集成型半导体激光元件及其制造方法

专利名称：集成型半导体激光元件及其制造方法
技术领域：
本发明涉及一种集成型半导体激光元件及其制造方法，尤其涉及具备多个半导体激光元件的集成型半导体激光元件及其制造方法。
背景技术：
目前，已知沿半导体层的层叠方向集成多个半导体激光元件的集成型半导体激光 元件。这种集成型半导体激光元件例如公开于特开2002-299739号公报中。图133是表示现有的集成型半导体激光元件的构造之斜视图。参照图133，在现有 的集成型半导体激光元件中，沿半导体层的层叠方向(垂直方向、Z方向)集成第1半导体 激光元件410与第2半导体激光元件420。在构成第1半导体激光元件410的半导体元件层411中，形成隆起部412与凹部 413。该隆起部412与凹部413在水平方向(X方向)上间隔规定间隔来配置。另外，半导 体元件层411的隆起部412的周边区域构成第1半导体激光元件410的发光区域414。另 夕卜，在构成第2半导体激光元件420的半导体元件层421中，形成隆起部422与凹部423。 该隆起部422与凹部423在X方向上间隔规定间隔来配置。另外，半导体元件层421的隆 起部422的周边区域构成第2半导体激光元件420的发光区域424。另外，经粘接层415和425来贴合第1半导体激光元件410与第2半导体激光元 件420。具体而言，贴合成第1半导体激光元件410的隆起部412与第2半导体激光元件 420的凹部423的位置一致，第2半导体激光元件420的隆起部422与第1半导体激光元件 410的凹部413的位置一致。但是，就图133所示的现有集成型半导体激光元件而言，第1半导体激光元件 410(第2半导体激光元件420)的隆起部412 (隆起部422)未嵌入第2半导体激光元件 420(第1半导体激光元件410)的凹部423 (凹部413)中。因此，在贴合第1半导体激光元 件410与第2半导体激光元件420时，存在难以抑制第1半导体激光元件410与第2半导 体激光元件420沿水平方向(X方向、Y方向)运动的问题。由此，产生在第1半导体激光 元件410和第2半导体激光元件420的劈开方向彼此不一致的状态下，贴合第1半导体激 光元件410与第2半导体激光元件420的问题。其结果是，因为同时劈开第1半导体激光 元件410与第2半导体激光元件420时的劈开性下降，所以存在从劈开面(光射出面)射 出的激光特性下降的问题。另外，就图133所示的现有集成型半导体激光元件而言，第1半导体激光元件410 的发光区域414与第2半导体激光元件420的发光区域424在沿水平方向(X方向)间隔 规定间隔来配置的同时，还沿半导体层的层叠方向(Z方向)间隔规定间隔来配置。即，第 1半导体激光元件410的发光区域414与第2半导体激光元件420的发光区域424沿水平方向(X方向)与半导体层的层叠方向(Ζ方向)两个方向错位配置。因此，例如与发光区域414与发光区域424的位置仅在X方向或Z方向之一方向上错位的情况相比，存在发光 区域414与发光区域424的位置间隔变大的问题。这样，在发光区域414与发光区域424 的位置间隔变大的情况下，当使集成型半导体激光元件的射出光入射到光学系统(透镜和 反射镜等)来使用的情况下，即便调整光轴以使从发光区域414和发光区域424之一射出 的光入射到光学系统的规定区域，有时从发光区域414和424另一方射出的光也会入射到 偏离光学系统的规定区域的区域中。其结果是，由于射出光相对于光学系统的光轴调整变 困难，所以存在光轴调整花费的成本增大的问题。

发明内容
本发明是为了解决上述问题而作出的，本发明的一个目的在于提供一种集成型半 导体激光元件，在可使激光的特性提高的同时，可降低光轴调整花费的成本。本发明的另一目的在于提供一种可容易地制造集成型半导体激光元件的集成型 半导体激光元件之制造方法，该集成型半导体激光元件在可使激光的特性提高的同时，可 降低光轴调整花费的成本。为了实现上述目的，本发明第1方面的集成型半导体激光元件具备第1半导体激 光元件，在包含第1发光区域的同时，具有凸部和凹部之一方；和，第2半导体激光元件，在 包含第2发光区域的同时，具有凸部和凹部之另一方。另外，将第1半导体激光元件的凸部 和凹部之一方嵌入第2半导体激光元件的凸部和凹部之另一方。在该第1方面的集成型半导体激光元件中，如上所述，通过将第1半导体激光元件 的凸部和凹部之一方嵌入第2半导体激光元件的凸部和凹部之另一方，利用该凸部与凹部 的嵌合，可抑制贴合第1半导体激光元件与第2半导体激光元件时第1半导体激光元件与 第2半导体激光元件的水平方向错位。由此，可抑制来自第1半导体激光元件的射出光的光 轴与来自第2半导体激光元件的射出光的光轴在水平方向上错位，所以在使集成型半导体 激光元件的射出光入射到光学系统(透镜和反射镜等)来使用时，射出光相对于光学系统 的光轴调整变容易。由此，可降低光轴调整花费的成本。另外，因为可抑制贴合第1半导体 激光元件与第2半导体激光元件时的第1半导体激光元件和第2半导体激光元件的水平方 向错位，所以可抑制第1半导体激光元件和第2半导体激光元件的劈开方向彼此错位。由 此，可提高贴合第1半导体激光元件与第2半导体激光元件后、同时劈开时的劈开性。其结 果是，可提高从劈开面(光射出面)射出的激光特性。就上述第1方面的集成型半导体激光元件而言，优选将第1发光区域与第2发光 区域实质上配置于半导体层的层叠方向的同一线上。若如此构成，则与第1发光区域与第 2发光区域的位置在两个方向(半导体层的层叠方向(垂直方向)和与半导体层的层叠方 向正交的方向(水平方向))上错位的情况相比，可缩小第1发光区域与第2发光区域的位 置间隔。由此，在使集成型半导体激光元件的射出光入射到光学系统使用时，在调整光轴以 使从第1发光区域和第2发光区域之一射出的光入射到光学系统的规定区域的情况下，可 抑制从第1发光区域和第2发光区域之另一方射出的光入射到大大偏离光学系统的规定区 域的区域中。其结果是，由于射出光相对于光学系统的光轴调整变得更容易，所以可进一步 降低光轴调整花费的成本。
此时，优选设置凸部和凹部，使第1发光区域与第2发光区域实质上配置于半导体层的层叠方向的同一线上。若如此构成，则通过容易地使凸部与凹部嵌合，可将第1发光区 域与第2发光区域实质上配置在半导体层的层叠方向的同一线上。就上述第1方面的集成型半导体激光元件而言，优选凸部和凹部形成为沿与光射 出面交叉的方向延伸。若如此构成，则因为凸部与凹部嵌合的区域在与光射出面交叉的方 向上长，所以可进一步抑制贴合第1半导体激光元件与第2半导体激光元件时的第1半导 体激光元件和第2半导体激光元件的水平方向错位。就上述第1方面的集成型半导体激光元件而言，优选第1半导体激光元件和第2 半导体激光元件之一方还包含构成凸部的第1隆起部，第1半导体激光元件和第2半导体 激光元件之另一方包含凹部。若如此构成，则通过在将第1半导体激光元件与第2半导体 激光元件之一方的第1隆起部嵌入第1半导体激光元件和第2半导体激光元件另一方的凹 部中的状态下来贴合，可容易地利用第1隆起部与凹部的嵌合来进一步抑制贴合工序时的 第1半导体激光元件和第2半导体激光元件的水平方向错位。此时，优选第1半导体激光元件和第2半导体激光元件之另一方还包含第2隆起 部和电流阻碍层，该电流阻碍层，覆盖第2隆起部的侧面来形成，具有比第2隆起部的高度 还大的厚度，同时，在对应于第2隆起部的区域中具有开口部，第1半导体激光元件和第2 半导体激光元件之另一方的凹部由电流阻碍层的开口部构成，在构成凹部的电流阻碍层的 开口部中，嵌入构成凸部的第1隆起部。若如此构成，则通过在将第1半导体激光元件与第 2半导体激光元件之一方的第1隆起部嵌入第1半导体激光元件和第2半导体激光元件另 一方的电流阻碍层的开口部中的状态下来贴合，可更容易地利用第1隆起部与电流阻碍层 的开口部的嵌合来进一步抑制贴合工序时的第1半导体激光元件和第2半导体激光元件的 水平方向错位。就上述第1方面的集成型半导体激光元件而言，优选第1半导体激光元件和第2 半导体激光元件的至少一方还包含形成凸部或凹部的基板。若如此构成，则可容易地在第 1半导体激光元件和第2半导体激光元件至少一方中形成凸部或凹部。就上述第1方面的集成型半导体激光元件而言，优选凸部具有顶端部侧的宽度比 根部侧的宽度小的锥形，凹部具有底部侧的宽度比开放端侧的宽度小的锥形。若如此构成， 则可容易地将凸部嵌入凹部中。就上述第1方面的集成型半导体激光元件而言，优选凸部与凹部经粘接层彼此电 导通地粘接。若如此构成，则可容易地经粘接层彼此电导通地经粘凸部与凹部。就上述第1方面的集成型半导体激光元件而言，优选第1半导体激光元件还包含 配置于第2半导体激光元件侧、向第1发光区域供电的第1电极，第2半导体激光元件还包 含配置于第1半导体激光元件侧、向第2发光区域供电的第2电极，第1电极与第2电极电 连接。若如此构成，则可容易地将第1电极与第2电极连接于共同电极上。就上述第1半导体激光元件包含第1电极、同时上述第2半导体激光元件包含第 2电极的构成而言，优选在第2半导体激光元件的规定区域中，形成沿半导体层的层叠方向 延伸的接触孔，第1电极和第2电极经接触孔，从第2半导体激光元件侧与外部电连接。若 如此构成，则即便第1电极与第2电极相对向地层叠(集成化)第1半导体激光元件与第 2半导体激光元件，也可经接触孔从外部向第1电极和第2电极施加电压。
就在上述第2半导体激光元件中形成接触孔的构成而言，优选在接触孔的内侧 面，形成电连接于第1电极和第2电极上的取出电极。若如此构成，则可容易地利用取出电 极从外部向第1电极和第2电极施加电压。就上述第1方面的集成型半导体激光元件而言，第1半导体激光元件还包含配置 于第2半导体激光元件侧、向第1发光区域供电的第1电极，第2半导体激光元件还包含配 置于第1半导体激光元件侧、向第2发光区域供电的第2电极，至少在第1电极与第2电极 之间配置绝缘膜。若如此构成，则即便第1电极与第2电极相对向地层叠(集成化)第1半 导体激光元件与第2半导体激光元件，也可利用绝缘膜来电绝缘第1电极和第2电极。由 此，可在第1电极和第2电极上分别连接不同的电极，施加各不相同的电压。另外，也可在 第1电极和第2电极上连接共同电极，施加共同的电压。另外，在将第1电极和第2电极设 为P侧电极，将第1半导体激光元件和第2半导体激光元件各自的n侧电极配置在与粘接 侧相反一侧的情况下，在第1半导体激光元件和第2半导体激光元件各自的n侧电极上连 接不同的电极，施加各不相同的电压，同时，也可连接共同电极，施加共同的电压。另外，也 可在第1半导体激光元件的P侧电极(第1电极)与第2半导体激光元件的n侧电极上连 接共同电极，施加共同的电压。并且，也可在第1半导体激光元件n侧电极与第2半导体激 光元件的P侧电极(第2电极)上连接共同电极，施加共同的电压。由此，可使供电方法相 对于第1半导体激光元件的第1发光区域和第2半导体激光元件的第2发光区域之自由度 提高。其结果是，可实现集成型半导体激光元件的使用方法的多样化。就在上述第1半导体激光元件的第1电极与第2半导体激光元件的第2电极之 间配置绝缘膜的构成而言，优选在绝缘膜的规定区域中，形成开口部，同时，在第2半导体 激光元件的对应于绝缘膜的开口部的区域中，形成沿半导体层的层叠方向延伸的第1接触 孔，第1电极经第1接触孔和绝缘膜的开口部，从第2半导体激光元件侧与外部电连接。若 如此构成，则即便在第1电极与第2电极之间配置绝缘膜，也可经第1接触孔和绝缘膜的开 口部，从外部向第1电极施加电压。就在上述第2半导体激光元件中形成第1接触孔的构成而言，优选在第1接触孔 的内侧面上，形成电连接于第1电极上的第1取出电极。若如此构成，则可容易地利用第1 取出电极，从外部向第1电极施加电压。就在上述第2半导体激光元件中形成第1接触孔的构成而言，优选在第2半导体 激光元件的与第1接触孔间隔了规定间隔的区域中，形成沿半导体层的层叠方向延伸的第 2接触孔，第2电极经第2接触孔，从第2半导体激光元件侧与外部电连接。若如此构成，则 因为经第2接触孔向第2电极施加电压，所以通过经第1接触孔来向第1电极施加电压，可 容易地向第1电极和第2电极彼此施加各不相同的电压。就在上述第2半导体激光元件中形成第2接触孔的构成而言，优选在第2接触孔 的内侧面上，形成电连接于第2电极上的第2取出电极。若如此构成，则可容易地利用第2 取出电极，从外部向第2电极施加电压。就在上述第1半导体激光元件的第1电极与第2半导体激光元件的第2电极之间 配置绝缘膜的构成而言，优选还具备第3半导体激光元件，其包含第3发光区域和第3电 极，该第3电极配置在第1半导体激光元件侧，向第3发光区域供电，除了第1电极与第2 电极之间以外，还在第1电极与第3电极之间配置绝缘膜。若如此构成，则就还具备第3半导体激光元件的集成型半导体激光元件而言，即便第1电极与第2电极及第3电极相对向 地层叠(集成化)第1半导体激光元件与第2半导体激光元件及第3半导体激光元件，也 可利用绝缘膜来绝缘第1电极和第2电极，并且，还可绝缘第1电极与第3电极。此时，优选第2半导体激光元件和第3半导体激光元件形成于共同的基板上。若 如此构成，则除了抑制第1半导体激光元件与第2半导体激光元件的水平方向错位之外，还 可抑制第1半导体激光元件和第3半导体激光元件的水平方向错位，并且层叠(集成化) 第1半导体激光元件与第2半导体激光元件和第3半导体激光元件。就还具备上述第3半导体激光元件的构成而言，优选在第3半导体激光元件中，形 成沿半导体层的层叠方向延伸的第3接触孔，第3电极经第3接触孔，从第3半导体激光元 件侧与外部电连接。若如此构成，则因为可经第3接触孔向第3电极施加电压，所以可在经 第1接触孔向第1电极施加电压的同时，经第2接触孔向第2电极施加电压，由此，可容易 地向第1电极、第2电极和第3电极彼此施加各不相同的电压。就在上述第3半导体激光元件中形成第3接触孔的构成而言，优选在第3接触孔 的内侧面上，形成电连接于第3电极上的第3取出电极。若如此构成，则可容易地利用第3 取出电极从外部向第3电极施加电压。本发明第2方面的集成型半导体激光元件的制造方法具备如下工序以将凸部嵌 入凹部中的状态，使具有凸部和凹部之一方的第1半导体激光元件与具有凸部和凹部之另 一方的第2半导体激光元件贴合的工序；和，在将第1半导体激光元件与第2半导体激光元 件贴合的状态下，同时劈开第1半导体激光元件与第2半导体激光元件的工序。在该第2方面的集成型半导体激光元件的制造方法中，如上所述，在将凸部嵌入 凹部中的状态，使具有凸部和凹部之一方的第1半导体激光元件与具有凸部和凹部之另一 方的第2半导体激光元件贴合之后，在将第1半导体激光元件与第2半导体激光元件贴合 的状态下，同时劈开第1半导体激光元件与第2半导体激光元件，由此可利用凸部与凹部的 嵌合来抑制贴合第1半导体激光元件与第2半导体激光元件时的第1半导体激光元件和第 2半导体激光元件的水平方向错位。从而，可抑制来自第1半导体激光元件的射出光的光轴 与来自第2半导体激光元件的射出光的光轴在水平方向上错位，所以在使集成型半导体激 光元件的射出光入射到光学系统(透镜和反射镜等)来使用时，射出光相对于光学系统的 光轴调整变容易。由此，可降低光轴调整花费的成本。另外，因为可抑制贴合第1半导体激 光元件与第2半导体激光元件时的第1半导体激光元件和第2半导体激光元件的水平方向 错位，所以可抑制第1半导体激光元件和第2半导体激光元件的劈开方向彼此错位。由此， 可提高贴合第1半导体激光元件与第2半导体激光元件后、同时劈开时的劈开性。其结果 是，可容易形成能提高从劈开面(光射出面)射出的激光特性之集成型半导体激光元件。就上述第2方面的集成型半导体激光元件的制造方法而言，优选第1半导体激光 元件包含第1发光区域，第2半导体激光元件包含第2发光区域，将第1半导体激光元件与 第2半导体激光元件贴合的工序包含如下工序将第1半导体激光元件与第2半导体激光 元件贴合、以使第1发光区域与第2发光区域实质上配置于半导体层的层叠方向的同一线 上的工序。若如此构成，则与第1发光区域与第2发光区域的位置在两个方向(半导体层 的层叠方向和与半导体层的层叠方向正交的方向)上错位的情况相比，可缩小第1发光区 域与第2发光区域的位置间隔。由此，在使集成型半导体激光元件的射出光入射到光学系统(透镜和反射镜等)来使用时，在调整光轴以使从第1发光区域和第2发光区域之一射 出的光入射到光学系统的规定区域的情况下，可抑制从第1发光区域和第2发光区域之另 一方射出的光入射到大大偏离光学系统的规定区域的区域中的情形。其结果是，由于射出 光相对于光学系统的光轴调整变得更容易，所以可进一步降低光轴调整花费的成本。就上述第1半导体激光元件包含第1发光区域的同时、第2半导体激光元件包含 第2发光区域的构成而言，第1半导体激光元件还包含配置于第2半导体激光元件侧、向第 1发光区域供电的第1电极，第2半导体激光元件还包含配置于第1半导体激光元件侧、向 第2发光区域供电的第2电极，将第1半导体激光元件与第2半导体激光元件贴合的工序 也可包含如下工序第1电极与第2电极彼此电导通地经粘接层粘接的工序。若如此构成， 则通过向第1电极和第2电极之一施加电压，可向第1半导体激光元件的第1发光区域和 第2半导体激光元件的第2发光区域双方供电。就上述第1半导体激光元件包含第1发光区域的同时、第2半导体激光元件包含 第2发光区域的构成而言，第1半导体激光元件还包含配置于第2半导体激光元件侧、向第 1发光区域供电的第1电极，第2半导体激光元件还包含配置于第1半导体激光元件侧、向 第2发光区域供电的第2电极，将第1半导体激光元件与第2半导体激光元件贴合的工序 也可包含如下工序至少在第1电极与第2电极之间配置绝缘膜，同时，经绝缘膜来贴合第 1半导体激光元件与第2半导体激光元件的工序。若如此构成，则即便第1电极与第2电极 相对向地层叠(集成化)第1半导体激光元件与第2半导体激光元件，也可利用绝缘膜来 电绝缘第1电极和第2电极。由此，可向第1电极和第2电极上分别施加各不相同的电压， 所以可使供电方法相对于第1半导体激光元件的第1发光区域和第2半导体激光元件的第 2发光区域之自由度提高。其结果是，可实现集成型半导体激光元件的使用方法的多样化。就贴合上述第1半导体激光元件与第2半导体激光元件的工序包含经绝缘膜来贴 合第1半导体激光元件与第2半导体激光元件的工序的情况而言，优选还具备形成于与第2 半导体激光元件共同的基板上之第3半导体激光元件，其包含第3发光区域与第3电极，该 第3电极配置于第1半导体激光元件侧，向第3发光区域供电，并且，将第1半导体激光元 件与第2半导体激光元件贴合的工序包含如下工序除了在第1电极与第2电极之间以外， 还在第3电极与第1电极之间配置绝缘膜，同时，经绝缘膜使第1半导体激光元件与第2半 导体激光元件贴合，而且，经绝缘膜使第1半导体激光元件与第3半导体激光元件贴合。若 如此构成，则就还具备第3半导体激光元件的集成型半导体激光元件而言，即便第1电极与 第2电极及第3电极相对向地层叠(集成化)第1半导体激光元件与第2半导体激光元件 及第3半导体激光元件，也可利用绝缘膜来绝缘第1半导体激光元件的第1电极与第2半 导体激光元件的第2电极，而且，还可绝缘第1半导体激光元件的第1电极与第3半导体激 光元件的第3电极。


图1是表示本发明第1实施方式的集成型半导体激光元件的构造之平面图。图2是沿图1的100-100线的剖面图。图3 图9是说明图1和图2所示的第1实施方式之集成型半导体激光元件制造 过程的剖面图。
图10是说明图1和图2所示的第1实施方式之集成型半导体激光元件制造过程 的平面图。图11是图10的虚线包围的区域200之剖面图。图12是说明图1和图2所示的第1实施方式之集成型半导体激光元件制造过程 的平面图。图13是图12的虚线包围的区域300之剖面图。图14 图28是说明图1和图2所示的第1实施方式之集成型半导体激光元件制 造过程的剖面图。图29是表示本发明第2实施方式的集成型半导体激光元件的构造之平面图。图30是沿图29的400-400线的剖面图。图31是说明图29和图30所示的第2实施方式之集成型半导体激光元件制造过 程的平面图。图32是图31的虚线包围的区域500之剖面图。图33 图50是说明图29和图30所示的第2实施方式之集成型半导体激光元件 制造过程的剖面图。图51是表示本发明第3实施方式的集成型半导体激光元件的构造之平面图。图52是沿图51的600-600线的剖面图。图53 图63是说明图51和图52所示的第3实施方式之集成型半导体激光元件 制造过程的剖面图。图64是表示本发明第4实施方式的集成型半导体激光元件的构造之平面图。图65是沿图64的700-700线的剖面图。图66和图67是说明图64和图65所示的第4实施方式之集成型半导体激光元件 制造过程的剖面图。图68是说明图64和图65所示的第4实施方式之集成型半导体激光元件制造过 程的平面图。图69是图68的虚线包围的区域800之剖面图。图70和图71是说明图64和图65所示的第4实施方式之集成型半导体激光元件 制造过程的剖面图。图72是表示本发明第5实施方式的集成型半导体激光元件的构造之剖面图。图73是从p侧看图72所示的第5实施方式的集成型半导体激光元件的红外激光 元件基板的平面图。图74 图89是说明图72所示的第5实施方式之集成型半导体激光元件制造过 程的剖面图。图90是表示本发明第6实施方式的集成型半导体激光元件的构造之剖面图。图91是表示本发明第7实施方式的集成型半导体激光元件的构造之平面图。图92是沿图91的900-900线的剖面图。图93 图105是说明图91和图92所示的第7实施方式之集成型半导体激光元 件制造过程的剖面图。图106是表示本发明第8实施方式的集成型半导体激光元件的构造之平面图。
图107是沿图106的1000-1000线的剖面图。图108 图132是说明图106和图107所示的第8实施方式之集成型半导体激光 元件制造过程的剖面图。图133是表示现有的集成型半导体激光元件的构造之斜视图。
