已为本领域所知。其已在许多文献中得到说明，例如"Crivello，JournalofPolymerSciencepartA:PolymerChemistry,Volume37pp4241-4254",本申请完整收录该内容作为参考。在潜在的n-活化的实例中，例如二(药基)钩的有机金属化合物可用作潜在活化材料。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage14</formula>通过活化，预期二(芴基)钩会发生还原消除反应而形成零价氧化态金属和有机产物。该金属作为电子的供体。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage14</formula>在一些实施方案中，潜在的活化层包含100%重量的潜在活化材料。在某些其他的实施方案中，潜在活化材料的重量是潜在活化层重量的99%至0.1%。在其他的实施方案中，潜在活化材料的重量是潜在活化层重量的90%至20%。在还一另外的实施方案中，潜在活化材料的重量是潜在活化层重量的90°/。至50%。在一些其他的实施方案中，潜在活化材料的量可以低至每百万份整个潜在活化层组合物存在100份的潜在活化材料。光致酸生成剂的非限制性的实例包括错盐、碘错盐、锍错盐、氧错盐、卣错盐、季鳞盐、硝基节基酯、砜、磷酸盐或酯、N-羟基亚(酰)胺基磺酸盐、二苯基六氟磷酸碘錄盐、重氮萘醌、二苯基碘错三氟曱磺酸盐(triflate)、二苯基碘错对曱^^黄酸盐、三芳基锍错磺酸盐、(对曱基苯基，对异丙基苯基)碘错四(五氟苯基)硼酸盐、二(异丙基苯基)碘错六氟锑酸盐、二(正十二烷基苯基)碘错六氟锑酸盐等等。热致酸生成剂(thermoacidgenerator)的实例包括但不局限于四氢噻吩盐(thiolaniumsalts)、千基四氢遂吩六氟-丙烷-磺酸酯、硝基千基酯、2-硝基节基曱苯磺酸酯、氨基三氟曱磺酸盐、碘错盐、碘镛盐与例如苯频哪醇的自由基产生剂的组合、碘铬盐与金属盐的组合等等。热或光光致碱生成剂非限制性的实例包括O-酰肝、季铵盐、0-苯基乙酰基-2-萘乙酮肟、苯曱酰基羰基衍生物、O-硝基千基N-环己基氨基曱酸酯、硝苯地平、N-曱基硝苯地平等等材料。在本发明的另一个实施方案中，潜在活化材料包含在热或光的活化下释放其零价氧化态金属的有机金属。所述金属非限制性的实例包括I族金属、n族金属、ni族金属、iv族金属、钪、钇及镧系金属。在一个实施方案中，活化材料是式R2M化合物，其中M是金属，R是脂肪族或芳香族基团。在一些实施方案中，M是例如但不局限于钙、锶、钡和4美的II族金属，或例如但不局限于镧、铈，铕、镨和钕的镧系金属。所述有机金属化合物的非限制性实例包括碱土金属或镧系过渡金属的环戊二烯基衍生物，例如二(四-异丙基-环戊二烯基)钡、二(四-异丙基-环戊二烯基)钙、二(五-异丙基-环戊二烯基)M(M是钓、钡或锶)、二(三-叔丁基-环戊二烯基)M(M是钙、钡或锶)，碱土金属或镧系过渡金属的药基衍生物，例如二(药基)4丐或二(药基)钡。在本发明的另一个实施方案中，潜在活化材料包含在热或光的活化下释放其零价氧化态金属的无机金属化合物。所述金属的非限制性实例包括I族金属、II族金属和镧系金属。在一个实施方案中，活化材料是式R2M化合物，其中M是金属，R是叠氮(N3)。在一些实施方案中，M是例如但不局限于4丐、锶、钡和镁的n族金属，或例如但不局限于镧、铈，铕、镨和钕的镧系金属，或例如碱金属的I族金属。所述无机化合物的非限制性实例包括式Ba(N3)2的二叠氮化钡。优选地，该金属具有小于3eV的功函数。在优选的实施方案中，将金属化合物在溶液中于大气条件下应用于碱。所述碱优选地为电极、电导体。金属化合物也可以是上述有机金属化合物。在另一个实施方案中，OLED器件具有包含低功函数金属或金属化合物的阴极层，所述金属或金属化合物来自至少一种当暴露于热或光下时能释放金属或金属化合物的金属前体。该组合的优点在于金属化合物的溶液能在大气氛围中用于制造阴极层，在制造期间不需要惰性的工作环境。低功函数金属或金属化合物可具有小于3.0eV的功函数。该金属选自元素周期表I族、II族和镧系金属。在一个实施方案中，有机发光器件(OLED)包含a)基板，b)覆盖基板一个表面至少一部分的至少一阴极层，阴极层包含至少一种选自下列元素的材料I族和II族元素及锎系金属，所述材料通过在大气中将相应的叠氮化物(N3)x溶液沉积然后去除至少一部分叠氮形成，其中X数值对应于相应元素的化合价；c)覆盖至第二个基板至少一部分的阳极材料；及d)位于阴极层和阳极层之间的有机发光材料，当将相反的电荷应用于阳极层和阴极层时所述有机发光材料发光。该有机发光材料选自包含a)吸光层材料或b)电致发光层材料，或，c)电致变色材料或d)任何它们的组合及任选地；e)空穴转移层材料，f)空穴注入层材料，g)电子转移层材料，h)电子注入层材料，或i)任何它们的组合。在一个实施方案中，阴极层材料包含钡。在另一个实施方案中，叠氮化物包含式Ba(N3)2的二叠氮化钡。在本发明的一个实施方案中，OLED是光板，其包含a)光纟反基4反，b)至少一覆盖基板一个表面至少50%的连续的阴极层，其中阴极层包含至少一种选自下列元素的材料I族元素、II族元素和镧系元素，所述材料通过在大气中将相应的叠氮溶液沉积然后去除叠氮形成。c)阳极层材料；及d)位于阴极层和阳极层之间的有机发光材料，当将相反的电荷应用于阳极层和阴极层时所述有机发光材料发光。在一个实施方案中，有机发光材料选自包含e)吸光层材料或f)电致发光层材料，或，g)电致变色材料或h)任何它们的组合。光板可另外含有a)空穴转移层材料，b)空穴注入层材料，c)电子转移层材料，d)电子注入层材料，或e)任何它们的组合。在一个实施方案中，光板具有包含钡和相应的具有式Ba(N》2的二叠氮化钡的阴极层材料。在一个实施方案中，制备有机发光器件的方法包含a)通过将至少一种选自I族、II族和镧系元素的叠氮化物材料的溶液在大气中涂覆于基板之上形成阴极。