电容C3中。
[0081]因此，在采样周期t2中，第三节点n3的电压可以是驱动晶体管Tdr的初始电压Vinit和阈值电压(Vth)之间的差值电压“Vinit-Vth”，和由于可保持导通状态的第四开关晶体管Tsw4，导致第一节点nl的电压可等于第三节点n3的电压。因此，仅将驱动晶体管Tdr的阈值电压(Vth)存储在第一电容Cl中，该阈值电压可以是被描述为第一节点nl的电压“Vinit-Vth”和第二节点n2的电压Vinit之间的“Vint1-Vth-Vinti”的差值电压。如上所述，在采样周期t2期间可存储在第一电容Cl中的驱动晶体管Tdr的阈值电压(Vth)持续保持，直到可在至少一帧之后执行的正常补偿模式的初始化周期tl。
[0082]随后，如图4C中所示，在数据寻址周期t3中，可通过栅极关断电压Voff的初始控制信号CS2关断第二开关晶体管Tsw2，且同时地，通过栅极关断电压Voff的第二感测控制信号SCS2关断第四开关晶体管Tsw4。通过栅极电压Von的第一感测控制信号SCSI导通第三开关晶体管Tsw3，和通过栅极导通电压Von的扫描控制信号CSl导通第一开关晶体管Tswl。可将数据电压Vdata提供至数据线DL。
[0083]因此，在数据寻址周期t3中，根据第三开关晶体管Tsw3的导通，通过被提供到第三节点n3的参考电压Vref，有机发光二极管OLED不发光。而且，当第三开关晶体管Tsw3可导通和之后，第一开关晶体管Tswl导通时，提供到数据线DL的数据电压Vdata被提供至第一节点nl。由此，可将数据电压Vdata充电到第二电容C2，和根据第一节点nl的电压第二节点n2的电压增加数据电压Vdata。
[0084]结果，在数据寻址周期t3中，在数据电压Vdata和参考电压Vref之间的差值电压“Vdata-Vref”可存储在第二电容C2中。驱动晶体管的数据电压Vdata和驱动电压(Vth)的总和电压“Vdata+Vth”(可在采样周期t2中对其进行存储)可存储在第一电容Cl中。
[0085]随后，如图4D中所示，在发光周期t4中，第二和第四开关晶体管Tsw2和Tsw4可保持关断状态，第一开关晶体管Tswl可通过栅极关断电压Voff的扫描控制信号CSl关断，以及第三开关晶体管Tsw3可通过栅极关断电压Voff的第一感测控制信号SCSI关断。
[0086]因此，当第一和第三开关晶体管Tswl和Tsw3关断时，电流可在驱动晶体管Tdr中流动，和有机发光二极管OLED可开始与电流成比例地发光。因此，第三节点n3的电压增加，和第一和第二节点nl和n2的电压增加第三节点n3的增加电压。因此，通过第二电容C2的电压可持续保持驱动晶体管Tdr的栅极-源极电压(Vgs)，且由此，有机发光二极管OLED发光。
[0087]图5A至5F是描述在放大补偿模式下用于图2中所示像素P的驱动方法的图。
[0088]下文将参考图5A至5F描述根据本发明的实施例基于放大补偿模式的驱动像素P的方法。在放大补偿模式中，可在初始化周期tl、采样周期t2、数据寻址周期t3和发光周期t4中驱动像素P。此处，采样周期t2可包括第一至第三子采样周期t2-l、t2-2和t2-3。
[0089]首先，如图5A中所示，在初始化周期tl中，通过栅极关断电压Voff的扫描控制信号CSl关断第一开关晶体管Tswl，通过栅极导通电压Von的初始控制信号CS2导通第二开关晶体管Tsw2，通过栅极导通电压Von的第一感测控制信号SCSI导通第三开关晶体管Tsw3，和通过栅极导通电压Von的第二感测控制信号SCS2导通第四开关晶体管Tsw4。因此，在初始化周期tl中，第一和第三节点nl和n3可被初始化为参考电压Vref，且第二节点n2可被初始化为初始电压Vinit。
[0090]随后，如图5B中所示，在采样周期t2的第一子采样周期t2_l中，通过栅极导通电压Von的扫描控制信号CSl导通第一开关晶体管Tswl，和第三开关晶体管Tsw3保持导通状态，通过栅极关断电压Voff的初始控制信号CS2关断第二开关晶体管Tsw2，和通过栅极关断电压Voff的第二感测控制信号SCS2关断第四开关晶体管Tsw4。感测数据电压Vdata_sen可提供至数据线DL。因此，在第一子采样周期t2_l中，由于第二和第四开关晶体管Tsw2和Tsw4关断和第一开关晶体管Tswl导通，因此第一节点nl的电压从参考电压Vref位移为感测数据电压Vdata_sen，和根据第一节点nl的电压位移，第二节点n2的电压增加感测数据电压Vdata_sen。因此,感测数据电压Vdata_data和初始电压Vinit与参考电压Vref之间的差值电压“Vinit-Vref”的总和电压“Vdata_sen+Vinit-Vref”被充电到第二和第三电容C2和C3。此时，通过经由第三开关晶体管Tsw3提供至第三节点n3的参考电压Vref，有机发光二极管OLED不发光.
