半导体发光元件的制作方法
【专利说明】半导体发光元件
[0001]相关申请的交叉引证
[0002]本申请基于2014年8月21日提交的日本专利申请号2014-168803并且要求其优先权；其全部内容并入作为参考。
技术领域
[0003]此处描述的实施例通常涉及半导体发光元件。
【背景技术】
[0004]期望增大半导体发光元件例如发光二极管(LEDs)等的效率。
【附图说明】
[0005]图1是示出根据第一实施例的半导体发光元件的示意性截面图；
[0006]图2是示出根据第一实施例的半导体发光元件的示意性透视平面图；
[0007]图3是示出根据参考示例的半导体发光元件的示意性截面图；
[0008]图4是示出根据第二实施例的半导体发光元件的示意性截面图；并且
[0009]图5A-5E是以工艺顺序示出用于制造根据所述实施例的半导体发光元件的方法的示意性截面图。
【具体实施方式】
[0010]根据一个实施例，半导体发光元件包括基体、第一导电类型的第一半导体层、第二导电类型的第二半导体层、第一发光层、第一导电层、第一导电类型的第三半导体层、第二导电类型的第四半导体层、第二发光层、第二导电层、第一部件和第二部件。第一半导体层沿第一方向与所述基体分离，第一半导体层包括第一区域和第二区域，第二区域沿与第一方向相交的方向与第一区域一起设置。第二半导体层设置在基体与第一区域之间。第一发光层设置在第一区域与第二半导体层之间。第一导电层设置在基体与第二区域之间并且电连接于第二区域。第三半导体层沿第一方向与基体分离。第三半导体层包括第三区域和第四区域，第四区域沿与第一方向相交的方向与第三区域一起设置。第四半导体层设置在基体与第三区域之间。第二发光层设置在第三区域与第四半导体层之间。第二导电层设置在基体与第四半导体层之间并且电连接于第四半导体层。第一部件包括第一端部和第二端部。第一端部定位在基体与第一导电层之间并且电连接于第一导电层，第二端部不与第二导电层重叠。第二部件包括第三端部和第四端部。第三端部定位在基体与第二导电层之间并且电连接于第二导电层。第四端部电连接于第二端部。
[0011 ] 下面参照附图描述本发明的各种实施例。
[0012]附图是示意性的或概念上的；厚度部分与宽度部分之间的关系、部分之间尺寸的比例等不一定与其实际值相同。此外，尺寸和/或比例在各个附图中可能不同，甚至示出相同部分时亦如此。
[0013]在本申请的附图和说明书中，类似于上述附图的组件用相同的附图标记表示，并且若适宜则省略对其的详述。
[0014]第一实施例
[0015]图1是示出根据第一实施例的半导体发光元件的示意性截面图。
[0016]图2是示出根据第一实施例的半导体发光元件的示意性透视平面图。
[0017]为了更容易观察附图，图1的截面图所示的某些组件在图2的透视平面图中未示出。
[0018]如图1所示，根据该实施例的半导体发光元件110包括基体50、第一半导体层10a、第二半导体层20a、第一发光层30a、第三半导体层10b、第四半导体层20b、第二发光层30b、第一导电层el、第二导电层e2、第一元件间配线(第一部件)11和第二元件间配线(第二部件)12。
[0019]如图2所示，半导体发光元件110包括例如第一至第九堆叠主体100a-100i作为九个堆叠主体。图1的示例示出第一堆叠主体100a与第二堆叠主体100b之间的配线构造的截面。其它堆叠主体之间的配线构造是类似的。
[0020]第一堆叠主体100a包括第一半导体层10a、第二半导体层20a和第一发光层30a。第二堆叠主体100b包括第三半导体层10b、第四半导体层20b和第二发光层30b。在第一堆叠主体100a与第二堆叠主体100b之间设置分离沟槽90。
[0021]第一半导体层10a沿第一方向与基体50分离。第一方向例如是Z-轴方向。第一半导体层10a包括第一区域rl和第二区域r2。第二区域r2沿与Z-轴方向相交的方向(例如X-轴方向)与第一区域rl 一起设置。第一半导体层10a具有第一导电类型。
[0022]第二半导体层20a设置在基体50与第一区域rl之间。第二半导体层20a具有第二导电类型。例如，第一导电类型是η型。第二导电类型是ρ型。第一导电类型可以是ρ型；并且第二导电类型可以是η型。下面，描述第一导电类型是η型并且第二导电类型是ρ型的情形。