b)在基板上去除叠氮形成至少一种选自下述材料的涂层而形成阴极，所述材料包括至少一种I族和II族元素及镧系元素或至少一种元素的化合物。叠氮化物可以是式Ba(N3)2的二叠氮化钡。在另一个实施方案中，制备有机发光二极管的方法包含如下步骤a)选择至少一种能转换成沉积的含金属的层的前体；b)在基板之上形成包含至少一未转化前体的层；c)充分地完全地转换前体层以便于形成沉积的含金属的阴极。d)组合发光有机层与阴极层及；e)组合阳极与阴极和发光层，发光层位于阳极和阴极之间。至少一种前体化合物包含金属配合物，所述金属配合物包含至少一种选自叠氮化物的配体和至少一种选自I族和II族和镧系金属及其混合物的金属。前体可以是式Ba(N3)2的二叠氮化钡。转化可使用选自下列的能源完成光、热、电子束辐射、离子束辐射及它们的组合。前体化合物可以以流体形式应用。在基板表面形成的前体层可包含许多金属-有机前体化合物的混合物。为提高效率，阴极具有小于3.0eV的功函数。在所有的上述OLEDs中，有机发光器件可另外包含例如空穴转移层、空穴注入层、电子转移层、电子注入层、电致发光层、阴极层或阳极层或任何它们的组合的一层或多层。OLED可另外包括但不局限于例如聚合基板的基板层。在本发明某些实施方案中，有机发光器件包括至少一能空间选择性地光活化或热活化的潜在的活化层。空间选择性活化使得有机发光器件图样化。热活化非限制性的实例包括将具有潜在的活化层的器件置于热板上或使用例如激光源的光源选择性地加热具有潜在活化材料的层的某个区域。潜在活化材料吸收的热能导致活化材料的释放。光活化方法包括但不局限于使用光源照射潜在活化材料，所述光源例如但不局限于红外光源、可见光源、紫外光源，包括激光。吸收了光的潜在活化材料被光激发而释放活化材料。在本发明某些其他的实施方案中，有机发光器件包括至少一种与活性区域接触的潜在的抗活化材料。通过照射与活性区域接触的潜在活化材料来提供抗活化材料而中和在活化区域中的供体，该活化区域可能被钝化。例如，通过照射与p-活化区域接触的潜在的光致碱生成剂，释放电子供体来中和在活化区域中的空穴供体。空间选择性钝化也可使得OLED器件图样化。根据本发明另一个实施方案，有机发光器件包括至少一活化层，其中这些层包含至少一种潜在电荷-供体材料的光或热活化产物。参照图2，说明了有机发光器件(OLED)20的第二个示例性实施方案。在说明性的实施方案中，所示的有机发光器件20包括第一个电极22、具有至少一种潜在活化材料的光或热活化产物的活化层24、电活性层26和第二个电极28。在一些实施方案中，活化的有机电活性层是发光聚合物层。在还一另外的实施方案中，活化的有机电活性层是电荷转移层。活化层可另外包含空穴转层移材料、空穴注入层材料、电子转移层材料、电子注入层材料、吸光层材料、阴极层材料、阳极层材料或电致发光层材料或任何它们的组合。活化层可包括多于一个波长的光活化产物。OLED可另外包括基板层，例如但不局限于聚合基板。在一些实施方案中，活化层包含100%重量的活化材料。在某些其他的实施方案中，活化材料的重量是活化层重量的约99%至1%。在其他的实施方案中，活化材料的重量是活化层组合物重量的约90%至约20%。在还一另外的实施方案中，活化材料的重量是活化层组合物重量的约90%至约50%。在一些其他的实施方案中，活化材料的量可以低至每百万份整个活化层组合物存在100份的活化材料。在本发明的一些实施方案中，有机发光器件是图样化的。该图样(案)可以是规则的，例如但不局限于字母、数字和几何结构。该图样也可以是任意的和不规则的。通过光或热介导的空间选择性活化可以使OLED图样化。空间选4奪性活化可使用预加工罩(pre-machinedmask)、底片或任何其他的方法咒成。在本发明某些其他的实施方案中，图样化也可通过空间选择性钝化完成。选择性的钝化包含通过选择性地照射与活化区域接触的抗电荷供体材料的去活化。参照图3，说明了有机发光器件30的另一个示例性实施方案。在说明性的实施方案中，所示的有机发光器件30包括第一个电极32、选择性活化电活性层33,所述电活性层33具有包括至少一潜在电荷供体材料的光或热活化产物的活化区域34和具有至少一种潜在活化材料的非活化区域36。该器件另外包括另外的有机电活性层38和第二个电极40。在选择性地活化层33中，仅层中有某些部分或区域是选择性活化的，剩下的某些部分具有潜在的活化材料或是可以去活化或钝化的区域。此选择性的活化使得OLED图样化。图样化可包含规则的外形，例如但不局限于字母或数字或几何样式或任何它们的组合，也可包括任意的和不规则的外形和样式。在图4所示的说明性实施方案中，发光器件42包括第一个电极44、具有至少一种潜在活化材料的光或热活化产物的第一个活化层46、具有至少一种潜在活化材料的光或热活化产物的第二个活化层48和第二个电极50。在非限制性实例中，层46能以注入和/或转移空穴的方式活化，层48能以注入和/或转移电子的方式活化。参照图5，说明了发光器件52的另一个示例性实施方案。在说明性的实施方案中，所示的有机发光器件52包括第一个电极54、具有至少一种潜在的电荷供体材料的光或热活化产物的第一个活化层56、和具有至少一种潜在电荷供体材料的光或热活化产物的第二个活化层60。该器件可另外包括位于两个活化层之间的电活性层58和第二个电极62。在非限制性的实例中，第一个电极54是阳极，第二个电极62是阴极。在图6所示的说明性实施方案中，串联的有机发光器件64包括例如氧化铟锡(ITO)的阳极66、具有至少一种潜在的电荷供体材料的光或热活化产物的活化电活性层68(例如空穴注入层)、发光聚合物层70、透明的阴极72、具有至少一种潜在的电荷供体材料的光或热活化产物的第二个活化的空穴注入层74、在与第一个发光层相同或不同波长发光的第二个电活性层76和阴极78。电荷转移层材料的非限制性实例包括:低至中分子量(例如小于约20000)的有机分子、聚(3,4-亚乙基二氧噻吩)(PEDOT)、聚苯胺、聚(3,4-亚丙基二氧噻吩)(PProDOT)、聚苯乙烯基磺酸酯(PSS)、聚乙烯基。