专利名称：包含至少一种发光体化合物和至少一种具有共轭间断单元的聚合物的组合物的制作方法
技术领域：
本发明涉及包含至少一种组合物，其包含发光体化合物和至少一种具有共轭间断单元的聚合物，涉及该组合物在光电器件中的用途，以及涉及包含根据本发明的这种组合物的光电器件。
背景技术：
从现有技术中已知单重态和三重态发光体都是可能的发光体化合物。在近些年中，显示磷光而不是荧光的有机金属络合物越来越多地在光电器件中被用作发光材料 (M. A. Baldo等人，Appl. Phys. Lett. 1999，75,4-6)。现有技术中已知的三重态发光体通常是金属络合物，因为，特别是重金属有利于三重态跃迁。然而，在显示三重态发光的OLED的情况下，通常仍存在相当大的问题。因此，为了在高质量和长寿命的电致发光器件中使用，磷光发光体在金属络合物稳定性、效率、工作电压和寿命方面的物理性质仍然不够。因此此处需要进一步改进。在有机电致发光器件中使用的其它化合物，例如基质材料和电荷传输材料的情况下，也仍需要进一步改进。特别地，基质材料必须与使用的发光体化合物相匹配， 因为否则可能引起不希望的淬灭效应。广泛研究共轭聚合物用作很有前途的OLED中的材料已经有一段时间了。这些共轭聚合物的简单制备保证了可以廉价地制造相应的电致发光器件。然而，到目前为止已知的使用的共轭聚合物具有如下缺点可达到的效率具有一定的上限。其特别在于所述聚合物与所述发光体化合物的H0M0-LUM0分离以及在于单重态和三重态能级。例如，如果所述聚合物的三重态能级低于所述发光体的三重态能级，则所述发光体的三重态能量可以通过能量转移机理转移到所述聚合物。因此磷光被淬灭。众所周知的聚合物三重态基质是PVK(聚乙烯基咔唑)(Yang，X. ；Neher, D. ；Hertel, D. ；Daeubler, T. K. ；Highly efficient single-layer polymer electrophosphorescent devices ；Adv.Mater. (Weinheim,Ger. )16[2],161-166, 2004)。其为非共轭的聚合物。US 7250226 B2公开了一种三重态发光体聚合物，在该聚合物的侧链上具有空穴传输、电子传输和发光体单元。Wai-Yeung Wong等人，Macromolecules 2004，37，4496-4505提出将具有芴单元的聚合物用作共轭间断体，其中三重态发光体单元被并入所述聚合物链中。JP 2001/257076公开了一种0LED，其包含非共轭聚合物作为主体以及具有第 VIII族金属的金属络合物作为掺杂剂。聚乙烯基咔唑被公开为非共轭的聚合物基质。这些体系中没有一个显示出最佳的电光性能(例如足够的效率)，并且关于稳定性，所有的体系都具有缺陷。特别是，另外，在聚合物的主链或侧链中具有官能单元的聚合物是难以制备的。
发明内容
因此，本发明 的目的在于提供具有高稳定性和效率的体系，特别是在发蓝色光、绿色光和红色光的化合物的情况下具有高稳定性和效率的体系，且所述体系易于制备。令人惊奇 地，已经发现与未键合至聚合物的发光体化合物组合使用时，含有共轭间断单元的聚合物基质材料具有提高的效率和寿命。另外，这种类型的体系是易于制备的， 并且可以通过从溶液中涂覆而加工。这些基质材料可以用于单重态发光体和三重态发光体两种。因此，本发明涉及一种组合物，其包含至少一种发光体化合物和至少一种聚合物， 其特征在于所述聚合物包含至少一种通式I的结构单元，
权利要求
1. 一种组合物，其包含至少一种发光体化合物和至少一种聚合物，其特征在于所述聚合物包含至少一种通式I的结构单元，
2.根据权利要求1所述的组合物，其特征在于所述聚合物包含至少一种式Ia的另外的结构单元，
3.根据权利要求1或2所述的组合物，其特征在于re和re1各自彼此独立地表示取代或未取代的芳族或杂芳族环系或芳族或杂芳族基团。
4.根据权利要求ι至3中的一项或多项所述的组合物，其特征在于re和re1各自彼此独立地是空穴注入基团、空穴传输基团、空穴阻挡基团、电子注入基团、电子传输基团、电子阻挡基团、光子吸收基团、激子产生基团、单重态激子敏化剂、发光体基团或骨架基团。
5.根据权利要求ι至4中的一项或多项所述的组合物，其特征在于re和re1各自彼此独立地选自苯基、萘基、吡唆、蒽、二萘基蒽、菲、二氢菲、茚并芴、芴、螺二芴、芘、膦、氧化膦、 呋喃、咪唑、噻吩、三嗪、吡嗪、酮、胺、咔唑及其组合以及它们的衍生物和杂原子变体。
6.根据权利要求1至5中的一项或多项所述的组合物，其特征在于A和A1各自彼此独立地选自直链或支链的亚烷基、亚环烷基、烷基亚甲硅烷基、亚甲硅烷基、芳基亚甲硅烷基、 烷基烷氧基亚烷基、芳基烷氧基亚烷基、烷基硫代亚烷基、砜、亚烷基砜、砜氧化物、亚烷基砜氧化物，其中所述亚烷基基团在每种情况下彼此独立地具有1至12个C原子，和其中一个或多个H原子可被F、Cl、Br、I、烷基、杂烷基、环烷基、芳基或杂芳基代替。
