120)流动的路径上供应。作为一个示例，第二气体供应管线(342)在比后述天线(420)更下方的区域结合于放电室(144)。第二源气体可包括三氟化氮(NF3, Nitrogen trifluoride) 0
[0065]因上述结构，第一气体藉助于电力而直接激发成电衆，第二气体藉助于与第一气体的反应而激发成电浆。
[0066]在该示例中，第一气体与第二气体之种类可多样地变更。另外，可无需提供第二气体供应构件(340)而只提供第一气体供应构件(320)。
[0067]电浆源(400)使得在放电室(144)中自第一气体产生电浆。根据一个示例，电浆源(400)可为电感耦合电浆源(400)。电浆源(400)可具有天线(420)及电源(440)。天线(420)在放电室(144)外部提供，提供成以多个圈环绕放电室(144)。天线(420)之一端连接于电源(440)，另一端接地。电源(440)向天线(420)接入电力。根据一个示例，电源(440)可向天线(420)接入高频电力。
[0068]挡板(500)位于外壳(120)与电衆产生室(140)之间。挡板(500)包括挡板孔(522)。挡板(500)在电浆向基板(W)供应时，在外壳(120)内全部区域均匀地保持电浆之密度与流动。电浆可藉由挡板孔(522)供应。挡板(500)接地。根据一个示例，挡板(500)提供成接触制程腔室(60)，可藉由制程腔室￠0)而接地。选择性地，挡板(500)可直接连接于另外的接地线。因此，藉助于挡板(500)，自由基(radical)供应至外壳(120)，离子与电子向外壳(120)内的流入受到阻碍。挡板(500)固定于制程腔室￠0)中。根据一个示例，挡板(500)可结合于电浆产生室(140)之下端。
[0069]图4为比较基板于基板处理装置中之处理过程中需要的总制程时间之曲线图，图5为比较图4之总制程时间中的处理制程时间之曲线图。
[0070]如图4及图5所示，基板(W)在制程腔室￠0)中进行处理，此需要处理制程时间(PT)。另外，在基板(W)自载体(4)搬出后移动至制程腔室￠0)之过程中，依次移动移送框架(21)、加载互锁腔室(40)及传送腔室(50)，此分别需要第一移送制程时间(PT1)、第二移送制程时间(PT2)及第三移送制程时间(PT3)。另外，在基板(W)在制程腔室￠0)中处理后搬入载体(4)之过程中，依次移动传送腔室(50)、加载互锁腔室(40)及移送框架(21)，此需要第四移送制程时间(PT4)、第五移送制程时间(PT5)及第六移送制程时间(PT6)。如上该，基板(W)自载体(4)搬出，在制程腔室￠0)中处理后，再次搬入载体(4)，此需要作为第一移送制程时间(PT1)至第六移送制程时间(PT6)与处理制程时间(PT)之和的总制程时间。
[0071]如图4所示，总制程时间可在各个基板(W)之处理过程中发生偏差。其原因起因于总制程时间中包含的各个制程时间(ΡΤ，PT1，PT2，PT3，PT4，PT5，PT6)之偏差。各个制程时间(PT，PT1，PT2，PT3，PT4，PT5，PT6)之偏差可能起因于在基板处理装置(1)正常操作过程中通常发生的原因。例如，因藉助于机器人(25，53)之基板(W)加载或卸除过程而在基板(W)之制程模块(100)内的布置过程等中所需的时间差，此会发生制程时间(PT, PT1, PT2, PT3, PT4, PT5, PT6)之偏差。
[0072]另外，制程时间(ΡΤ，PT1，PT2，PT3，PT4，PT5，PT6)之偏差可能起因于基板处理装置⑴之操作特性低下。例如，在制程模块(100)中，藉助于电浆之基板(W)处理系在外壳(120)内部达到设置压力后开始。因此，泵(128)对内部空间(122)之气体进行排气，使得内部空间(122)之压力达到设置压力。若泵(128)发生问题，则内部空间(122)之减压时间会增加。作为一个示例，若泵(128)之输出因泵(128)的老化或破损而下降，则将内部空间(122)减压至设置压力所需的时间增加。而且，减压时间之增加使处理制程时间(PT)增加。
