专利名称：沟槽互联型圆片级mosfet封装结构及实现方法
技术领域：
本发明涉及一种圆片级芯片尺寸封装结构及实现方法。属于半导体封装技术领 域。
背景技术：
MOSFET (金属氧化物半导体场效应管)是利用电场效应来控制半导体的场效应 晶体管。由于MOSFET具有可实现低功耗电压控制的特性，近年来受到越来越多的关注。 MOSFET性能特别是电流承载能力的优劣很大程度上取决于散热性能，散热性能的好坏又主 要取决于封装形式。然而传统MOSFET封装主要是TO、SOT、SOP、QFN、QFP等形式，这类封装都 是将芯片包裹在塑封体内，无法将芯片工作时产生的热量及时导走或散去，制约了 MSOFET 性能提升。而且塑封本身增加了器件尺寸，不符合半导体向轻、薄、短、小方向发展的要求。 就封装工艺而言，这类封装都是基于单颗芯片进行，存在生产效率低、封装成本高的问题。圆片级芯片尺寸封装(Wafer Level Chip Scale I^ackaging)是一种新型封装技 术，封装后芯片是裸芯片，尺寸完全等同于芯片尺寸，而且是基于整个晶圆进行的批量封 装。如果能够将圆片级芯片尺寸封装技术引入到MOSFET领域，不仅可以提升MOSFET性能、 缩小封装尺寸，而且可以提高生产效率、降低封装成本。MOSFET芯片的源极(Source)和栅极(Gate)位于芯片正面，需要在芯片背面或者 内部设置金属层作为芯片的漏极(Drain)。但要实现圆片级芯片尺寸封装，还需要将设置的 金属层漏极引到芯片正面，与源极和栅极形成同侧分布。通过形成沟槽并填充金属可以起 到形成芯片漏极及将漏极引到正面的作用，借此可以实现MOSFET的圆片级芯片尺寸封装。
发明内容
本发明的目的在于克服传统MOSFET封装结构及其实现方法的不足，提供一种具 有高性能的沟槽互联型圆片级MOSFET封装结构及具有高生产效率和低封装成本的实现方 法。本发明的目的是这样实现的一种沟槽互联型圆片级MOSFET封装结构，包括芯片 本体，所述芯片本体正面设置有芯片源电极和芯片栅电极，芯片本体、芯片源电极和芯片栅 电极正面设置有芯片表面保护层，在芯片本体正面和背面贯穿有芯片沟槽，在所述芯片源 电极表面、芯片栅电极表面和芯片表面保护层表面设置有线路层设置有线路层，以及在芯 片沟槽内填充有线路层，线路层直接与芯片沟槽侧壁相连，之间无任何绝缘隔离层，在线路 层表面设置有线路表面保护层，在芯片本体正面的线路层表面设置有焊球，在芯片本体的 背面设置有背面金属层，且背面金属层与线路层互联。封装过程的起点为带有芯片源电极、芯片栅电极和芯片表面保护层的晶圆，通过 下列过程得到封装后的MOSFET芯片
1)、通过光刻、硅刻蚀以及光刻胶剥离工艺，形成沟槽；
2)、通过光刻、溅射、电镀、光刻胶剥离以及金属刻蚀工艺、形成线路层；
33)、通过光刻工艺形成线路表面保护层；
4)、通过减薄、金属淀积工艺如溅射、蒸发或镀膜，形成背面金属层；
5)、通过印刷焊料或电镀焊料或植放焊球、然后回流的方法形成焊球；
6)、通过晶圆切割分离的方法形成单颗MSOFET封装芯片。本发明的有益效果是
(1)本发明通过形成与沟槽壁直接相连的线路层以及芯片背面金属层作为芯片的漏 极，得到了比较大的漏极面积，提升了芯片的电流承载能力；芯片背面金属层起到散热片作 用，提高了芯片工作时的散热效果；并且沟槽内线路层将所形成的漏极引到芯片正面，从而 实现了在芯片正面通过焊球与外界进行互联，这种结构缩短了芯片与外界互联距离，也增 强了芯片导电、导热效果。(2)相比与传统MOSFET封装，本发明提出的封装方法是基于整个晶圆进行的，而 不是基于单颗进行的；所以具有生产效率高、封装成本低的特点。
图1为本发明沟槽互联型圆片级MOSFET封装结构的切面示意图。图2、图3、图4分别为图1中互联部分A的几种细节结构的切面示意图。图5为晶圆切割分离成单颗封装芯片的示意图。图6、图7分别为图5中B部分的几种切割位置的俯视示意图。图中
芯片本体1-1、芯片沟槽1-2、芯片源(source )电极2-1、芯片栅(gate )电极2-2、芯片 表面保护层3、线路层4、线路表面保护层5、焊球6、背面金属层7、背面1-3、切割位置C。