具体实施例方式下面，参照附图来说明本发明的实施方式。(第1实施方式)首先，参照图1和图2来说明第1实施方式的集成型半导体激光元件的构造。第1实施方式的集成型半导体激光元件如图2所示，具有沿Z方向层叠(集成化) 具有对位用凸部的蓝紫色激光元件110与具有对位用凹部的红色激光元件120的构造。另 外，蓝紫色激光元件110和红色激光元件120分别是本发明的‘第1半导体激光元件’和‘第 2半导体激光元件’的一例。首先，说明第1实施方式的蓝紫色激光元件110的构造。第1实施方式的蓝紫色 激光元件110中，如图2所示，在n型GaN基板1上，形成具有约2. 5 y m的由n型AlGaN构 成的n型包层2。在n型包层2上，形成具有约70nm的厚度的活性层3。该活性层3具有 交互层叠由未掺杂的InGaN构成的多个阱层(未图示)与由未掺杂的InGaN构成的多个阻 挡层(未图示)的multiple quantum well (多量子阱MQW)构造。在活性层3上，形成具 有约80nm的由未掺杂的InGaN构成的光引导层4。在光引导层4上，形成具有约20nm的由 未掺杂的AlGaN构成的盖层5。在盖层5上，形成具有凸部与凸部以外的平坦部的由p型AlGaN构成的p型包层 6。该p型包层6的平坦部厚度约为50nm，凸部距平坦部上面的高度约为350nm。在p型包 层6的凸部上，形成具有约3nm厚度的由p型InGaN构成的p型接触层7。由该p型接触层 7与p型包层6的凸部构成隆起部8。这里，在第1实施方式中，隆起部8具有顶端部侧的宽度比根部侧的宽度小的锥形 侧面。另外，隆起部8的侧面与活性层3的上面所成角度0 1约为70°。另外，隆起部8 的顶端部分的宽度约为1.5i!m。另外，隆起部8如图1所示，形成为沿与光射出面(劈开 面)12正交的方向(Y方向)延伸的带状(细长状)。另外，隆起部8构成对位用的凸部。另 外，如图2所示，隆起部8下方的活性层3和活性层3的周边部分构成蓝紫色激光元件110 的发光区域13。另外，隆起部8是本发明的‘凸部’和‘第1隆起部’的一例。另外，发光区 域13是本发明的‘第1发光区域’的一例。另外，形成具有约200nm厚度的由Si02膜构成的电流阻碍层9，以覆盖隆起部8的 侧面和P型包层6的平坦部的上面。在电流阻碍层9上，与隆起部8 (p型接触层7)的上面 接触地形成P侧电极10。该p侧电极10由从n型GaN基板1侧起、顺序具有约lOOnm厚度 的Pd层(未图示)、和具有约lym厚度的Au层(未图示)构成。另外，p侧电极10是本 发明的‘第1电极’的一例。由此，从由隆起部8构成的对位用凸部的突出高度(位于p型 包层6的平坦部上面上的p侧电极10的上面至位于隆起部8的上面上的p侧电极10的上 面之高度)HI约为153nm。另外，如图2所示，在n型GaN基板1的背面上形成n侧电极11。该n侧电极11由从n型GaN基板1侧起、顺序具有约6nm厚度的A1层(未图示)、具有约lOnm厚度的Pd 层(未图示)、和具有约300nm厚度的Au层(未图示)构成。下面，说明第1实施方式的红色激光元件120的构造。另外，图2的红色激光元 件120中的隆起部29侧朝向下方。在第1实施方式的红色激光元件120中，如图2所示， 在n型GaAs基板21的蓝紫色激光元件110侧的表面上，形成具有约300nm厚度的由n型 GalnP构成的n型缓冲层22。在n型缓冲层22的蓝紫色激光元件110侧的表面上，形成具 有约2iim厚度的由n型AlGalnP构成的n型包层23。在n型包层23的蓝紫色激光元件 110侧的表面上，形成具有约60nm厚度的活性层24。该活性层24具有交互层叠由未掺杂 的GalnP构成的多个阱层(未图示)与由未掺杂的AlGalnP构成的多个阻挡层(未图示) 的MQW构造。在活性层24的蓝紫色激光元件110侧的表面上，形成具有约300nm厚度的由p型 AlGalnP构成的p型第1包层25。在p型第1包层25的蓝紫色激光元件110侧的表面上之 规定区域中，形成具有约1. 2 y m厚度的由p型AlGalnP构成的凸状p型第2包层26。在p 型第2包层26的蓝紫色激光元件110侧的表面上，形成具有约lOOnm厚度的由p型GalnP 构成的P型中间层27。在p型中间层27的蓝紫色激光元件110侧的表面上，形成具有约 300nm厚度的由p型GaAs构成的p型接触层28。由该p型接触层28、p型中间层27和p 型第2包层26构成具有宽度从根部向顶端部分侧变小的锥形侧面之隆起部29。该隆起部 29的侧面与活性层24的表面所成角度0 2约为60°。另外，隆起部29的顶端部分的宽度 约为2.7i!m。另外，隆起部29如图1所示，形成为沿与光射出面(劈开面)12正交的方向 (Y方向)延伸的带状(细长状)。另外，如图2所示，对应于隆起部29的形成位置之活性 层24和活性层24的周边部分构成红色激光元件120的发光区域34。另外，隆起部29是本 发明的‘第2隆起部’的一例。另外，发光区域34是本发明的‘第2发光区域’的一例。这里，在第1实施方式中，在p型第1包层25的蓝紫色激光元件110侧的表面上， 覆盖隆起部29的侧面地形成具有比隆起部29的高度(约为l.eym)大的厚度(约为2i!m) 之n型电流阻碍层30。该n型电流阻碍层30具有隆起部29的蓝紫色激光元件110侧之表 面露出的开口部30a。另外，n型电流阻碍层30的开口部30a具有底部侧的宽度(隆起部 29的顶端部分之宽度(约为2.7i!m))比开放端侧的宽度(约为3i!m)小的锥形内侧面。另 外，n型电流阻碍层30的开口部30a之内侧面与活性层24的表面所成角度03约为70°。 另外，n型电流阻碍层30的开口部30a如图1所示，沿隆起部29形成为沿Y方向延伸的带 状(细长状)。另外，n型电流阻碍层30由从n型GaAs基板21侧起、顺序为n型AllnP层 (未图示)、和n型GaAs层(未图示)构成。另外，n型电流阻碍层30的开口部30a构成 对位用的凹部。另外，n型电流阻碍层30是本发明的‘电流阻碍层’的一例，开口部30a是 本发明的‘凹部’的一例。另外，如图2所示，形成具有约0. 3 y m厚度的p侧电极31，在覆盖n型电流阻碍 层30的蓝紫色激光元件110侧的表面的同时，与隆起部29 (p型接触层28)的蓝紫色激光 元件110侧的表面接触。该p侧电极31由从n型GaAs基板21侧起、顺序为AuZn层(未 图示)、Pt层(未图示)、Au层(未图示)构成。另外，p侧电极31是本发明的‘第2电极’ 的一例。由此，由n型电流阻碍层30的开口部30a构成的对位用凹部的深度(从位于对应 于隆起部29的区域以外的区域之p侧电极31的蓝紫色激光元件110侧的表面至位于对应于隆起部29的区域的p侧电极31之蓝紫色激光元件110侧的表面的深度)D1约为400nm。 即，由n型电流阻碍层30的开口部30a构成的对位用凹部的深度D1 (约为400nm)比由隆 起部8构成的对位用凸部的突出高度HI (约为153nm)大。另夕卜，在n型GaAs基板21的与 蓝紫色激光元件110相反侧的表面上，形成具有约为1 P m厚度的n侧电极32。该n侧电极 32由从n型GaAs基板21侧起、顺序为AuGe层(未图示)、Ni层(未图示)和Au层(未 图示)构成。另外，形成从n侧电极32的与蓝紫色激光元件110相反侧的表面起、贯穿n侧电 极32、n型GaAs基板21、半导体各层(22 25和30)和p侧电极31的圆形接触孔120a。 该接触孔120a在n侧电极32侧的直径为数十P m，具有p侧电极31侧的孔径比n侧电极 32侧的孔径小的锥形内侧面。在接触孔120a的内侧面上、和位于接触孔120a附近区域的 n侧电极32之与蓝紫色激光元件110相反侧的表面上，形成具有约为200nm厚度的由Si02 膜构成的绝缘膜38。在绝缘膜38上的规定区域中，经接触孔120a与后述的焊锡层115电 连接地形成具有约为0. 3 y m厚度的取出电极39。该取出电极39由从n型GaAs基板21侧 起、顺序为Ti层(未图示)、Pt层(未图示)和Au层(未图示)构成。另外，在n侧电极 32和取出电极39的与蓝紫色激光元件110相反侧的表面上，结合金属线(金线)122。这里，在第1实施方式中，如图2所示，蓝紫色激光元件110与红色激光元件120 以将由隆起部8构成的对位用凸部嵌入由n型电流阻碍层30的开口部30a构成的对位用 凹部中的状态沿Z方向集成(层叠)。另外，蓝紫色激光元件110的发光区域13与红色激 光元件120的发光区域34沿半导体层的层叠方向(图2的Z方向)配置在同一线上。另 外，如上所述，因为红色激光元件120的对位用凹部的深度D1 (约为400nm)比蓝紫色激光 元件110的对位用凸部的突出高度HI (约为153nm)大，所以蓝紫色激光元件110的对位用 凸部的上面与红色激光元件120的对位用凹部的底面之间隔、比蓝紫色激光元件110的对 位用凸部以外的区域与红色激光元件120的对位用凹部以外的区域之间隔大。另外，蓝紫 色激光元件110的对位用凸部与红色激光元件120的对位用凹部经由Au-Sn构成的焊锡层 115接合。另外，焊锡层115是本发明的‘接合层’的一例。另外，蓝紫色激光元件110的p 侧电极10和红色激光元件120的p侧电极31经焊锡层115电连接于取出电极39。在第1实施方式中，如上所述，通过将蓝紫色激光元件110的隆起部8构成的对位 用凸部嵌入红色激光元件120的n型电流阻碍层30之开口部30a构成的对位用凹部中，利 用该对位用凸部与凹部的嵌合，可抑制贴合蓝紫色激光元件110与红色激光元件120时的 蓝紫色激光元件110和红色激光元件120在水平方向(图2的X方向)上的错位。由此，由 于可抑制来自蓝紫色激光元件110的射出光之光轴与来自红色激光元件120的射出光之光 轴沿水平方向(图2的X方向)错位的情形，所以使集成型半导体激光元件的射出光入射 到光学系统(透镜和反射镜等)来使用时的射出光相对于光学系统的光轴调整变容易。由 此，可降低光轴调整花费的成本。另外，因为可抑制贴合蓝紫色激光元件110与红色激光元 件120时的蓝紫色激光元件110和红色激光元件120在水平方向(图2的X方向)上的错 位，所以可抑制蓝紫色激光元件110和红色激光元件120的劈开方向彼此错开的情形。由 此，可使贴合蓝紫色激光元件110与红色激光元件120之后同时劈开时的劈开性提高。其 结果是，可使从光射出面(劈开面)12射出的激光之特性提高。另外，在第1实施方式中，通过将蓝紫色激光元件110的发光区域13与红色激光元件120的发光区域34配置在半导体层的层叠方向(图2的Z方向)之同一线上，与蓝紫 色激光元件110的发光区域13和红色激光元件120的发光区域34的位置在两个方向(半 导体层的层叠方向(图2的Z方向)和水平方向(图2的X方向))上错位的情况相比，可 减小蓝紫色激光元件110的发光区域13与红色激光元件120的发光区域34的位置间隔。 由此，在使集成型半导体激光元件的射出光入射到光学系统(透镜和反射镜等)来使用时， 在调节光轴以使从蓝紫色激光元件110的发光区域13与红色激光元件120的发光区域34 之一射出的光入射到光学系统的规定区域中的情况下，可抑制从蓝紫色激光元件110的发 光区域13和红色激光元件120的发光区域34另一方射出的光入射到大大偏离光学系统的 规定区域的区域中的情形。其结果是，因为相对于光学系统的光轴调整变得更容易，所以可 进一步降低光轴调整花费的成本。另外，在第1实施方式中，在沿与光射出面12正交的方向(图1的Y方向)延伸地 将蓝紫色激光元件110的对位用凸部(隆起部8)形成为带状(细长状)的同时，沿与光射 出面12正交的方向(图1的Y方向)延伸地将红色激光元件120的对位用凹部(n型电流 阻碍层30的开口部30a)形成为带状(细长状)，由此，对位用凸部与凹部嵌合的区域在与 光射出面12正交的方向(图1的Y方向)上变长。由此，可进一步抑制贴合蓝紫色激光元 件110与红色激光元件120时的蓝紫色激光元件110和红色激光元件120在水平方向(图 1的X方向)上的错位。另外，在第1实施方式中，形成蓝紫色激光元件110的对位用凸部(隆起部8)，以 具有顶端部侧的宽度比根部侧的宽度小的锥形，同时，形成红色激光元件120的凹部(n型 电流阻碍层30的开口部30a)，以具有底部侧的宽度比开放端侧的宽度小的锥形，由此，可 容易地将对位用凸部嵌入凹部中。另外，在第1实施方式中，通过经焊锡层115来接合蓝紫色激光元件110的对位用 凸部与红色激光元件120的对位用凹部，可容易地利用焊锡层115来彼此电导通地接合蓝 紫色激光元件110的对位用凸部与红色激光元件120的对位用凹部。另外，在第1实施方式中，通过使蓝紫色激光元件110的对位用凸部之上面(对应 于隆起部8的部分)与红色激光元件120的对位用凹部之底面(对应于隆起部29的部分) 的间隔比蓝紫色激光元件110的对位用凸部以外的区域与红色激光元件120的对位用凹部 以外的区域之间隔大，即便蓝紫色激光元件110的对位用凸部以外的区域与红色激光元件 120的对位用凹部以外的区域接触，也可抑制凸部的上面(对应于隆起部8的部分)与凹部 的底面(对应于隆起部29的部分)接触。由此，当接合蓝紫色激光元件110的对位用凸部 与红色激光元件120的对位用凹部时，可抑制向隆起部8和29施加应力和造成损坏。另外，在第1实施方式中，通过将包含n型GaAs层的n型电流阻碍层30用作红色 激光元件120的电流阻碍层，由于n型GaAs层具有良好的放热特性，所以可使集成型半导 体激光元件的放热特性提高。另外，在第1实施方式中，经焊锡层115来电连接蓝紫色激光元件110的p侧电极 10与红色激光元件120的p侧电极31，从而可容易地将蓝紫色激光元件110的p侧电极10 与红色激光元件120的p侧电极31连接于共同阳极。另外，在第1实施方式中，在红色激光元件120中形成接触孔120a的同时，经接触 孔120a将蓝紫色激光元件110的p侧电极10和红色激光元件120的p侧电极31与外部
15连接，由此，即便蓝紫色激光元件110的p侧电极10与红色激光元件120的p侧电极31相 对向地层叠(集成化)蓝紫色激光元件110与红色激光元件120，也可经接触孔120a从外 部向蓝紫色激光元件110的p侧电极10和红色激光元件120的p侧电极31施加电压。另外，在第1实施方式中，在接触孔120a的内侧面上，形成电连接于蓝紫色激光元 件110的p侧电极10和红色激光元件120的p侧电极31上的取出电极39，从而可容易地 利用取出电极39从外部向蓝紫色激光元件110的p侧电极10和红色激光元件120的p侧 电极31施加电压。另外，在第1实施方式中，在由蓝紫色激光元件110的隆起部8构成凸部的同时， 在红色激光元件120的隆起部29附近的区域中形成凹部，从而通过使蓝紫色激光元件110 的凸部与红色激光元件120的凹部嵌合，可进一步减小蓝紫色激光元件110的发光区域13 与红色激光元件120的发光区域34的间隔。下面，参照图1 图28来说明第1实施方式的集成型半导体激光元件的制造过程。在该第1实施方式中，利用图3 图13所示的过程，形成蓝紫色激光元件110，同 时，利用图14 图26所示的过程，形成红色激光元件120。在形成蓝紫色激光元件110时， 首先如图3所示，在n型GaN基板1上，使构成蓝紫色激光元件110的半导体各层生长。具体 而言，使用metal organic chemical vapor d印osition(有机金属化学气相沉禾只，MOCVD) 法，在具有约400 P m厚度的n型GaN基板1上，使具有约2. 5 y m厚度的由n型AlGaN构成 的n型包层2生长之后，在n型包层2上，使具有约70nm厚度的活性层3生长。另外，在使 活性层3生长时，使由未掺杂的InGaN构成的多个阱层(未图示)与由未掺杂的InGaN构 成的多个阻挡层(未图示)交互生长。由此，在n型包层2上，形成具有交互层叠多个阱层 与多个阻挡层的MQW构造之活性层3。接着，在活性层3上，使具有约80nm厚度的由未掺杂的InGaN构成的光引导层4 和具有约20nm厚度的由未掺杂的AlGaN构成的盖层5依次生长。之后，在盖层5上，使具 有约400nm厚度的由未掺杂的p型AlGaN构成的p型包层6和具有约3nm厚度的由p型 InGaN构成的p型接触层7依次生长。之后，如图4所示，使用等离子体CVD法，在p型接触层7上形成具有约为240nm 厚度的3102膜14。之后，在3102膜14上的对应于隆起部8(参照图2)的区域中，形成具 有约为1. 5 y m宽度的带状(细长状)的抗蚀剂15。之后，如图5所示，使用基于〔 4系气体的reactive ion etching(反应离子蚀刻， RIE)法，将抗蚀剂15作为掩模，蚀刻Si02膜14。之后，去除抗蚀剂15。之后，如图6所示，使用基于氯系气体的RIE法，将Si02膜14作为掩模，从p型接 触层7的上面蚀刻到p型包层6中途的深度(距p型包层6的上面约为350nm的深度)。 由此，形成由P型包层6的凸部与p型接触层7构成的隆起部8。此时，隆起部8形成为具 有顶端部侧的宽度比根部侧的宽部小的锥形的侧面。另外，隆起部8的侧面与活性层3 (p 型包层6)的上面所成的角度ei约为70°，隆起部8的顶端部分的宽度约为1.5 ym。另 外，隆起部8如图1所示，形成为沿与光射出面12正交的方向延伸的带状(细长状)。另 外，该隆起部8构成对位用的凸部。之后，去除Si02膜14。之后，如图7所示，使用等离子体CVD法，覆盖整个面地形成具有约为200nm厚度的由Si02膜构成的电流阻碍层9。之后，覆盖整个面地形成抗蚀剂16。之后，如图8所示，使用氧气的等离子体蚀刻技术，通过在整个区域中蚀刻((回 蚀etch back)来薄膜化抗蚀剂16，使位于隆起部8的上面上的电流阻碍层9之表面露出。 之后，使用〔&系气体的RIE法，将抗蚀剂16作为掩模，蚀刻位于隆起部8的上面上的电流 阻碍层9。由此，如图9所示，隆起部8的上面露出。之后，去除抗蚀剂16。之后，如图11所示，使用电子束蒸镀法，在电流阻碍层9上，与隆起部8 (p型接触 层7)的上面接触地形成p侧电极10。此时，依次形成具有约lOOnm厚度的Pd层(未图 示)、和具有约lym厚度的Au层(未图示)。由此，由隆起部8构成的对位用凸部的突出 高度(从位于P型包层6的平坦部上面上的p侧电极10的上面至位于隆起部8上面上的 P侧电极10的上面之高度)HI约为153nm。另外，如图10所示，将位于与n型GaN基板1 的光射出面12 (参照图1)平行的端面la侧之p侧电极10的端部配置在与n型GaN基板 1的端面la间隔规定间隔的区域中。之后，如图13所示，研磨n型GaN基板1的背面，直到从隆起部8的上面至n型GaN 基板1的背面的厚度约为150 ym。之后，使用电子束蒸镀法，在n型GaN基板1的背面上， 形成n侧电极11。此时，依次形成具有约为6nm厚度的A1层(未图示)、具有约为10nm厚 度的Pd层(未图示)、和具有约为300nm厚度的Au层(未图示)。另外，如图12所示，将 位于与n型GaN基板1的光射出面12(参照图1)平行的端面la侧之n侧电极11的端部 配置在与n型GaN基板1的端面la间隔规定间隔的区域中。由此，如图10和图12所示， 未形成P侧电极10和n侧电极11的区域构成在贴合蓝紫色激光元件110和红色激光元件 120时、可从元件的上方或下方通过目视来识别蓝紫色激光元件110之隆起部8的透明区域 111。这样就形成第1实施方式的蓝紫色激光元件110。下面，在形成红色激光元件120时，首先如图14所示，在n型GaAs基板21上，使 构成红色激光元件120的半导体各层生长。具体而言，使用MOCVD法，在n型GaAs基板21 上，使具有约为300nm的由n型GalnP构成的n型缓冲层22生长之后，在n型缓冲层22上， 使具有约为2 y m厚度的由n型AlGalnP构成的n型包层23生长。之后，在n型包层23上， 使具有约为60nm厚度的活性层24生长。另外，在使活性层24生长时，使由未掺杂的GalnP 构成的多个阱层(未图示)与由未掺杂的AlGalnP构成的多个阻挡层(未图示)交互生长。 由此，在n型包层23上，形成具有交互层叠多个阱层与多个阻挡层的MQW构造之活性层24。之后，在活性层24上，依次使具有约300nm厚度的由p型AlGalnP构成的p型第 1包层25和具有约为1. 2 y m厚度的由p型AlGalnP构成的p型第2包层26生长。接着， 在P型第2包层26上，使具有约lOOnm厚度的由p型GalnP构成的p型中间层27生长之 后，在P型中间层27上，使具有约为300nm厚度的由p型GaAs构成的p型接触层28生长。之后，如图15所示，使用溅射法、真空蒸镀法或电子束蒸镀法，在p型接触层28 上，形成具有约为240nm厚度的Si02膜35。之后，在Si02膜35上对应于隆起部29 (参照 图2)的区域中，形成具有约为2.7i!m宽度的带状(细长状)的抗蚀剂36。之后，如图16所示，使用缓冲氟酸之湿蚀刻技术，将抗蚀剂36作为掩模，蚀刻Si02 膜35。之后，去除抗蚀剂36。之后，如图17所示，使用酒石酸系蚀刻液或磷酸系蚀刻液的湿蚀刻技术，将Si02 膜35作为掩模，从p型接触层28的上面蚀刻到p型第1包层25的上面。由此，形成在由P型接触层28、p型中间层27和p型第2包层26构成的同时、具有锥形侧面的隆起部29。 另外，隆起部29的侧面与活性层24 (p型第1包层25)的上面所成角度e 2约为60°，隆起 部29的顶端部分的宽度约为2. 7 y m。另外，隆起部29如图1所示，形成为沿与光射出面 12正交的方向延伸的带状(细长状)。之后，如图18所示，使用M0CVD法，将Si02膜35作为选择生长掩模，在整个面上形 成具有约为2 ym厚度的n型电流阻碍层30。此时，依次形成n型AllnP层(未图示)和n 型GaAs层(未图示)。另外，n型电流阻碍层30在p型第1包层25的上面上选择地生长 之后，覆盖Si02膜35地沿横向生长。之后，如图19所示，使用等离子体CVD法，在n型电流阻碍层30上的对应于开口 部30a(参照图2)之区域以外的区域中，形成具有约为240nm厚度的带状(细长状)的Si02 膜37。之后，使用磷酸系蚀刻液的湿蚀刻技术，将Si02膜37作为掩模，蚀刻位于比隆起部 29的上面靠上方的n型电流阻碍层30。由此，如图20所示，形成具有隆起部29 (Si02膜35) 的上面露出的开口部30a之n型电流阻碍层30。此时，n型电流阻碍层30的开口部30a形 成为具有底部侧的宽度比开放端侧的宽度小的锥形之内侧面。另外，n型电流阻碍层30的 开口部30a之内侧面与活性层24(p型接触层28)的上面所成角度0 3为70°。另外，n型 电流阻碍层30的开口部30a的开放端侧的宽度约为3 ym，底部侧的宽度约为2. 7 y m。另 外，n型电流阻碍层30的开口部30a如图1所示，沿隆起部29形成为带状(细长状)。另 外，该n型电流阻碍层30的开口部30a变为对位用凹部。之后，去除Si02膜35和37。