40)与多个制程腔室￠0)沿着主体四周配置。在主体之各侧壁上形成有供基板(W)出入之信道(未图标)，该等信道连接传送腔室(50)与加载互锁腔室(40)或制程腔室出0)。在各信道中，提供对信道进行开闭而使内部密闭的门(未图示)。在传送腔室
(50)之内部空间，配置有向加载互锁腔室(40)与制程腔室(60)之间移送基板(W)之第二移送机器人(53)。第二移送机器人(53)将在加载互锁腔室(40)备用的未处理基板(W)移送至制程腔室(60)，或将完成制程处理之基板(W)移送至加载互锁腔室(40)。而且，为向多个制程腔室￠0)依次提供基板(W)，向制程腔室￠0)之间移送基板(W)。如图1所示，当传送腔室(50)具有五边形主体时，在与设备前端模块(20)邻接之侧壁处，分别配置有加载互锁腔室(40)，在其余侧壁连续配置有制程腔室出0)。传送腔室(50)不仅为上述形状，亦可根据要求的制程模块而以多种形态提供。
[0049]制程腔室(60)沿着传送腔室(50)四周配置。制程腔室(60)可提供多个。在各个制程腔室出0)内进行对基板(W)之制程处理。制程腔室￠0)自第二移送机器人(53)接收基板(W)移送以便进行制程处理，再将完成制程处理之基板(W)提供至第二移送机器人(53)。在各个制程腔室￠0)中进行的制程处理可互不相同。制程腔室￠0)执行之制程可为利用基板(W)生产半导体组件或显示面板之制程中的一种制程。例如，制程腔室(60)执行之制程可执行诸如气相沈淀制程、蚀刻制程、清洁制程、显影制程、灰化制程及烘焙制程等的制程之一。以下以制程腔室￠0)包括利用电浆处理基板(W)之制程模块(100)(图3的100)的情形为例进行说明。
[0050]图2为展示基板处理装置之控制关系图。
[0051]如图2所示，基板处理装置(1)受控制部(70)控制。具体而言，移送框架(21)、力口载互锁腔室(40)、传送腔室(50)及制程腔室￠0)之各构成受控制部(70)控制。另外，控制部(70)可藉由移送框架(21)、加载互锁腔室(40)、传送腔室(50)及制程腔室￠0)之各构成的操作相关信号来监控此等构成之操作状态。
[0052]图3为展示能够在图1之制程模块中提供的制程腔室之图。
[0053]如图3所示，制程模块(100)可位于制程腔室(60)中。制程模块(100)利用电浆处理基板(W)。作为一个示例，制程模块(100)可蚀刻基板(W)上之薄膜。薄膜可为多晶硅膜、硅氧化膜以及硅氮化膜等多样种类的膜。另外，薄膜可为自然氧化膜或化学产生的氧化膜。
[0054]制程模块(100)具有外壳(120)、电浆产生室(140)、支撑单元(supportunit, 200)、制程气体供应部(280)以及挡板(500，baffle)。
[0055]外壳(120)提供藉助于电浆而进行基板(W)处理之内部空间(122)。外壳(120)在内部具有上部敞开空间(122)。外壳(120)大致可以圆筒状来提供。在外壳(120)之侧壁提供开口(121)。基板(W)经由开口(121)出入外壳(120)内部。开口(121)藉助于诸如门(未图示)之开闭构件来开闭。在外壳(120)内执行对基板(W)之处理期间，开闭构件封闭开口(121)，当基板(W)搬入外壳(120)内部时/搬出至外部时，使开口(121)敞开。
[0056]在外壳(120)之底部上形成有排气孔(124)。排气孔(124)与排气管线(126)连接。在排气管线(126)上安装有泵(128)。泵(128)将外壳(120)内之压力调节为制程压力。外壳(120)内之残留气体及反应副产物经验排气管线(126)排出外壳(120)外部。此时，外壳(120)内部之停留气体及反应副产物可经由排气板(260)之孔流入排气孔(124)。在外壳(120)之外侧可提供壁面加热器(129)。壁面加热器(129)可以线圈形状提供。选择性地，壁面加热器(129)可在制程腔室￠0)之外壁内部提供。
