阴极。此处，可将有机层形成为具有空穴传输层/有机发射层/电子传输层的结构或者空穴注入层/空穴传输层/有机发射层/电子传输层/电子注入层的结构。而且，有机层可进一步包括用于增强有机发射层发射效率和/或使用寿命的功能层。可通过沿着栅极线组GLG或者数据线DL的长度方向的像素行或像素列形成阴极，或者该阴极可连接到第二驱动电源线PL2，该第二驱动电源线PL2可被形成为共同连接到全部多个像素P。根据驱动晶体管Tdr的驱动，通过自第一驱动电源线PLl流到第二驱动电源线PL2的电流，有机发光二极管OLED发光。
[0051]通过提供至扫描控制线CLl的扫描控制信号CSl导通第一开关晶体管Tswl，和可将被提供至数据线DL的数据电压Vdata提供至第一节点nl。为此，第一开关晶体管Tswl可包括连接到扫描控制线CLl的栅极、连接到数据线DL的第一电极,和连接到第一节点nl的第二电极。此处，根据电流方向，第一开关晶体管Tswl的第一和第二电极中的每一个可以是源极或者漏极。
[0052]通过提供至初始控制线CL2的初始控制信号导通第二开关晶体管Tsw2，且该第二开关晶体管Tsw2可将提供至初始电压线IL的初始电压Vinit提供至第二节点n2，该第二节点n2可以是驱动晶体管Tdr的栅极。为此，第二开关晶体管Tsw2可包括连接到初始控制线CL2的栅极，连接到初始电压线IL的第一电极，和连接到第二节点n2的第二电极。此处，根据电流方向，第二开关晶体管Tsw2的第一和第二电极中的每一个都可以是源极或者漏极。
[0053]通过提供至第一感测控制线CL3的第一感测控制信号SCSI导通第三开关晶体管Tsw3，和连接参考线RL至第三节点n3，该第三节点n3可以是驱动晶体管Tdr的源极。为此，第三开关晶体管Tsw3可包括连接到第一感测控制线CL3的栅极、连接到参考线RL的第一电极、和连接到第三节点n3的第二电极。此处，根据电流方向，第三开关晶体管Tsw3的第一和第二电极中的每一个可以是源极或漏极。
[0054]第四开关晶体管Tsw4可通过提供至第二感测控制线CL4的第二感测控制信号SCS2导通，且可将第一节点nl连接至第三节点n3，该第三节点n3可以是驱动晶体管Tdr的源极。为此，第四开关晶体管Tsw4可包括连接到第二感测控制线CL4的栅极，连接到第一节点nl的第一电极,和连接到第三节点n3的第二电极。此处，根据电流方向，第四开关晶体管Tsw4的第一和第二电极中的每一个都可以是源极或漏极。
[0055]第一电容Cl可连接在第一和第二节点nl和n2之间，且可根据第一至第四开关晶体管Tswl至Tsw4的开关，存储驱动晶体管Tdr的栅极-源极电压(S卩，阈值电压(Vth))。为此，第一电容Cl的第一电极可连接到第一节点nl，和第一电容Cl的第二电极可连接到第二节点n2。
[0056]第二电容C2可连接在第一和第三节点nl和n3之间，可存储经由第一开关晶体管Tswl提供的数据电压Vdata，且可通过所存储的电压驱动驱动晶体管Tdr。为此，第二电容C2的第一电极可连接至第一节点nl,且第二电容C2的第二电极可连接至第三节点n3。
[0057]第三电容C3可连接在第二和第三节点n3和n3之间，可根据第一至第四开关晶体管Tswl至Tsw4的开关存储驱动晶体管Tdr的栅极-源极电压，并且可通过所存储的电压驱动驱动晶体管Tdr。为此，第三电容C3的第一电极可连接到第二节点n2，和第三电容C3的第二电极可连接至第三节点n3。在一些实施例中，可省略第三电容C3，和第三电容C3可以是驱动晶体管Tdr的栅极和源极之间的寄生电容。驱动晶体管Tdr可连接在有机发光二极管OLED的第一驱动电源线PLl和阳极之间。可通过分别存储在第一和第二电容Cl和C2中的电压，或者分别存储在第一至第三电容Cl至C3中的电压驱动驱动晶体管Tdr，且该驱动晶体管Tdr可控制从第一驱动电源线PLl流入到有机发光二极管OLED的电流。