之后，如图21所示，使用电子束蒸镀法，在n型电流阻碍层30上，与隆起部29(p型 接触层28)的上面接触地形成具有约为0.3 iim厚度的p侧电极31。此时，依次形成AuZn 层(未图示)和Pt层(未图示)。由此，由n型电流阻碍层30的开口部30a构成的对位 用凹部的深度(从位于电流阻碍层30上面上的p侧电极31上面至位于隆起部29上面上 的P侧电极31上面的深度)D1约为400nm。S卩，由n型电流阻碍层30的开口部30a构成的 对位用凹部的深度D1 (约为400nm)比由隆起部8构成的对位用凸部的突出高度HI (约为 153nm)(参照图2)大。之后，如图22所示，研磨n型GaAs基板21的背面，直到从隆起部29的上面至n 型GaAs基板21的背面之厚度变为约100 ym为止。之后，使用电子束蒸镀法，在n型GaAs 基板21背面的接触孔120a(参照图2)之形成区域以外的区域上，形成具有作为蚀刻掩模 的功能的同时、还具有约为lym厚度的n侧电极32。此时，依次形成AuGe层(未图示)、 Ni层(未图示)和Au层(未图示)。接着，如图23所示，利用氯系气体的RIE法，将n侧电极32作为掩模，形成从n型 GaAs基板21的背面贯穿n型GaAs基板21、半导体各层(22 25和30)和p侧电极31的 圆形接触孔120a。该接触孔120a形成为具有p侧电极31侧的孔径比n侧电极32侧的孔 径(数十ym)小的锥形内侧面。之后，如图24所示，使用等离子体CVD法，在接触孔120a的内侧面上、和位于接触 孔120a附近区域的n侧电极32之与n型GaAs基板21相反侧的表面上，形成具有约200nm 厚度的由Si02膜构成的绝缘膜38。之后，如图25所示，在对应于接触孔120a的区域之外的规定区域上，形成抗蚀剂 40。之后，使用电子束蒸镀法，在抗蚀剂40的与n型GaAs基板21相反侧的表面上、和绝缘膜38的与n型GaAs基板21相反侧的表面及内侧面上，形成具有约0. 3 y m厚度的取出电 极39。此时，依次形成Ti层(未图示)、Pt层(未图示)、和Au层(未图示)。之后，利用 提离法去除抗蚀剂40。由此，如图26所示，去除不必要的部分，作为取出电极39。由此，形 成第1实施方式的红色激光元件120。之后，参照图27和图28，说明蓝紫色激光元件110与红色激光元件120的接合方 法。首先，如图27所示，在红色激光元件120的p侧电极31上，形成由Au-Sn构成的焊锡 层 115。之后，如图28所示，将由蓝紫色激光元件110的隆起部8构成的对位用凸部变为 朝向下侧的状态，同时，通过嵌入到由红色激光元件120的n型电流阻碍层30之开口部30a 构成的对位用凹部中，进行对位。此时，一边通过目视从图10和图12所示的蓝紫色激光元 件110之透明区域111识别由隆起部8构成的对位用凸部、和由n型电流阻碍层30的开 口部30a构成的对位用凹部，一边沿图28的Z方向嵌入。另外，在将由隆起部8构成的对 位用凸部嵌入由n型电流阻碍层30的开口部30a构成的对位用凹部中的状态下，通过在约 280°C的温度条件下进行热处理，熔融由Au-Sn构成的焊锡层115。之后，通过在冷却至室 温的过程中焊锡层115固化，利用焊锡层115来接合蓝紫色激光元件110与红色激光元件 120。此时，在第1实施方式中，可通过由隆起部8构成的对位用凸部与由n型电流阻碍 层30的开口部30a构成的对位用凹部的嵌合来抑制蓝紫色激光元件110和红色激光元件 120在水平方向(图1和图2的X方向)上的错位。由此，可抑制蓝紫色激光元件110和红 色激光元件120的劈开方向彼此错开。之后，在通过同时劈开彼此接合的蓝紫色激光元件110和红色激光元件120来形 成光射出面12 (参照图1)之后，分离成各元件。最后，如图1和图2所示，通过在红色激光 元件120的n侧电极32和取出电极39的表面上结合金属线122，形成第1实施方式的集成 型半导体激光元件。(第2实施方式)参照图29和图30来说明第2实施方式中、与上述第1实施方式不同、在蓝紫色激 光元件上设置对位用凹部的同时、在红色激光元件中设置对位用凸部的情况。在第2实施方式中，如图30所示，具有沿Z方向层叠(集成化)具有对位用凹部 的蓝紫色激光元件130和具有对位用凸部的红色激光元件140的构造。另外，蓝紫色激光 元件130和红色激光元件140分别是本发明的‘第1半导体激光元件’和‘第2半导体激光 元件’的一例。首先，说明第2实施方式的蓝紫色激光元件130的构造。第2实施方式的蓝紫色 激光元件130中，如图30所示，在n型GaN基板1上，依次形成n型包层2、活性层3、光引 导层4、盖层5、p型包层6和p型接触层7。p型包层6具有凸部和凸部以外的平坦部，同 时，在P型包层6的凸部上，形成p型接触层7。另外，由p型接触层7与p型包层的凸部 构成隆起部8。另外，半导体各层(2 7)具有与上述第1实施方式的半导体各层(2 7) 一样的组成和厚度。另外，隆起部8具有与上述第1实施方式的隆起部8—样的形状。另 外，隆起部8下方的活性层3和活性层3的周边部分构成蓝紫色激光元件130的发光区域 13。另外，隆起部8是本发明的‘第2隆起部’的一例。
另外，在该第2实施方式中，仅在隆起部8 (p型接触层7)上形成具有约lOnm厚度 的P侧电极41。该p侧电极41从n型GaN基板1侧顺序由Pt层(未图示)和Pd层(未 图示)构成。另外，P侧电极41是本发明的‘第1电极’的一例。这里，在第2实施方式中，在p型包层6的平坦部上，覆盖隆起部8和p侧电极41 的侧面地形成厚度(约为1.5i!m)比从p型包层6的平坦部上面至p侧电极41上面的高 度(约363nm)大、且由凹部形成用的蚀刻容易的Si02膜构成的电流阻碍层42。该电流阻 碍层42具有p侧电极41的上面露出的开口部42a。另外，电流阻碍层42的开口部42a具 有底部侧的宽度(隆起部8的顶端部分的宽度(约为1.5i!m))比开放端侧的宽度小的凹 状锥形内侧面。另外，电流阻碍层42的开口部42a如图29所示，沿隆起部8形成为沿Y方 向延伸的带状(细长状)。另外，电流阻碍层42的开口部42a构成对位用的U字状凹部。 另外，如图30所示，由电流阻碍层42的开口部42a构成的对位用凹部的深度(从电流阻碍 层42的上面至p侧电极41的上面的深度)D2约为1. 14um0另外，开口部42a是本发明的 ‘凹部’的一例。另外，在n型GaN基板1的背面上，形成具有与上述第1实施方式的n侧电极11 一样组成和厚度的n侧电极11。下面，说明第2实施方式的红色激光元件140的构造。另外，图30的红色激光元件 140中隆起部54侧朝向下方。在第2实施方式的红色激光元件140中，如图30所示，在n 型GaAs基板21的蓝紫色激光元件130侧的表面上，依次形成n型缓冲层22、n型包层23、 活性层24和p型第1包层25。另外，半导体各层(22 25)具有与上述第1实施方式的半 导体各层(22 25) —样的组成和厚度。另外，在该第2实施方式中，在p型第1包层25的蓝紫色激光元件130侧的表面 上的规定区域中，形成在具有与上述第1实施方式的P型第2包层26 —样的组成和厚度的 同时、具有顶端部分的宽度比上述第1实施方式的P型第2包层26之顶端部分的宽度(约 为2. 7 y m)小的凸状之p型第2包层51。在p型第2包层51的蓝紫色激光元件130侧的 表面上，依次形成p型中间层52和p型接触层53。该p型中间层52和p型接触层53分别 具有与上述第1实施方式的P型中间层27和p型接触层28 —样的组成和厚度。另外，由 P型第2包层51、p型中间层52和p型接触层53构成隆起部54。这里，在第2实施方式中，隆起部54具有顶端部侧的宽度比根部侧的宽部小的锥 形侧面。另外，隆起部54的侧面与活性层24的表面所成角度0 4约为60°。另外，隆起部 54如图29所示，形成为沿与光射出面(劈开面)43正交的方向(Y方向)延伸的带状(细 长状)。而且，隆起部54构成对位用凸部。另外，如图30所示，对应于隆起部54的形成位 置之活性层24和活性层24的周边部分构成红色激光元件140的发光区域57。另外，隆起 部54是本发明的‘凸部’和‘第1隆起部’的一例。另外，发光区域57是本发明的‘第2发 光区域’的一例。另外，在p型第1包层25的蓝紫色激光元件130侧的表面上，覆盖隆起部54的侧 面地形成位于隆起部54侧面以外的区域上的部分具有约800nm厚度的n型电流阻碍层55。 该n型电流阻碍层55由从n型GaAs基板21侧起、顺序为n型AllnP层(未图示)、和n型 GaAs层(未图示)构成。另外，在覆盖隆起部54和n型电流阻碍层55的蓝紫色激光元件 130侧的表面的同时，覆盖隆起部54的侧面的一部分地形成具有约0. m厚度的p侧电极56。该p侧电极56由从n型GaAs基板21侧起、顺序为AuZn层(未图示)、Pt层(未图 示)和Au层(未图示)构成。另外，p侧电极56是本发明的‘第2电极’的一例。由此，由 隆起部54构成的对位用凸部的突出高度(从位于对应于隆起部54的区域之外区域的p侧 电极56在蓝紫色激光元件130侧的表面至位于对应于隆起部54的区域之p侧电极56在 蓝紫色激光元件130侧的表面的高度)H2约为800nm。即，由电流阻碍层42的开口部42a 构成的对位用凹部的深度D2(约为1. 14 um)比由隆起部54构成的对位用凸部的突出高度 H2(约为800nm)大。另外，在n型GaAs基板21的与蓝紫色激光元件130相反侧的表面上， 形成具有与上述第1实施方式的n侧电极32 —样组成和厚度的n侧电极32。另外，形成从n侧电极32的与蓝紫色激光元件130相反侧的表面起、贯穿n侧电 极32、n型GaAs基板21、半导体各层(22 25和55)和p侧电极56的圆形接触孔140a。 该接触孔140a在n侧电极32侧的直径为数十P m，具有p侧电极56侧的孔径比n侧电极 32侧的孔径小的锥形内侧面。在接触孔140a的内侧面上、和位于接触孔140a附近区域的 n侧电极32之与蓝紫色激光元件130相反侧的表面上，形成具有约为200nm厚度的由Si02 膜构成的绝缘膜58。在绝缘膜58上的规定区域中，经接触孔140a与后述的焊锡层135电 连接地形成具有约为0. 3 y m厚度的取出电极59。该取出电极59由从n型GaAs基板21侧 顺序为Ti层(未图示)、Pt层(未图示)和Au层(未图示)构成。另外，在n侧电极32 和取出电极59的与蓝紫色激光元件130相反侧的表面上，结合金属线(金线)122。这里，在第2实施方式中，如图30所示，红色激光元件140与蓝紫色激光元件130 以将由隆起部54构成的对位用凸部嵌入由电流阻碍层42的开口部42a构成的对位用凹部 中的状态沿Z方向集成(层叠)。另外，蓝紫色激光元件130的发光区域13与红色激光元 件140的发光区域57沿半导体层的层叠方向(图30的Z方向)配置在同一线上。另外，如 上所述，因为蓝紫色激光元件130的对位用凹部的深度D2 (约为1. 14 u m)比红色激光元件 140的对位用凸部的突出高度H2(约为800nm)大，所以蓝紫色激光元件130的对位用凹部 的底面与红色激光元件140的对位用凸部的上面之间隔、比蓝紫色激光元件130的对位用 凹部以外的区域与红色激光元件140的对位用凸部以外的区域之间隔大。另外，蓝紫色激 光元件130的对位用凹部与红色激光元件140的对位用凸部经由Au-Sn构成的焊锡层135 接合。另外，焊锡层135是本发明的‘接合层’的一例。另外，蓝紫色激光元件140的p侧 电极41和红色激光元件140的p侧电极56经焊锡层135电连接于取出电极59上。在第2实施方式中，如上所述，通过将蓝紫色激光元件130的电流阻碍层42之开 口部42a构成的对位用凹部嵌入红色激光元件140的隆起部54构成的对位用凸部中，利用 该对位用凸部与凹部的嵌合，可抑制贴合蓝紫色激光元件130与红色激光元件140时的蓝 紫色激光元件130和红色激光元件140在水平方向(图30的X方向)上的错位。由此，由 于可抑制来自蓝紫色激光元件130的射出光之光轴与来自红色激光元件140的射出光之光 轴沿水平方向(图30的X方向)错位的情形，所以使集成型半导体激光元件的射出光入射 到光学系统(透镜和反射镜等)来使用时的射出光相对于光学系统的光轴调整变容易。由 此，可降低光轴调整花费的成本。另外，因为可抑制贴合蓝紫色激光元件130与红色激光元 件140时的蓝紫色激光元件130和红色激光元件140在水平方向(图30的X方向)上的错 位，所以可抑制蓝紫色激光元件130和红色激光元件140的劈开方向彼此错开的情形。由 此，可使贴合蓝紫色激光元件130与红色激光元件140之后同时劈开时的劈开性提高。其结果是，可使从光射出面(劈开面)43射出的激光之特性提高。另外，在第2实施方式中，通过将蓝紫色激光元件130的发光区域13与红色激光 元件140的发光区域57配置在半导体层的层叠方向(图30的Z方向)之同一线上，与蓝紫 色激光元件130的发光区域13和红色激光元件140的发光区域57的位置在两个方向(半 导体层的层叠方向(图30的Z方向)和水平方向(图30的X方向))上错位的情况相比， 可减小蓝紫色激光元件130的发光区域13与红色激光元件140的发光区域57的位置间隔。 由此，在使集成型半导体激光元件的射出光入射到光学系统(透镜和反射镜等)来使用时， 在调节光轴以使从蓝紫色激光元件130的发光区域13和红色激光元件140的发光区域57 之一射出的光入射到光学系统的规定区域中的情况下，可抑制从蓝紫色激光元件130的发 光区域13和红色激光元件140的发光区域57另一方射出的光入射到大大偏离光学系统的 规定区域的区域中的情形。其结果是，因为相对于光学系统的光轴调整变得更容易，所以可 进一步降低光轴调整花费的成本。另外，第2实施方式的其它效果与上述第1实施方式一样。下面，参照图29 图50来说明第2实施方式的集成型半导体激光元件的制造过程。在该第2实施方式中，利用图31 图39所示的过程，形成蓝紫色激光元件130，同 时，利用图40 图48所示的过程，形成红色激光元件140。在形成蓝紫色激光元件130时， 首先如图32所示，使用与图3所示的第1实施方式一样的过程，形成至p型接触层7。之 后，使用电子束蒸镀法，在P型接触层7上，形成具有约lOnm厚度的p侧电极41。此时，依 次形成Pt层(未图示)和Pd层(未图示)。另外，如图31所示，将位于与n型GaN基板1 的光射出面43 (参照图29)平行的端面la侧之p侧电极41的端部配置在与n型GaN基板 1的端面la间隔规定间隔的区域中。之后，如图33所示，使用等离子体CVD法，在p侧电极41上，依次形成具有约为 320nm厚度的A1203膜44和具有约480nm厚度的Si02膜45。之后，在Si02膜45上的对应 于隆起部8(参照图30)的区域中，形成具有约为1.5i!m宽度的带状(细长状)的抗蚀剂 46。之后，如图34所示，使用CF4系气体的RIE法，将抗蚀剂46作为掩模，蚀刻Si02膜 45、A1203膜44和p侧电极41。之后，去除抗蚀剂46。之后，如图35所示，使用氯系气体的RIE法，将Si02膜45作为掩模，从p型接触 层7的上面蚀刻到p型包层6中途的深度。由此，形成由p型包层6的凸部与p型接触层 7构成的同时、具有与上述第1实施方式的隆起部8 一样形状的隆起部8。之后，如图36所示，使用磷酸系湿蚀刻技术，从A1203膜44的侧面沿横向蚀刻到规 定深度。之后，如图37所示，使用等离子体CVD法或电子束蒸镀法等，在p型包层6的平坦 部上，覆盖隆起部8和p侧电极41的侧面地形成具有约1.5i!m厚度的由Si02膜构成的电 流阻碍层42。之后，使用磷酸系蚀刻液的湿蚀刻技术，去除A1203膜44。此时，A1203膜44 上的Si02膜45、与位于Si02膜45附近的由Si02膜构成的电流阻碍层42的一部分也被同 时去除。由此，如图38所示，形成具有p侧电极41的上面露出的开口部42a之电流阻碍层 42。此时，电流阻碍层42的开口部42a形成为具有底部侧的宽度比开放端侧的宽度小的凹状锥形内侧面。另外，电流阻碍层42的开口部42a之底部侧的宽度约为1.5i!m。另外，电 流阻碍层42的开口部42a如图29所示，沿隆起部8形成为带状(细长状)。另外，该电流 阻碍层42的开口部42a构成对位用的U字状凹部。另外，由电流阻碍层42的开口部42a 构成的对位用凹部的深度(从电流阻碍层42的上面至p侧电极41的上面的深度)D2约为 1. 14 y m。之后，如图39所示，研磨n型GaN基板1的背面，直到从隆起部8的上面至n型 GaN基板1的背面的厚度约为150 u m。之后，使用电子束蒸镀法，在n型GaN基板1的背面 上，形成具有与上述第1实施方式的n侧电极11 一样组成和厚度的n侧电极11。此时，与 图12所示的第1实施方式的过程一样，将位于与n型GaN基板1的光射出面43平行的端面 la (参照图31)侧之n侧电极11的端部配置在与n型GaN基板1的端面la间隔规定间隔 的区域中。由此，如图31所示，未形成p侧电极41的区域构成在贴合蓝紫色激光元件130 与红色激光元件140时、可从元件的上方或下方通过目视来识别蓝紫色激光元件130之隆 起部8的透明区域111。这样就形成第2实施方式的蓝紫色激光元件130。下面，在形成红色激光元件140时，首先如图40所示，使用与图14所示的第1实 施方式一样的过程，形成至P型第1包层25。接着，使用M0CVD法，在p型第1包层25上， 使P型第2包层51、p型中间层52和p型接触层53依次生长。此时，以与上述第1实施 方式的P型第2包层26、p型中间层27和p型接触层28 —样的生长条件使p型第2包层 51、p型中间层52和p型接触层53生长。之后，使用溅射法、真空蒸镀法或电子束蒸镀法， 在P型接触层53上的对应于隆起部54 (参照图30)的区域中，形成具有约240nm厚度的带 状(细长状)的3102膜47。之后，如图41所示，使用酒石酸系蚀刻液或磷酸系蚀刻液的湿蚀刻技术，从p型接 触层53的上面蚀刻到p型第1包层25的上面。由此，形成由p型接触层53、p型中间层52 和P型第2包层51构成的隆起部54。另外，隆起部54形成为具有顶端部侧的宽度比根部 侧的宽部小的锥形侧面。另外，隆起部54的侧面与活性层24 (p型第1包层25)的上面所 成角度9 4约为60°。另外，隆起部54如图29所示，形成为沿与光射出面43正交的方向 延伸的带状(细长状)。而且，该隆起部54构成对位用凸部。之后，如图42所示，使用M0CVD法，将Si02膜47作为选择生长掩模，在p型第1 包层25的上面上，覆盖隆起部54的侧面地形成位于隆起部54侧面以外的区域上的部分具 有约800nm的厚度的n型电流阻碍层55。此时，依次形成n型AllnP层(未图示)和n型 GaAs层(未图示)。之后，去除3102膜47。之后，如图43所示，使用电子束蒸镀法，覆盖隆起部54及n型电流阻碍层55的上 面和隆起部54侧面的一部分地形成具有约为0. 3 y m厚度的p侧电极56。此时，依次形成 AuZn层(未图示)、Pt层(未图示)和Au层(未图示)。由此，由隆起部54构成的对位用 凸部的突出高度(从位于电流阻碍层55上面上的p侧电极56的上面至位于隆起部54上面 上的P侧电极56的上面的高度)H2约为800nm。S卩，由电流阻碍层42的开口部42a构成的 对位用凹部的深度D2(约为1. 14 um)比由隆起部54构成的对位用凸部的突出高度H2(约 为800nm)(参照图30)大。之后，如图44所示，研磨n型GaAs基板21的背面，直到从隆起部54的上面至n型 GaAs基板21的背面之厚度变为约100 ym为止。之后，使用电子束蒸镀法，在n型GaAs基板21背面的接触孔140a(参照图30)之形成区域以外的区域上，形成具有作为蚀刻掩模的 功能的同时、还具有与上述第1实施方式的n型电极32 —样的组成和厚度的n侧电极32。接着，如图45所示，利用氯系气体的RIE法，将n侧电极32作为掩模，形成从n型 GaAs基板21的背面贯穿n型GaAs基板21、半导体各层(22 25和55)和p侧电极56的 圆形接触孔140a。该接触孔140a形成为具有p侧电极56侧的孔径比n侧电极32侧的孔 径(数十ym)小的锥形内侧面。之后，如图46所示，使用等离子体CVD法，在接触孔140a的内侧面上、和位于接触 孔140a附近区域的n侧电极32之与n型GaAs基板21相反侧的表面上，形成具有约200nm 厚度的由Si02膜构成的绝缘膜58。之后，如图47所示，在对应于接触孔140a的区域之外的规定区域上，形成抗蚀剂 60。之后，使用电子束蒸镀法，在抗蚀剂60的与n型GaAs基板21相反侧的表面上、和绝缘 膜58的与n型GaAs基板21相反侧的表面及内侧面上，形成具有约0. 3 y m厚度的取出电 极59。此时，依次形成Ti层(未图示)、Pt层(未图示)和Au层(未图示)。之后，利用 提离法去除抗蚀剂60。由此，如图48所示，去除不必要的部分，作为取出电极59。由此，形 成第2实施方式的红色激光元件140。之后，参照图49和图50，说明蓝紫色激光元件130与红色激光元件140的接合方 法。首先，如图49所示，在红色激光元件140的p侧电极56上，形成由Au-Sn构成的焊锡 层 135。之后，如图50所示，将由蓝紫色激光元件130的电流阻碍层42之开口部42a构成 的对位用凹部变为朝向下侧的状态，同时，通过嵌入到由红色激光元件140的隆起部54构 成的对位用凸部中，进行对位。此时，一边通过目视从图31所示的蓝紫色激光元件130之 透明区域111识别由电流阻碍层42的开口部42a构成的对位用凹部和由隆起部54构成的 对位用凸部，一边沿Z方向嵌入。而且，在由电流阻碍层42的开口部42a构成的对位用凹 部中嵌入由隆起部54构成的对位用凸部的状态下，通过在约280°C的温度条件下进行热处 理，熔融由Au-Sn构成的焊锡层135。之后，通过在冷却至室温的过程中焊锡层135固化，利 用焊锡层135来接合蓝紫色激光元件130与红色激光元件140。此时，在第2实施方式中，可利用由电流阻碍层42的开口部42a构成的对位用凹 部与由隆起部54构成的对位用凸部的嵌合来抑制蓝紫色激光元件130和红色激光元件140 在水平方向(图29和图30的X方向)上的错位。由此，可抑制蓝紫色激光元件130和红 色激光元件140的劈开方向彼此错开的情形。之后，在通过同时劈开彼此接合的蓝紫色激光元件130和红色激光元件140来形 成光射出面43(参照图29)之后，分离成各元件。