卡唑(PVK)等材料，或它们的纟且合。空穴转移层材料的非限制性实例包括三芳基二胺、四苯基二胺、芳香》矣氺又胺(tertiaryamines)、月宗书亍生物、。f峻书f生物、三。坐书亍生物、。米峻矛;亍生物、具有氨基的噁二哇衍生物、聚p塞吩等等。用作空穴阻断层的合适的材料包含聚(N-乙烯基寸唑)等等。空穴注入增强层材料的非限制性实例包括亚芳基系化合物，例如3，4,9,10-菲四曱酸二酐、二(l，2，5-噻二唑)-p-喹啉二(l,3-二硫代环戊烯(dithiole))等等。适合用作电子注入增强层材料和电子转移层材料的材料包括金属有机配合物，例如噁二唑衍生物、菲衍生物、p比咬衍生物、嘧啶衍生物、喹啉衍生物、p奎鬼啉衍生物、二苯基醌衍生物、硝基取代的药衍生物等等。可用作发光层材料的非限制性实例包括聚(N-乙烯基。卡唑)(PVK)及其衍生物；聚芴及其衍生物，例如聚(烷基芴)，例如聚(9,9-二己基芴)、聚(二辛基芴)或聚{9,9-二(3,6-二氧杂环庚烷基)-芴-2,7-二基))；聚(对亚苯基)(PPP)及其衍生物，例如聚(2-癸氧基-l,4-亚苯基)或聚(2，5-二庚基-l，4-亚苯基)；聚(对亚苯基亚乙烯基)(PPV)及其衍生物，例如二烷氧基取代的PPV和氰基取代的PPV;聚噻吩及其衍生物，例如聚(3-烷基噻吩)、聚(4,4'-二烷基-2,2'-联噻吩)、聚(2,5-亚噻吩基亚乙烯基)；聚(吡啶乙烯基)及其衍生物；聚喹喔啉及其衍生物及聚p奎啉及其衍生物。在一个具体的实施方案中，合适的发光材料是以N,N-二-(4-甲基苯基)-4-苯胺封端的聚(9,9-二辛基芴-2,7-二基)。也可使用这些聚合物和基于一个或多个这些聚合物和其他的聚合物的共聚物的混合物。聚硅烷是可用于发光层的另一类合适的材料。通常，聚硅烷是各种烷基和/或芳基侧基取代的线性的硅-骨架聚合物。它们是沿着聚合物骨架链具有离域ci-共轭电子的准一维材料。聚硅烷的实例包括聚(二-正丁基硅烷)、聚(二-正戊基硅烷)、聚(二-正己基硅烷)、聚(甲基苯基硅烷)和聚{二(对丁基苯基)硅烷}。极材料的非限制性实例包括例如钾、锂、钠、镁、4丐、钡、铝、银、金、铟、锡、锌、锆、钪、钇、锰、铅、镧系金属元素及其合金的材料，合金具体地为银-镁合金、铝-锂合金、铟-镁合金、铝-钙合金和锂-铝合金及其混合物。其他的阴极材料实例可包括碱金属氟化物、碱土金属氟化物或氟化物的混合物。其他的合适的阴极材料例如氧化铟锡、氧化锡、氧化铟、氧化锌、氧化铟锌、氧化锌铟锡、氧化锑、碳纳米管及其混合物。供选地，阴极可以由两层组成从而增加电子注入。非限制性的实例包括但不局限于内层为氟化锂或氟化钠外层为铝或银，或内层为4丐外层为铝或^L。料。阳极材料的非限制性实例包括但不局限于氧化铟锡(ITO)、氧化锡、氧化铟、氧化锌、氧化铟锌、镍、金等等材料及其混合物。基板的非限制性实例包括热塑性聚合物、聚(亚乙基对二苯酸酯)、聚(萘二曱酸乙二酯)、聚醚砜、聚碳酸酯、聚酰亚胺、丙烯酸酯、聚烯烃、玻璃、金属等等以及它们的组合。本发明有机发光器件可包括另外的层，例如但不局限于一或多个耐磨层、粘附层、化学稳定层(chemicallyresistantlayer)、光致发光层、辐射吸收层、辐射反射层、阻断层、平坦化层、光学扩散层以及它们的组合。本发明还一个另外的实施方案是制备有机发光器件的方法，其将参照图7-24在下文进一步说明。该方法通常包括提供基板并将一种或多种有机器件层置于基板之上，其中所述有机器件层包含至少一潜在活性材料。基板通常是电极。电极基板也可包括其他基板，例如但不局限于聚合的基板。该方法另外包括通过光活化或热活化潜在的活性材料产生碱或酸的步骤。活化可在制作有机发光器件期间的任何步骤实行。活化也可在器件装配完成后的器件寿命期间的任何时间实行。该方法可另外包括图样化和空间选择性活化步骤。图样可以是规则的，例如但不局限于字母、数字和几何结构。图样也可以是任意的和不规则的。空间选4奪性活化可使用预加工罩(pre-machinedmask)、负片(negativefilm)或任何其他的方法完成。活化可包括一或多个潜在电荷供体材料在一个或多个波长的光活化。在一些实施方案中，该方法可另外包括空间选择性钝化步骤，其中空间选择性钝化包含照射与活性区域接触的潜在抗活化材料。例如，可通过照射与p-活化层接触的光致酸生成剂选择性地钝化或去活化p-活化层。OLED的图样化也可通过空间选择性钝化完成。该方法可另外包含将空穴转移层材料、空穴注入层材料、电子转移层材料、电子注入层材料、吸光层材料、阴极层材料、阳极层材料或电致发光层材料或任何它们的组合置于基板之上。在一些实施方案中，该方法另外包括将各层与至少一包括潜在活化材料或潜在活化材料活化产物的层层压在一起。在一些实施方案中，将潜在活化材料与其他OLED层材料组合设置。例如，可将潜在活化材料与发光层材料组合设置。在其他的实施方案中，将潜在活化材料设置于OLED层之上。通过活化释放潜在活化材料，从而表层修饰下层。设置或处理层的方法包括但不局限于例如旋转涂布、浸渍涂布、逆转辊涂布、绕线或Mayer杆涂布、直接和偏移照相凹板式涂布、狭缝模具式涂布、刮刀涂布、热熔涂布、帘式涂布、辊衬刀涂、挤压、气刀涂布、喷涂、圆网涂布、多层坡流涂布、混合挤压、液面弯曲式涂布、逗号和微型凹版涂布(commaandmicrogravurecoating)、光刻、Langmuir工艺、闪蒸、气相沉积、等离子体增强化学汽相沉积("PECVD")、射频等离子体增强化学汽相沉积("RFPECVD，，)、扩展热等离子体化学汽相沉积("ETPCVD，，)、包括但不局限于反应溅射的溅射、电子回旋共振等离子体增强化学汽相沉积("ECRPECVD，，)、电感耦合等离子体增强化学汽相沉积("ICPECVD，，)等等技术及其组合。根据本技术的方面，图7-22是在图1-6中说明的有机发光器件的示例性制作工艺的代表性陈述。