[0091]随后，如图5C中所示，在采样周期t2的第二子采样周期t2_2中，第二和第四开关晶体管Tsw2和Tsw4可保持关断状态，第一开关晶体管Tswl可保持导通状态，和通过栅极关断电压Voff的第一感测控制信号SCSI可关断第三开关晶体管Tsw3。因此，在第二子采样周期t2-2中，由于第三开关晶体管Tsw3可被关断，因此驱动晶体管Tdr可通过提供至第一节点nl的感测数据电压Vdata_sen和第一至第三电容Cl至C3的电压导通。而且，由于在导通的驱动晶体管Tdr中流动的电流，第三节点n3的电压会增加，直到等于驱动晶体管Tdr阈值电压(Vth)的电荷被充入第二和第三电容C2和C3。因此，驱动晶体管Tdr的阈值电压(Vth)可存储在第二和第三电容C2和C3中。
[0092]随后，如图中所示，在采样周期t2的第三子采样周期t2_t3中，第三开关晶体管Tsw3可保持关断状态，通过栅极关断电源Voff的扫描控制信号CSl可关断第一开关晶体管Tswl，通过栅极导通电压Von的初始控制信号CS2可导通第二开关晶体管Tsw2，和通过栅极导通电压Von的第二感测控制信号SCS2可导通第四开关晶体管Tsw4。因此，在第三子采样周期t2-3中，由于第二和第四开关晶体管Tsw2和Tsw4导通，因此第一和第三节点nl和n3经由导通的第四开关晶体管Tsw4彼此连接，且由此，可存储在第二和第三电容C2和C3中的驱动晶体管Tdr的阈值电压(Vth)可被传送到第一电容Cl。因此，可仅将驱动晶体管Tdr的阈值电压(Vth)存储到第一电容Cl中。可持续保持在采样周期t2期间可存储在第一电容Cl中的驱动晶体管Tdr的阈值电压(Vth)直到在至少一帧之后的采样周期t2中更新。
[0093]随后，如图5E中所示，在数据寻址周期t3中，第二开关晶体管Tsw2可通过栅极关断电压Voff的初始控制信号CS2关断，且同时，第四开关晶体管Tsw4可通过栅极关断电压Voff的第二扫描控制信号SCS2关断。通过栅极导通电压Von的第一感测控制信号SCSI可导通第三开关晶体管Tsw3，和通过栅极导通电压Von的扫描控制信号CSl可导通第一开关晶体管Tswl。因此，在数据寻址周期t3中，根据第三开关晶体管Tsw3的导通，通过提供至第三节点n3的参考电压Vref，有机发光二极管OLED不发光。
[0094]而且，当第三开关晶体管Tsw3导通和之后第一开关晶体管Tswl导通时，提供至数据线DL的数据电压Vdata可提供至第一节点nl。由此，可将数据电压Vdata充电到第二电容C2中，和根据第一节点nl的电压，第二节点n2的电压增加数据电压Vdata。结果，在数据寻址周期t3中，数据电压Vdata和参考电压Vref之间的差值电压“Vdata-Vref”可存储在第二电容C2中，驱动晶体管的数据电压Vdata和阈值电压(Vth)的总和电压“Vdata+Vth” (可在采样周期t2中存储)可存储在第一电容Cl中。
