切断线50之间的间隔即第I间隙Gla与第I方向上的另一侧的第I导电图案11的端部与第3切断线50之间的间隔即第2间隙G2a大致相等。
[0053]如上所述，相对于将位于母块的Y方向的两端的功能区域13的中心点13x相互连接的直线Lx，功能区域13的中心点13x的位置从母块的Y方向的两端越朝中央越偏离。因此，位于母块的Y方向的中央的功能区域13的中心点13x与直线Lx隔开距离Sp其结果是，在位于母块的Y方向的中央的芯片中，第I导电图案11处于偏向一方的位置。
[0054]图12是表示在比较例中位于母块的Y方向的中央的芯片中的第I导电图案与第3切断线的位置关系的侧视图。如图12所示，在位于母块的Y方向的中央的芯片中，第I方向上的一侧的第I导电图案11的端部与第3切断线50之间的间隔即第I间隙Glb比第I方向上的另一侧的第I导电图案11的端部与第3切断线50之间的间隔即第2间隙G2b要小。
[0055]这样，在成为内部电极的第I导电图案11在芯片内处于偏向一方的位置的情况下，电子元器件100的耐水性下降。在水分进入层叠陶瓷电容器内的情况下，电绝缘性下降，从而品质变差。因此，要求在所有的芯片中使成为内部电极的第I导电图案11在第I方向上位于中央。
[0056]因此，在本实施方式所涉及的电子元器件的制造方法中，如下面叙述的那样对母块进行切断。图13是表示在本实施方式中将在第I方向上切断母块而分割成的第2块即中间块在第2方向上进行了切断的状态的俯视图。
[0057]如图13所示，在本实施方式中，以在第I方向上将芯片在中间块上排成两列的方式切断母块。即，在中间块的Y方向上，在第2切断线31的相邻两侧设有第I切断线30。如上所述，沿第I切断线30切断母块及发泡粘接片材20，沿第2切断线31仅切断母块。
[0058]这样，通过将母块切断来分割成多个中间块，能使第I导电图案11中与外部电极相连接的部分露出至沿第I切断线30进行了切断的切断面。此外，在第2切断线31，由于发泡粘接片材20未被切断，因此，能将中间块维持在一体状态。
[0059]在第I方向上切断母块时，利用未图示的图像处理装置对露出至母块的X方向的两个端面的一对第2导电图案12进行拍摄来进行检测。以对所检测到的一对第2导电图案12进行连接的方式设置第I切断线30。
[0060]在第2导电图案12未露出至母块的端面的情况下，也可以切断母块的X方向的端部，以使第2导电图案12露出。此外,未必一定要设置第2导电图案12,在此情况下,也可以切断母块的X方向的端部，以使第I导电图案11露出，并切断第I导电图案11的功能区域13以外的部分。作为母块的切断方法，存在按压切削法(press-cutting method)或使用切割的切削法(cutting method using dicing)等。
[0061]这样，在将母块分割成多个中间块之后，将中间块一个一个取出。在与第I方向交叉的用箭头标记2a表示的第2方向上，将所取出的中间块分别进行切断，以使露出至沿第I切断线30进行了切断的切断面的第I导电图案11在第I方向上位于各芯片的中央。
[0062]具体而言，首先，如用箭头标记41所表示的那样利用图像处理装置40对沿第I切断线30进行了切断的两个切断面进行拍摄，从而检测出露出至各切断面的第I导电图案11的位置。
[0063]接下来，基于利用图像处理装置40进行了检测的露出至第I切断线30的各切断面的第I导电图案11的位置，沿在第2方向上延伸的第3切断线51仅切断中间块。由此，能使芯片单片化。
[0064]图14是表示在本发明的一个实施方式中利用图像处理装置进行了检测的第I切断线的各切断面中的导电图案与第3切断线的位置关系的侧视图。在图14中，仅图示了一个芯片。
[0065]如图13、图14所示，在本实施方式所涉及的母块的切断方法中，按照如下的方法来确定第3切断线51的位置:即，在利用图像处理装置40进行了检测的第I切断线30的各切断面中，使第I方向上的一侧的第I导电图案11的端部与第3切断线51之间的间隔即第I间隙Glc;与第I方向上的另一侧的第I导电图案11的端部与第3切断线51之间的间隔即第2间隙G2。大致相等。其结果是，第3切断线51与第I切断线30倾斜相交。