图7说明的电极80用作基板来沉积下一层。电极的实例是氧化铟锡阳极。在某些实施方案中，该电极可另外包括聚合的基板。在下一层沉积之前可以用紫外/臭氧表面处理该电极。本申请所使用的器件亚结构可包括一个或多个基板层、一个或多个电极层、一个或多个潜在活化层、一个或多个活化层、一个或多个电活性层、一个或多个例如但不局限于粘附层和阻断层的另外的层。在一些实施方案中，两个或多个器件亚结构可相互安置或配置来形成有机发光器件。在另外的实施方案中，两个或多个器件亚结构可使用例如但不局限于层压的工艺组合两种或多种器件亚结构来形成有机发光器件。如图8所示，将具有潜在活化材料的潜在活化电活性层82置于电极之上。潜在的活性层82可以是有机电活性层并且可另外包括例如空穴转移材料或发光材料。如图9所示，包括潜在活化材料的潜在的活化电活性层82通过以参考数字84表示的热或光分别热活化或光活化。潜在活化电活性层82的活化导致图10所示的活化的电活性层86形成器件亚结构89。其他层可被设置于该亚结构之上形成发光器件。该工艺可另外继续沉积至少一或多个电活性有机层88。最后，如图ll所示，可将例如阴极层的第二个电极90沉积于电活性层88之上来形成发光器件20(见图2)。供选地，该工艺可从图8所示工艺步骤至图12所示工艺步骤进行，将电活性层88沉积于潜在的电活性层82之上。器件IO(见图l)通过将电极90配置于电活性层82之上完成。如图15所示，通过应用热活化或光活化84来随后活化潜在的活化的电活性层82，导致形成活化层86和器件20。在另一供选的工艺途径中，该工艺可从图8所示的工艺步骤至图16所示的工艺步骤进行，可选择性地活化电活性层82。选择性的活化可导致OLED器件的图样化。图样化可以是期望的规则的或任意的。如图17所示，选择性的活化可导致层91的图样化，层91含有具有活化材料的活化区域92和仍为潜在活化区域的94。如图18所示，可将例如电活性层88的另外的层和电极层90沉积来制作有才几发光器件30。供选地，该工艺可从图12所示的工艺步骤至图19所示的工艺步骤进行，可将第二个潜在的活化层95置于电活性层88之上。如图20所示，潜在的活化层95受到光或热活化94提供第二个活化层96。如图21所示，可将第二个电极置于第二个活化层96之上得到器件52。在非限制性的实例中，第一个活化层86是p-活化层，第二个活化层96是n-活化层。供选地，包括图IO所示的工艺步骤的工艺也可包括图22所示的工艺步骤，图10工艺步骤中形成了包括电极80、第一个活化层86和另外的电极88的第一个器件亚结构89，图22工艺步骤中形成了包括活化层96和第二个电极层90的第二个器件亚结构97。如图19所示，可通过活化例如层95的潜在的活化层形成活化层96。如图21所示，在制备第一个和第二个亚结构89和97的工艺步骤之后，可将此两个亚结构层压在一起形成器件52。在一些实施方案中，层压通过将第一个器件亚结构和第二个器件亚结构》文在一起，然后向该亚结构应用压力或热或两者中的一种进行。在一个实施方案中，将第一个器件亚结构89和第二个器件亚结构97重叠并引导其通过层合机辊来形成器件52。在一些实施方案中，层压在150°C下进行。在某些实施方案中，如图10和19所示，在亚结构中的潜在活化材料的活化可在层压之前发生。在其他的实施方案中，在亚结构中的潜在活化材料的活化可在层压之后发生，这样以便于在层压之时第一个和/或第二个器件结构可包括潜在活化层。在非限制性的实例中，第一个和第二个器件亚结构可包括一或多个基板层、一或多个电极、一或多个潜在活化层、一或多个活化层、一或多个电活性层、或一或多个例如但不局限于粘附层和阻断层的另外的层。流程图。所述工艺100包括如下步骤提供可以是例如电极的基板102(见图7)、将包含潜在活化材料的层置于基板104之上(见图8)、将一个或多个另外的有机层置于基板106之上(见图12)、然后将第二个电极置于基板108之上(见图13)。流程图。工艺110以步骤112开始，提供了可以是例如电极的基板。该工艺110继续进行将包含潜在活化材料的层置于基板之上的步骤114(见图8)。在步骤116中，该工艺通过或光或热活化活化活化材料。流程图。在工艺118的步骤120中，提供了可以是例如电极的基板(见图7)。工艺118进行将包含潜在活化材料的层置于基板之上的步骤122(见图8)。在步骤124中，该工艺通过光或热活化活化活化材料(见图9),然后将一个或多个另外的有机层置于基板126之上(见图10),最后进行将第二个电极置于基板之上的步骤1M(见图11)实施例在没有另外的说明时，据信使用本申请说明的本领域技术人员能最大限度的利用本发明。为给实施要求保护的本发明的本领域技术人员提供另外的指导，提供了包括下列的实施例。这些实施例仅仅是有助于说明本发明的代表性的工作。相应地，这些实施例不会以任何方式限制本发明，附加的权利要求也是如此。Kelvin探针(KP)是一种动态电容器技术，其相对于常见的探针通过测量以电压为单位的接触电位差(CPDs，其相应于有效表面功函数的变化)来测量导体/半导体材料的有效表面功函数变化。KP的测量以数字Kelvin探针KP6500操作。实施例1在此实施例中使用从Aldrich获得的分散在碳酸丙二酯中的0.5%重量的以噻吩为基的导电聚合物，四异丁烯酸酯封端的聚(3,4-亚乙基二氧噻吩)(PEDOT-TMA)。从Aldrich获得的二苯基六氟磷酸硤^t盐Ph2IPF6用作潜在的活化材料。通过将2克PEDOT-TMA的碳酸丙二酯溶液与100毫克在1.5毫升碳酸丙二酯中的Ph2IPF6混合来制备PEDOT-TMA和Ph2IPF6的混合;容液(称之为PEDOT-TMA:Ph2IPF6)。表1:接触电位差(CPD)的Kelvin探针(KP)测量实验结果。<table>tableseeoriginaldocumentpage25</column></row><table>按下文制备用于KP测量的三种样品(表1)。