[0058]像素P可在一模式下操作，该模式选自显示模式、正常补偿模式、放大补偿模式和外部感测模式。
[0059]可将显示模式限定为一方法，该方法通过输入数据驱动像素P，而不补偿驱动晶体管Tdr的阈值电压。
[0060]正常补偿模式可限定为内部补偿方法，该方法利用初始电压Vinit和参考电压Vref之间的差值电压“Vinit-Vref ”驱动驱动晶体管Tdr，采样驱动晶体管Tdr的阈值电压，将采样的电压存储在第一电容Cl中，以及利用存储在第一电容Cl中的电压补偿驱动晶体管Tdr的阈值电压。
[0061 ] 放大补偿模式可限定为内部补偿方法，该方法通过用于采样的数据电压和初始电压Vinit驱动驱动晶体管Tdr，采样驱动晶体管Tdr的阈值电压，将采样的电压存储在第一电容Cl中，并通过存储在第一电容Cl中的电压补偿驱动晶体管Tdr的阈值电压。
[0062]外部感测模式可限定为外部补偿方法，该方法经由参考线RL感测驱动晶体管Tdr的阈值电压以产生感测数据，并通过感测数据校正输入的数据以补偿驱动晶体管Tdr的阈值电压。
[0063]正常补偿模式，放大补偿模式和外部感测模式可以是在每一设置周期(或时间)、或者在每一垂直空白间隔，根据用户设置在至少一条水平线的单元内执行感测的方法，并且可在多个帧期间执行，或者在有机发光显示器件每一电源导通周期、有机发光显示器件的电源关断周期、设置驱动时间之后的电源导通周期，或者设置驱动时间之后的电源关断周期，对于至少一帧内的所有水平线顺序执行。此处，可将垂直空白间隔(vertical blankinterval)设置成在前一帧的最后数据使能信号和当前帧的第一数据使能信号之间的周期内与垂直同步信号的空白间隔重叠。
[0064]图3A和3B是用于描述图2中示出的像素P在显示模式中的驱动方法的图。
[0065]下文将参考图3A和3B描述根据本发明的实施例在显示模式下驱动像素P的方法。在显示模式下，可在数据寻址周期tl和发光周期t2中驱动像素P。
[0066]第一，如图3A中所示，在数据寻址周期tl中，可通过栅极导通电压Von的扫描控制信号CSl导通第一开关晶体管Tswl，通过栅极导通电压Von的第一感测控制信号SCSI导通第三开关晶体管Tsw3，可通过栅极关断电压Voff的初始控制信号CS2关断第二开关晶体管Tsw2，和可通过栅极关断电压Voff的第二感测控制信号SCS2关断第四开关晶体管Tsw40可将数据电压Vdata提供至数据线DL。此处，在下文所述的正常补偿模式或者放大补偿模式下，可将驱动晶体管Tdr的阈值电压(Vth)存储在第一电容Cl中。
[0067]因此，在数据寻址周期tl中，根据第三开关晶体管Tsw3的导通，通过提供至第三节点n3的参考电压Vref，有机发光二极管OLED不发光。而且，当第三开关晶体管Tsw3导通和之后第一开关晶体管Tswl导通时，提供至数据线DL的数据电压Vdata可提供至第一节点nl。由此，数据电压Vdata可充入第二电容C2，且第二节点n2的电压增加了与第一节点nl的电压相对应的数据电压Vdata。
[0068]结果，在数据寻址周期tl中，在数据电压Vdata和参考电压Vref之间的差值电压“Vdata-Vref ”可存储在第二电容C2中。通过第一节点nl的电压位移(voltage shift),其中存储了驱动晶体管Tdr的阈值电压第一电容Cl的电压会增加。
[0069]随后，如图3B中所示，在发光周期t2中，第二和第四开关晶体管Tsw2和Tsw4可保持关断状态，第一开关晶体管Tswl可通过栅极关断电压Voff的扫描控制信号CSl关断，且第三开关晶体管Tsw3可通过栅极关断电压Voff的第一感测控制信号SCSI关断。
