形成为穿过有机层1130。修复孔可包括第一修复孔RH1和第二修复孔RH2。 第一修复孔RH1设置在第一数据线DL1与栅极线GL交叉的交叉区中。第二修复孔RH2设 置在第二数据线DL2与栅极线GL交叉的交叉区中。
[0128] 第一修复孔RH1暴露第一数据线DL1与栅极线GL交叉的交叉区。第一修复孔RH1 的大小可大于第一数据线DL1与栅极线GL交叉的交叉区的大小。
[0129] 第一修复电极RE1形成在第一修复孔RH1上。第一修复电极RE1覆盖第一修复孔 RH1。第一修复电极RE1可包括诸如氧化铟锡（ΙΤ0)、氧化铟锌（ΙΖ0)等的透明导电材料。 另外，第一修复电极RE1可包括钛（Ti)和/或钼钛（MoTi)。
[0130] 第一修复电极RE1可包括与高像素电极PE1和低像素电极PE2相同的材料。第一 修复电极RE1可与高像素电极PE1和低像素电极PE2设置在同一层上。
[0131] 第一沟道部C1可包括由非晶硅（a-Si:H)组成的半导体层和由n+非晶硅 (n+a-Si:H)组成的欧姆接触层。另外，第一沟道部C1可包括氧化物半导体。氧化物半导体 可包括具有从由铟（In)、锌（Zn)、镓（Ga)、锡（Sn)和铪（Hf)组成的组中选择的至少一种的 非晶氧化物。
[0132] 第二开关元件SW2包括第二栅电极GE2、第二源电极SE2、第二漏电极DE2和使第 二源电极SE2连接到第二漏电极DE2的第二沟道部C2。
[0133] 第二沟道部C2可包括由非晶硅（a_Si:H)组成的半导体层和由n+非晶硅 (n+a-Si:H)组成的欧姆接触层。另外，第二沟道部C2可包括氧化物半导体。氧化物半导体 可包括具有从由铟（In)、锌（Zn)、镓（Ga)、锡（Sn)和铪（Hf)组成的组中选择的至少一种的 非晶氧化物。
[0134] 第三开关元件SW3包括第三栅电极GE3、第三源电极SE3、第三漏电极DE3和使第 三源电极SE3连接到第三漏电极DE3的第三沟道部C3。
[0135] 第三沟道部C3可包括由非晶硅（a_Si:H)组成的半导体层和由n+非晶硅 (n+a-Si:H)组成的欧姆接触层。另外，第三沟道部C3可包括氧化物半导体。氧化物半导体 可包括具有从由铟（In)、锌（Zn)、镓（Ga)、锡（Sn)和铪（Hf)组成的组中选择的至少一种的 非晶氧化物。
[0136] 当将滤色器与栅极线和数据线设置在同一下基板上时，滤色器覆盖数据线。因此， 不可能修复数据线。即，由于滤色器覆盖数据线，因此使用激光的切割会失效。另外，由于 修复线不与数据线接触，因此会不能够修复。
[0137] 然而，根据本发明构思的示例性实施例的显示基板包括暴露数据线与栅极线交叉 的交叉区的修复孔。由于修复孔暴露数据线与栅极线交叉的交叉区，因此可以能够修复数 据线。因此，可减少显示基板的缺陷。
[0138] 另外，根据本发明构思的示例性实施例的显示基板包括覆盖修复孔的修复电极。 因此，可以能够在不形成修复线的情况下修复其上产生故障的线。例如，将激光束照射到修 复电极上以修复其上产生故障的线。
[0139] 当形成修复线时，修复线形成在其上产生故障的线上。然而，根据本发明构思的示 例性实施例的显示基板包括形成在每个修复孔上的修复电极。
[0140] 图19至图23是示出制造图18的显示基板的方法的剖视图。
[0141] 参照图19,在基体基板1100上形成栅极金属层，然后可通过使用附加的蚀刻掩模 的光刻工艺或蚀刻工艺部分地蚀刻栅极金属层。因此，形成栅极图案。栅极图案包括第一 存储线Cstl、栅极线GL、第一栅电极GE1、第二栅电极GE2和第三栅电极GE3。
[0142] 基体基板1100可包括具有相对高的透射率、耐热性和耐化学性的材料。例如，基 体基板1100可包括从由玻璃、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚丙烯酸酯 以及它们的混合物组成的组中选择的任意一种。
[0143] 栅极图案可包括金属、金属合金、金属氮化物、导电金属氧化物和透明导电材料 等。例如，栅极图案可包括不透明的铜（Cu)。
[0144] 在其上形成有栅极图案的基体基板上设置第一绝缘层1110。在栅极图案上设置第 一绝缘层1110。第一绝缘层1110覆盖第一存储线Cstl、栅极线GL、第一栅电极GE1、第二 栅电极GE2和第三栅电极GE3，并使第一存储线Cst 1、栅极线GL、第一栅电极GE1、第二栅电 极GE2和第三栅电极GE3绝缘。
[0145] 参照图20,在其上形成有第一绝缘层1110的基体基板1100上形成半导体层和 数据金属层，然后可通过使用附加的蚀刻掩模的光刻工艺或蚀刻工艺部分地蚀刻半导体 层和数据金属层。因此，形成包括第一沟道部C1、第二沟道部C2和第三沟道部C3的沟道 层AP和数据图案。半导体层可包括由非晶硅（a-Si:H)组成的硅半导体层和由n+非晶硅 (n+a-Si:H)组成的欧姆接触层。另外，半导体层可包括氧化物半导体。氧化物半导体可包 括具有从由铟（In)、锌（Zn)、镓（Ga)、锡（Sn)和铪（Hf)组成的组中选择的至少一种的非晶 氧化物。