将从AppliedFilmsCorporation获得的氧化铟锡(ITO，大约140纳米)镀膜玻璃用作导电基板。样品1是空白的预洁净的ITO,样品2由ITO和PEDOT-TMA的层(大约40纳米)组成，所述PEDOT-TMA的层从其碳酸丙二酯溶液以4000rpm的转速旋涂，样品3由ITO和PEDOT-TMA:Ph2IPF6的层(大约35纳米)组成，所述PEDOT-TMA:Ph2IPF6的层从其混合溶液以4000rpm的转速旋涂。以紫外-臭氧处理前后分别对样品实行KP测量。紫外-臭氧处理和KP测量(使用从JelightCompany,Irvine,CA92618,U.S.A获得的Model42紫外臭氧清洗机)都在环境条件下进行，此时室温为大约24。C，相对湿度大约是64%。从表1列出结果可以看到，不管PEDOT-TMA是否以紫夕卜臭氧处理(样品2和活化样品2)，引入PEDOT-TMA不会引起ITO基板的CPD(相当于有效功函数)的显著变化。相似地，旋涂的PEDOT-TMA:Ph2IPF6的存在(样品3)不显著改变测量的CPD。但是，当以紫夕卜臭氧处理PEDOT-TMA:Ph2IPF6混合物层之后，可观察到CPD的显著降低(相当于有效功函数的升高)。实施例2制作器件。OLEDs由蓝色发光聚合物(LEP),ADS329BE[聚(9，9-二辛基芴基-2，7-二基)-以N，N-二(4-曱基笨基)-苯胺封端]组成，其从AmericanDyeSources,Inc，Canada获得，作为发光层材料不需另外的纯化直接使用。器件按如下方法制作。使用标准光刻技术图样化的ITO镀膜玻璃用作阳极基板。OLEDs使用具有另外的阳极活化层的ITO阳极或不具有另外的阳极活化层的ITO阳极，其他结构相同。如表2所示，器件A和器件B都具有相同的ITO阳极，不同在于器件B的ITO基板在应用ADS329BE之前另外先以紫外-臭氧处理5分钟。器件C和D具有相同的PEDOT-TMA阳极活化层(大约40至45纳米)，不同在于在器件D中的PEDOT-TMA层在应用ADS329BE之前另外先以紫外-臭氧处理5分钟。器件E和F都具有相同的PEDOT-TMA:Ph2IPFJ財及活化层(大约35纳米)，不同在于在器件F中的PEDOT-TMA:Ph2lPF6层在应用ADS329BE之前另外先以紫外-臭氧处理5分钟。然后，分别将具有和不具有阳极活化层的ADS329BE层(65士3纳米)用其对二曱苯溶液(1.7wt。/。)旋涂于ITO之上。阳极活化层和ADS329BE层的施加及紫外-臭氧处理都在环境条件(室温为24°C，相对湿度为64%)下进行。然后将样品转移至充满氩气的手套箱(glovebox)(含水量和含氧量分别小于1ppm和10ppm)。然后将氟化钠(4纳米)/铝(110纳米)双层阴极热气相沉积于ADS329发光层之上。金属化后(金属化是指配置例如铝的金属层来使各器件结构电连接或相互连接)，以玻璃盖片封装该器件并以从Norlandproducts,Inc，Cranbury，NJ08512，USA获得的光学粘合剂Norland68密封。活性区域大约0.2cm2。表2:OLEDs器件的测量的性能特征<table>tableseeoriginaldocumentpage27</column></row><table>在表2中概括了器件的测量性能特征。可以看出相对于具有空白的ITO阳极或具有PEDOT-TMA阳极活化层的器件，使用紫外-臭氧处理的PEDOT-TMA:Ph2IPF6阳4l活化层得到的OLED器件具有显著增加的效率和低得多的开启电压(其定义为当相应的亮度达到1cd/m2时的外加电压)。因为所有的器件都具有相同类型的发光层及相同类型的双层阴极，所以性能上的增强可归因于PEDOT-TMA:Ph2IPF6活化了ITO电极从而导致更加增强的空穴注入。测量的性能特征表明Ph2lPF6的存在和紫夕卜臭氧处理是导致观察到的活化效应的关键因素。尽管申请人不希望局限于任何具体的理论，据信(和/或其他潜在的方法)众所周知的光致酸生成剂Ph2IPF6通过紫外照射可分解并生成强酸(HPF6),该光生酸能活化PEDOT-TMA宿主(host),也4艮可能活化了PEDOT-TMA:Ph2IPF6/LEP分界面，因此导致了从ITO电极至活化LEP层的空穴注入/人而增强了总的性能。实施例3向2升的三颈瓶中加入Adogen464(大约23克)、2-溴丙烷(大约235毫升)、氢氧化钾(饱和水溶液，大约1.2升)和新裂化和蒸馏的环戊二烯(41毫升)。将混合物以机械搅拌器搅拌并在80。C下加热24小时。对上层的气相色谱分析显示了四-异丙基环戊二烯的优秀的转化率。将整个反应混合物倾入分液漏斗中。加入水和环己烷分层乳浊液并收集上层。以环己烷洗涤底层水层，并收集到总共大约1.5升有机溶剂。以硫酸镁干燥有机相并且过滤，以另外的环己烷洗涤。将合并的有机相在80。C下旋转蒸发(30mmHg)去除环己烷得到更高沸点的油状物。将该油状物通过Vigreaux柱在0.6mmHg下减压蒸馏。收集110-130。C的馏分(大约53.1克)。将整个馏分溶于干燥的四氢吹喃中(THF)(大约500毫升)，然后緩慢加入钾(大约IO克)并可观察到气体放出。将该混合物搅拌17小时。通过加入水淬灭该反应。以环己烷萃取该混合物，以碌。酸^:干燥，然后在真空下去除环己烷。将得到的油状物置于水箱中得到无色晶体QH2(异丙基)4。将上述制备的C5H2(异丙基)4(大约8.12克)与THF(大约100毫升)和氩化钾(大约1.4克)混合并搅拌24小时。将该溶液在氮气下过滤并在氮气下以干燥的THF洗涤得到白色固体，四-异丙基环戊二烯基钾(K[HC5(异丙基)4])。将K[HC5(异丙基)4](大约2.81克)与碘化钡(大约2克)在THF(50毫升)中混合并在氮气下搅拌24小时。将此溶液在氮气下过滤去除石典化钾，并以THF洗涤固体。在真空下去除THF得到含有二(四-异丙基-环戊二烯基)钡(Ba-TPCP)的固体。