7.根据权利要求6所述的组合物，其特征在于A和A1各自彼此独立地表示直链或支链的亚烷基或烷氧基亚烷基，其具有1至12个C原子，其中一个或多个H原子可被F代替。
8.根据权利要求1至7中的一项或多项所述的组合物，其特征在于所述聚合物包含不同于式I和/或式Ia的另外的结构单元。
9.根据权利要求1至8中的一项或多项所述的组合物，其特征在于所述发光体化合物为单重态发光体、三重态发光体或单重态激子形成基团。
10.根据权利要求1至9中的一项或多项所述的组合物，其特征在于所述发光体化合物是发绿色光、蓝色光或红色光的三重态发光体。
11.根据权利要求1至10中的一项或多项所述的组合物，其特征在于所述发光体化合物是包含如下金属的金属络合物，所述金属选自过渡金属、稀土元素、镧系元素和锕系元
12.根据权利要求1至11中的一项或多项所述的组合物，其特征在于所述发光体化合物是三重态发光体或金属络合物，和在式I或Ia中的官能团re和/或re1选自单环或双环的稠合芳族或杂芳族基团，和其中在式Ia中的m是0或1。
13.根据权利要求1至12中的一项或多项所述的组合物，其特征在于在所述组合物中的聚合物与发光体化合物的重量比为99. 1 0.01至98 2。
14.根据权利要求1至13中的一项或多项所述的组合物，其特征在于所述组合物包含一种或多种溶剂。
15.一种聚合物，特征在于其包含至少一种通式I的结构单元，
16.根据权利要求15所述的聚合物，特征在于其包含至少一种式Ia的另外的结构单元，
17.根据权利要求15或16所述的聚合物，其特征在于re和TO1各自彼此独立地表示取代或未取代的芳族或杂芳族环系或芳族或杂芳族基团。
18.根据权利要求15至17中的一项或多项所述的聚合物，其特征在于re和re1各自彼此独立地是空穴注入基团、空穴传输基团、空穴阻挡基团、电子注入基团、电子传输基团、 电子阻挡基团、光子吸收基团、激子产生基团、单重态激子敏化剂、发光体基团或骨架基团。
19.根据权利要求15至18中的一项或多项所述的聚合物，其特征在于re和FG1各自彼此独立地选自苯基、萘基、吡唆、蒽、二萘基蒽、菲、二氢菲、茚并芴、芴、螺二芴、芘、膦、氧化膦、呋喃、咪唑、噻吩、三嗪、吡嗪、酮、胺、咔唑及其组合以及它们的衍生物和杂原子变体。
20.根据权利要求15至19中的一项或多项所述的聚合物，其特征在于A和A1各自彼此独立地选自直链或支链的亚烷基、亚环烷基、烷基亚甲硅烷基、亚甲硅烷基、芳基亚甲硅烷基、烷基烷氧基亚烷基、芳基烷氧基亚烷基、烷基硫代亚烷基、砜、亚烷基砜、砜氧化物、亚烷基砜氧化物，其中所述亚烷基基团在每种情况下彼此独立地具有1至12个C原子，和其中一个或多个H原子可被F、Cl、Br、I、烷基、杂烷基、环烷基、芳基或杂芳基代替。
21.根据权利要求1至14中的一项或多项所述的组合物或根据权利要求15至20中的一项或多项所述的聚合物在光电器件中的用途。
22.根据权利要求21的用途，其特征在于所述组合物或聚合物在所述光电器件中为层的形式。
23.一种光电器件，特征在于其包括阴极、阳极和至少一种根据权利要求1至14中的一项或多项所述的组合物或根据权利要求15至20中的一项或多项所述的聚合物。
24.根据权利要求23所述的光电器件，其特征在于所述组合物或聚合物为层的形式， 并且排列在所述阴极和所述阳极之间。
25.根据权利要求23或M所述的光电器件，特征在于该光电器件包括其它层，该其它层选自空穴传输层，空穴注入层，发光体层，电子传输层，电子注入层，电荷阻挡层，电荷产生层，和/或夹层。
26.根据权利要求23至25中的一项或多项所述的光电器件，其特征在于所述光电器件是有机电致发光器件(OLED)、聚合物电致发光器件(PLED)、有机集成电路(O-IC)、有机场效应晶体管(O-FET)、有机薄膜晶体管(O-TFT)、有机发光晶体管(O-LET)、有机太阳能电池 (O-SC)、有机光学探测器、有机光感受器、有机场猝熄器件(O-FQD)、发光电化学电池(LEC) 或有机激光二极管(O-Iaser)。
全文摘要
本发明涉及一种组合物，该组合物包含至少一种发光体化合物和至少一种具有共轭间断单元的聚合物，涉及所述组合物在光电器件中的用途，以及涉及包含所述本发明组合物的光电器件。
文档编号H01L51/00GK102449796SQ201080022753
公开日2012年5月9日 申请日期2010年5月4日 优先权日2009年5月29日
发明者奥雷莉·吕德曼, 尼尔斯·舒尔特, 托马斯·埃伯利, 潘君友, 苏珊·霍伊恩, 雷米·马努克·安米安 申请人:默克专利有限公司