[0095]随后，如图5F所示，在发光周期t4中，第二和第四开关晶体管Tsw2和Tsw4可保持关断状态，第一开关晶体管Tswl可通过栅极关断电压Voff的扫描控制信号CSl关断，且第三开关晶体管Tsw3可通过栅极关断电压Voff的第一感测控制信号SCSI关断。因此，当第一和第三晶体管Tswl和Tsw3关断时，电流可在驱动晶体管Tdr中流动，和有机发光二极管OLED可开始与电流成比例地发光。因此，第三节点n3的电压会增加，且第一和第二节点nl和n2的电压增加第三节点n3的增加电压。因此，驱动晶体管Tdr的栅极-源极电压(Vgs)可通过第二电容C2的电压而持续保持，且由此，有机发光二极管OLED发光。
[0096]图6A至6F是用于描述用于图2中所示像素P的外部感测模式下的驱动方法的图。
[0097]下文将参考图6A至6F描述根据本发明实施例基于外部感测模式驱动像素P的方法。在外部感测模式下，可在初始化周期tl和第一感测周期t2期间驱动像素P。此处，第一感测周期t2可包括浮置周期t2-l和阈值电压感测周期t2-2。
[0098]首先，如图6A中所示，在初始化周期tl中，可通过栅极关断电压Voff的扫描控制信号CSl关断第一开关晶体管Tswl，可通过栅极导通电压Von的初始控制信号CS2导通第二开关晶体管Tsw2，通过栅极导通电压Von的第一感测控制信号SCSI导通第三开关晶体管Tsw3，和通过栅极导通电压Von的第二感测控制信号SCS2导通第四开关晶体管Tsw4。
[0099]因此，在初始化周期tl中，可将第一和第三节点nl和n3初始化至参考电压Vref，和可将第二节点n2初始化为初始电压Vinit。
[0100]随后，如图6B中所示，在第一感测周期t2的浮置周期t2-l中，可通过栅极导通电压Von的扫描控制信号CSl导通第一开关晶体管Tswl，第三开关晶体管Tsw3保持导通状态，通过栅极关断电压Voff的初始控制信号CS2关断第二开关晶体管Tsw2，和通过栅极关断电压Voff的第二感测控制信号SCS2关断第四开关晶体管Tsw4。感测数据电压Vdata_sen可提供至数据线DL，该感测数据电压Vdata_sen可以是在源极跟随模式下用于驱动驱动晶体管Tdr的偏置电压。参考线RF可变为浮置状态。
[0101]因此，在浮置周期t2-l中，由于第二和第四开关晶体管Tsw2和Tsw4关断和第一开关晶体管Tswl可导通，因此第一节点nl的电压可位移成感测数据电压Vdata_sen，和可由对应于第一节点nl的电压位移的电压位移第二节点n2的电压，从而在源极跟随模式下驱动驱动晶体管Tdr。因此，第三节点n3的电压会增加驱动晶体管Tdr的阈值电压(Vth)和感测数据电压Vdata_sen之间的差值电压“Vdata_sen_Vth”，且只有驱动晶体管Tdr的阈值电压(Vth)存储在第二电容C2中，该阈值电压可以是感测数据电压Vdata_sen和第三节点 n3 的电压“Vdata_sen_Vth” 之间的差值电压“Vdata_sen-Vdata_Vth”。
[0102]随后，如图6C中所示，在第一感测周期t2的阈值电压感测周期t2_2中，第一和第三开关晶体管Tswl和Tsw3可保持导通状态，和第二和第四开关晶体管Tsw2和Tsw4可保持关断状态。而且，当感测数据电压Vdata_sen被持续提供到数据线DL时，将参考线RL连接到感测单元(未示出)的模数转换器(ADC,未示出)。
[0103]因此，在阈值电压感测周期t2_2中，由于驱动晶体管Tdr在源极跟随模式下操作，因此可将对应于在驱动晶体管Td