将55.7毫克Ba-TPCP溶于大约11毫升对二曱苯中来制备名义上的浓度为大约0.5wt。/。的溶液。该溶液在充满氩气的手套箱中制备(含水量和含氧量分别小于大约l份每百万份(ppm)和大约3ppm)。制备的溶液具有一些不溶的物质沉淀在瓶底之上。取上层清液使用，不需任何过滤步骤。制备样品4、样品5和样品6三个样品用于KP测试。对所有的样品，先将用作导电基板的铝层(大约80纳米)热气相沉积于预洁净的载玻片上。在暴露于环境(称为"空气暴露，，)和烘焙前后分别在铝基板上测量样品4的KP值，环境是指在进行实验时温度为24。C且相对湿度为大约62%的正常房间条件。对于样品5，在相同的手套箱中将Ba-TPCP溶液旋涂于铝之上。然后将测量样品5—系列KP值，(1)旋涂，(2)在空气中暴露3分钟，(3)在手套箱中于180。C下烘焙大约15分钟，(4)又在空气中暴露3分钟，(5)又在手套箱中于180°C下烘焙15分钟，及(6)又在空气中暴露3分钟。对于样品6，在手套箱中将Ba-TPCP溶液旋涂于铝之上。测量样品6的一系列KP值，(1)旋涂，(2)在相同的手套箱中于180。C下烘焙大约15分钟，(3)在空气中暴露3分钟。在表3中列出了KP测量的结果。测量表明在手套箱中烘焙是至关重要的。与烘焙步骤的CPD的增力口(或样品A的第一次烘焙步骤)相对应，有效功函数显著降低。表3:在铝上具有和不具有的Ba-TPCP层的接触电位差(CPD)的Kelvin探针(KP)测量实验结果<table>tableseeoriginaldocumentpage29</column></row><table>实施例4制作了四种OLED器件。在制备器件之前，在相同的手套箱(含水量和含氧量分别小于1ppm和3ppm)中制备了两种溶液。第一个溶液(记为OAP9903:SR454)包括从H.W.Sands,Corporation,Jupiter,FL33477，USA.获得的发绿色光聚合物聚[9，9-二辛基芴-2，7-二基]-alt-co-(苯并[2，l，3]噻二唑-4,7-二基)](OPA9903)和从Sartomer,Exton,PA19341,USA.获得的丙烯酸系粘合剂-乙氧基化(3)三羟曱基丙烷三丙烯酸酯(SR454)。两材料不需另外的纯化直接使用。该混合溶液通过混合大约2.5毫升2%的OPA9903的对二曱苯溶液与大约2毫升1%的SR454的对二曱苯溶液来制备。所得溶液中SR454与OPA9903的重量比约为30%。包括OPA9903和Ba-TPCP的第二个溶液(记为OPA9903:Ba-TPCP)通过混合大约1.5毫升0.6wt。/。的OPA9903的对二曱笨溶液与大约3毫升Ba-TPCP的对二曱苯溶液制备。OLEDs按如下方法制作。将用作阳极基板的预图样化的ITO镀膜玻璃以紫外-臭氧清洁10分钟。然后将从BayerCorporation获得的[聚(3,4)-亚乙基二氧噻吩/聚苯乙烯磺酸酯](PEDOT/PSS)聚合物层(60纳米)通过旋涂沉积于ITO之上，然后在环境条件下(室温为24。C并且相对湿度为62%)于180°C下烘焙1小时。然后将样品转移至相同的手套箱中。除非另外说明，下述步骤在相同的手套箱中进行。然后，将由OPA9903:SR454组成的发光层从其对二曱苯溶液旋涂于PEDOT/PSS层之上，并以紫外灯((从UltrovioletProducts,Upland,California,91796,U.S.A.获得的R-52栅格灯，移除其滤光器)(在310纳米、365纳米和400纳米测得的强度为0.39、0.43和1.93mW/cm2)固化1分钟。然后，将OPA9903:Ba-TPCP的混合物层旋涂于固化的发光层之上并在大约180°C下烘焙约15分钟。最后，将铝层(大约110纳米)通过荫模热气相沉积于OPA9903:Ba-TPCP之上。然后金属气相沉积，4吏用载玻片封装该器件，光学粘合剂Norland68密封。活性区域大约0.2cm2。制备了四种OLED器件。对照器件，器件G不具有OPA9903:Ba-TPCP混合层。器件H、I和J具有相同的结构，不同之处在于在铝层沉积之前不同地处理OPA9903:Ba-TPCP混合层。对于器件H，将旋涂的混合层暴露于环境条件下大约3分钟，然后在相同的手套箱中在180°C下烘焙约15分钟。对于器件I，混合层没有暴露于环境条件下，对于器件J,在烘焙步骤之后将混合层暴露于环境条件下3分钟。图26展示了器件G、H、J和I的效率(以坎德拉每安培测量，cd/A)-电流密度(以毫安每平方厘米测量，mA/cm2)。比较效率130-电流密度132曲线表明相对于对照器件G(曲线134),在器件H(曲线136)、器件I(曲线140)和器件J(曲线138)中引入OPA9903:Ba-TPCP混合层显著提高了器件的效率。因为所有的四个器件具有相同的的阳极，所以认为观察到的效率的提高反映了空白铝阴极的活化。另外，该曲线图还说明了烘焙和暴露于环境的次序是重要的。未暴露于任何环境条件下的器件I相对于器件H和器件J表现出大大的提高。在烘焙之前暴露于环境条件下的器件H相对于在烘焙之后暴露于环境条件下的器件J表现出更好的效率。尽管申请人不希望受限制于任何具体的理论，但是相信通过烘焙(和/或其他的潜在方法)钡化合物(Ba-TPCP)分解和释放游离的钡原子，随后该钡原子能活化活性聚合物(OPA9903)。方程5展示了碱土金属有机金属化合物M-TPCP，其在应用热后分解释放游离的金属原子，其中M是包括钡的任何石咸土金属。(5)活化的OPA9903促进从空白的铝阴极至OPA9903活化层的电子注入。实施例5下列数据表明了在空气中沉积二叠氮化钡Ba(N3)2的水溶液于铝玻璃上(Al/glass),然后在惰性氛围中于150-200。C下活化，得到了功函数降低了至少0.5eV的表面。本实施例通过Kelvin#1针在空气中测量铝/玻璃表面的4^触电位差(CPD),然后通过旋涂各种二叠氮化钡溶液于铝/玻璃表面之上实行。将样品在手套箱中置于热板上加热，装入Kelvin探针并获得CPD值。