具体实施例方式参见图1，图1为本发明沟槽互联型圆片级MOSFET封装结构的切面示意图。由图 1可以看出，本发明沟槽互联型圆片级MOSFET封装结构，包括芯片本体1-1、芯片沟槽1-2、 芯片源电极2-1、芯片栅电极2-2、芯片表面保护层3、线路层4、线路表面保护层5、焊球6和 背面金属层7，所述芯片源电极2-1和芯片栅电极2-2设置于芯片本体1-1正面，芯片表面 保护层3设置于芯片本体1-1、芯片源电极2-1和芯片栅电极2-2正面，所述芯片沟槽1-2 贯穿芯片本体1-1正面和背面，线路层4设置于所述芯片源电极2-1、芯片栅电极2-2和芯 片表面保护层3的表面以及填充于芯片沟槽1-2内，线路层4直接与芯片沟槽1-2侧壁相 连，之间无任何绝缘隔离层，线路表面保护层5设置于线路层4表面，焊球6设置于芯片本 体1-1正面的线路层4表面，芯片本体1-1的背面1-3设置了背面金属层7，且背面金属层 7与线路层4互联。图2、图3、图4分别为该封装结构互联部分A的几种细节结构的切面示意图。其 中，图2特征是线路表面保护层与背面金属层接触；图3特征是线路表面保护层与背面金属 层接触；但与图2所示互联部分相比，特征是与背面金属层接触处的线路表面保护层有折 边；图4特征是线路表面保护层与背面金属层接触不接触。封装过程的起点为带有芯片源电极2-1、芯片栅电极2-2和芯片表面保护层3的晶 圆，通过下列过程得到封装后的MOSFET芯片1)、通过光刻、硅刻蚀以及光刻胶剥离工艺，形成沟槽；
2)、通过光刻、溅射、电镀、光刻胶剥离以及金属刻蚀工艺、形成线路层；
3)、通过光刻工艺形成线路表面保护层；
4)、通过减薄、金属淀积工艺如溅射、蒸发或镀膜，形成背面金属层；
5)、通过印刷焊料或电镀焊料或植放焊球、然后回流的方法形成焊球；
6)、通过晶圆切割分离的方法形成单颗MSOFET封装芯片，参见图5。图6、图7分别为 图5中B部分的几种切割位置的俯视示意图。其中图6是相邻芯片切割位置的俯视示意图； 图7是相邻芯片切割位置的切面示意图。
权利要求
1.一种沟槽互联型圆片级MOSFET封装结构，包括芯片本体(1-1)，其特征在于所述 芯片本体(1-1)正面设置有芯片源电极(2-1)和芯片栅电极(2-2)，芯片本体(1-1 )、芯片源 电极(2-1)和芯片栅电极(2-2)正面设置有芯片表面保护层(3)，在芯片本体(1-1)正面和 背面贯穿有芯片沟槽(1-2)，在芯片源电极(2-1)表面、芯片栅电极(2-2)表面、芯片表面保 护层(3)表面设置有线路层(4)以及在芯片沟槽(1-2)内填充有线路层(4)，线路层(4)直 接与芯片沟槽(1-2)侧壁相连，之间无任何绝缘隔离层，在线路层(4)表面设置有线路表面 保护层(5)，在芯片本体(1-1)正面的线路层(4)表面设置有焊球(6)，在芯片本体(1-1)的 背面(1-3)设置有背面金属层(7)，且背面金属层(7)与线路层(4)互联。
2.根据权利要求1所述的一种沟槽互联型圆片级MOSFET封装结构，其特征在于所述 线路表面保护层(5 )与背面金属层(7 )接触。
3.根据权利要求2所述的一种沟槽互联型圆片级MOSFET封装结构，其特征在于所述 与背面金属层(7)接触处的线路表面保护层(5)有折边。
4.根据权利要求1所述的一种沟槽互联型圆片级MOSFET封装结构，其特征在于所述 线路表面保护层(5 )与背面金属层(7 )不接触。
5.一种如权利要求1所述沟槽互联型圆片级MOSFET封装结构的实现方法，其特征在 于封装过程的起点为带有芯片源电极、芯片栅电极和芯片表面保护层的晶圆，通过下列过 程得到封装后的MOSFET芯片1)、通过光刻、硅刻蚀以及光刻胶剥离工艺，形成沟槽；2)、通过光刻、溅射、电镀、光刻胶剥离以及金属刻蚀工艺、形成线路层；3)、通过光刻工艺形成线路表面保护层；4)、通过减薄、金属淀积工艺如溅射、蒸发或镀膜，形成背面金属层；5)、通过印刷焊料或电镀焊料或植放焊球、然后回流的方法形成焊球；6)、通过晶圆切割分离的方法形成单颗MSOFET封装芯片。
全文摘要
本发明涉及一种沟槽互联型圆片级MOSFET封装结构及实现方法，所述结构包括芯片本体(1-1)，所述芯片本体正面设置有芯片源电极(2-1)和芯片栅电极(2-2)，芯片本体芯片源电极和芯片栅电极正面设置有芯片表面保护层(3)，在芯片本体正面和背面贯穿有芯片沟槽(1-2)，在芯片源电极表面、芯片栅电极表面、芯片表面保护层(3)表面和芯片沟槽(1-2)内设置有线路层(4)，在线路层表面设置有线路表面保护层(5)，在芯片本体(1-1)正面的线路层(4)表面设置有焊球(6)，在芯片本体(1-1)的背面(1-3)设置有背面金属层(7)，且背面金属层(7)与线路层(4)互联。本发明可以提供具有高性能的封装结构，以及实现这种结构具有高生产效率、低封装成本的工艺方法。
文档编号H01L23/367GK102122670SQ20111003378
公开日2011年7月13日 申请日期2011年1月31日 优先权日2011年1月31日
发明者张黎, 赖志明, 陈栋, 陈锦辉 申请人:江阴长电先进封装有限公司