[0073]另外，在制程模块(100)中，藉助于电浆之基板(W)处理可在支撑板(220)或基板(W)藉助于加热构件(222)而保持在既定温度范围之状态下执行。因此，当加热构件(222)因老化或破损而操作故障时，支撑板(220)或基板(W)达到既定温度范围之时间会变更。另夕卜，若支撑板(220)或基板(W)未保持在既定温度范围，则藉助于电浆之处理效率低下，因而处理制程时间(PT)会增加。
[0074]另外，在监控内部空间(122)之压力的过程中发生的错误，会引起处理制程时间(PT)之变更。亦即，在内部空间(122)之压力未达到设置压力之状态下，若错误地监控为内部空间(122)之压力达到设置压力并执行处理制程，则处理制程时间(PT)将会缩短。
[0075]另外，当机器人(25，53)发生异常时,藉助于机器人(25，53)之基板(W)加载时间或卸除时间会延长。
[0076]如上所述，因基板处理装置(1)之操作特性低下而导致的制程时间(PT, PT1, PT2, PT3, PT4, PT5, PT6)之偏差，比在基板处理装置(1)正常操作时发生的制程时间(PT, PT1, PT2, PT3, PT4, PT5, PT6)之偏差大。
[0077]图6为展示藉由制程时间来感知基板处理装置异常的过程之流程图。
[0078]如图6 所示，控制部(70)监控制程时间(ΡΤ，PT1, PT2, PT3, PT4, PT5, PT6) (S10)。例如，控制部(70)在基板(W)搬入工序模块(100)后，可藉由使开闭开口(121)之门进行操作的信号，获知制程腔室出0)之操作开始时间。而且，控制部(70)在基板(W)处理完全后，可藉由用于敞开开口(121)的门操作信号，获知制程腔室(60)之操作结束时间。而且，控制部(70)可藉由制程腔室￠0)之操作开始时间及操作结束时间，监控处理制程时间(PT)。作为另一示例，控制部(70)可藉由第一移送机器人(25)之操作开始信号及操作结束信号的时间差，算出第一移送制程时间(PT1)或第六移送制程时间(PT6)。作为又一示例，控制部(70)可藉由第二移送机器人(53)之操作开始信号与操作结束信号的时间差，算出第三移送制程时间(PT3)或第四移送制程时间(PT4)。作为又一示例，控制部(70)可藉由第一移送机器人(25)之操作结束信号与第二移送机器人(53)之操作开始信号的时间差，获知第二移送制程时间(PT2)。作为又一示例，控制部(70)可藉由第二移送机器人(53)之操作结束信号与第一移送机器人(25)之操作开始信号时间差，获知第五移送制程时间(PT5)。另外，制程时间(PT，PT1, PT2, PT3, PT4, PT5, PT6)之开始时间点或结束时间点可根据上述不同的基准而定。以下以制程时间(ΡΤ，PT1，PT2，PT3，PT4，PT5，PT6)中之处理制程时间(PT)为例进行说明。但是，本发明并非限定于此，亦可以相同或类似方法应用于第一移送制程时间(PT1)至第六移送制程时间(PT6)。
[0079]图7为展示另一实施例的制程时间监控方法之图。
[0080]如图7所示，在与制程模块(100)之开口(121)邻近的位置处，可提供传感器(130)。例如，传感器(130)可在外壳(120)之外壁、与制程腔室￠0)邻接之传送腔室之内壁等处提供。传感器(130)感知第二移送机器人(53)是否将基板(W)搬入制程腔室(60)，或自制程腔室￠0)搬出。例如，传感器(130)以近接传感器(130)提供，可藉由第二移送机器人(53)经过与制程腔室(60)隔开既定距离的位置之时间点而感知基板(W)之搬入或搬出。控制部(70)可藉由自传感器(130)接收的信号，算出处理制程时间(PT)。
[0081]之后，控制部(70)比较制程时间(ΡΤ，PT1，PT2，PT3，PT4，PT5，PT6)与标准时间(S