最后，如图29和图30所示，通过在红色 激光元件140的n侧电极32和取出电极59的表面上结合金属线122，形成第2实施方式的 集成型半导体激光元件。(第3实施方式)参照图51和图52来说明第3实施方式中、与上述第1和第2实施方式不同、在 蓝紫色激光元件中设置对位用凸部的同时、在红色激光元件的基板中形成对位用凹部的情 况。在第3实施方式中，如图52所示，具有沿Z方向层叠(集成化)具有对位用凸部的蓝紫色激光元件110和具有对位用凹部的红色激光元件150的构造。另外，蓝紫色激光 元件110具有与上述第1实施方式的蓝紫色激光元件110 —样的构造。另外，红色激光元 件150是本发明的‘第2半导体激光元件’的一例。首先，说明第3实施方式的红色激光元件150的构造。在第3实施方式的红色激 光元件150中，如图52所示，在n型GaAs基板61上，依次形成n型缓冲层22、n型包层23、 活性层24、p型第1包层25、p型第2包层51、p型中间层52和p型接触层53。p型第2包 层51具有凸部和凸部以外的平坦部，同时，p型中间层52和p型接触层53在p型第2包 层51的凸部上依次形成。另外，由p型接触层53、p型中间层52和p型第2包层51形成 隆起部54。另外，半导体各层(22 25、51 53)具有与上述第2实施方式的半导体各层 (22 25、51 53) —样的组成和厚度。另外，隆起部54具有与上述第2实施方式的隆起 部54 —样的形状。而且，隆起部54下方的活性层24和活性层24的周边部分构成红色激 光元件150的发光区域57。另外，在第3实施方式中，在p型第1包层25上，覆盖隆起部54的侧面地形成具有 约1. 6 y m厚度的n型电流阻碍层62。该n型电流阻碍层62由从n型GaAs基板61侧起、 顺序为n型AllnP层(未图示)、和n型GaAs层(未图示)构成。在n型电流阻碍层62和 隆起部54 (p型接触层53)的上面上形成具有与上述第2实施方式的p侧电极56 —样组成 和厚度的P侧电极63。另外，形成从p侧电极63的上面起、贯穿p侧电极63、半导体各层(62、25 22)和 n型GaAs基板61的圆形接触孔150a。该接触孔150a在p侧电极63侧的直径为数十P m, 具有n型GaAs基板61侧的孔径比p侧电极63侧的孔径小的锥形内侧面。在接触孔150a 的内侧面上、和位于接触孔150a附近区域的p侧电极63的表面上，形成具有约为200nm厚 度的由Si02膜构成的绝缘膜68。在绝缘膜68上的规定区域中，经接触孔150a与后述的 n侧电极64电连接地形成具有约为0.3 iim厚度的取出电极69。该取出电极69由从n型 GaAs基板61侧顺序为Ti层(未图示)、Pt层(未图示)和Au层(未图示)构成。另外， 在P侧电极63和取出电极69的表面上，结合金属线(金线)122。这里，在第3实施方式中，在n型GaAs基板61背面侧的对应于隆起部54的区域 中，形成具有约为lym深度的凹部61a。该n型GaAs基板61的凹部61a具有底部侧的宽 度比开放端侧的宽度(约3iim)小的锥形之内侧面。另外，n型GaAs基板61的凹部61a之 内侧面与活性层24的表面所成的角度0 5约为60°另外，n型GaAs基板61的凹部61a如 图51所示，沿隆起部54形成为沿Y方向延伸的带状(细长状)。而且，n型GaAs基板61 的凹部61a构成对位用凹部。另外，n型GaAs基板61是本发明的‘基板’的一例。在n型GaAs基板61的包含凹部61a的背面上，与取出电极69电连接地形成具 有约0. 3 ii m厚度的n侧电极64。该n侧电极64由从n型GaAs基板61侧顺序为AuGe层 (未图示)、Ni层(未图示)、和Au层(未图示)构成。另外，n侧电极64是本发明的‘第 2电极’的一例。由此，由n型GaAs基板61的凹部61a构成的对位用凹部的深度(从位于 凹部61a之外区域的n侧电极64在蓝紫色激光元件110侧的表面至位于对应于凹部61a 的区域之n侧电极64的蓝紫色激光元件110侧的表面的深度)D3约为1 y m。即，由n型 GaAs基板61的凹部61a构成的对位用凹部的深度D3(约为1 y m)比由隆起部8构成的对 位用凸部的突出高度HI (约为153nm)大。
这里，在第3实施方式中，如图52所示，蓝紫色激光元件110与红色激光元件150以将由隆起部8构成的对位用凸部嵌入由η型GaAs基板61的凹部61a构成的对位用凹部 中的状态沿Z方向集成(层叠)。另外，蓝紫色激光元件110的发光区域13与红色激光元 件150的发光区域57沿半导体层的层叠方向(图52的Z方向)配置在同一线上。另外， 如上所述，因为红色激光元件150的对位用凹部的深度D3 (约为1 μ m)比蓝紫色激光元件 110的对位用凸部的突出高度Hl (约为153nm)大，所以蓝紫色激光元件110的对位用凸部 的上面与红色激光元件150的对位用凹部的底面之间隔、比蓝紫色激光元件110的对位用 凸部以外的区域与红色激光元件150的对位用凹部以外的区域之间隔大。另外，蓝紫色激 光元件110的对位用凸部与红色激光元件150的对位用凹部经由Au-Sn构成的焊锡层155 接合。另外，焊锡层155是本发明的‘接合层’的一例。另外，蓝紫色激光元件110的ρ侧 电极10经红色激光元件150的η侧电极64和焊锡层155电连接于取出电极69上。在第3实施方式中，如上所述，通过将蓝紫色激光元件110的隆起部8构成的对位 用凸部嵌入红色激光元件150的η型GaAs基板61之凹部61a构成的对位用凹部中，利用 该对位用凸部与凹部的嵌合，可抑制贴合蓝紫色激光元件110与红色激光元件150时的蓝 紫色激光元件110和红色激光元件150在水平方向(图52的X方向)上的错位。由此，由 于可抑制来自蓝紫色激光元件110的射出光之光轴与来自红色激光元件150的射出光之光 轴沿水平方向(图52的X方向)错位的情形，所以使集成型半导体激光元件的射出光入射 到光学系统(透镜和反射镜等)来使用时的射出光相对于光学系统的光轴调整变容易。由 此，可降低光轴调整花费的成本。另外，因为可抑制贴合蓝紫色激光元件110与红色激光元 件150时的蓝紫色激光元件110和红色激光元件150在水平方向(图52的X方向)上的错 位，所以可抑制蓝紫色激光元件110和红色激光元件150的劈开方向彼此错开的情形。由 此，可使贴合蓝紫色激光元件110与红色激光元件150之后同时劈开时的劈开性提高。其 结果是，可使从光射出面(劈开面)58射出的激光之特性提高。另外，在第3实施方式中，通过将蓝紫色激光元件110的发光区域13与红色激光 元件150的发光区域57配置在半导体层的层叠方向(图52的Z方向)之同一线上，与蓝紫 色激光元件110的发光区域13和红色激光元件150的发光区域57的位置在两个方向(半 导体层的层叠方向(图52的Z方向)和水平方向(图52的X方向))上错位的情况相比， 可减小蓝紫色激光元件110的发光区域13与红色激光元件150的发光区域57的位置间隔。 由此，在使集成型半导体激光元件的射出光入射到光学系统(透镜和反射镜等)来使用时， 在调节光轴以使从蓝紫色激光元件110的发光区域13与红色激光元件150的发光区域57 之一射出的光入射到光学系统的规定区域中的情况下，可抑制从蓝紫色激光元件110的发 光区域13和红色激光元件150的发光区域57中另一方射出的光入射到大大偏离光学系统 的规定区域的区域中的情形。其结果是，因为相对于光学系统的光轴调整变得更容易，所以 可进一步降低光轴调整花费的成本。另外，在第3实施方式中，通过在红色激光元件150的η型GaAs基板61中形成凹 部61a，可容易地在红色激光元件150中形成对位用凹部。另外，第3实施方式的其它效果与上述第1实施方式一样。下面，参照图51 图63来说明第3实施方式的集成型半导体激光元件的制造过 程。另外，第3实施方式的蓝紫色激光元件110之制造过程与图3 图13所示的第1实施方式的过程一样。在形成红色激光元件150时，首先如图53所示，使用与图40和图41所示的第2 实施方式一样的过程，形成至隆起部54。之后，使用MOCVD法，将SiO2膜47作为选择生长 掩模，在P型第1包层25上，覆盖隆起部54的侧面地形成具有约1. 6 μ m厚度的η型电流 阻碍层62。此时，依次形成η型AlInP层(未图示)和η型GaAs层(未图示)。之后，去 除 SiO2 膜 47。之后，如图54所示，使用电子束蒸镀法，在隆起部54 (ρ型接触层53)上和η型电 流阻碍层62的接触孔150a(参照图52)之形成区域以外的区域上，形成在具有作为蚀刻掩 模的功能的同时、还具有与上述第2实施方式的ρ侧电极56 —样的组成和厚度之ρ侧电极 63。之后，如图55所示，使用氯系气体的RIE法，将ρ侧电极63作为掩模，形成从η型 电流阻碍层62的上面贯穿半导体各层(62和25 22)和η型GaAs基板61的圆形接触孔 150a。该接触孔150a形成为具有η型GaAs基板61侧的孔径比ρ侧电极63侧的孔径(数 十μπι)小的锥形内侧面。
之后，如图56所示，使用等离子体CVD法，在接触孔150a的内侧面上、和位于接触 孔150a附近区域的ρ侧电极63的上面上，形成由SiO2膜构成的绝缘膜68。之后，如图57所示，在对应于接触孔150a的区域之外的规定区域上，形成抗蚀剂 70。之后，使用电子束蒸镀法，在抗蚀剂70的上面上、和绝缘膜68的上面和内侧面上，形成 具有约0.3μπι厚度的取出电极69。此时，依次形成Ti层(未图示)、Pt层(未图示)、和 Au层(未图示)。之后，利用提离法去除抗蚀剂70。由此，如图58所示，去除不必要的部 分，作为取出电极69。之后，如图59所示，研磨η型GaAs基板61的背面，直到从隆起部54的上面至η型 GaAs基板61的背面之厚度变为约100 μ m为止，之后，使用等离子体CVD法，在η型GaAs基 板61背面上的对应于凹部6Ia (参照图52)之区域以外的区域中，形成具有约为240nm厚 度的SiO2膜65。接着，如图60所示，利用氯系气体的RIE法，将SiO2膜65作为掩模，从η型GaAs 基板61的背面蚀刻至约Iym的深度。由此，在η型GaAs基板61的背面侧，形成具有约 Iym深度的凹部61a。此时，η型GaAs基板61的凹部61a形成为具有底部侧的宽度比开 放端侧的宽度小的锥形之内侧面。另外，η型GaAs基板61的凹部61a的开放端侧的宽度 约为3 μπι。另外，η型GaAs基板61的凹部61a的内侧面与活性层24 (η型GaAs基板61) 的表面所成的角度θ 5约为60°。另外，η型GaAs基板61的凹部61a如图51所示，沿隆 起部54形成为带状(细长状)。而且，η型GaAs基板61的凹部61a构成对位用凹部。之 后，去除SiO2膜65。之后，如图61所示，使用电子束蒸镀法，在η型GaAs基板61的包含凹部61a之 背面上，与取出电极69电连接地形成具有约0. 3 μ m厚度的η侧电极64。此时，依次形成 AuGe层(未图示)、Ni层(未图示)、和Au层(未图示)。由此，由η型GaAs基板61的凹 部61a构成的对位用凹部的深度(从位于凹部61a以外区域的η侧电极64的上面至位于 凹部61a的底部上面上的η侧电极64上面的深度)D3约为1 μ m。S卩，由η型GaAs基板61 的凹部61a构成的对位用凹部的深度D3(约为1 μπι)比由隆起部8构成的对位用凸部的突出高度Hl (约为153nm)(参照图52)大。这样，形成第3实施方式的红色激光元件150。之后，参照图62和图63，说明蓝紫色激光元件110与红色激光元件150的接合方法。首先，如图62所示，在红色激光元件150的η侧电极64上，形成由Au-Sn构成的焊锡 层 155。之后，如图63所示，将由蓝紫色激光元件110的隆起部8构成的对位用凸部变为 朝向下侧的状态，同时，通过嵌入到由红色激光元件150的η型GaAs基板61的凹部61a构 成的对位用凹部中，进行对位。此时，一边通过目视从图10和图12所示的蓝紫色激光元件 110之透明区域111识别由隆起部8构成的对位用凸部和由η型GaAs基板61的凹部61a 构成的对位用凹部，一边沿Z方向嵌入。而且，在由隆起部8构成的对位用凸部被嵌入由η 型GaAs基板61的凹部6Ia构成的对位用凹部中的状态下，通过在约280°C的温度条件下进 行热处理，熔融由Au-Sn构成的焊锡层155。之后，通过在冷却至室温的过程中焊锡层155 固化，利用焊锡层155来接合蓝紫色激光元件110与红色激光元件150。此时，在第3实施方式中，可利用由隆起部8构成的对位用凸部与由η型GaAs基 板61的凹部61a构成的对位用凹部的嵌合来抑制蓝紫色激光元件110和红色激光元件150 在水平方向(图51和图52的X方向)上的错位。由此，可抑制蓝紫色激光元件110和红 色激光元件150的劈开方向彼此错开的情形。之后，在通过同时劈开彼此接合的蓝紫色激光元件110和红色激光元件150来形 成光射出面58 (参照图51)之后，分离成各元件。最后，如图51和图52所示，通过在红色 激光元件150的ρ侧电极63和取出电极69的表面上结合金属线122，形成第3实施方式的 集成型半导体激光元件。(第4实施方式)参照图64和图65来说明第4实施方式中、与上述第1 第3实施方式不同、在蓝 紫色激光元件的基板中形成对位用凸部的同时、在红色激光元件的基板中形成对位用凹部 的情况。在该第4实施方式中，如图65所示，具有沿Z方向层叠(集成化)具有对位用凸 部的蓝紫色激光元件160与具有对位用凹部的红色激光元件150的构造。另外，红色激光 元件150具有与上述第3实施方式的红色激光元件150 —样的构造。另外，蓝紫色激光元 件160是本发明的‘第1半导体激光元件’的一例。首先，说明第4实施方式的蓝紫色激光元件160的构造。在第4实施方式的蓝紫 色激光元件160中，如图65所示，在η型GaN基板71上，依次形成η型包层2、活性层3、光 引导层4、盖层5、ρ型包层6和ρ型接触层7。另外，ρ型包层6具有凸部和凸部以外的平 坦部，同时，在P型包层6的凸部上，形成ρ型接触层7。另外，由ρ型接触层7与ρ型包层 6的凸部构成隆起部8。另外，半导体各层(2 7)具有与上述第1实施方式的半导体各层 (2 7) —样的组成和厚度。另外，隆起部8具有与上述第1实施方式的隆起部8 一样的形 状。另外，隆起部8下方的活性层3和活性层3的周边部分构成蓝紫色激光元件160的发 光区域13。另外，覆盖隆起部8的侧面和ρ型包层6的平坦部上部地形成具有与上述第1实 施方式的电流阻碍层9 一样的组成和厚度之电流阻碍层9。在电流阻碍层9上，接触隆起部 8 (ρ型接触层7)的上面地形成具有与上述第1实施方式的ρ侧电极10 —样的组成和厚度之P侧电极10。这里，在第4实施方式中，在η型GaN基板71背面侧的对应于隆起部8的区域中，形成具有约400nm的突出高度之凸部71a。该η型GaN基板71的凸部71a具有顶端部的宽 度比根部的宽度小的锥形之内侧面。另外，η型GaN基板71的凸部71a的侧面与活性层3 的上面所成角度Θ6约为80°。另外，η型GaN基板71的凸部71a的顶端部分的宽度约为 2 μ m。另外，η型GaN基板71的凸部71a如图64所示，沿隆起部8顺着Y方向形成为带状 (细长状)。而且，η型GaAs基板71的凸部71a构成对位用凸部。另外，η型GaAs基板71 是本发明的‘基板’的一例。另外，在η型GaN基板71的包含凸部71a的背面上，形成η侧电极72。该η侧电 极72从η型GaN基板71侧，由依次为具有约为6nm厚度的Al层(未图示)、具有约为IOnm 厚度的Pd层(未图示)、和具有约为300nm厚度的Au层(未图示)构成。另外，η侧电极 72是本发明的‘第1电极’的一例。由此，由η型GaN基板71的凸部71a构成的对位用凸 部的突出高度(从位于凸部71a以外区域的η侧电极72的上面至位于凸部71a上面上的 η侧电极72的上面之突出高度)Η4约为400nm。S卩，由η型GaAs基板61的凹部61a构成 的对位用凹部的深度D3(约为Ιμπι)比由η型GaN基板71的凹部71a构成的对位用凸部 的突出高度H4(约为400nm)大。这里，在第4实施方式中，如图65所示，蓝紫色激光元件160与红色激光元件150 以将由η型GaN基板71的凸部7Ia构成的对位用凸部嵌入由η型GaAs基板61的凹部6Ia 构成的对位用凹部中的状态沿Z方向集成化(层叠)。另外，蓝紫色激光元件160的发光区 域13和红色激光元件150的发光区域57沿半导体层的层叠方向(图65的Z方向)配置 在同一线上。另外，如上所述，因为红色激光元件150的对位用凹部的深度D3 (约为1 μ m) 比蓝紫色激光元件160的对位用凸部的突出高度H4(约为400nm)大，所以蓝紫色激光元 件160的对位用凸部的上面与红色激光元件150的对位用凹部的底面之间隔、比蓝紫色激 光元件160的对位用凸部以外的区域与红色激光元件150的对位用凹部以外的区域之间隔 大。另外，蓝紫色激光元件160的对位用凸部与红色激光元件150的对位用凹部经由Au-Sn 构成的焊锡层165接合。另外，焊锡层165是本发明的‘接合层’的一例。另外，蓝紫色激 光元件160的η侧电极72经红色激光元件150的η侧电极64和焊锡层165电连接于取出 电极69上。在第4实施方式中，如上所述，通过将蓝紫色激光元件160的η型GaN基板71的 凸部71a构成的对位用凸部嵌入红色激光元件150的η型GaAs基板61的凹部61a构成的 对位用凹部中，利用该对位用凸部与凹部的嵌合，可抑制贴合蓝紫色激光元件160与红色 激光元件150时的蓝紫色激光元件160和红色激光元件150在水平方向(图65的X方向) 上的错位。由此，由于可抑制来自蓝紫色激光元件160的射出光之光轴与来自红色激光元 件150的射出光之光轴沿水平方向(图65的X方向)错位的情形，所以使集成型半导体激 光元件的射出光入射到光学系统(透镜和反射镜等)来使用时的射出光相对于光学系统的 光轴调整变容易。由此，可降低光轴调整花费的成本。另外，因为可抑制贴合蓝紫色激光元 件160与红色激光元件150时的蓝紫色激光元件160和红色激光元件150在水平方向(图 65的X方向)上的错位，所以可抑制蓝紫色激光元件160和红色激光元件150的劈开方向 彼此错开的情形。由此，可使贴合蓝紫色激光元件160与红色激光元件150之后同时劈开时的劈开性提高。其结果是，可使从光射出面(劈开面)73射出的激光之特性提高。另外，在第4实施方式中，通过将蓝紫色激光元件160的发光区域13与红色激光 元件150的发光区域57配置在半导体层的层叠方向(图65的Z方向)之同一线上，与蓝紫 色激光元件160的发光区域13和红色激光元件150的发光区域57的位置在两个方向(半 导体层的层叠方向(图65的Z方向)和水平方向(图65的X方向))上错位的情况相比， 可减小蓝紫色激光元件160的发光区域13与红色激光元件150的发光区域57的位置间隔。 由此，在使集成型半导体激光元件的射出光入射到光学系统(透镜和反射镜等)来使用时， 在调节光轴以使从蓝紫色激光元件160的发光区域13和红色激光元件150的发光区域57 之一射出的光入射到光学系统的规定区域中的情况下，可抑制从蓝紫色激光元件160的发 光区域13和红色激光元件150的发光区域57中另一方射出的光入射到大大偏离光学系统 的规定区域的区域中的情形。其结果是，因为射出光相对于光学系统的光轴调整变得更容 易，所以可进一步降低光轴调整花费的成本。另外，在第4实施方式中，通过在蓝紫色激光元件160的η型GaN基板71中形成 凸部71a，可容易地在蓝紫色激光元件160中形成对位用凸部。另外，第4实施方式的其它效果与上述第1实施方式一样。下面，参照图64 图71来说明第4实施方式的集成型半导体激光元件的制造过 程。另外，第4实施方式的红色激光元件150的制造过程与图53 图61所示的第3实施 方式的过程一样。在形成蓝紫色激光元件160时，首先如图66所示，使用与图3 图11所示的第1 实施方式一样的过程，形成至P侧电极10。之后，研磨η型GaN基板71的背面，直到从隆 起部8的上面至η型GaN基板71的背面的厚度约为150 μ m。之后，使用等离子体CVD法， 在η型GaN基板71背面上的对应于凸部71a (参照图65)的区域中，形成具有约240nm厚 度的SiO2膜74。接着，如图67所示，利用氯系气体的RIE法，将SiO2膜74作为掩模，从η型GaN基 板71的背面蚀刻到约400nm的深度。由此，在η型GaN基板71的背面侧，形成具有约400nm 突出高度的凸71a。此时，η型GaN基板71的凸部71a形成为具有顶端部侧的宽度比根部 侧的宽度小的锥形侧面。另外，η型GaN基板71的凸部71a的侧面与活性层3 (η型GaN基 板71)的表面所成的角度θ 6约为80°，η型GaN基板71的凸部71a的顶端部分的宽度约 为2μπι。另外，η型GaN基板71的凸部71a如图64所示，沿隆起部8形成为带状(细长 状)。而且，该η型GaN基板71的凸部71a构成对位用凸部。之后，去除SiO2膜74。之后，如图69所示，使用电子束蒸镀法，在η型GaN基板71的包含凸部71a之背面 上，形成η侧电极72。此时，依次形成具有约6nm厚度的Al层(未图示)、具有约IOnm厚 度的Pd层(未图示)、和具有约300nm厚度的Au层(未图示)。由此，由η型GaN基板71 的凸部71a构成的对位用凸部的突出高度(从位于凸部71a以外区域的η侧电极72的上 面至位于凸部71a上面上的η侧电极72上面的突出高度)Η4约为400nm。S卩，由η型GaAs 基板61的凹部61a构成的对位用凹部的深度D3(约为1 μ m)(参照图65)比由η型GaN基 板71的凹部71a构成的对位用凸部的突出高度Η4(约为400nm)大。另外，如图68所示， 将位于与η型GaN基板71的光射出面73 (参照图64)平行的端面71b侧之η侧电极72的 端部配置在与η型GaN基板71的端面71b间隔规定间隔的区域中。由此，未形成η侧电极72的区域构成在贴合蓝紫色激光元件160和红色激光元件150时通过目视可从元件的上方或下方识别蓝紫色激光元件160的η型GaN基板71的凸部71a之透明区域111。如此，形 成第4实施方式的蓝紫色激光元件160。之后，参照图70和图71，说明蓝紫色激光元件160与红色激光元件150的接合方 法。首先，如图70所示，在红色激光元件150的η侧电极64上，形成由Au-Sn构成的焊锡 层 165。