[0066]为了沿这样倾斜的第3切断线51切断中间块，将载放有中间块的载放台设置成能在载放面的面内进行旋转。即，在将中间块载放在载放台的旋转中心上的状态下，通过使载放台与第3切断线51的倾斜角度相对应地进行旋转，能使中间块相对于切刀的方向倾斜。
[0067]在本实施方式中，以在第I方向上将芯片排成两列的方式构成中间块，因此，能在所有的芯片中使成为内部电极的第I导电图案11在第I方向上处于靠近中央侧的位置。
[0068]另外，在本实施方式中，在将母块分割成多个中间块时设置了第2切断线31，但也可以不设置第2切断线31。在此情况下，在第I方向及第2方向上将多个中间块分别进行切断，从而使芯片单片化。在第I方向及第2方向上将多个中间块分别进行切断时，对于第I方向的切断和第2方向的切断，随便哪个先进行都可以。
[0069]图15是表示将在第2方向上进行了切断的中间块在第I方向上进行切断而使芯片单片化的状态的俯视图。如图15所示，在第I方向上切断中间块时，如箭头标记43所表示的那样利用图像处理装置42对露出至中间块的X方向的两个端面的一对第2导电图案12进行拍摄来进行检测。以对检测到的一对第2导电图案12进行连接的方式设置第I切断线32，沿着该第I切断线32来切断中间块及发泡粘接片材20，从而使芯片单片化。
[0070]此外，也可以以在第I方向上将芯片在中间块上排成一列的方式将母块进行切断。此处，对这样切断母块的本实施方式的变形例所涉及的电子元器件的制造方法进行说明。
[0071]图16是表示在本发明的一个实施方式的变形例中将在第I方向上切断母块而分割成的中间块在第2方向上进行了切断的状态的俯视图。
[0072]如图16所示，在本发明的一个实施方式的变形例中，以在第I方向上将芯片在中间块上排成一列的方式将母块进行切断。即，将第I切断线30设置成沿母块的Y方向进行排列。
[0073]这样，通过将母块切断来分割成多个中间块，能使第I导电图案11中与外部电极相连接的部分露出至沿第I切断线30进行了切断的切断面。
[0074]在将母块分割成多个中间块之后，将中间块一个一个取出。在与第I方向交叉的用箭头标记2b表示的第2方向上，将所取出的中间块分别进行切断，以使露出至沿第I切断线30进行了切断的切断面的第I导电图案11在第I方向上位于各芯片的中央。
[0075]具体而言，首先，如箭头标记41所表示的那样利用图像处理装置40对沿第I切断线30进行了切断的两个切断面进行拍摄，从而检测出露出至各切断面的第I导电图案11的位置。
[0076]接下来，基于利用图像处理装置40进行了检测的露出至第I切断线30的各切断面的第I导电图案11的位置，沿在第2方向上延伸的第3切断线52仅切断中间块。由此，能使芯片单片化。
[0077]图17是表示在本发明的一个实施方式的变形例中利用图像处理装置进行了检测的第I切断线的各切断面中的导电图案与第3切断线的位置关系的侧视图。在图17中，仅图示了一个芯片。
[0078]如图16、图17所示，在本发明的一个实施方式的变形例所涉及的母块的切断方法中，按照如下的方法来确定第3切断线52的位置:即，在利用图像处理装置40进行了检测的第I切断线30的各切断面中，使第I方向上的一侧的第I导电图案11的端部与第3切断线52之间的间隔即第I间隙Glc;与第I方向上的另一侧的第I导电图案11的端部与第3切断线52之间的间隔即第2间隙G2。大致相等。其结果是，第3切断线52与第I切断线30倾斜相交。
[0079]为了在这样倾斜的第3切断线52上切断中间块，将载放有中间块的载放台设置成能在载放面的面内方向上进行旋转。即，在将中间块载放在载放台的旋转中心上的状态下，通过使载放台与第3切断线52的倾斜角度相对应地进行旋转，能使中间块相对于切刀的方向倾斜。
[0080]在本实施方式的变形例中，以在第I方向上将芯片排成一列的方式构成中间块，因此，与本实施方式相比，能在所有的芯片中使成为内部电极的第I导电图案11在第I方向上处于靠近中央侧的位置。
[0081]另外，在第I切断线30的各切断面上，有时沿层叠方向进行排列的第I导电图