[0023]第一发光层30a设置在第一区域rl与第二半导体层20a之间。
[0024]第一导电层el设置在基体50与第二区域r2之间。第一导电层el电连接于第二区域r2。第一导电层el例如是η侧电极。
[0025]第三半导体层10b沿Z-轴方向与基体50分离。第三半导体层10b包括第三区域r3和第四区域r4。第四区域r4沿X-轴方向与第三区域r3—起设置。第三半导体层10b具有第一导电类型。
[0026]第四半导体层20b设置在基体50与第三区域r3之间。第四半导体层20b具有第二导电类型。
[0027]第二发光层30b设置在第三区域r3与第四半导体层20b之间。
[0028]上述每个半导体层包括例如氮化物半导体。
[0029]第二导电层e2设置在基体50与第四半导体层20b之间。第二导电层e2电连接于第四半导体层20b。第二导电层e2例如是ρ侧电极。
[0030]第一元件间配线11包括第一端部edl和第二端部ed2。第一端部edl定位在基体50与第一导电层el之间。第一端部edl电连接于第一导电层el。第二端部ed2不与第二导电层e2重叠。
[0031]第二元件间配线12包括第三端部ed3和第四端部ed4。第三端部ed3定位在基体50与第二导电层e2之间。第三端部ed3电连接于第二导电层e2。第四端部ed4电连接于第二端部ed2。例如，第二元件间配线12可通过延伸保护性金属层而与保护性金属层(也称为阻挡层金属)形成为一个主体。
[0032]在本申请的说明书中，“电连接的状态”包括其中多个导体直接接触的状态。“电连接的状态”包括其中电流在多个导体之间流动的状态，其中在所述多个导体之间配置有其它导体。
[0033]绝缘层60也设置在半导体发光元件110内。绝缘层60设置在基体50与第一元件间配线11之间以及基体50与第二元件间配线12之间。
[0034]金属层40也设置在半导体发光元件110内。金属层40设置在基体50与绝缘层60之间。
[0035]根据图1所示的实施例，η侧上的第一元件间配线11包括第一端部edl和第二端部ed2 ;并且第二端部ed2不与ρ侧上的第二导电层e2重叠。ρ侧上的第二元件间配线12包括第三端部ed3和第四端部ed4 ;并且第四端部ed4电连接于第二端部ed2。
[0036]例如，η侧上第一元件间配线11与ρ侧上第二元件间配线12的重叠部分不与ρ侧上的第二导电层e2重叠。例如，第一元件间配线11与第二元件间配线12的重叠部分沿Z-轴方向与分离沟槽90重叠。第一元件间配线11和第二元件间配线12的重叠部分沿X-轴方向的宽度例如不小于2 μ m并且不大于30 μπι。
[0037]在所述实施例中，由于第二端部ed2不与ρ侧上的第二导电层e2重叠，所以第二端部ed2的Z-轴方向位置与第三端部ed3的Z-轴方向位置之间的差能被设定为很小。换句话说，高度差很小。绝缘层60粘合于金属层40。由于在所述实施例中高度差能够很小，因此绝缘层60的粘合表面能是平坦的，即使在绝缘层60较薄的情形下也如此。因此，当粘合时施加的应力减少；并且能抑制元件的损坏。藉此，能增大生产率。如果将绝缘层60制造的更厚以减少高度差，则散热量降低。在所述实施例中，由于即使在绝缘层60被设定为较薄时也能抑制元件的损坏，因此获得了良好的散热量。因此，可增加效率。
[0038]第一元件间配线11电连接于第一导电层el。第一元件间配线11具有第一厚度tl。第二元件间配线12电连接于第二导电层e2。第二元件间配线12具有第二厚度t2。优选第一厚度tl厚于第二厚度t2。也就是说，第二元件间配线12的第二厚度t2被设定为比第一元件间配线11的第一厚度tl更薄。第一厚度tl例如不小于0.2 μπι并且不大于
3.Ομ??。第二厚度t2例如不小于0.Ιμ??并且不大于2.Ομ??。藉此，元件厚度的增加可被进一步有效地抑制。
[0039]图3是示出根据参考示例的半导体发光元件的示意性截面图。
[0040]在根据参考示例的半导体发光元件199中，第一元件间配线11延伸至ρ侧上的第二导电层e2。换句话说，根