在活化后将样品暴露于空气中并再次测量CPD值。Ba(N3)2水溶液从Pfaltz&Bauer获得，其并在瓶底具有明显的Ba(N3)2晶体，因为该晶体的存在，所以认为该溶液是饱和的，因此其浓度是CRC才艮道的值，即在17。C时17.3克Ba(N3)2/100克水，0,78mol/L。当在手套箱中装入Kelvin探针时铝/玻璃具有大约IV的值，即手套箱中02水平大约5ppm。当暴露于空气中之后，铝/玻璃的功函数增加了0.1-0.15V。除非另外说明，将所有的样品在空气中以4000rpm旋涂并于200°C下加热10分钟。在下表中，BaN6是叠氮化钡、Ba(N3)2,CPD是接触电位差，02是氧。下列实例的物理结构在附图中展示。表4<table>tableseeoriginaldocumentpage32</column></row><table><table>tableseeoriginaldocumentpage33</column></row><table>将具有1.150V的CPD的铝/玻璃装入手套箱中。在空气中暴露之后铝/玻璃具有1.044V的CPD。将该铝/玻璃用叠氮化钡以4000rpm旋涂，装入手套箱并在150°C下加热IO分钟。然后CPD值为1.649V。暴露于空气中之后CPD是1.314V。本实验是几天前进行的实验的重复实验，其功函数表现出很大的改变。40-48.1使用0.13M的叠氮化钡水溶液。实施例6有机发光器件按下述方法制作将预涂覆以ITO(掺杂氧化锡的铟)的玻璃基板以氮气枪和大量异丙醇清洁。在快速倾泻冲洗器中以去离子水沖洗该基板后以2%的Alconox浴超声波处理。将其再置于快速倾泻沖洗器中并以去离子水冲洗后，在冲洗器/干燥器中干燥并以紫外线/臭氧清洁。将厚度约为60nm的聚(3，4-亚乙基二氧噻吩)/聚苯乙烯磺酸酯(PEDOT/PSS)层通过旋涂设置于洁净的ITO-镀膜玻璃的ITO侧上，并在氮气箱中于110°C下烘焙10分钟。将此涂覆的基板在氮气干燥箱中冷却后，然后将厚度约为80nm的绿色有机EL聚合物(Sumation1304)层旋涂于PEDOT/PSS层之上。将此基板转移至氩气手套箱中，在130。C下烘焙15分钟并冷却至室温。然后将其转移出手套箱。将厚度约为14nm的叠氮化钡层通过旋涂叠氮化物水溶液(20。/0v/v)沉积，所述叠氮化物水溶液通过以去离子水和异丙醇稀释从Sigma-Aldrich购得的浓叠氮化钡溶液制备。随后将该基^1转移至手套箱中，在150。C下烘焙10分钟。将厚度约为200nm的铝层在Kurdex热气相沉积机中气相沉积于叠氮化物涂覆的基板之上。然后将该多层组件以载玻片封装并以环氧化物密封。以光电二极管和源表测量亮度、电流密度和偏置电压。计算电流效率和功率效率并将结果展示于图26和27中。实施例7另一个有机发光器件按下述方法制作将预涂覆以ITO的玻璃基板分别在丙酮/超声波浴和异丙醇/超声波浴中清洁5分钟。然后将其在Alconox水溶液中洗净，以大量的去离子水冲洗，并分别在去离子水、丙酮和异丙醇浴中超声处理5分钟。将其在150。C下干燥2小时，在环境氛围中冷却，并以紫外线和臭氧清洁。将厚度约为60nm的聚(3,4-亚乙基二氧噻吩)/聚苯乙烯磺酸酯(PEDOT/PSS)层通过旋涂沉积于洁净的ITO-镀膜玻璃的ITO侧上，并在环境氛围中于180。C下烘焙20分钟。将此涂覆的基板转移至氩气手套箱中后，将厚度约为80nm的绿色有机EL聚合物(Sumation1304)层旋涂于基板之上。将该涂覆的基板在130。C下在箱中烘焙10分钟后，冷却至室温并从箱中转移出来。将混合于聚乙二醇(Mw=35,000,从Sigma-Aldrich购得)的厚度约为20nm的叠氮化钡的层通过旋涂沉积于绿色EL聚合物之上。然后将该基板转移至手套箱中，在200。C下烘焙IO分钟。将厚度约为120nm的铝层在热气相沉积机中气相沉积于叠氮化物涂覆的基板之上。然后将该多层组件以载玻片封装并以环氧化物密封。以光电二极管和源表测量亮度、电流密度和偏置电压。计算电流效率和功率效率并将结果展示于图28和29中。将聚乙二醇与叠氮化物一起使用来增强其成膜性质。实施例8具有ITO/PEDOT/Sumation1304/A1结构的有机发光器件(OLED)按如下方法制作将预涂覆以ITO(掺杂氧化锡的铟)的基板以氮气枪和大量异丙醇清洁。在快速倾卸冲洗器中以去离子水清洗该基板后，以2。/。的Alconox浴超声波处理。将其再置于快速倾卸沖洗器中并以去离子水沖洗后，在冲洗器/干燥器中干燥并以紫外线/臭氧清洁。将厚度约为60nm的聚(3，4-亚乙基二氧噻吩)/聚苯乙烯磺酸酯(PEDOT/PSS)层通过旋涂沉积于洁净的ITO-镀膜玻璃的ITO侧上，并在110。C在氮气箱中烘焙10分钟。将此涂覆的基板在氮气干燥箱中冷却后，将厚度约为80nm的绿色有机EL聚合物(Sumation1304)层旋涂于PEDOT/PSS层之上。Sumation1304是由Sumitoma生产的发光聚合物。被用作发光层。将基板转移至氩气手套箱中，于130。C下烘焙15分钟并冷却至室温。按如下方法涂覆叠氮化钡将0.7M的浓叠氮化钡水溶液以去离子水和异丙醇稀释。将此稀释的溶液(20%v/v)以4000RPM(转每分钟)的转速涂覆在阴极上，得到厚度约为14nm的层。为增加润湿使用PEG(聚乙二醇)重复该实验。将厚度约为200nm的铝层在Kurdex热气相沉积机中气相沉积于叠氮化物涂覆的基板之上。然后将该多层组件以载玻片封装并以环氧化物密封。以光电二极管和源表测量亮度、电流密度和偏置电压。图30展示了电流效率-电压图，图31展示了第一个OLED的功率效率-电压图。图32M示电流效率-电压的另一个曲线图，图33是展示用聚乙二醇制备的OLED的功率效率-电压的另一个曲线图。本发明上述实施方案具有许多优势，包括提供了具有更高电导率的OLED器件，所述更高的电导率可能导致OLED发光效率的提高。