之后，如图71所示，将由蓝紫色激光元件160的η型GaN基板71的凸部71a构成 的对位用凸部变为朝向下侧的状态，同时，通过嵌入到由红色激光元件150的η型GaAs基 板61的凹部61a构成的对位用凹部中，进行对位。此时，一边通过目视从图68所示的蓝紫 色激光元件160之透明区域111识别由η型GaN基板71的凸部71a构成的对位用凸部和 由η型GaAs基板61的凹部61a构成的对位用凹部，一边沿Z方向嵌入。而且，在将由η型 GaN基板71的凸部71a构成的对位用凸部嵌入由η型GaAs基板61的凹部61a构成的对位 用凹部中的状态下，通过在约280°C的温度条件下进行热处理，熔融由Au-Sn构成的焊锡层 165。之后，通过在冷却至室温的过程中焊锡层165固化，利用焊锡层165来接合蓝紫色激 光元件160与红色激光元件150。此时，在第4实施方式中，可利用由η型GaN基板71的凸部71a构成的对位用凸 部与由η型GaAs基板61的凹部61a构成的对位用凹部的嵌合来抑制蓝紫色激光元件160 和红色激光元件150在水平方向(图64和图65的X方向)上的错位。由此，可抑制蓝紫 色激光元件160和红色激光元件150的劈开方向彼此错开的情形。之后，在通过同时劈开彼此接合的蓝紫色激光元件160和红色激光元件150来形 成光射出面73 (参照图64)之后，分离成各元件。最后，如图65所示，通过在红色激光元件 150的ρ侧电极63和取出电极69的表面上结合金属线122，形成第4实施方式的集成型半 导体激光元件。(第5实施方式)参照图72和图73来说明在该第5实施方式中、与上述第1 第4实施方式不同、 包含蓝紫色激光元件、红色激光元件和红外激光元件的集成型半导体激光元件。在该第5实施方式中，如图72所示，具有沿Z方向层叠(集成化)具有对位用的 两个凸部之蓝紫色激光元件170、具有对位用凹部的红色激光元件180和具有对位用凹部 的红外激光元件190的构造。另外，蓝紫色激光元件170是本发明的‘第1半导体激光元 件’的一例。红色激光元件180和红外激光元件190是本发明的‘第2半导体激光元件’的 一例。首先，作为第5实施方式的蓝紫色激光元件170的构造而言，如图72所示，与上述 第4实施方式的蓝紫色激光元件160 —样。另外，作为第5实施方式的红色激光元件180 的构造而言，如图72所示，与上述第3实施方式的红色激光元件150 —样。下面，说明第5实施方式的红外激光元件190的构造。另外，图72的红外激光元 件190中的隆起部88侧朝向下方。在第5实施方式的红外激光元件190中，如图72所示， 在η型GaAs基板81的与蓝紫色激光元件170相反侧的表面上，形成具有约500nm厚度的 由η型GaAs构成的η型缓冲层82。在η型缓冲层82的与蓝紫色激光元件170相反侧的表 面上，形成具有约1. 5 μ m厚度的由η型AlGaAs构成的η型包层83。在η型包层83的与蓝紫色激光元件170相反侧的表面上，形成具有约SOnm厚度的活性层84。该活性层84具有 交互层叠由未掺杂的AlGaAs构成的多个阱层(未图示)和由未掺杂的AlGaAs构成的多个 阻挡层(未图示)的MQW构造。在活性层84的与蓝紫色激光元件170相反侧的表面上，形成具有约150nm厚度的由ρ型AlGaAs构成的ρ型第1包层85。在ρ型第1包层85的与蓝紫色激光元件170相反 侧的表面上之规定区域中，形成具有约SOOnm的厚度的由ρ型AlGaAs构成的凸状ρ型第2 包层86。在ρ型第2包层86的与蓝紫色激光元件170相反侧的表面上，形成具有约600nm 厚度的由P型GaAs构成的ρ型盖层87。由该ρ型盖层87与ρ型第2包层86来构成具有 宽度从根部向顶端部分侧变小的锥形侧面之隆起部88。该隆起部88的侧面与活性层84的 表面所成角度θ 7约为60°。另外，隆起部88的顶端部分的宽度约为2 μ m 3 μ m。另外， 隆起部88如图73所示，形成为沿与光射出面(劈开面)93正交的方向(Y方向)延伸的带 状(细长状)。而且，如图72所示，对应于隆起部88的形成位置之活性层84和活性层84 的周边部分构成红外激光元件190的发光区域94。另外，发光区域94是本发明的‘第2发 光区域’的一例。另外，在ρ型第1包层85的与蓝紫色激光元件170相反侧的表面上，覆盖隆起部 88的侧面地形成具有约为1. 4μ m厚度的由η型GaAs构成的η型电流阻碍层89。在η型 电流阻碍层89和隆起部88 (ρ型盖层87)的与蓝紫色激光元件170相反侧的表面上，形成 具有约为1 μ m厚度的由ρ型GaAs构成的ρ型接触层90。在ρ型接触层90的与蓝紫色激 光元件170相反侧的表面上，形成具有约1 μ m厚度的ρ侧电极91。该ρ侧电极91从η型 GaAs基板81侧、由依次为AuZn层(未图示)、Pt层(未图示)和Au层(未图示)构成。另外，形成从ρ侧电极91的与蓝紫色激光元件170相反侧的表面起、贯穿ρ侧电极 91、半导体各层(90、89、85 82)和η型GaAs基板81的圆形接触孔190a。该接触孔190a 在P侧电极91侧的直径为数十μ m，具有η型GaAs基板81侧的孔径比ρ侧电极91侧的孔 径小的锥形内侧面。在接触孔190a的内侧面上、和位于接触孔190a附近区域的ρ侧电极 91之与蓝紫色激光元件170相反侧的表面上，形成具有约为200nm厚度的由SiO2膜构成的 绝缘膜98。在绝缘膜98上的规定区域中，经接触孔190a与后述的η侧电极92电连接地 形成具有约为0. 3 μ m厚度的取出电极99。该取出电极99由从η型GaAs基板81侧顺序 为Ti层(未图示)、Pt层(未图示)和Au层(未图示)构成。另外，在ρ侧电极91和取 出电极99的与蓝紫色激光元件170相反侧的表面上，结合金属线(金线)122。这里，在第5实施方式中，在η型GaAs基板81的蓝紫色激光元件170侧之表面的 对应于隆起部88的区域中，形成具有约为1 μ m深度的凹部81a。该η型GaAs基板81的凹 部81a具有底部侧的宽度比开放端侧的宽度(约为3μπι)小的锥形之内侧面。另外，η型 GaAs基板81的凹部81a之内侧面与活性层84的表面所成的角度θ 8约为60°。另外，η 型GaAs基板81的凹部81a如图73所示，沿隆起部88形成为沿Y方向延伸的带状(细长 状)。而且，η型GaAs基板81的凹部81a构成对位用凹部。另外，η型GaAs基板81是本 发明的‘基板’的一例。另外，如图72所示，在η型GaAs基板81的包含凹部81a的蓝紫色激光元件170侧 之表面上，与取出电极99电连接地形成具有约0. 3 μ m厚度的η侧电极92。该η侧电极92 由从η型GaAs基板81侧顺序为AuGe层(未图示)、Ni层(未图示)、和Au层(未图示)构成。另外，η侧电极92是本发明的‘第2电极’的一例。由此，由η型GaAs基板81的凹部81a构成的对位用凹部的深度(从位于对应于凹部81a区域以外区域的η侧电极92的 蓝紫色激光元件170侧的表面至位于对应于凹部81a的区域之η侧电极92的蓝紫色激光 元件170侧的表面的深度)D5约为1 μ m。S卩，由η型GaAs基板81的凹部81a构成的对位 用凹部的深度D5(约为Ιμπι)比由η型GaN基板71的凹部71a构成的对位用凸部的突出 高度H4(约为400nm)大。这里，在第5实施方式中，如图72所示，蓝紫色激光元件170与红色激光元件180 以将由隆起部8构成的对位用凸部嵌入由η型GaAs基板61的凹部61a构成的对位用凹部 中的状态沿Z方向集成化(层叠)。另外，蓝紫色激光元件170与红外激光元件190以将 由η型GaN基板71的凸部71a构成的对位用凸部嵌入由η型GaAs基板81的凹部81a构 成的对位用凹部中的状态沿Z方向集成化(层叠)。另外，蓝紫色激光元件170的发光区域 13、红色激光元件180的发光区域57、和红外激光元件190的发光区域94沿半导体层的层 叠方向(图72的Z方向)配置在同一线上。另外，因为红色激光元件180的对位用凹部的深度D3(约为1 μ m)比蓝紫色激光 元件170的对位用凸部的突出高度Hl (约为153nm)大，所以蓝紫色激光元件170的对位用 凸部的上面与红色激光元件180的对位用凹部的底面之间隔、比蓝紫色激光元件170的对 位用凸部以外的区域与红色激光元件180的对位用凹部以外的区域之间隔大。另外，因为 红外激光元件190的对位用凹部的深度D5 (约为1 μ m)比蓝紫色激光元件170的对位用凸 部的突出高度H4(约为400nm)大，所以蓝紫色激光元件170的对位用凸部的上面与红外激 光元件190的对位用凹部的底面之间隔、比蓝紫色激光元件170的对位用凸部以外的区域 与红外激光元件190的对位用凹部以外的区域之间隔大。另外，蓝紫色激光元件170的对位用凸部与红色激光元件180的对位用凹部经由 Au-Sn构成的焊锡层175接合。另外，蓝紫色激光元件170的对位用凸部与红外激光元件 190的对位用凹部经由Au-Sn构成的焊锡层195接合。另外，焊锡层175和195是本发明的 ‘接合层’的一例。另外，蓝紫色激光元件170的ρ侧电极10经红色激光元件180的η侧电 极64和焊锡层175电连接于取出电极69上。另外，蓝紫色激光元件170的η侧电极72经 红外激光元件190的η侧电极92和焊锡层195电连接于取出电极99上。在第5实施方式中，如上所述，通过将蓝紫色激光元件170的隆起部8构成的对位 用凸部嵌入红色激光元件180的η型GaAs基板61的凹部61a构成的对位用凹部中，并且， 将蓝紫色激光元件170的η型GaN基板71的凸部71a构成的对位用凸部嵌入红外激光元 件190的η型GaAs基板81的凹部81a构成的对位用凹部中，利用该对位用凸部与凹部的 嵌合，可抑制贴合蓝紫色激光元件170、红色激光元件180和红外激光元件190时的蓝紫色 激光元件170、红色激光元件180和红外激光元件190在水平方向(图72的X方向)上的 错位。由此，由于可抑制蓝紫色激光元件170、红色激光元件180和红外激光元件190各自 射出光的光轴沿水平方向(图72的X方向)错位的情形，所以使集成型半导体激光元件的 射出光入射到光学系统(透镜和反射镜等)来使用时的射出光相对于光学系统的光轴调整 变容易。由此，可降低光轴调整花费的成本。另外，因为可抑制贴合蓝紫色激光元件170、红 色激光元件180和红外激光元件190时的蓝紫色激光元件170、红色激光元件180和红外激 光元件190在水平方向(图72的X方向)上的错位，所以可使贴合蓝紫色激光元件170、红色激光元件180和红外激光元件190之后同时劈开时的劈开性提高。其结果是，可使从光 射出面(劈开面)93射出的激光之特性提高。另外，在第5实施方式中，通过将蓝紫色激光元件170的发光区域13、红色激光元 件180的发光区域57和红外激光元件190的发光区域94配置在半导体层的层叠方向(图 72的Z方向)之同一线上，与蓝紫色激光元件170的发光区域13、红色激光元件180的发光 区域57和红外激光元件190的发光区域94的位置在两个方向(半导体层的层叠方向(图 72的Z方向)和水平方向(图72的X方向))上错位的情况相比，可减小发光区域13、57 和94各自的位置间隔。由此，在使集成型半导体激光元件的射出光入射到光学系统(透镜 和反射镜等)来使用时，在调节光轴以使从发光区域13、57和94中之一射出的光入射到光 学系统的规定区域中的情况下，可抑制从发光区域13、57和94的其它两个射出的光入射到 大大偏离光学系统的规定区域的区域中的情形。其结果是，因为射出光相对于光学系统的 光轴调整变得更容易，所以可进一步降低光轴调整花费的成本。另外，第5实施方式的其它效果与上述第1实施方式一样。下面，参照图72 图89来说明第5实施方式的集成型半导体激光元件的制造过 程。首先，作为蓝紫色激光元件170的制造过程而言，与图66 图69所示的第4实施 方式的过程一样。另外，作为红色激光元件180的制造过程而言，与图53 图61所示的第3实施方 式的过程一样。但是，在第5实施方式中，形成为元件分离前的红色激光元件基板之谐振器 方向的长度比元件分离前的蓝紫色激光元件基板之谐振器方向的长度小。下面，在形成第5实施方式的红外激光元件190时，首先如图74所示，使用MOCVD 法，在η型GaAs基板81上，使具有约为500nm厚度的由η型GaAs构成的η型缓冲层82生 长之后，在η型缓冲层82上，使具有约为1. 5 μ m厚度的由η型AlGaAs构成的η型包层83 生长。之后，在η型包层83上，使具有约为SOnm厚度的活性层84生长。另外，在使活性层 84生长时，使由未掺杂的AlGaAs构成的多个阱层(未图示)与由未掺杂的AlGaAs构成的 多个阻挡层(未图示)交互生长。由此，在η型包层83上，形成具有交互层叠多个阱层和 多个阻挡层的MQW构造之活性层84。之后，在活性层84上，依次使具有约150nm厚度的由ρ型AlGaAs构成的ρ型第1 包层85和具有约为SOOnm厚度的由ρ型AlGaAs构成的ρ型第2包层86生长。接着，在ρ 型第2包层86上，使具有约600nm厚度的由ρ型GaAs构成的ρ型盖层87生长。之后，如图75所示，使用溅射法、真空蒸镀法或电子束蒸镀法，在ρ型盖层87上，形成具有约为240nm厚度的SiO2膜95。之后，在SiO2膜95上的对应于隆起部88 (参照图 72)的区域中，形成具有约2μπι 约3μπι宽度的带状(细长状)的抗蚀剂96。之后，如图76所示，使用缓冲氟酸之湿蚀刻技术，将抗蚀剂96作为掩模，蚀刻SiO2 膜95。之后，去除抗蚀剂96。之后，如图77所示，使用酒石酸系蚀刻液或磷酸系蚀刻液的湿蚀刻技术，将SiO2膜95作为掩模，从ρ型盖层87的上面蚀刻到ρ型第1包层85的上面。由此，形成在由ρ 型盖层87和ρ型第2包层86构成的同时、具有锥形侧面的隆起部88。另外，隆起部88的 侧面与活性层84 (ρ型第1包层85)的上面所成角度θ 7约为60°，隆起部88的顶端部分的宽度约2 μ m 约3 μ m。另外，隆起部88如图73所示，形成为沿与光射出面93正交的方 向延伸的带状(细长状)。之后，如图78所示，使用MOCVD法，将SiO2膜95作为选择生长掩模，在ρ型第1包 层85上，覆盖隆起部88的侧面地形成具有约为1. 4 μ m厚度的由η型GaAs构成的η型电 流阻碍层89。之后，去除SiO2膜95。
之后，如图79所示，使用MOCVD法，在η型电流阻碍层89和隆起部88 (ρ型盖层 87)的上面上，使具有约Iym厚度的由ρ型GaAs构成的ρ型接触层90生成。之后，使用 电子束蒸镀法，在P型接触层90上的接触孔190a(参照图72)之形成区域以外的区域中， 形成具有作为蚀刻掩模的功能的同时、还具有约Iym厚度的ρ侧电极91。此时，依次形成 AuZn层(未图示)、Pt层(未图示)和Au层(未图示)。接着，如图80所示，利用氯系气体的RIE法，将ρ侧电极91作为掩模，形成从ρ型 接触层90的上面贯穿半导体各层(90、89和85 82)和η型GaAs基板81的圆形接触孔 190a。该接触孔190a形成为具有η型GaAs基板81侧的孔径比ρ侧电极91侧的孔径(数 十μπι)小的锥形内侧面。之后，如图81所示，使用等离子体CVD法，在接触孔190a的内侧面和位于接触孔 190a附近区域的ρ侧电极91的上面上，形成具有约200nm厚度的由SiO2膜构成的绝缘膜 98。之后，如图82所示，在对应于接触孔190a的区域以外的规定区域上，形成抗蚀剂 100。之后，使用电子束蒸镀法，在抗蚀剂100的上面上、和绝缘膜98的上面及内侧面上，形 成具有约0. 3μπι厚度的取出电极99。此时，依次形成Ti层(未图示)、Pt层(未图示)、 和Au层(未图示)。之后，利用提离法去除抗蚀剂100。由此，如图83所示，去除不必要的 部分，作为取出电极99。之后，如图84所示，研磨η型GaAs基板81的背面，直到从隆起部88的上面至η型 GaAs基板81的背面之厚度变为约100 μ m为止。之后，使用等离子体CVD法，在η型GaAs 基板81背面上的对应于凹部81a(参照图72)之区域以外的区域中，形成具有约为240nm 厚度的SiO2膜97。接着，如图85所示，利用氯系气体的RIE法，将SiO2膜97作为掩模，从η型GaAs 基板81的背面蚀刻至约Iym的深度。由此，在η型GaAs基板81的背面侧，形成具有约 Iym深度的凹部81a。此时，η型GaAs基板81的凹部81a形成为具有底部侧的宽度比开 放端侧的宽度小的锥形之内侧面。另外，η型GaAs基板81的凹部81a的开放端侧的宽度 约为3 μπι。另外，η型GaAs基板81的凹部81a的内侧面与活性层84 (η型GaAs基板81) 的表面所成的角度θ 8约为60°。另外，η型GaAs基板81的凹部81a如图73所示，沿隆 起部88形成为带状(细长状)。而且，η型GaAs基板81的凹部81a构成对位用凹部。之 后，去除SiO2膜97。之后，如图71所示，使用电子束蒸镀法，在η型GaAs基板81的包含凹部81a之 背面上，与取出电极99电连接地形成具有约0. 3 μ m厚度的η侧电极92。此时，依次形成 AuGe层(未图示)、Ni层(未图示)、和Au层(未图示)。由此，由η型GaAs基板81的凹 部81a构成的对位用凹部的深度(从位于凹部81a以外区域的η侧电极92的上面至位于 凹部81a的底部上面上的η侧电极92上面的深度)D5约为1 μ m。S卩，由η型GaAs基板81的凹部81a构成的对位用凹部的深度D5(约为1 μ m)比由η型GaN基板71的凹部71a构成的对位用凸部的突出高度H4(约为400nm)(参照图72)大。之后，参照图87 图89，说明蓝紫色激光元件170、红色激光元件180和红外激光 元件190的接合方法。首先，如图87所示，在红色激光元件180的η侧电极64上，形成由 Au-Sn构成的焊锡层175。之后，将由蓝紫色激光元件170的隆起部8构成的对位用凸部变 为朝向下侧的状态，同时，通过嵌入到由红色激光元件180的η型GaAs基板61的凹部61a 构成的对位用凹部中，进行对位。此时，一边利用目视从图10和图12所示的蓝紫色激光元 件170之透明区域111识别由隆起部8构成的对位用凸部、和由η型GaAs基板61的凹部 61a构成的对位用凹部，一边沿Z方向嵌入。然后，在将由隆起部8构成的对位用凸部嵌入 由η型GaAs基板61的凹部61a构成的对位用凹部中的状态下，通过在约280°C的温度条件 下进行热处理，熔融由Au-Sn构成的焊锡层175。之后，通过在冷却至室温的过程中焊锡层 175固化，如图88所示，利用焊锡层175来接合蓝紫色激光元件170与红色激光元件180。此时，在第5实施方式中，可通过由隆起部8构成的对位用凸部与由η型GaAs基 板61的凹部61a构成的对位用凹部的嵌合来抑制蓝紫色激光元件170和红色激光元件180 在水平方向(图72的X方向)上的错位。由此，可抑制蓝紫色激光元件170和红色激光元 件180的劈开方向彼此错开的情形。之后，如图89所示，在红外激光元件190的η侧电极92上，形成由Au-Sn构成的焊 锡层195。之后，将由蓝紫色激光元件170的η型GaN基板71的凸部71a构成的对位用凸 部变为朝向下侧的状态，同时，通过嵌入到由红外激光元件190的η型GaAs基板81的凹部 81a构成的对位用凹部中，进行对位。此时，一边利用目视从图10和图12所示的蓝紫色激 光元件170之透明区域111识别由η型GaN基板71的凸部71a构成的对位用凸部、和由η 型GaAs基板81的凹部81a构成的对位用凹部，一边沿Z方向嵌入。然后，在将由η型GaN 基板71的凸部7Ia构成的对位用凸部嵌入由η型GaAs基板81的凹部8Ia构成的对位用凹 部中的状态下，通过在约280°C的温度条件下进行热处理，熔融由Au-Sn构成的焊锡层195。 之后，通过在冷却至室温的过程中焊锡层195固化，利用焊锡层195来接合蓝紫色激光元件 170与红外激光元件190。此时，在第5实施方式中，可利用由η型GaN基板71的凸部71a构成的对位用凸 部与由η型GaAs基板81的凹部81a构成的对位用凹部的嵌合来抑制蓝紫色激光元件170 和红外激光元件190在水平方向(图72的X方向)上的错位。由此，可抑制蓝紫色激光元 件170和红外激光元件190的劈开方向彼此错开的情形。之后，在通过同时劈开彼此接合的蓝紫色激光元件170、红色激光元件180和红外 激光元件190来形成光射出面93 (参照图73)之后，分离成各元件。最后，如图72所示，通 过在红色激光元件180的ρ侧电极63及取出电极69的表面上、和红外激光元件190的ρ 侧电极91及取出电极99的表面上结合金属线122，形成第5实施方式的集成型半导体激光 元件。(第6实施方式)参照图90来说明该第6实施方式中、与上述第1 第5实施方式不同、对位用凸 部及凹部与发光区域不配置在半导体层的层叠方向(Ζ方向)的同一线上、沿水平方向(X 方向)间隔规定间隔来配置的情况。
