可高于第二电压，像素的与高像素电极PE1对应的部分可作 为高像素被驱动，像素的与低像素电极PE2对应的另一部分可作为低像素被驱动。
[0062] 第一存储线Cstl在第一方向D1上延伸。第一存储线Cstl与高像素电极PE1叠 置。第一存储线Cstl可与栅极线GL由同一层来形成。因此，第一存储线Cstl可与栅极 线GL设置在同一层上。第一存储线Cstl可具有包括铜（Cu)、银（Ag)、铬（Cr)、钼（Mo)、铝 (A1)、钛（Ti)、锰（Μη)以及它们的混合物的单层结构。另外，第一存储线Cstl可具有多层 结构，所述多层结构具有包括彼此不同的材料的多个层。例如，第一存储线Cstl可包括铜 层及设置在铜层上和/或设置在铜层下方的钛层。
[0063] 第二存储线Cst2可与数据线DL由同一层形成。因此，第二存储线Cst2可与数据 线DL设置在同一层上。第二存储线Cst2可具有包括铜（Cu)、银（Ag)、铬（Cr)、钼（Mo)、铝 (A1)、钛（Ti)、锰（Μη)以及它们的混合物的单层结构。另外，第二存储线Cst2可具有多层 结构，所述多层结构具有包括彼此不同的材料的多个层。例如，第二存储线Cst2可包括铜 层及设置在铜层上和/或设置在铜层下方的钛层。第二存储线Cst2电连接到第三开关元 件SW3的第三源电极SE3。
[0064] 第二绝缘层120形成在第一数据线DL1和第二存储线Cst2上。第二绝缘层120 可包括诸如氧化硅（SiO x)和/或氮化硅（SiNx)的无机材料。例如，第二绝缘层120包括氧 化硅（SiOx)并且可具有大约5〇UA的厚度。另外，第二绝缘层120可包括具有彼此不同的 材料的多个层。
[0065] 有机层130形成在第二绝缘层120上。有机层130可使显示基板的上表面平坦化， 从而可防止由于台阶而导致的诸如信号线的断开之类的问题。有机层130可以是包括有机 材料的绝缘层。例如，有机层130可以是滤色器层。
[0066] 像素电极形成在有机层130上。像素电极可包括高像素电极PE1和低像素电极 PE2〇
[0067] 高像素电极PE1和低像素电极PE2可包括诸如氧化铟锡（ΙΤ0)、氧化铟锌（ΙΖ0) 等的透明导电材料。另外，高像素电极PE1和低像素电极PE2可包括钛（Ti)和/或钼钛 (MoTi)〇
[0068] 修复孔形成为穿过有机层130。修复孔可包括第一修复孔RH1和第二修复孔RH2。 第一修复孔RH1设置在第一数据线DL1与栅极线GL交叉的交叉区中。第二修复孔RH2设 置在第二数据线DL2与栅极线GL交叉的交叉区中。
[0069] 第一修复孔RH1暴露第一数据线DL1与栅极线GL交叉的交叉区。第一修复孔RH1 的大小可大于第一数据线DL1与栅极线GL交叉的交叉区的大小。
[0070] 第一开关元件SW1包括第一栅电极GE1、第一源电极SE1、第一漏电极DE1和使第 一源电极SE1连接到第一漏电极DEI的第一沟道部Cl。
[0071] 第一沟道部C1可包括由非晶硅（a-Si:H)组成的半导体层和由n+非晶硅 (n+a-Si:H)组成的欧姆接触层。另外，第一沟道部C1可包括氧化物半导体。氧化物半导体 可包括具有从由铟（In)、锌（Zn)、镓（Ga)、锡（Sn)和铪（Hf)组成的组中选择的至少一种的 非晶氧化物。
[0072] 第二开关元件SW2包括第二栅电极GE2、第二源电极SE2、第二漏电极DE2和使第 二源电极SE2连接到第二漏电极DE2的第二沟道部C2。
[0073] 第二沟道部C2可包括由非晶硅（a-Si:H)组成的半导体层和由n+非晶硅 (n+a-Si:H)组成的欧姆接触层。另外，第二沟道部C2可包括氧化物半导体。氧化物半导体 可包括具有从由铟（In)、锌（Zn)、镓（Ga)、锡（Sn)和铪（Hf)组成的组中选择的至少一种的 非晶氧化物。
[0074] 第三开关元件SW3包括第三栅电极GE3、第三源电极SE3、第三漏电极DE3和使第 三源电极SE3连接到第三漏电极DE3的第三沟道部C3。
[0075] 第三沟道部C3可包括由非晶硅（a-Si:H)组成的半导体层和由n+非晶硅 (n+a-Si:H)组成的欧姆接触层。另外，第三沟道部C3可包括氧化物半导体。氧化物半导体 可包括具有从由铟（In)、锌（Zn)、镓（Ga)、锡（Sn)和铪（Hf)组成的组中选择的至少一种的 非晶氧化物。
[0076] 当将滤色器与栅极线和数据线设置在同一下基板上时，滤色器覆盖数据线。因此， 不可能修复数据线。即，由于滤色器覆盖数据线，因此使用激光的切割会失效。另外，由于 修复线不与数据线接触，因此会不能够修复。
[0077] 然而，根据本发明构思的示例性实施例的显示基板包括暴露数据线与栅极线交叉 的交叉区的修复孔。由于修复孔暴露数据线与栅极线交叉的交叉区，因此可以能够修复数 据线。因此，可减少显示基板的缺陷。
[0078] 图4至图8是示出制造图3的显示基板的方法的剖视图。