[0146] 数据图案包括第一漏电极DE1、第一源电极SE1、第二源电极SE2、第二漏电极DE2、 第三源电极SE3、第三漏电极DE3、第一数据线DL1和第二数据线DL2。例如，同时图案化半 导体层和金属层，然后去除图案化的金属层的一部分。因此，形成第一源电极SE1和与第一 源电极SE1分隔开的第一漏电极DE1。另外，可通过去除图案化的金属层的一部分来形成第 二源电极SE2和与第二源电极SE2分隔开的第二漏电极DE2。另外，可通过去除图案化的金 属层的一部分来形成第三源电极SE3和与第三源电极SE3分隔开的第三漏电极DE3。
[0147] 在其上形成有数据图案和沟道层AP的基体基板1100上形成第二绝缘层1120。
[0148] 可根据包括在第二绝缘层1120中的成分而通过旋转涂覆工艺、印刷工艺、溅射工 艺、CVD工艺、ALD工艺、PECVD工艺、HDP-CVD工艺或真空蒸镀工艺来形成第二绝缘层1120。 在数据图案上设置第二绝缘层1120。第二绝缘层1120覆盖第一漏电极DE1、第一源电极 SE1、第二源电极SE2、第二漏电极DE2、第三源电极SE3、第三漏电极DE3和第一数据线（参 照图16的DL1)，并使第一漏电极DE1、第一源电极SE1、第二源电极SE2、第二漏电极DE2、第 三源电极SE3、第三漏电极DE3和第一数据线（参照图16的DL1)绝缘。
[0149] 参照图21，在其上形成有第二绝缘层1120的基体基板1100上形成有机层1130。 有机层1130可以是滤色器层。在第二绝缘层1120上形成光致抗蚀剂，接着使用掩模来曝 光光致抗蚀剂，然后使用显影液来显影光致抗蚀剂。因此，可形成有机层1130。
[0150] 在第二绝缘层1120上设置有机层1130。当有机层1130为滤色器层时，滤色器层 向穿过液晶层的光提供颜色。滤色器层可包括红色滤色器层、绿色滤色器层和蓝色滤色器 层。滤色器层与单元像素对应。彼此相邻的滤色器层可具有不同的颜色。滤色器层可在相 邻的单元像素的边界处与相邻的滤色器层叠置。另外，滤色器层可在相邻的单元像素的边 界处与相邻的滤色器层分隔开。
[0151] 参照图22,将有机层1130图案化以形成第一修复孔RH1和第一接触孔CNT1。
[0152] 在第一数据线DL1与栅极线GL交叉的交叉区中设置第一修复孔RH1。第一修复 孔RH1暴露第一数据线DL1与栅极线GL交叉的交叉区。第一修复孔RH1的大小可大于第 一数据线DL1与栅极线GL交叉的交叉区的大小。
[0153] 第一接触孔CNT1形成为穿过有机层1130和第二绝缘层1120。第一接触孔CNT1 暴露第一漏电极DE1的一部分。
[0154] 参照图23,在其上形成有第一修复孔RH1和第一接触孔CNT1的基体基板1100上 形成透明电极层1140。透明电极层1140可包括诸如氧化铟锡（ΙΤ0)、氧化铟锌（ΙΖ0)等的 透明导电材料。另外，透明电极层1140可包括钛（Ti)和/或钼钛（MoTi)。
[0155] 参照图18,将透明电极层1140图案化以形成高像素电极PE1和第一修复电极 REl〇
[0156] 高像素电极PE1可包括诸如氧化铟锡（ΙΤ0)、氧化铟锌（ΙΖ0)等的透明导电材料。 另外，高像素电极PE1可包括钛（Ti)和/或钼钛（MoTi)。
[0157] 高像素电极PE1通过第一接触孔CNT1电连接到第一漏电极DE1。
[0158] 在第一修复孔RH1上形成第一修复电极RE1。第一修复电极RE1覆盖第一修复孔 RH1。第一修复电极RE1可包括诸如氧化铟锡（ΙΤ0)、氧化铟锌（ΙΖ0)等的透明导电材料。 另外，第一修复电极RE1可包括钛（Ti)和/或钼钛（MoTi)。
[0159] 第一修复电极RE1可包括与高像素电极PE1和低像素电极PE2相同的材料。第一 修复电极RE1可与高像素电极PE1和低像素电极PE2设置在同一层上。
[0160] 当滤色器与栅极线和数据线设置在同一下基板上时，滤色器覆盖数据线。因此，不 可能修复数据线。即，由于滤色器覆盖数据线，因此使用激光的切割会失效。另外，由于修 复线不与数据线接触，因此会不能够修复。
[0161] 然而，根据本发明构思的示例性实施例的显示基板包括暴露数据线与栅极线交叉 的交叉区的修复孔。由于修复孔暴露数据线与栅极线交叉的交叉区，因此可以能够修复数 据线。因此，可减少显示基板的缺陷。
[0162] 另外，根据本发明构思的示例性实施例的显示基板包括覆盖修复孔的修复电极。 因此，可以能够在不形成修复线的情况下修复其上产生故障的线。例如，将激光束照射到修 复电极上以修复其上产生故障的线。
[0163] 当形成修复线时，在其上产生