在该第6实施方式中，如图90所示，具有沿Z方向层叠(集成化)具有对位用凸部的蓝紫色激光元件200和具有对位用凹部的红色激光元件210的构造。另外，蓝紫色激 光元件200和红色激光元件210分别是本发明的‘第1半导体激光元件’和‘第2半导体激 光元件’的一例。首先，说明第6实施方式的蓝紫色激光元件200的构造。在第6实施方式的蓝紫 色激光元件200中，如图90所示，在η型GaN基板71背面侧的对应于隆起部8的区域以外 的区域中，形成具有约400nm突出高度的凸部71c。该η型GaN基板71的凸部71c具有顶 端部的宽度比根部的宽度小的锥形侧面。另外，η型GaN基板71的凸部71c之侧面与活性 层3的上面所成角度Θ9约为80°。另外，η型GaN基板71的凸部71c之顶端部分的宽度 约为2μπι。另外，η型GaN基板71的凸部71c沿隆起部8形成为带状(细长状)。而且，η 型GaAs基板71的凸部71c构成对位用凸部。下面，说明第6实施方式的红色激光元件210的构造。在第6实施方式的红色激 光元件210中，如图90所示，在η型GaAs基板61的蓝紫色激光元件200侧的表面的对应 于隆起部54的区域以外的区域中，形成具有约1 μ m深度的凹部61b。该η型GaAs基板61 的凹部61b具有底部侧的宽度比开放端侧的宽度(约3μπι)小的锥形内侧面。另外，η型 GaAs基板61的凹部61b之内侧面与活性层24的表面所成角度θ 10约为60°。另外，η型 GaAs基板61的凹部61b沿隆起部54形成为带状(细长状)。而且，η型GaAs基板61的 凹部61b构成对位用凹部。这里，在第6实施方式中，如图90所示，蓝紫色激光元件200与红色激光元件210 以将由η型GaN基板71的凸部71c构成的对位用凸部嵌入由η型GaAs基板61的凹部61b 构成的对位用凹部中的状态沿Z方向集成化(层叠)。另外，蓝紫色激光元件200的发光区 域13与红色激光元件210的发光区域57沿半导体层的层叠方向(图90的Z方向)配置 在同一线上。另外，蓝紫色激光元件200的对位用凸部与红色激光元件210的对位用凹部 经由Au-Sn构成的焊锡层205接合。另外，焊锡层205是本发明的‘接合层’的一例。另外，第6实施方式的其它构造与上述第4实施方式一样。在第6实施方式中，如上所述，通过将蓝紫色激光元件200的η型GaN基板71的 凸部71c构成的对位用凸部嵌入红色激光元件210的η型GaAs基板61的凹部61b构成的 对位用凹部中，利用该对位用凸部与凹部的嵌合，可抑制贴合蓝紫色激光元件200与红色 激光元件210时的蓝紫色激光元件200和红色激光元件210在水平方向(图90的X方向) 上的错位。由此，由于可抑制来自蓝紫色激光元件200的射出光之光轴与来自红色激光元 件210的射出光之光轴沿水平方向(图90的X方向)错位的情形，所以使集成型半导体激 光元件的射出光入射到光学系统(透镜和反射镜等)来使用时的射出光相对于光学系统的 光轴调整变容易。由此，可降低光轴调整花费的成本。另外，因为可抑制贴合蓝紫色激光元 件200与红色激光元件210时的蓝紫色激光元件200和红色激光元件210在水平方向(图 90的X方向)上的错位，所以可抑制蓝紫色激光元件200和红色激光元件210的劈开方向 彼此错开的情形。由此，可使贴合蓝紫色激光元件200与红色激光元件210之后同时劈开 时的劈开性提高。其结果是，可使从光射出面(劈开面)射出的激光之特性提高。另外，第6实施方式的其它效果与上述第1实施方式一样。下面，作为第6实施方式的制造过程而言，与上述第4实施方式的制造过程一样。但是，在第6实施方式中，当在η型GaN基板71的背面侧形成凸部71b时，形成为η型GaN 基板71的凸部71b与发光区域13不配置在半导体层的层叠方向的同一线上。另外，在η 型GaAs基板61的背面侧形成凹部61b时，形成为η型GaAs基板61的凹部61b与发光区 域57不配置在半导体层的层叠方向的同一线上。(第7实施方式)参照图91和图92来说明该第7实施方式中、与上述第1 第6实施方式不同、在 构成集成型半导体激光元件的两个半导体激光元件之间配置绝缘膜的情况。该第7实施方式的集成型半导体激光元件如图92所示，具有沿Z方向层叠(集成 化)具有对位用凸部的蓝紫色激光元件220和具有对位用凹部的红色激光元件240的构 造。另外，蓝紫色激光元件220和红色激光元件240分别是本发明的‘第1半导体激光元 件’和‘第2半导体激光元件’的一例。首先，说明第7实施方式的蓝紫色激光元件220的构造。在第7实施方式的蓝紫色 激光元件220中，如图92所示，在η型GaN基板221上，形成具有约2. 5 μ m厚度的由η型 AlGaN构成的η型包层222。在η型包层222上，形成具有约70nm厚度的活性层223。该活 性层223具有交互层叠由未掺杂的InGaN构成的多个阱层(未图示)和由未掺杂的InGaN 构成的多个阻挡层(未图示)的MQW构造。在活性层223上，形成具有约SOnm厚度的由未 掺杂的InGaN构成的光引导层224。在光引导层224上，形成具有约20nm厚度的由未掺杂 的AlGaN构成的盖层225。在盖层225上，形成具有凸部和凸部以外的平坦部的由ρ型AlGaN构成的ρ型包 层226。该ρ型包层226的平坦部厚度约为50nm，凸部距平坦部上面的高度约为350nm。在 P型包层226的凸部上，形成具有约3nm厚度的由ρ型InGaN构成的ρ型接触层227。由该 P型接触层227和ρ型包层226的凸部构成隆起部228。这里，在第7实施方式中，隆起部228具有与上述第1实施方式的隆起部8 一样的 形状。即，隆起部228具有顶端部侧的宽度比根部侧的宽度小的锥形侧面。另外，隆起部 228的侧面与活性层223的上面所成角度是与上述第1实施方式的隆起部8的侧面与活性 层3的上面所成角度θ 1相同的值(约为70° )。另外，隆起部228的顶端部的宽度约为 1.5μπι。另外，隆起部228如图91所示，形成为沿与光射出面(劈开面)232正交的方向(Y 方向)延伸的带状(细长状)。然后，隆起部228构成对位用的凸部。另外，如图92所示， 隆起部228下方的活性层223和活性层223的周边部分构成蓝紫色激光元件220的发光区 域223a。另外，隆起部228是本发明的‘凸部’和‘第1隆起部’的一例。另外，发光区域 223a是本发明的‘第1发光区域’的一例。另外，形成具有约200nm厚度的由SiO2膜构成的电流阻碍层229，以覆盖隆起部 228的侧面和ρ型包层226的平坦部的上面。在电流阻碍层229上，与隆起部228 (ρ型接触 层227)的上面接触地形成ρ侧电极230。该ρ侧电极230由从η型GaN基板221侧起、顺 序具有约IOOnm厚度的Pd层(未图示)、和具有约1 μ m厚度的Au层(未图示)构成。另 外，P侧电极230是本发明的‘第1电极’的一例。由此，由隆起部228构成的对位用凸部的 突出高度(从位于P型包层226的平坦部上面上的ρ侧电极230的上面至位于隆起部228 的上面上的ρ侧电极230的上面之高度)为与上述第1实施方式的由隆起部8构成的对位 用凸部的突出高度Hl相同的值(约为153nm)。
另外，在η型GaN基板221的背面上形成η侧电极231。该η侧电极231由从η型GaN基板221侧起、顺序具有约6nm厚度的Al层(未图示)、具有约IOnm厚度的Pd层(未 图示)、和具有约300nm厚度的Au层(未图示)构成。下面，说明第7实施方式的红色激光元件240的构造。另外，图92的红色激光元 件240中的隆起部249侧朝向下方。在第7实施方式的红色激光元件240中，如图92所示， 在η型GaAs基板241的蓝紫色激光元件220侧的表面上，形成具有约300nm厚度的由η型 GaInP构成的η型缓冲层242。在η型缓冲层242的蓝紫色激光元件220侧的表面上，形成 具有约2 μ m厚度的由η型AlGaInP构成的η型包层243。在η型包层243的蓝紫色激光元 件220侧的表面上，形成具有约60nm厚度的活性层244。该活性层244具有交互层叠由未 掺杂的GaInP构成的多个阱层(未图示)与由未掺杂的AlGaInP构成的多个阻挡层(未图 示)的MQW构造。在活性层244的蓝紫色激光元件220侧的表面上，形成具有约300nm厚度的由ρ 型AlGaInP构成的ρ型第1包层245。在ρ型第1包层245的蓝紫色激光元件220侧的表 面上之规定区域中，形成具有约1. 2 μ m的厚度的由ρ型AlGaInP构成的凸状ρ型第2包层 246。在ρ型第2包层246的蓝紫色激光元件220侧的表面上，形成具有约IOOnm厚度的由 P型GaInP构成的ρ型中间层247。在ρ型中间层247的蓝紫色激光元件220侧的表面上， 形成具有约300nm厚度的由ρ型GaAs构成的ρ型接触层248。由该ρ型接触层248、ρ型 中间层247和ρ型第2包层246构成隆起部249。隆起部249具有与上述第1实施方式的隆起部29—样的形状。S卩，隆起部249具 有宽度从根部侧向顶端部侧变小的锥形侧面。另外，隆起部249的侧面与活性层244的表面 所成角度是与上述第1实施方式的隆起部29的侧面与活性层24的表面所成角度θ 2相同 的值(约为60° )。另外，隆起部249的顶端部的宽度约为2.7 μ m。另外，隆起部249如图 91所示，形成为沿与光射出面(劈开面)232正交的方向(Y方向)延伸的带状(细长状)。 而且，如图92所示，对应于隆起部249的形成位置之活性层244和活性层244的周边部分 构成红色激光元件240的发光区域244a。另外，隆起部249是本发明的‘第2隆起部’的一 例。另外，发光区域244a是本发明的‘第2发光区域’的一例。这里，在第7实施方式中，在ρ型第1包层245的蓝紫色激光元件220侧的表面 上，覆盖隆起部249的侧面地形成具有比隆起部249的高度(约为1.6μπι)大的厚度(约 为2 μ m)之η型电流阻碍层250。该η型电流阻碍层250具有隆起部249的蓝紫色激光元 件220侧之表面露出的开口部250a。另外，η型电流阻碍层250的开口部250a具有底部侧 的宽度(隆起部249的顶端部之宽度(约为2.7μπι))比开放端侧的宽度(约为3μπι)小 的锥形内侧面。另外，η型电流阻碍层250的开口部250a之内侧面与活性层244的表面所 成角度是与上述第1实施方式的η型电流阻碍层30的开口部30a之内侧面与活性层24的 表面所成角度θ 3相同的值(约为70° )。另外，η型电流阻碍层250的开口部250a如图 91所示，沿隆起部249形成为沿Y方向延伸的带状(细长状)。另外，如图92所示，η型电 流阻碍层250由从η型GaAs基板241侧起、顺序为η型AlInP层(未图示)、和η型GaAs 层(未图示)构成。而且，η型电流阻碍层250的开口部250a构成对位用的凹部。另外，η 型电流阻碍层250是本发明的‘电流阻碍层’的一例，开口部250a是本发明的‘凹部’的一 例。
另外，在隆起部249 (ρ型接触层248)的蓝紫色激光元件220侧的表面上形成具有 约0. 3 μ m厚度的ρ侧电极251，经开口部250a延伸至η型电流阻碍层250的蓝紫色激光元 件220侧的表面上的规定区域。该ρ侧电极251由从η型GaAs基板241侧起、顺序为AuZn 层(未图示)、Pt层(未图示)和Au层(未图示)构成。另外，ρ侧电极251是本发明的 ‘第2电极’的一例。由此，由η型电流阻碍层250的开口部250a构成的对位用凹部的深度 (从位于对应于隆起部249的区域以外的区域之ρ侧电极251的蓝紫色激光元件220侧的 表面至位于对应于隆起部249的区域的ρ侧电极251之蓝紫色激光元件220侧的表面的深 度)为与上述第1实施方式的η型电流阻碍层30的开口部30a所构成的对位用凹部的深 度Dl相同的值(约为400nm)。S卩，与上述第1实施方式一样，由η型电流阻碍层250的开 口部250a构成的对位用凹部的深度(约为400nm)比由隆起部228构成的对位用凸部的突 出高度(约为153nm)大。另外，在η型电流阻碍层250的蓝紫色激光元件220侧的表面上的未覆盖ρ侧电极251而露出的规定区域中，与ρ侧电极251间隔规定间隔，形成具有约200nm厚度的由SiO2 膜构成的绝缘膜252。另外，在η型GaAs基板241的与蓝紫色激光元件220相反侧的表面 上，形成具有约为1 μ m厚度的η侧电极253。该η侧电极253从η型GaAs基板241侧、顺 序为AuGe层(未图示)、Ni层(未图示)和Au层(未图示)构成。另外，在第7实施方式中，形成从η侧电极253的与蓝紫色激光元件220相反侧的 表面起、贯穿η侧电极253、η型GaAs基板241、半导体各层(242 245和250)和绝缘膜 252的圆形接触孔254a。另外，与接触孔254a间隔规定间隔地形成从η侧电极253的与 蓝紫色激光元件220相反侧的表面起、贯穿η侧电极253、η型GaAs基板241、半导体各层 (242 245和250)和ρ侧电极251的圆形接触孔254b。该接触孔254a和254b在η侧电 极253侧的直径为数十μ m，具有ρ侧电极251侧的孔径比η侧电极253侧的孔径小的锥形 内侧面。另外，接触孔254a和254b分别是本发明的‘第1接触孔’和‘第2接触孔’的一 例。另外，在接触孔254a和254b的内侧面上，沿η侧电极253之与蓝紫色激光元件220相 反侧的表面延伸地形成具有约为200nm厚度的由SiO2膜构成的绝缘膜255。该绝缘膜255 的端部如图91所示，配置成η侧电极252的表面的一部分露出。另外，在第7实施方式中，如图92所示，在位于接触孔254a内的绝缘膜255上，延 伸至绝缘膜255的与蓝紫色激光元件220相反侧的表面上的规定区域地形成具有约0. 3 μ m 厚度的取出电极256a。另外，在位于接触孔254b内的绝缘膜255上，延伸至绝缘膜255的 与蓝紫色激光元件220相反侧的表面上的规定区域地形成由与取出电极256a相同的层构 成的取出电极256b。该取出电极256a和256b由从η型GaAs基板241侧顺序为Ti层(未 图示)、Pt层(未图示)和Au层(未图示)构成。另外，取出电极256a和256b分别是本 发明的‘第1取出电极’和‘第2取出电极’的一例。下面，说明第7实施方式的蓝紫色激光元件220与红色激光元件240的接合状态。 在该第7实施方式中，在蓝紫色激光元件220的ρ侧电极230上，形成具有约200nm厚度的 由SiO2膜构成的绝缘膜261。该绝缘膜261具有开口部261a，同时，该开口部261a被配置 在红色激光元件240的对应于接触孔254a的区域中。即，蓝紫色激光元件220的ρ侧电极 230的对应于接触孔254a的区域变为未覆盖绝缘膜261地露出的状态。然后，在第7实施方式中，蓝紫色激光元件220与红色激光元件240在蓝紫色激光元件220的表面上形成绝缘膜261的状态下，通过将由隆起部228构成的对位用凸部嵌入由η型电流阻碍层250的开口部250a构成的对位用凹部中，沿Z方向集成化(层叠)。另 外，蓝紫色激光元件220的发光区域223a与红色激光元件240的发光区域244a沿半导体层 的层叠方向(Z方向)配置在同一线上。另外，如上所述，因为红色激光元件240的对位用 凹部的深度(约为400nm)比蓝紫色激光元件220的对位用凸部的突出高度(约为153nm) 大，所以蓝紫色激光元件220的对位用凸部的上面与红色激光元件240的对位用凹部的底 面之间隔、比蓝紫色激光元件220的对位用凸部以外的区域与红色激光元件240的对位用 凹部以外的区域之间隔大。另外，蓝紫色激光元件220的对位用凸部与红色激光元件240的对位用凹部经由 Au-Sn构成的焊锡层262接合。该焊锡层262被分割成两个焊锡层262a和262b。一个焊锡 层262a被配置在绝缘膜261的对应于开口部261a的区域中，同时，与蓝紫色激光元件220 的P侧电极230和取出电极256a接触。由此，蓝紫色激光元件220的ρ侧电极230和取出 电极256a经焊锡层262a电连接。另外，另一焊锡层262b与焊锡层262a间隔规定间隔来 配置，同时，与红色激光元件240的ρ侧电极251和取出电极256b接触。由此，红色激光元 件240的ρ侧电极251和取出电极256b经焊锡层262b电连接。另外，在取出电极256a和256b的与蓝紫色激光元件220相反侧的表面上，分别结 合金属线(金线)263a和263b。另外，在η侧电极253的与蓝紫色激光元件220相反侧的 表面之露出区域上，结合金属线(金线)263c的一端。另外，在蓝紫色激光元件220的与η 侧电极231接合的导电性副安装板(sub mount)(未图示)上结合金属线263c的另一端。在第7实施方式中，如上所述，通过将蓝紫色激光元件220的隆起部228构成的对 位用凸部嵌入红色激光元件240的η型电流阻碍层250之开口部250a构成的对位用凹部 中，利用该对位用凸部与凹部的嵌合，可抑制贴合蓝紫色激光元件220与红色激光元件240 时的蓝紫色激光元件220和红色激光元件240在水平方向(图92的X方向)上的错位。由 此，由于可抑制来自蓝紫色激光元件220的射出光之光轴与来自红色激光元件240的射出 光之光轴沿水平方向(图92的X方向)错位的情形，所以使集成型半导体激光元件的射出 光入射到光学系统(透镜和反射镜等)来使用时的射出光相对于光学系统的光轴调整变容 易。由此，可降低光轴调整花费的成本。另外，因为可抑制贴合蓝紫色激光元件220与红色 激光元件240时的蓝紫色激光元件220和红色激光元件240在水平方向(图92的X方向) 上的错位，所以可抑制蓝紫色激光元件220和红色激光元件240的劈开方向彼此错开的情 形。由此，可使贴合蓝紫色激光元件220与红色激光元件240之后同时劈开时的劈开性提 高。其结果是，可使从光射出面(劈开面)232射出的激光之特性提高。另外，在第7实施方式中，通过将蓝紫色激光元件220的发光区域223a与红色激 光元件240的发光区域244a配置在半导体层的层叠方向(图92的Z方向)之同一线上， 与蓝紫色激光元件220的发光区域223a和红色激光元件240的发光区域244a的位置在两 个方向(半导体层的层叠方向(图92的Z方向)和水平方向(图92的X方向))上错位 的情况相比，可减小蓝紫色激光元件220的发光区域223a与红色激光元件240的发光区域 244a的位置间隔。由此，在使集成型半导体激光元件的射出光入射到光学系统(透镜和反 射镜等)来使用时，在调节光轴以使从蓝紫色激光元件220的发光区域223a和红色激光元 件240的发光区域244a之一射出的光入射到光学系统的规定区域中的情况下，可抑制从蓝紫色激光元件220的发光区域223a和红色激光元件240的发光区域244a另一方射出的光入射到大大偏离光学系统的规定区域的区域中的情形。其结果是，因为相对于光学系统的 光轴调整变得更容易，所以可进一步降低光轴调整花费的成本。另外，在第7实施方式中，通过在蓝紫色激光元件220的ρ侧电极230与红色激光 元件240的ρ侧电极251之间形成绝缘膜261，即便蓝紫色激光元件220的ρ侧电极230与 红色激光元件240的ρ侧电极251相对向地层叠(集成化)蓝紫色激光元件220和红色激 光元件240，也可由绝缘膜261来电绝缘蓝紫色激光元件220的ρ侧电极230与红色激光元 件240的ρ侧电极251。由此，可将蓝紫色激光元件220的η侧电极231和红色激光元件 240的η侧电极253连接于共同阴极上。因此，由于可向蓝紫色激光元件220的ρ侧电极 230和红色激光元件240的ρ侧电极251分别施加不同的电压，所以可使对蓝紫色激光元 件220的发光区域223a和红色激光元件240的发光区域244a的供电方法之自由度提高。 另外，通过由金属线来连接取出电极256a与取出电极256b，在红色激光元件240的η侧电 极253和导电性副安装板上分别单独结合彼此绝缘的金属线，可将蓝紫色激光元件220的ρ 侧电极230和红色激光元件240的ρ侧电极251连接于共同阳极上。此时，可向蓝紫色激 光元件220的η侧电极231和红色激光元件240的η侧电极253分别施加任意的电压。并 且，在可电连接蓝紫色激光元件220的ρ侧电极230和红色激光元件240的η侧电极253的 同时，可电连接蓝紫色激光元件220的η侧电极231和红色激光元件240的ρ侧电极251。 其结果是，实现集成型半导体激光元件的使用方法的多样化。另外，在第7实施方式中，在红色激光元件240中形成接触孔254a的同时，在绝缘 膜261的对应于开口部254a的区域中，形成蓝紫色激光元件220的ρ侧电极230的一部分 露出的开口部261a，由此，即便在蓝紫色激光元件220的ρ侧电极230和红色激光元件240 的P侧电极251之间形成绝缘膜261，也可经接触孔254a和绝缘膜261的开口部261a，从 外部向蓝紫色激光元件220的ρ侧电极230施加电压。另外，在第7实施方式中，通过在红色激光元件240中与接触孔254a间隔规定间 隔来形成接触孔254b，在经接触孔254a向蓝紫色激光元件220的ρ侧电极230施加电压 的同时，经接触孔254b向红色激光元件240的ρ侧电极251施加电压，由此，可容易地向蓝 紫色激光元件220的ρ侧电极230和红色激光元件240的ρ侧电极251分别施加不同的电压。另外，在第7实施方式中，通过在接触孔254a和254b的内侧面上分别形成取出电 极256a和256b，可容易地利用取出电极256a和256b从外部向蓝紫色激光元件220的ρ侧 电极230和红色激光元件240的ρ侧电极251施加电压。另外，在第7实施方式中，通过经焊锡层262来接合蓝紫色激光元件220的对位用 凸部和红色激光元件240的对位用凹部，可容易地利用焊锡层262来接合蓝紫色激光元件 220的对位用凸部和红色激光元件240的对位用凹部。另外，第7实施方式的其它效果与上述第1实施方式一样。下面，参照图91 图105来说明第7实施方式的集成型半导体激光元件的制造过 程。在形成蓝紫色激光元件220时，首先如图93所示，使用与图3 图11所示的第1 实施方式的过程一样的过程，在形成至P侧电极230之后，研磨η型GaN基板221的背面，直到从隆起部228的上面至η型GaN基板221的背面的厚度约为150 μ m。之后，如图94所示，使用等离子体CVD法，在ρ侧电极230上，形成具有开口部261a、同时具有约200nm厚度的由SiO2膜261构成的绝缘膜261。在形成该绝缘膜261时， 将开口部261a配置在对应于隆起部228的区域以外的规定区域中。之后，如图95所示，使用电子束蒸镀法，在η型GaN基板221的背面上，形成η侧 电极231。在形成该η侧电极231时，依次形成具有约为6nm厚度的Al层(未图示)、具有 约为IOnm厚度的Pd层(未图示)、和具有约为300nm厚度的Au层(未图示)。如此，形成 P侧电极230的表面被具有开口部261a的绝缘膜261覆盖的蓝紫色激光元件220。之后，如图96所示，形成由Au-Sn构成的同时、包含被分割成两个的焊锡层262a 和262b的焊锡层262。具体而言，在位于绝缘膜261的对应于开口部261a之区域中的ρ侧 电极230的上面上形成一个焊锡层262a。另外，至少覆盖绝缘膜261的对应于隆起部228 的区域地与焊锡层262a间隔规定间隔来形成另一焊锡层262b。之后，在形成红色激光元件240时，首先如图97所示，使用与图14 图20所示的 第1实施方式的过程一样的过程，形成至具有开口部250a的η型电流阻碍层250。之后，如图98所示，使用电子束蒸镀法，在隆起部249 (ρ型接触层248)上，经开口 部250a延伸至η型电流阻碍层250上面上的规定区域地形成具有约为0. 3 μ m厚度的ρ侧 电极251。在形成该ρ侧电极251时，依次形成AuZn层(未图示)和Pt层(未图示)。之 后，研磨η型GaAs基板241的背面，直到从隆起部249的上面至η型GaAs基板241的背面 之厚度变为约100 μ m为止。之后，如图99所示，使用电子束蒸镀法，在η型GaAs基板241背面上的接触孔254a 和254b (参照图92)之形成区域以外的区域上，形成具有作为蚀刻掩模的功能的同时、还具 有约为1 μ m厚度的η侧电极253。在形成该η侧电极253时，依次形成AuGe层(未图示)、 Ni层(未图示)和Au层(未图示)。接着，如图100所示，使用等离子体CVD法，在η型电流阻碍层250上的未被ρ侧 电极251覆盖而露出的规定区域中，与ρ侧电极251间隔规定间隔来形成具有约200nm厚 度的由SiO2膜构成的绝缘膜252。之后，如图101所示，利用氯系气体的RIE法，将η侧电极253作为掩模，从η型 GaAs基板241的背面，去除η型GaAs基板241、半导体各层(242 245和250)和绝缘膜 252，由此，形成圆形接触孔254a。同时，在与接触孔254a间隔规定间隔的区域，去除η型 GaAs基板241、半导体各层(242 245和250)和ρ侧电极251，由此形成圆形接触孔254b。之后，如图102所示，使用等离子体CVD法，在接触孔254a和254b的内侧面上，沿 η侧电极253的与η型GaAs基板241相反侧的表面延伸地形成具有约200nm厚度的由SiO2 膜构成的绝缘膜255。在形成该绝缘膜255时，如图91所示，配置绝缘膜255的端部，使η 侧电极253的表面的一部分露出。之后，如图103所示，在η侧电极253的与η型GaAs基板241相反侧的表面上之 取出电极256a和256b(参照图92)的形成区域以外的区域上，形成抗蚀剂257。之后，使用 电子束蒸镀法，形成具有约0. 3μπι厚度的金属层256，覆盖接触孔254a和254b的内侧面、 和抗蚀剂257及绝缘膜255的与η型GaAs基板241相反侧的表面。在形成金属层256时， 依次形成Ti层(未图示)、Pt层(未图示)、和Au层(未图示)。之后，去除抗蚀剂257。此时，形成于抗蚀剂257的与η型GaAs基板241相反侧的表面上的金属层256也被同时去 除。由此，如图104所示，在位于接触孔254a内的绝缘膜255上，形成延伸到绝缘膜255的 与η型GaAs基板241相反侧的表面上之规定区域的取出电极256a。另外，在位于接触孔 254b内的绝缘膜255上，形成延伸到绝缘膜255的与η型GaAs基板241相反侧的表面上之 规定区域的同时、由与取出电极256a相同的层构成的取出电极256b。由此，形成红色激光 元件240。之后，参照图105，说明蓝紫色激光元件220与红色激光元件240的接合方法。