[0057]电浆产生室(140)提供自制程气体产生电浆之空间(149)。电浆产生室(140)位于外壳(120)的外部。根据一个示例，电浆产生室(140)位于外壳(120)之上部，结合于外壳(120)。电浆产生室(140)具有气体埠(142)、放电室(144)以及扩散室(146)。气体埠(142)、放电室(144)以及扩散室(146)按自上而下之方向依次提供。气体埠(142)自外部接受供应气体。放电室(144)具有中空圆筒状。当自上部观察时，放电室(144)内之空间(149)提供成比外壳(120)内之空间(121)窄。在放电室(144)内，自气体产生电浆。扩散室(146)将在放电室(144)产生的电浆供应至外壳(120)。扩散室(146)内之空间具有愈向下愈逐渐变宽之部分。扩散室(146)之下端与外壳(120)之上端结合，在其之间，提供密封构件(未图示)来与外部密闭。
[0058]制程腔室(60)以导电性材料提供。制程腔室(60)可藉由接地线(123)接地。夕卜壳(120)与电衆产生室(140)可均以导电性材料提供。作为一个不例，外壳(120)及电衆产生室(140)可以铝材料提供。选择性地，制程腔室￠0)可由金属材料与非金属材料一同构成。作为一个示例，金属材料可为铝(A1)，非金属材料可为氧化铝(A1203)。
[0059]支撑单元(200)支撑基板(W)。支撑单元(200)具有支撑板(220)及支撑轴(240)。支撑板(220)位于空间(121)内，以圆板状提供。支撑板(220)由支撑轴(240)支撑。基板(W)置放于支撑板(220)之顶部。在支撑板(220)内部提供电极(未图示)，基板(W)可藉助于静电力而固定于支撑板(220)。选择性地，基板(W)可藉助于机械式夹具而固定于支撑板(220)，或无需另外的固定构件而置放于支撑板(220)上。在支撑板(220)内部，可提供加热构件(222)。根据一个示例，加热构件(222)可以热管线提供。另外，在支撑板(220)内部，可提供冷却构件(224)。冷却构件(224)可以供冷却水流动之冷却管线提供。加热构件(222)将基板(W)加热至预先设置的温度，冷却构件(224)使基板(W)强制冷却。选择性地，在制程模块(100)中，可不提供加热构件(222)或冷却构件(224)。在支撑单元(200)中，可形成有顶起孔(未图示)。在顶起孔中，分别提供顶销(未图示)。顶销在基板(W)加载于支撑单元(200)上或卸除时，沿着顶起孔升降。
[0060]另外，外壳(120)包括排气板(260)。作为一个示例，排气板(260)可提供来使支撑单元(200)与外壳(120)之内侧面连接。与之不同，排气板(260)可提供来使外壳(120)之内侧面与顶销(未图示)连接。排气板(260)包括孔。排气板(260)可将外壳(120)内残留的气体及反应副产物等经由排气孔(124)排出。选择性地，外壳(120)可不包括排气板(260)。
[0061]制程气体供应部(280)具有气体供应单元(300，gas supply unit)及电衆源(400, plasma source)。制程气体供应部(280)将电衆状态的制程气体供应至制程模块
(100)内部。
[0062]气体供应单元(300)具有第一气体供应构件(320)及第二气体供应构件(340)。
[0063]第一气体供应构件(320)具有第一气体供应管线(322)及第一气体储存部(324)。第一气体供应管线(322)结合于气体埠(142)。经由气体埠(142)供应的第一气体流入放电室(144)，在放电室(144)中激发成电浆。第一气体可包括二氟甲烷(CH2F2, Difluoromethane)、氮气(N2)及氧气(02)。选择性地,第一气体亦可包括四氟化碳(CF4, Tetrafluoromethane)等其他种类之气体。
[0064]第二气体供应构件(340)具有第二气体供应管线(342)及第二气体储存部(344)。第二气体在自第一气体产生的电浆向外壳(