[0079] 参照图4,在基体基板100上形成栅极金属层，然后可通过使用附加的蚀刻掩模的 光刻工艺或蚀刻工艺部分地蚀刻栅极金属层。因此，形成栅极图案。栅极图案包括第一存 储线Cstl、栅极线GL、第一栅电极GE1、第二栅电极GE2和第三栅电极GE3。
[0080] 基体基板100可包括具有相对尚的透射率、耐热性和耐化学性的材料。例如，基体 基板100可包括从由玻璃、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚丙烯酸酯以及 它们的混合物组成的组中选择的任意一种。
[0081] 栅极图案可包括金属、金属合金、金属氮化物、导电金属氧化物和透明导电材料 等。例如，栅极图案可包括不透明的铜（Cu)。
[0082] 在其上形成有栅极图案的基体基板上设置第一绝缘层110。在栅极图案上设置第 一绝缘层110。第一绝缘层110覆盖第一存储线Cstl、栅极线GL、第一栅电极GE1、第二栅 电极GE2和第三栅电极GE3，并使第一存储线Cst 1、栅极线GL、第一栅电极GE1、第二栅电极 GE2和第三栅电极GE3绝缘。
[0083] 参照图5,在其上形成有第一绝缘层110的基体基板100上形成半导体层和数据金 属层，然后可通过使用附加的蚀刻掩模的光刻工艺或蚀刻工艺部分地蚀刻半导体层和数据 金属层。因此，形成包括第一沟道部C1、第二沟道部C2和第三沟道部C3的沟道层AP和数 据图案。半导体层可包括由非晶娃（a-Si:H)组成的娃半导体层和由n+非晶娃（n+a-Si:H) 组成的欧姆接触层。另外，半导体层可包括氧化物半导体。氧化物半导体可包括具有从由 铟（In)、锌（Zn)、镓（Ga)、锡（Sn)和铪（Hf)组成的组中选择的至少一种的非晶氧化物。
[0084] 数据图案包括第一漏电极DE1、第一源电极SE1、第二源电极SE2、第二漏电极DE2、 第三源电极SE3、第三漏电极DE3、第一数据线DL1和第二数据线DL2。例如，同时图案化半 导体层和金属层，然后去除图案化的金属层的一部分。因此，形成第一源电极SE1和与第一 源电极SE1分隔开的第一漏电极DE1。另外，可通过去除图案化的金属层的一部分来形成第 二源电极SE2和与第二源电极SE2分隔开的第二漏电极DE2。另外，可通过去除图案化的金 属层的一部分来形成第三源电极SE3和与第三源电极SE3分隔开的第三漏电极DE3。
[0085] 在其上形成有数据图案和沟道层AP的基体基板100上形成第二绝缘层120。
[0086] 可根据包括在第二绝缘层120中的成分而通过旋转涂覆工艺、印刷工艺、溅射工 艺、CVD工艺、ALD工艺、PECVD工艺、HDP-CVD工艺或真空蒸镀工艺来形成第二绝缘层120。 在数据图案上设置第二绝缘层120。第二绝缘层120覆盖第一漏电极DE1、第一源电极SE1、 第二源电极SE2、第二漏电极DE2、第三源电极SE3、第三漏电极DE3和第一数据线（参照图 1的DL1)，并使第一漏电极DE1、第一源电极SE1、第二源电极SE2、第二漏电极DE2、第三源 电极SE3、第三漏电极DE3和第一数据线（参照图1的DL1)绝缘。
[0087] 参照图6,在其上形成有第二绝缘层120的基体基板100上形成有机层130。有机 层130可以是滤色器层。在第二绝缘层120上形成光致抗蚀剂，接着使用掩模来曝光光致 抗蚀剂，然后使用显影液来显影光致抗蚀剂。因此，可形成有机层130。
[0088] 在第二绝缘层120上设置有机层130。当有机层130为滤色器层时，滤色器层向 穿过液晶层的光提供颜色。滤色器层可包括红色滤色器层、绿色滤色器层和蓝色滤色器层。 滤色器层与单元像素对应。彼此相邻的滤色器层可具有不同的颜色。滤色器层可在相邻的 单元像素的边界处与相邻的滤色器层叠置。另外，滤色器层可在相邻的单元像素的边界处 与相邻的滤色器层分隔开。
[0089] 参照图7,将有机层130图案化以形成第一修复孔RH1和第一接触孔CNT1。
[0090] 在第一数据线DL1与栅极线GL交叉的交叉区中设置第一修复孔RH1。第一修复 孔RH1暴露第一数据线DL1与栅极线GL交叉的交叉区。第一修复孔RH1的大小可大于第 一数据线DL1与栅极线GL交叉的交叉区的大小。
[0091] 第一接触孔CNT1形成为穿过有机层130和第二绝缘层120。第一接触孔CNT1暴 露第一漏电极DE1的一部分。
[0092] 参照图8,在其上形成有第一修复孔RH1和第一接触孔CNT1的基体基板100上形 成透明电极层140。透明电极层140可包括诸如氧化铟锡（ΙΤ0)、氧化铟锌（ΙΖ0)等的透明 导电材料。另外，透明电极层140可包括钛（Ti)和/或钼钛（MoTi)。
[0093] 参照图3,将透明电极层140图案化以形成高像素电极PE1。
[0094] 高像素电极PE1可包括诸如氧化铟锡（ΙΤ0)、氧化铟锌（ΙΖ0)等的透明导电