首先，如图105所示，将由红色激光元件240的η型电流阻碍层250的开口部250a 构成的对位用凹部变为朝向下侧的状态，同时，通过嵌入到由蓝紫色激光元件220的隆起 部228构成的对位用凸部中，进行对位。然后，在将由η型电流阻碍层250的开口部250a 构成的对位用凹部嵌入由隆起部228构成的对位用凸部中的状态下，通过在约280°C的温 度条件下进行热处理，熔融由Au-Sn构成的焊锡层262。之后，通过在冷却至室温的过程中 焊锡层262固化，经绝缘膜261，利用焊锡层262来接合蓝紫色激光元件220与红色激光元 件240。另外，接触蓝紫色激光元件220的ρ侧电极230之焊锡层262a接触红色激光元件 240的取出电极256a。另外，焊锡层262b接触红色激光元件240的ρ侧电极251和取出电 极 256b。此时，在第7实施方式中，可通过由隆起部228构成的对位用凸部与由η型电流阻 碍层250的开口部250a构成的对位用凹部的嵌合来抑制蓝紫色激光元件220和红色激光 元件240在水平方向(图91和图92的X方向)上的错位。由此，可抑制蓝紫色激光元件 220和红色激光元件240的劈开方向彼此错开的情形。之后，在通过同时劈开彼此接合的蓝紫色激光元件220与红色激光元件240来形 成光射出面232(参照图91)之后，分离成各元件，同时，在导电性副安装板(未图示)上 接合蓝紫色激光元件220的η侧电极231。最后，如91和图92所示，在取出电极256a和 256b的与蓝紫色激光元件220相反侧的表面上，分别结合金属线(金线)263a和263b。另 夕卜，在η侧电极253的与蓝紫色激光元件220相反侧的表面露出的区域上，结合金属线(金 线)263c的一端，同时，将金属线263c的另一端结合在导电性副安装板(未图示)。由此， 形成第7实施方式的集成型半导体激光元件。(第8实施方式)参照图106和图107来说明该第8实施方式中、与上述第7实施方式不同、在蓝紫 色激光元件与单片型激光元件之间配置绝缘膜的情况。该第8实施方式的集成型半导体激光元件如图107所示，具有沿Z方向层叠(集 成化)具有对位用凸部的蓝紫色激光元件220和具有对位用凹部的单片型激光元件270的 构造。另外，蓝紫色激光元件220具有与上述第7实施方式的蓝紫色激光元件220 —样的 构造。单片型激光元件270是本发明的‘第2半导体激光元件’的一例。第8实施方式的单片型激光元件270具有形成红色激光元件层的红色激光区域 270a和形成红外激光元件层的红外激光区域270b。另外，红色激光区域270a与红外激光 区域270b被分离沟270c分离。另外，图107的单片型激光元件270中的隆起部279和299 侧朝向下方。 作为具体构造而言，在红色激光区域270a中，在η型GaAs基板271的蓝紫色激光元件220侧的表面上之规定区域中，形成具有约300nm厚度的由η型GaInP构成的η型缓冲层272。在η型缓冲层272的蓝紫色激光元件220侧的表面上，形成具有约2 μ m厚度的 由η型AlGaInP构成的η型包层273。在η型包层273的蓝紫色激光元件220侧的表面上， 形成具有约60nm厚度的活性层274。该活性层274具有交互层叠由未掺杂的GaInP构成的 多个阱层(未图示)和由未掺杂的AlGaInP构成的多个阻挡层(未图示)的MQW构造。在活性层274的蓝紫色激光元件220侧的表面上，形成具有约300nm厚度的由ρ型 AlGaInP构成的ρ型第1包层275。在ρ型第1包层275的蓝紫色激光元件220侧的表面 上之规定区域中，形成具有约1. 2 μ m厚度的由ρ型AlGaInP构成的凸状ρ型第2包层276。 在P型第2包层276的蓝紫色激光元件220侧的表面上，形成具有约IOOnm厚度的由ρ型 GaInP构成的ρ型中间层277。在ρ型中间层277的蓝紫色激光元件220侧的表面上，形成 具有约300nm厚度的由ρ型GaAs构成的ρ型接触层278。由该ρ型接触层278、ρ型中间 层277和ρ型第2包层276构成隆起部279。该隆起部279具有与上述第7实施方式的隆 起部249 —样的形状。另外，对应于隆起部279的形成位置之活性层274和活性层274之 周边部分构成发出红色激光的发光区域274a。另外，发光区域274a是本发明的‘第3发光 区域’的一例。另外，在ρ型第1包层275的蓝紫色激光元件220侧的表面上，覆盖隆起部279的 侧面地形成具有比隆起部279的高度(约为1.6 μ m)大的厚度(约为2 μ m)之η型电流阻 碍层280a。该η型电流阻碍层280a具有隆起部279的蓝紫色激光元件220侧之表面露出 的开口部280b。另外，η型电流阻碍层280a的开口部280b具有与上述第7实施方式的η 型电流阻碍层250的开口部250a—样的形状。另外，η型电流阻碍层280a由从η型GaAs 基板271侧起、顺序为η型AlInP层(未图示)、和η型GaAs层(未图示)构成。另外，在隆起部279 (ρ型接触层278)的蓝紫色激光元件220侧的表面上，形成具 有约0. 3 μ m厚度的ρ侧电极281a，经开口部280b延伸至η型电流阻碍层280a的蓝紫色激 光元件220侧的表面上的规定区域。该ρ侧电极281a由从η型GaAs基板271侧起、顺序 为AuZn层(未图示)、Pt层(未图示)、和Au层(未图示)构成。另外，ρ侧电极281a是 本发明的‘第3电极’的一例。另外，在η型GaAs基板271的与蓝紫色激光元件220相反 侧的表面上，形成在红色激光区域270a和红外激光区域270b的两个区域共同的η侧电极 282。该η侧电极282具有约1 μ m的厚度，同时，由从η型GaAs基板271侧起、顺序为AuGe 层(未图示)、Ni层(未图示)和Au层(未图示)构成。这里，在第8实施方式中，在红色激光区域270a中，形成从η侧电极282的与蓝紫 色激光元件220相反侧的表面起、贯穿η侧电极282、η型GaAs基板271、半导体各层(272 275和280a)和ρ侧电极281a的圆形接触孔283。另外，该接触孔283在η侧电极282侧 的直径为数十μ m，具有P侧电极281a侧的孔径比η侧电极282侧的孔径小的锥形内侧面。 另外，接触孔283是本发明的‘第3接触孔’的一例。另外，在接触孔283的内侧面上，沿η 侧电极282之与蓝紫色激光元件220相反侧的表面延伸地形成具有约为200nm厚度的由 SiO2膜构成的绝缘膜284a。该绝缘膜284a的端部如图106所示，配置成η侧电极282的 表面的一部分露出。另外，在第8实施方式中，如图107所示，在位于接触孔283内的绝缘膜284a上， 形成具有约0. 3 μ m的取出电极285a，延伸至绝缘膜284a的与蓝紫色激光元件220相反侧的表面上的规定区域。该取出电极285a由从η型GaAs基板271侧起、顺序为Ti层(未图示)、Pt层(未图示)和Au层(未图示)构成。另外，取出电极285a是本发明的‘第3取 出电极’的一例。另外，在红外激光区域270b中，在η型GaAs基板271的蓝紫色激光元件220侧的 表面上之规定区域中，形成具有约300nm厚度的由η型GaAs构成的η型缓冲层292。在η 型缓冲层292的蓝紫色激光元件220侧的表面上，形成具有约2 μ m厚度的由η型AlGaAs构 成的η型包层293。在η型包层293的蓝紫色激光元件220侧的表面上，形成具有约70nm 厚度的活性层294。该活性层294具有交互层叠由未掺杂的AlGaAs构成的多个阱层(未图 示)和由未掺杂的AlGaAs构成的多个阻挡层(未图示)的MQW构造。在活性层294的蓝紫色激光元件220侧的表面上，形成具有约300nm厚度的由ρ 型AlGaAs构成的ρ型第1包层295。在ρ型第1包层295的蓝紫色激光元件220侧的表面 上之规定区域中，形成具有约1. 2 μ m厚度的由ρ型AlGaAs构成的凸状ρ型第2包层296。 在P型第2包层296的蓝紫色激光元件220侧的表面上，形成具有约IOOnm厚度的由ρ型 GaAs构成的ρ型盖层297。在ρ型盖层297的蓝紫色激光元件220侧的表面上，形成具有 约300nm厚度的由ρ型GaAs构成的ρ型接触层298。由该ρ型接触层298、ρ型盖层297和 P型第2包层296构成隆起部299。隆起部299具有宽度从根部向顶端部侧变小的锥形侧面。另外，隆起部299的侧面 与活性层294的表面所成角度约为60°。另外，隆起部299的顶端部的宽度约为2.7 μ m。 另外，隆起部299如图106所示，形成为沿与光射出面(劈开面)232正交的方向(Y方向) 延伸的带状(细长状)。然后，如图107所示，对应于隆起部299的形成位置之活性层294 和活性层294的周边部分构成发出红外激光的发光区域294a。隆起部299是本发明的‘第 2隆起部’的一例。另外，发光区域294a是本发明的‘第2发光区域’的一例。这里，在第8实施方式中，在ρ型第1包层295的蓝紫色激光元件220侧的表面 上，覆盖隆起部299的侧面地形成具有比隆起部299的高度(约为1.6μπι)大的厚度(约 为2 μ m)之η型电流阻碍层280c。该η型电流阻碍层280c具有隆起部299的蓝紫色激光 元件220侧之表面露出的开口部280d。另外，η型电流阻碍层280c的开口部280d具有底 部侧的宽度(隆起部299的顶端部之宽度(约为2.7 μ m))比开放端侧的宽度(约为3μπι) 小的锥形内侧面。另外，η型电流阻碍层280c的开口部280d之内侧面与活性层294的表 面所成角度约为70°。另外，η型电流阻碍层280c的开口部280d如图106所示，沿隆起部 299形成为沿Y方向延伸的带状(细长状)。另外，η型电流阻碍层280c由与红色激光区 域270a的η型电流阻碍层280a相同的层构成。而且，η型电流阻碍层280c的开口部280d 构成对位用的凹部。另外，η型电流阻碍层280c是本发明的‘电流阻碍层’的一例，开口部 280d是本发明的‘凹部，的一例。另外，在隆起部299 (ρ型接触层298)的蓝紫色激光元件220侧的表面上，形成ρ 侧电极281b，经开口部280d延伸至η型电流阻碍层280c的蓝紫色激光元件220侧的表面 上的规定区域。该P侧电极281b由与红色激光区域270a的ρ侧电极281a相同的层构成。 另外，P侧电极281b是本发明的‘第2电极’的一例。由此，由η型电流阻碍层280c的开口 部280d构成的对位用凹部的深度(从位于对应于隆起部299的区域以外的区域之ρ侧电 极281b的蓝紫色激光元件220侧的表面至位于对应于隆起部299的区域的ρ侧电极281b之蓝紫色激光元件220侧的表面的深度)约为400nm。S卩，由η型电流阻碍层280c的开口部280d构成的对位用凹部的深度(约为400nm)比由隆起部299构成的对位用凸部的突出 高度(约为153nm)大。另外，在η型电流阻碍层280c的蓝紫色激光元件220侧的表面上的未覆盖ρ侧电 极281b而露出的规定区域中，与ρ侧电极281b间隔规定间隔，形成具有约200nm厚度的由 SiO2膜构成的绝缘膜300。这里，在第8实施方式中，在红外激光区域270b中，形成从η侧电极282的与蓝紫 色激光元件220相反侧的表面起、贯穿η侧电极282、η型GaAs基板271、半导体各层(292 295和280c)和绝缘膜300的圆形接触孔301a。另外，与接触孔301a间隔规定间隔，形成 从η侧电极282的与蓝紫色激光元件220相反侧的表面起、贯穿η侧电极282、η型GaAs基 板271、半导体各层(292 295和280c)和ρ侧电极281b的圆形接触孔301b。该接触孔 301a和301b在η侧电极282侧的直径为数十μ m，具有ρ侧电极281b侧的孔径比η侧电 极282侧的孔径小的锥形内侧面。另外，接触孔301a和301b分别是本发明的‘第1接触 孔’和‘第2接触孔’的一例。另外，在接触孔301a和301b的内侧面上，沿η侧电极282之 与蓝紫色激光元件220相反侧的表面延伸地形成绝缘膜284b。该绝缘膜284b由与红色激 光区域270a的绝缘膜284a相同的层构成。另外，绝缘膜284b的端部如图106所示，配置 成η侧电极282的表面的一部分露出。另外，在第8实施方式中，如图107所示，在位于接触孔301a内的绝缘膜284b上， 延伸至绝缘膜284b的与蓝紫色激光元件220相反侧的表面上的规定区域地形成取出电极 285b。另外，在位于接触孔301b内的绝缘膜284b上，延伸至绝缘膜284b的与蓝紫色激光 元件220相反侧的表面上的规定区域地形成由取出电极285c。该取出电极285b和285c由 与红色激光区域270a的取得电极285a相同的层构成。另外，取出电极285b和285c分别 是本发明的‘第1取出电极’和‘第2取出电极’的一例。下面，说明第8实施方式的蓝紫色激光元件220与单片型激光元件270的接合状 态。在该第8实施方式中，在蓝紫色激光元件220的ρ侧电极230上，形成具有约200nm厚 度的由SiO2膜构成的绝缘膜331。该绝缘膜331具有开口部311a，同时，该开口部311a被 配置在单片型激光元件270 (红外激光区域270b)的对应于接触孔301a的区域中。S卩，蓝 紫色激光元件220的ρ侧电极230的对应于接触孔301a的区域变为未覆盖绝缘膜311地 露出的状态。另外，在第8实施方式中，蓝紫色激光元件220与单片型激光元件270在蓝紫色激 光元件220的表面上形成绝缘膜311的状态下，通过将由隆起部228构成的对位用凸部嵌 入由η型电流阻碍层280c的开口部280d构成的对位用凹部中，沿Z方向集成化(层叠)。 另外，蓝紫色激光元件220的发光区域223a与红外激光元件270b的发光区域294a沿半 导体层的层叠方向(Z方向)配置在同一线上。另外，如上所述，因为单片型激光元件270 的对位用凹部的深度(约为400nm)比蓝紫色激光元件220的对位用凸部的突出高度(约 为153nm)大，所以蓝紫色激光元件220的对位用凸部的上面与单片型激光元件270的对位 用凹部的底面之间隔、比蓝紫色激光元件220的对位用凸部以外的区域与单片型激光元件 270的对位用凹部以外的区域之间隔大。另外，蓝紫色激光元件220与单片型激光元件270经由Au-Sn构成的焊锡层312接合。该焊锡层312包含位于红外激光区域270b中的焊锡层312a及312b、和位于红色激 光区域270a中的焊锡层312c及312d。在红外激光区域270b中，焊锡层312a被配置在绝 缘膜311的对应于开口部311a的区域中，同时，与蓝紫色激光元件220的ρ侧电极230和 取出电极285b接触。由此，蓝紫色激光元件220的ρ侧电极230和取出电极285b经焊锡 层312a电连接。另外，在红外激光区域270b中，焊锡层312b与焊锡层312a间隔规定间隔 来配置，同时，与红外激光区域270b的ρ侧电极281b和取出电极285c接触。由此，红外激 光元件270b的ρ侧电极281b和取出电极285c经焊锡层312b电连接。另外，在红色激光 区域270a中，焊锡层312c和312d彼此融着，同时，与红色激光区域270a的ρ侧电极281a 和取出电极285a接触。由此，红色激光区域270a的ρ侧电极281a与取出电极285a经焊 锡层312c及312d电连接。另外，在取出电极285a、285b和285c的与蓝紫色激光元件220相反侧的表面上， 分别结合金属线(金线)313a、313b和313c。另外，在η侧电极282的与蓝紫色激光元件 220相反侧的表面之露出区域上，结合金属线(金线)313d的一端。另外，在蓝紫色激光元 件220的与η侧电极231接合的导电性副安装板(未图示)上结合金属线313d的另一端。在第8实施方式中，如上所述，通过将蓝紫色激光元件220的隆起部228构成的对 位用凸部嵌入单片型激光元件270的η型电流阻碍层280c之开口部280d构成的对位用凹 部中，利用该对位用凸部与凹部的嵌合，可抑制贴合蓝紫色激光元件220与单片型激光元 件270时的蓝紫色激光元件220和单片型激光元件270在水平方向(图107的X方向)上 的错位。由此，由于可抑制来自蓝紫色激光元件220的射出光之光轴与来自单片型激光元 件270的射出光之光轴沿水平方向(图107的X方向)错位的情形，所以使集成型半导体 激光元件的射出光入射到光学系统(透镜和反射镜等)来使用时的射出光相对于光学系统 的光轴调整变容易。由此，可降低光轴调整花费的成本。另外，因为可抑制贴合蓝紫色激光 元件220与单片型激光元件270时的蓝紫色激光元件220和单片型激光元件270在水平方 向(图107的X方向)上的错位，所以可抑制蓝紫色激光元件220和单片型激光元件270的 劈开方向彼此错开的情形。由此，可使贴合蓝紫色激光元件220与单片型激光元件270之 后同时劈开时的劈开性提高。其结果是，可使从光射出面(劈开面)232射出的激光之特性 提尚。另外，在第8实施方式中，通过将蓝紫色激光元件220的发光区域223a和红外激光区域270b的发光区域294a配置在半导体层的层叠方向(图107的Z方向)之同一线上， 与蓝紫色激光元件220的发光区域223a和红外激光区域270b的发光区域294a的位置在 两个方向(半导体层的层叠方向(图107的Z方向)和水平方向(图107的X方向))上 错位的情况相比，可减小蓝紫色激光元件220的发光区域223a与红外激光区域270b的发 光区域294a的位置间隔。由此，在使集成型半导体激光元件的射出光入射到光学系统(透 镜和反射镜等)来使用时，在调节光轴以使从蓝紫色激光元件220的发光区域223a和红外 激光区域270b的发光区域294a之一射出的光入射到光学系统的规定区域中的情况下，可 抑制从蓝紫色激光元件220的发光区域223a和红外激光区域270b的发光区域294a中另 一方射出的光入射到大大偏离光学系统的规定区域的区域中的情形。其结果是，因为相对 于光学系统的光轴调整变得更容易，所以可进一步降低光轴调整花费的成本。另外，在第8实施方式中，通过在蓝紫色激光元件220的ρ侧电极230与单片型激光元件270的ρ侧电极281a和281b之间形成绝缘膜311，即便蓝紫色激光元件220的ρ侧电极230与单片型激光元件270的ρ侧电极281a和281b相对向地层叠(集成化)蓝紫色 激光元件220和单片型激光元件270，也可由绝缘膜311来电绝缘蓝紫色激光元件220的ρ 侧电极230与单片型激光元件270的ρ侧电极281a和281b。由此，因为可向蓝紫色激光 元件220的ρ侧电极230与单片型激光元件270的ρ侧电极281a和281b分别施加不同的 电压，所以可使对蓝紫色激光元件220的发光区域223a和单片型激光元件270的发光区域 274a和294a的供电方法之自由度提高。其结果是，实现集成型半导体激光元件的使用方法 的多样化。另外，在第8实施方式中，通过在单片型激光元件270中形成蓝紫色激光元件220、 单片型激光元件270的红色激光区域270a和红外激光区域270b的各个ρ侧电极230、281a 和281b所对应的接触孔301a、283和301b，可容易地经对应的接触孔301a、283和301b来 向蓝紫色激光元件220、单片型激光元件270的红色激光区域270a和红外激光区域270b的 各个P侧电极230、28 Ia和281b施加各不相同的电压。另外，第8实施方式的其它效果与上述一样第7实施方式一样。下面，参照图106 图132来说明第8实施方式的集成型半导体激光元件的制造 过程。首先，如108所示，使用与图3 图11所示的第1实施方式的过程一样的过程，在 形成至P侧电极230之后，研磨η型GaN基板221的背面，直到从隆起部228的上面至η型 GaN基板221的背面的厚度约为150 μ m。之后，如图109所示，使用等离子体CVD法，在ρ侧电极230上，形成具有开口部 3113、同时具有约20011111厚度的由SiO2膜构成的绝缘膜311。