技术总结
本发明公开了一种石墨烯表面选区改性加工方法及装置，所述方法包括：用激光扫描衬底样片表面的预设区域，以提高所述预设区域覆盖的石墨烯薄膜材料表面的悬挂键数量；采用原子层沉积方法，在所述衬底样片表面进行薄膜沉积，以在所述预设区域生长目标薄膜。本发明提供的方法及装置，用以解决现有技术中石墨烯薄膜材料表面通常不具有悬挂键等ALD成膜必备条件，存在的难以采用ALD逐原子层沉积生长薄膜的技术问题。实现了增加石墨烯薄膜材料表面对原子层的附着力，从而有利于采用原子层沉积方法进行选区薄膜制备的技术效果。
技术研发人员：解婧;屈芙蓉;卢维尔;李楠;张庆钊;夏洋
受保护的技术使用者：中国科学院微电子研究所
文档号码：201610258555
技术研发日：2016.04.22
技术公布日：2017.03.22