[0070]因此，当第一和第三开关晶体管Tswl和Tsw3关断时，电流可在驱动晶体管Tdr中流动，和有机发光二极管OLED可开始与该电流成比例地发光。因此，第三节点n3的电压增力口，且第一和第二节点nl和n2的电压增加第三节点n3增加的电压。因此，可通过第二电容C2的电压连续保持驱动晶体管Tdr的栅极-源极电压(Vgs)，且由此，有机发光二极管OLED发光。可保持自有机发光二极管OLED发光直到下一个寻址周期tl。
[0071]在下述的外部感测模式下驱动基于显示模式的像素P。这种情况下，如图3C中所示，根据本发明实施例基于显示模式的驱动像素P的方法可进一步包括初始化周期to，在数据寻址周期tl之前可执行该周期。
[0072]在初始化周期t0中，通过栅极关断电压Voff的扫描控制信号CSl可关断第一开关晶体管Tswl，通过栅极导通电压Von的初始控制信号CS2可导通第二开关晶体管Tsw2，通过栅极导通电压Von的第一感测控制信号SCSI可导通第三开关晶体管Tsw3，和通过栅极导通电压Von的第二感测控制信号SCS2可导通第四开关晶体管Tsw4。因此，在初始化周期tO中，可将第一和第三节点nl和n3初始化为参考电压Vref，和将第二节点n2初始化为初始电压Vinit。
[0073]参考电压Vref和初始电压Vinit可以是被设置成用于采样驱动晶体管Tdr的阈值电压(Vth)的电压，且根据驱动晶体管Tdr的阈值电压，可具有相同电压电平或不同电压电平。例如，当驱动晶体管Tdr具有负的阈值电压时，可将参考电压Vref和初始电压Vinit设置成相同电压电平，或者可将初始电压Vinit设置成比参考电压Vre低。作为另一实例，当驱动晶体管Tdr具有正的阈值电压时，初始电压Vinit可设置成等于驱动晶体管Tdr的正阈值电压的高电压。
[0074]在驱动像素P的方法的数据寻址周期tl中(这里该方法也包括初始化周期tO)，提供至数据线DL的数据电压Vdata可包括补偿电压。在外部感测模式下计算补偿电压一，例如，补偿电压可用于补偿驱动晶体管Tdr的阈值电压和迁移率。
[0075]图4A至4D是用于描述图2中所示的用于像素P的正常补偿模式下驱动方法的图。
[0076]下文将参考图4A至4D描述根据本发明的实施例基于正常补偿模式的像素P的驱动方法。在正常补偿模式下，可在初始化周期tl、采样周期t2、数据寻址周期t3，和发射周期t4期间驱动像素P。
[0077]首先，如图4A中所示，在初始化周期tl中，第一开关晶体管Tswl可通过栅极关断电压Voff的扫描控制信号CSl关断，第二开关晶体管Tsw2可通过栅极导通电压Von的初始控制信号CS2导通，第三开关晶体管Tsw3可通过栅极导通电压Von的第一感测控制信号SCSI导通，以及第四开关晶体管Tsw4可通过栅极导通电压Von的第二感测控制信号SCS2导通。
[0078]因此，在初始化周期tl中，可将第一和第三节点nl和n3初始化为参考电压Vref，和可将第二节点n2初始化成初始电压Vinit。初始化周期tl可与显示模式的初始化周期相同。
[0079]随后，如图4B中所示，在采样周期t2中，第一开关晶体管Tswl可保持关断状态，第二和第四开关晶体管Tsw2和Tsw4可保持导通状态，和通过栅极关断电压Voff的第一感测控制信号SCSI关断第三开关晶体管Tsw3。
[0080]因此，在采样周期t2中，第三开关晶体管Tsw3可关断，且由此，可通过接收初始电压Vinit的第二节点n2和第三节点n3之间的差值电压“Vinit_Vref ”导通驱动晶体管Tdr。由于在导通驱动晶体管Tdr中流动的电流，导致第三节点n3的电压增加直到等于驱动晶体管Tdr的阈值电压(Vth)的电荷被充电到第三