在形成该绝缘膜311时，将开 口部311a配置在对应于隆起部228的区域以外的规定区域中。之后，如图110所示，使用电子束蒸镀法，在η型GaN基板221的背面上，形成η侧 电极231。如此，形成ρ侧电极230的表面被具有开口部311a的绝缘膜311覆盖的蓝紫色 激光元件220。之后，如图111所示，形成由Au-Sn构成的焊锡层312a 312c。具体而言，在位于 绝缘膜311的对应于开口部311a之区域中的ρ侧电极230的上面上形成焊锡层312a。另 夕卜，至少覆盖绝缘膜311的对应于隆起部228的区域地与焊锡层312a间隔规定间隔来形成 焊锡层312b。另外，夹持隆起部228，在与焊锡层312a的相反侧区域中，与焊锡层312b间 隔规定间隔来形成焊锡层312c。之后，在形成单片型激光元件270时，首先如图112所示，使用MOCVD法，在η型 GaAs基板271上，使具有约300nm厚度的由η型GaAs构成的η型缓冲层292和具有2 μ m 厚度的由η型AlGaAs构成的η型包层293依次生长。之后，在η型包层293上，使活性层 294生长。在使该活性层294生长时，使由未掺杂的AlGaAs构成的多个阱层(未图示)与 由未掺杂的AlGaAs构成的多个阻挡层(未图示)交互生长。由此，形成具有交互层叠由未 掺杂的AlGaAs构成的多个阱层(未图示)与由未掺杂的AlGaAs构成的多个阻挡层(未图 示)的MQW构造之活性层294。之后，在活性层294上，使具有约300nm厚度的由ρ型AlGaAs构成的ρ型第1包 层295和具有约1. 2 μ m厚度的由ρ型AlGaAs构成的ρ型第2包层296依次生长。之后，在P型第2包层296上，使具有约IOOnm厚度的由ρ型GaAs构成的ρ型盖层297和具有约300nm厚度的由ρ型GaAs构成的ρ型接触层298依次生长。之后，如图113所示，在ρ型接触层298上的规定区域中，形成抗蚀剂313。之后，如图114所示，使用磷酸和过氧化氢之湿蚀刻技术，将抗蚀剂313作为掩模， 从P型接触层298蚀刻至η型缓冲层292。之后，去除抗蚀剂313。之后，如图115所示，使用MOCVD法，在整个面上使具有约300nm厚度的由η型 GaInP构成的η型缓冲层272和具有约2 μ m厚度的由η型AlGaInP构成的η型包层273依 次生长。之后，在η型包层273上，使活性层274生长。在使该活性层274生长时，使由未 掺杂的GaInP构成的多个阱层(未图示)与由未掺杂的AlGaInP构成的多个阻挡层(未图 示)交互生长。由此，形成具有交互层叠由未掺杂的GaInP构成的多个阱层(未图示)与 由未掺杂的AlGaInP构成的多个阻挡层(未图示)的MQW构造之活性层274。之后，在活性层274上，使具有约300nm厚度的由ρ型AlGaInP构成的ρ型第1包 层275和具有约1. 2 μ m厚度的由ρ型AlGaInP构成的ρ型第2包层276依次生长。之后， 在P型第2包层276上，使具有约IOOnm厚度的由ρ型GaInP构成的ρ型中间层277生长。之后，如图116所示，在位于半导体各层(292 298)不存在的区域之ρ型中间层 277上的规定区域中，形成抗蚀剂314。之后，如图117所示，使用氢溴酸、盐酸和水的混合液之湿蚀刻技术，将抗蚀剂314 作为掩模，从P型中间层277蚀刻至η型缓冲层272。由此，形成用于分离红色激光区域 270a与红外激光区域270b的分离沟270c。之后，去除抗蚀剂314。之后，如图118所示，使用等离子体CVD法，在位于红色激光区域270a的ρ型中间 层277上的规定区域中，形成具有约240nm厚度的SiO2膜315a。另外，同时还在位于红外 激光区域270b的ρ型接触层298上的规定区域中，形成由与SiO2膜315a相同的层构成的 SiO2 膜 315b。之后，如图119所示，在红色激光区域270a，使用氢溴酸、盐酸和水的混合液之湿 蚀刻技术，蚀刻P型中间层277和P型第2包层276。另外，在红外激光区域270b，使用磷 酸和过氧化氢水的湿蚀刻技术，蚀刻P型接触层298、p型盖层297和ρ型第2包层296。由 此，形成由P型接触层298、ρ型盖层297和ρ型第2包层296构成的隆起部299。之后，如图120所示，使用MOCVD法，将SiO2膜315a和315b作为选择生长掩模， 在整个面上形成具有约为2 μ m厚度的半导体层280。由此，半导体层280在η型GaAs基板 271、ρ型第1包层275和295的上面上选择地生长之后，覆盖SiO2膜315a和315b地沿横 向生长。在使该半导体层280生长时，依次使η型AlInP层(未图示)和η型GaAs层(未 图示)生长。之后，如图121所示，使用等离子体CVD法，在半导体层280上的形成开口部280b 和280d(参照图107)之区域以外的区域中，形成具有约为240nm厚度的SiO2膜316。
之后，如图122所示，使用磷酸系蚀刻液的湿蚀刻技术，将SiO2膜316作为掩模，蚀 刻位于P型中间层277和P型接触层298的上面之上方的半导体层280。由此，在半导体层 280的红色激光区域270a和红外激光区域270b中分别形成开口部280b和280d。另外，开 口部280b和280d形成为具有底部侧的宽度比开放端侧的宽度小的锥形内侧面。之后，去 除 SiO2 膜 315a,315b 和 316。
之后，如图123所示，在红色激光区域270a，使用MOCVD法，在ρ型中间层277上， 使具有约300nm厚度的由ρ型GaAs构成的ρ型接触层278生长。由此，形成由ρ型接触层 278,ρ型中间层277和ρ型第2包层276构成的隆起部279。之后，在红色激光区域270a， 使用电子束沉积法，在隆起部279 (ρ型接触层278)上，形成具有约为0. 3 μ m厚度的ρ侧电 极281a，经开口部280b延伸至半导体层280的上面上之规定区域。在形成该ρ侧电极281a 时，依次形成AuZn层(未图示)、Pt层(未图示)和Au层(未图示)。另外，同时还在红外 激光区域270b中，使用电子束沉积法，在隆起部299 (ρ型接触层298)的上面上，形成由与ρ 侧电极281a相同的层构成的ρ侧电极281b，经开口部280d延伸至半导体层280的上面上 之规定区域。另外，P侧电极281a和281b在分离沟270c侧的端部配置成半导体层280的 对应于分离沟270c之区域露出。另外，ρ侧电极281a的与分离沟270c相反侧的端部配置 成位于红色激光区域270a的半导体层280之规定区域露出。另外，ρ侧电极281b的与分 离沟270c相反侧的端部配置成位于红外激光区域270b的半导体层280之规定区域露出。之后，如图124所示，研磨η型GaAs基板271的背面，直到从隆起部299的上面至η型GaAs基板271的背面之厚度变为约100 μ m为止。之后，覆盖半导体层280的对应于 分离沟270c之区域以外的整个面地形成抗蚀剂317。然后，使用湿蚀刻技术，将抗蚀剂317 作为掩模，蚀刻半导体层280。由此，如图125所示，半导体层280 (参照图124)被分断成红 色激光区域270a用的η型电流阻碍层280a和红外激光区域270b的η型电流阻碍层280c。 之后，去除抗蚀剂317。之后，如图126所示，在红外激光区域270b，使用等离子体CVD法，在η型电流阻碍 层280c上的未覆盖ρ侧电极281b地露出的规定区域中，与ρ侧电极281b间隔规定间隔， 形成具有约200nm厚度的由SiO2膜构成的绝缘膜300。之后，如图127所示，使用电子束蒸镀法，在η型GaAs基板271背面上的接触孔 283、301a和301b(参照图107)之形成区域以外的区域上，形成具有作为蚀刻掩模的功能的 同时、还具有约为1 μ m厚度的η侧电极282。在形成该η侧电极282时，依次形成AuGe层 (未图示)、Ni层(未图示)和Au层(未图示)。接着，如图128所示，在红色激光区域270a，利用氯系气体的RIE法，将η侧电极 282作为掩模，通过从η型GaAs基板271的背面去除η型GaAs基板271、半导体各层(272 275和280a)和ρ侧电极281a，形成圆形接触孔283。同时，在红外激光区域270b，形成接触 孔301a和301b。即，利用氯系气体的RIE法，将η侧电极282作为掩模，通过从η型GaAs 基板271的背面去除η型GaAs基板271、半导体各层(292 295和280c)和绝缘膜300， 形成圆形接触孔301a。另外，在与接触孔301a间隔规定间隔的区域中，通过从η型GaAs基 板271的背面去除η型GaAs基板271、半导体各层(292 295和280c)和ρ侧电极281b， 形成圆形接触孔301b。之后，如图129所示，在红色激光区域270a，使用等离子体CVD法，在接触孔283的 内侧面上，沿η侧电极282的与η型GaAs基板271相反侧的表面延伸地形成具有约200nm 厚度的由SiO2膜构成的绝缘膜284a。在形成该绝缘膜284a时，绝缘膜284a的端部如图106 所示，配置成红色激光区域270a的η侧电极282的表面一部分露出。同时，如图129所示， 在红外激光区域270b，在接触孔301a和301b的内侧面上，沿η侧电极282的与η型GaAs 基板271相反侧的表面延伸地形成由与绝缘膜284a相同的层构成的绝缘膜284b。在形成该绝缘膜284b时，绝缘膜284b的端部如图106所示，配置成红外激光区域270b的η侧电 极282的表面一部分露出。之后，如图130所示，在η侧电极282的与η型GaAs基板271相反侧的表面上的 取出电极285a、285b和285c(参照图107)的形成区域以外的区域中，形成抗蚀剂318。之 后，使用电子束蒸镀法，覆盖接触孔283、301a和301b的内侧面和抗蚀剂318、绝缘膜284a 和284b的与η型GaAs基板271相反侧的表面地形成具有约0. 3 μ m厚度的金属层285。在 形成该金属层285时，依次形成Ti层(未图示)、Pt层(未图示)、和Au层(未图示)。之 后，去除抗蚀剂318。此时，形成于抗蚀剂318的与η型GaAs基板271相反侧的表面上的金 属层285也被同时去除。
0349]由此，如图131所示，在红色激光区域270a，在位于接触孔283内 的绝缘膜284a 上，形成延伸至绝缘膜284a的与η型GaAs基板271相反侧的表面上的规定区域的取出电 极285a。另外，在红外激光区域270b，在位于接触孔301a内的绝缘膜284b上，形成在延伸 至绝缘膜284b的与η型GaAs基板271相反侧的表面上的规定区域的同时、由与取出电极 285a相同的层构成的取出电极285b。而且，在位于接触孔301b内的绝缘膜284b上，形成 在延伸至绝缘膜284b的与η型GaAs基板271相反侧的表面上的规定区域的同时、由与取 出电极285a相同的层构成的取出电极285c。如此，形成单片型激光元件270。之后，在红 色激光区域270a中，在位于隆起部279的上面上的ρ侧电极281a上，延伸至位于η型电流 阻碍层280a的上面上的ρ侧电极281上之规定区域地形成由Au-Sn构成的焊锡层312d。下面，参照图132来说明蓝紫色激光元件220与单片型激光元件270的接合方法。首先，如图132所示，将由单片型激光元件270(红色激光区域270b)的η型电流 阻碍层280c之开口部280d构成的对位用凹部变为朝向下侧的状态，同时，通过嵌入到由蓝 紫色激光元件220的隆起部228构成的对位用凸部中，进行对位。然后，在将由η型电流阻 碍层280c之开口部280d构成的对位用凹部嵌入到由隆起部228构成的对位用凸部中的状 态下，通过在约280°C的温度条件下进行热处理，熔融由Au-Sn构成的焊锡层312a 312d。 之后，通过在冷却至室温的过程中焊锡层312a 312d固化，经绝缘膜311由焊锡层312a 312d来接合蓝紫色激光元件220与单片型激光元件270。另外，接触蓝紫色激光元件220 的P侧电极230之焊锡层312a接触单片型激光元件270 (红外激光区域270b)的取出电极 285b。另外，位于红外激光区域270b的焊锡层312b与单片型激光元件270 (红外激光区域 270b)的取出电极285c和红外激光区域270b的ρ侧电极281b接触。另外，位于红色激光 区域270a的焊锡层312c在与焊锡层312d融着的同时，该融着后的焊锡层312c和312d与 单片型激光元件270 (红色激光区域270a)的取出电极285a和红色激光区域270a的ρ侧 电极281a接触。此时，在第8实施方式中，可通过由隆起部228构成的对位用凸部与由η型电流阻 碍层280c的开口部280d构成的对位用凹部的嵌合来抑制蓝紫色激光元件220和单片型激 光元件270在水平方向(图106和图107的X方向)上的错位。由此，可抑制蓝紫色激光 元件220和单片型激光元件270的劈开方向彼此错开的情形。之后，在通过同时劈开彼此接合的蓝紫色激光元件220和单片型激光元件270来 形成光射出面232(参照图106)之后，分离成各元件，同时，在导电性副安装板(未图示)上 接合蓝紫色激光元件220的η侧电极231。最后，如图106和图107所示，在取出电极285a、285b和285c的与蓝紫色激光元件220相反侧的表面上分别结合金属线(金线)313a、313b 和313c。另外，在n侧电极282的与蓝紫色激光元件220相反侧的表面露出的区域中，结合 金属线(金线)313d的一端，同时，在与蓝紫色激 光元件220的n侧电极231接合的导电性 副安装板(未图示)上结合金属线313d的另一端。这样，形成第8实施方式的集成型半导 体激光元件。另外，这次公开的实施方式应认为在所有方面仅是示例，而不是限制。本发明的范 围不是由上述实施方式的说明、而是由权利要求的范围来表示，并且，还包含在与权利要求 的范围均等的含义和范围内的全部变更。例如，在上述第1 第8实施方式中，示出了将本发明适用于包含蓝紫色激光元件 和红色激光元件的集成型半导体激光元件、或者、包含蓝紫色激光元件、红色激光元件和红 外激光元件的集成型半导体激光元件中的实例，但本发明不限于此，也可适用于包含蓝紫 色激光元件和红外激光元件的集成型半导体激光元件、和、包含红色激光元件和红外激光 元件的集成型半导体激光元件中。另外，也可适用于包含两个以上的蓝紫色激光元件、红色 激光元件和红外激光元件以外的半导体激光元件之集成型半导体激光元件中。另外，在上述第1 第8实施方式中，将凸部的侧面和凹部的内侧面分别形成锥 形，但本发明不限于此，也可不将凸部的侧面和凹部的内侧面形成锥形。另外，在上述第1 第8实施方式中，示出了将焊锡层用作接合层的实例，但本发 明不限于此，也可使用由焊锡层以外的材料构成的接合层。另外，在上述第1 第8实施方式中，在红色激光元件中，使用包含n型GaAs层的 电流阻碍层，但本发明不限于此，也可将由SiNx或Si02等构成的绝缘膜用作电流阻碍层。另外，在上述第1 第8实施方式中，设位于对位用凸部侧面上的电极的厚度与位 于对位用凸部侧面以外的区域上的电极的厚度相同，但本发明不限于此，也可使位于对位 用凸部侧面上的电极的厚度比位于对位用凸部侧面以外的区域上的电极的厚度小。另外，在上述第1 第8实施方式中，设位于对位用凹部内侧面上的电极的厚度与 位于对位用凹部内侧面以外的区域上的电极的厚度相同，但本发明不限于此，也可使位于 对位用凹部内侧面上的电极的厚度比位于对位用凹部内侧面以外的区域上的电极的厚度 小。另外，在上述第7和第8实施方式中，在第1半导体激光元件(蓝紫色激光元件) 与第2半导体激光元件(红色激光元件或单片型激光元件)之间形成由Si02膜构成的绝 缘膜，但本发明不限于此，也可在第1半导体激光元件与第2半导体激光元件之间形成Si02 膜以外的绝缘膜。作为Si02膜以外的绝缘膜而言，例如SiNx膜、Ti02膜和&02膜等。另外，在上述第7和第8实施方式中，在第1半导体激光元件与第2半导体激光元 件之间形成绝缘膜的情况下，在第1半导体激光元件中设置对位用凸部，同时，在第2半导 体激光元件设置对位用凹部，但本发明不限于此，也可在第1半导体激光元件与第2半导体 激光元件之间形成绝缘膜的情况下，在第1半导体激光元件中设置对位用凹部，同时，在第 2半导体激光元件设置对位用凸部。
权利要求
一种集成型半导体激光元件，其特征在于包括在包含第1发光区域的同时、具有凸部的第1半导体激光元件；和在包含第2发光区域的同时、具有凹部的第2半导体激光元件；所述第1半导体激光元件在所述凸部的下方具有活性层，所述第1发光区域位于所述第1半导体激光元件的所述活性层内，所述凸部经接合层嵌入所述凹部中，所述第1发光区域和所述第2发光区域配置于半导体层的层叠方向的同一线上。
2.根据权利要求1所述的集成型半导体激光元件，其特征在于 所述第1发光区域位于所述凸部的下方。
3.根据权利要求1所述的集成型半导体激光元件，其特征在于 所述第2半导体激光元件具有隆起、并且在所述隆起的下方具有活性层。
4.根据权利要求3所述的集成型半导体激光元件，其特征在于所述第2发光区域位于所述第2半导体激光元件的所述活性层内、并且位于所述隆起 的下方。
5.根据权利要求3所述的集成型半导体激光元件，其特征在于 所述隆起向所述凸部侧突出。
6.根据权利要求1所述的集成型半导体激光元件，其特征在于所述第1半导体激光元件和所述第2半导体激光元件的至少一方还包含形成所述凸部 或所述凹部的基板。
7.根据权利要求1所述的集成型半导体激光元件，其特征在于 所述凸部具有顶端部侧的宽度比根部侧的宽度小的锥形，所述凹部具有底部侧的宽度比开放端侧的宽度小的锥形。
8.根据权利要求1所述的集成型半导体激光元件，其特征在于所述第1半导体激光元件还包含配置于所述第2半导体激光元件侧、向所述第1发光 区域供电的第1电极，所述第2半导体激光元件还包含配置于所述第1半导体激光元件侧、向所述第2发光 区域供电的第2电极，至少在所述第1电极与所述第2电极之间配置绝缘膜。
9.一种集成型半导体激光元件，其特征在于包括在包含第1发光区域的同时、具有凸部的第1半导体激光元件；和在包含第2发光区域的同时、具有凹部的第2半导体激光元件；所述第1半导体激光元件的所述凸部嵌入所述第2半导体激光元件的所述凹部中，所述第1半导体激光元件在所述凸部的下方具有活性层，所述凸部的下方的所述活性层成为所述第1发光区域，所述第1半导体激光元件还包含配置于所述第2半导体激光元件侧、向所述第1发光 区域供电的第1电极，所述第2半导体激光元件还包含配置于所述第1半导体激光元件侧、向所述第2发光 区域供电的第2电极，在所述第1电极和所述第2电极之间配置有绝缘膜。
10.根据权利要求9所述的集成型半导体激光元件，其特征在于 在所述第1电极或所述第2电极上配置有绝缘膜。
11.根据权利要求9所述的集成型半导体激光元件，其特征在于； 所述绝缘膜形成于所述凸部上。
12.根据权利要求9所述的集成型半导体激光元件，其特征在于在所述绝缘膜中形成开口部，同时，在所述第2半导体激光元件的对应于所述绝缘膜 的所述开口部的区域中，形成沿所述半导体层的层叠方向延伸的第1接触孔，所述第1电极经所述第1接触孔和所述绝缘膜的所述开口部，从所述第2半导体激光 元件侧与外部电连接。
13.根据权利要求9所述的集成型半导体激光元件，其特征在于还包括第3半导体激光元件，该第3半导体激光元件包含第3发光区域和第3电极，该 第3电极配置在所述第1半导体激光元件侧，向所述第3发光区域供电，所述绝缘膜，除了配置在所述第1电极与所述第2电极之间以外，还配置在所述第1电 极与所述第3电极之间。
14.一种集成型半导体激光元件的制造方法，其特征在于，包括将在包含第1发光区域的同时、具有凸部的第1半导体激光元件和在包含第2发光区 域的同时、具有凹部的第2半导体激光元件、以将所述凸部嵌入所述凹部中的状态进行贴 合，使得所述第1发光区域和所述第2发光区域配置于半导体层的层叠方向的同一线上的 工序；和在将所述第1半导体激光元件和所述第2半导体激光元件贴合的状态下、同时劈开所 述第1半导体激光元件和所述第2半导体激光元件的工序。
15.根据权利要求14所述的集成型半导体激光元件的制造方法，其特征在于 所述第1半导体激光元件还包含配置于所述第2半导体激光元件侧、向所述第1发光区域供电的第1电极，所述第2半导体激光元件还包含配置于所述第1半导体激光元件侧、向所述第2发光 区域供电的第2电极，将所述第1半导体激光元件和所述第2半导体激光元件贴合的工序包括所述第1电 极与所述第2电极彼此电导通地经接合层进行接合的工序。
16.根据权利要求14所述的集成型半导体激光元件的制造方法，其特征在于 所述第1半导体激光元件还包含配置于所述第2半导体激光元件侧、向所述第1发光区域供电的第1电极，所述第2半导体激光元件还包含配置于所述第1半导体激光元件侧、向所述第2发光 区域供电的第2电极，将所述第1半导体激光元件和所述第2半导体激光元件贴合的工序包括至少在所述 第1电极与所述第2电极之间配置绝缘膜，同时，隔着所述绝缘膜使所述第1半导体激光元 件和所述第2半导体激光元件贴合的工序。
17.根据权利要求16所述的集成型半导体激光元件的制造方法，其特征在于还包括第3半导体激光元件，该第3半导体激光元件包含第3发光区域和配置于所述 第1半导体激光元件侧、向所述第3发光区域供电的第3电极，并且形成于与所述第2半导体激光元件共同的基板上，将所述第1半导体激光元件和所述第2半导体激光元件贴合的工序包括除了所述第1电极与所述第2电极之间以外，还在所述第3电极与所述第1电极之间配置所述绝缘膜， 同时，隔着所述绝缘膜使所述第1半导体激光元件与所述第2半导体激光元件贴合，并且， 隔着所述绝缘膜使所述第1半导体激光元件与所述第3半导体激光元件贴合的工序。
全文摘要
本发明提供一种集成型半导体激光元件及其制造方法，在可以使激光的特性提高的同时，可以降低光轴调整所花费的成本。该集成型半导体激光元件包括在包含第1发光区域的同时、具有凸部的第1半导体激光元件；和在包含第2发光区域的同时、具有凹部的第2半导体激光元件；并且，第1半导体激光元件在凸部的下方具有活性层，第1发光区域位于第1半导体激光元件的活性层内，凸部经接合层嵌入凹部中，第1发光区域和第2发光区域配置于半导体层的层叠方向的同一线上。
文档编号H01S5/40GK101826703SQ201010164149
公开日2010年9月8日 申请日期2005年9月23日 优先权日2004年9月24日
发明者伊豆博昭, 大保广树, 太田洁, 山口勤, 广山良治, 畑雅幸 申请人:三洋电机株式会社