在本申请中本发明的仅有某些特征得到说明和描述，对本领域技术人员而言可发生许多修改和改变。因此需要理解的是附加的权利要求希望覆盖所有的这些在本发明真实精神范围之内的修改和改变。权利要求1.一种具有阴极层的OLED器件，所述阴极层包含当暴露于热或光下时能释放至少一低功函数金属的至少一金属前体的反应产物。2.权利要求29的OLED器件，其中至少一低功函数金属具有小于3.0eV的功函ltf直。3.权利要求29的OLED器件，其中至少一低功函数金属选自锂、钠、4甲、4如、4色、4方、4皮、4美、4丐、4思、4贝、4雷、4阑、4巿、4瞽、4女、^叵、衫、铕、钆、铽、镝、钬、铒、铥、镱、镥以及它们的组合。4.权利要求29的有机发光器件，其中低功函数金属是钡。5.权利要求29的有机发光器件，其中金属前体包含式RXM的有机金属化合物，其中M是金属；x具有从1至3的值，所述值是金属的化合价；及R是脂肪族或芳香族基团。6.权利要求29的有机发光器件，其中金属前体包含具有式RXM的有机金属化合物，其中M是II族金属，镧系金属或它们的组合；当M是II族金属时x为2，当M是镧系金属时x具有从2至3的值，及R是脂肪族或芳香族基团。7.权利要求29的有机发光器件，其中金属前体包含碱土金属的环戊二烯基衍生物、镧系过渡金属的环戊二烯基衍生物、碱土金属的芴基衍生物、镧系过渡金属的药基衍生物或它们的组合。8.权利要求29的有机发光器件，其中金属前体是二(四-异丙基-环戊二烯基)钡、二(四-异丙基—环戊二烯基)钙或它们的混合物。9.权利要求29的有机发光器件，其中金属前体是二(五-异丙基-环戊二烯基)M;M是4丐、钡、锶或它们的组合。10.权利要求29的有机发光器件，其中金属前体是二(三-叔丁基-环戊二烯基)M;M是钙、钡、锶或它们的组合。11.权利要求29的有机发光器件，其中金属前体是二(药基)钩、二(药基)钡或它们的组合。12.权利要求29的有机发光器件，其中金属前体包含式M(N3)x化合物；其中M选自锂、钠、钾、凝口、铯、钫、铍、镁、4丐、锶、钡、镭、镧、铈、镨、钕、钷、彩、铕、礼、铽、镝、钬、铒、铥、镱、镥以及它们的组合；及x是从l至3的值。13.权利要求29的有机发光器件，其中金属前体包含二叠氮化钡。14.一种有机发光器件，其包含基板，覆盖所述基板一个表面的至少一部分的至少一阴极层，所述阴极层包含式M(N3)X的至少一金属前体分解的反应产物；覆盖第二个基板的至少一部分的阳极层材料；及位于阴极层和阳极层之间的有机发光材料，当应用相反的电荷于阴极层和阳极层时，所述有机发光材料发光；其中M选自锂、钠、钾、4如、铯、4方、铍、4美、钙、锶、钡、镭、镧、铈、镨、钕、钷、钐、铕、札、铽、镝、钬、铒、铥、镱、镥以及它们的组合；及x是从1至3的值。15.权利要求42的有机发光器件，其中阴极层材料包含钡。16.权利要求42的有机发光器件，其中金属前体包含具有式R2M的有机金属化合物；M是碱土金属，R是脂肪族或芳香族基团或取代的脂肪族或取代的芳香族基团。17.权利要求42的有机发光器件，其中金属前体包含具有式RxM的有机金属化合物，M是II族金属、镧系金属或它们的组合，R是脂肪族或芳香族基团，x是具有2或3的值。18.权利要求42的有机发光器件，其中金属前体包含碱土金属的环戊二烯基衍生物、镧系过渡金属的环戊二烯基衍生物、碱土金属的芴基衍生物、镧系过渡金属的芴基衍生物或它们的组合。19.权利要求42的有机发光器件，其中金属前体包含式M(N3)x化合物，其中M选自锂、钠、钾、凝p、铯、钫、4皮、4美、钙、锶、钡、镭、镧、铈、镨、钕、钷、钐、铕、礼、铽、镝、钬、铒、铥、镱、镥以及它们的组合；及X是从1至3的值。20.权利要求42的有机发光器件，其中金属前体是二叠氮化钡。21.—种制备有机发光器件的方法，所述方法包含在大气中将包含至少一金属的叠氮化物M(N3)X的至少一金属前体的溶液应用于基板；及将所述至少一金属前体暴露于热或光下来释放至少一金属；其中M选自锂、钠、钾、4如、铯、4方、4皮、4美、4丐、锶、钡、4雷、4阑、4市、4普、《女、4叵、衫、铕、4L、4戈、4离、4火、铒、4妄、4意、镥以及它们的组合；及x是从1至3的值。22.权利要求49的方法，其中至少一金属前体是二叠氮化钡。23.—种制备有机发光二极管的方法，其包含如下步骤提供至少一能转换至沉积的、含金属的层的金属前体；在基板之上形成包含所述至少一金属前体的层；转化前体层以便于形成沉积的、含金属的阴极；组合有机发光层与阴极，及；组合阳极与阴极与发光层，发光层位于阴极和阳极之间。24.权利要求51的方法，其中至少一金属前体包含式M(N3)x化合物；其中M选自锂、钠、钟、4如、铯、钫、铍、镁、4丐、锶、钡、镭、锎、4市、4普、4女、4叵、钐、铕、名L、4戈、镝、4火、铒、41"、4意、镥以及它们的组合；及x是从l至3的值。25.权利要求51的方法，其中至少一金属前体是金属叠氮化物。26.权利要求51的方法，其中至少一金属前体是二叠氮化钡。27.权利要求51的方法，其中转化使用选自下列的能源完成光、热、电子束辐射、离子束辐射及它们的组合。28.权利要求51的方法，其中至少一金属前体以流体形式应用。29.权利要求51的方法，其中阴极具有小于3.0eV的功函数值。30.—种光板，其包含权利要求33的有机发光器件。31.权利要求58的光板，其中阴极层材料包含钡。32.权利要求58的光板，其中至少一金属前体包含二叠氮化钡。全文摘要本发明说明了具有潜在活化材料的有机发光器件。本发明也说明了包括潜在活化材料的活化产物的有机发光器件。也考虑了图样化的有机发光器件的实施方案，其中图案化可发生在在制作之前或之后。也提供了具有潜在活化材料或具有潜在活化材料产物的有机发光器件的制作方法。文档编号H01L51/54GK101517772SQ200780035566公开日2009年8月26日申请日期2007年7月5日优先权日2006年9月28日发明者唐纳德·F·福斯特,莱里·N·刘易斯,黄清澜申请人:通用电气公司