1.一种半导体制作工艺，包含有：
提供一基底，包含一主动区；
进行一第一蚀刻制作工艺，图案化该主动区的该基底，以形成一鳍状结构的一顶部；
覆盖一掩模于该基底的一保留区；
进行一第二蚀刻制作工艺，蚀刻该基底以加深该鳍状结构的该顶部，但保留该保留区，因而形成该鳍状结构，具有一延伸部突出自该鳍状结构；
移除该掩模；以及
形成一栅极跨设该鳍状结构，其中该栅极直接于该延伸部上。
2.如权利要求1所述的半导体制作工艺，其中该顶部的一高度为该鳍状结构的一高度的一半。
3.如权利要求1所述的半导体制作工艺，在移除该掩模之后，还包含：
全面覆盖一绝缘材料；以及
平坦化该绝缘材料至暴露出鳍状结构，再蚀刻该绝缘材料至暴露出该延伸部，因而形成一绝缘结构于该鳍状结构以及该延伸部侧边，其中该绝缘结构的一顶面与该延伸部的一顶面齐平。
4.一种平面场效晶体管，包含有：
基底，包含主动区，其中该主动区包含框架区、贯穿区穿过该框架区；以及
栅极，跨设该主动区，其中该栅极直接设置于该贯穿区上，且位于该栅极至少一侧边的该框架区构成一源/漏极，并环绕一孤立绝缘岛。
5.如权利要求4所述的平面场效晶体管，还包含：
至少一延伸区，自该贯穿区延伸且突出自该框架区。
6.如权利要求5所述的平面场效晶体管，其中单一的该延伸区自该贯穿区的一端延伸且突出自该框架区。
7.如权利要求5所述的平面场效晶体管，其中二该延伸区自该贯穿区的相对两端延伸且突出自该框架区。
8.如权利要求5所述的平面场效晶体管，其中该框架区、该贯穿区以及该延伸区位于同一平面。
9.如权利要求5所述的平面场效晶体管，其中该贯穿区以及该延伸区的长度大于该栅极的一长度。
10.如权利要求5所述的平面场效晶体管，其中该延伸区的一宽度等于该栅极的一长度。
11.如权利要求5所述的平面场效晶体管，其中全部的该栅极直接设置于该贯穿区以及该延伸区上且不接触该孤立绝缘岛。
12.一种鳍状场效晶体管，包含有：
基底，包含主动区，其中该主动区包含鳍状结构，具有至少一延伸部突出自该鳍状结构；以及
栅极跨设该鳍状结构，其中该栅极直接设置于该延伸部上。
13.如权利要求12所述的鳍状场效晶体管，其中该鳍状场效晶体管包含二该鳍状结构，且该二鳍状结构的该二延伸部合并为一体。
14.如权利要求12所述的鳍状场效晶体管，其中该栅极侧边的该鳍状结构构成一源/漏极。
15.如权利要求12所述的鳍状场效晶体管，其中该延伸部的高度小于该鳍状结构的高度。
16.如权利要求12所述的鳍状场效晶体管，其中该延伸部的长度大于该栅极的长度。
17.如权利要求16所述的鳍状场效晶体管，其中该延伸部的该长度为该栅极的该长度的两倍。
18.如权利要求12所述的鳍状场效晶体管，其中该延伸部的宽度等于该栅极的长度。
19.如权利要求12所述的鳍状场效晶体管，还包含：
绝缘结构设置于具有该延伸部的该鳍状结构的侧边，其中该绝缘结构的顶面与该延伸部的顶面齐平。
20.如权利要求19所述的鳍状场效晶体管，其中全部的该栅极直接设置于该延伸部上且不接触该绝缘结构。