专利名称：用于oled镀膜的蒸镀罩的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种蒸镀用掩模板，尤其涉及一种用于OLED镀膜的蒸镀罩。
背景技术：
0LED,有机发光二极管,英文为Organic Light Emitting Diode,与传统的IXD显示方式不同，OLED显示技术无需背光灯，具有自发光的特性，采用非常薄的有机电致发光材料涂层和玻璃基板，当有电流通过时，这些有机材料就会发光。而且OLED显示屏幕可以做得更轻更薄，OLED技术发展(15张)可视角度更大，并且能够显著节省电能。有机电致发光装置主要包括第一电极、有机发光层及第二电极。制造有机发光装置时，通过腐蚀剂和光刻法在ITO上构图。如果直接采用光刻法再来制备第二电极时，湿气渗入有机发光层和第二电极之间，会显著地缩短有机发光装置的寿命，降低其性能。为了克服以上问题，采用蒸镀工艺将有机发光材料沉积在基板上，形成有机发光层，该方法需配套高精度蒸镀用狭长沟槽掩模板(也称为荫罩或蒸镀罩)。在蒸镀过程中，随着时间的延长，温度也在不断上升，高温可达到60°C，由于荫罩的开口尺寸以微米级衡量，并且需要蒸镀到ITO玻璃上的有机材料的厚度很薄，以纳米级单位进行衡量，所以对开口尺寸精度、开口形貌以及板厚具有严格要求。传统工艺采用单层开口的OLED掩模板，且开口无锥度，如图1所示，单层掩膜板3覆盖在ITO玻璃基板2上，单层掩膜板3的一面为ITO接触面4，另一面为镀膜面5，有机材料颗粒从各个角度穿过单层掩模板3并贴附于ITO玻璃基板2上，狭长沟槽I上的开口无锥度，当颗粒倾斜射入角度小于或等于Θ时，这部分颗粒会碰到开口壁而被遮蔽，无法到达基板。这种现象会产生以下问题:使倾斜射入的颗粒出现部分缺失，致使辉度下降，并且在基板上不能形成希望的厚度和形状。 一般蒸镀用荫罩的厚度在100 μ m左右，而蒸镀的有机材料膜厚只在IOOnm左右，荫罩上的开口尺寸最小可以是ΙΟμπι，所以无锥度开口的侧壁势必会在蒸镀过程中产生遮挡，但另一方面，如果只减薄荫罩的厚度来降低有机材料的遮挡程度，又会影响荫罩的使用寿命，因为荫罩过薄，易变形，影响的荫罩的使用，降低蒸镀质量。中国专利号为201220015889.7，发明名称为蒸镀用狭长沟槽掩模板提供的荫罩，采用第一倒锥角沟槽6和第二锥角沟槽7构成的狭长沟槽，虽然解决了蒸镀时有机颗粒由于开口壁的遮蔽而无法达到基板的技术问题，但是两个沟槽开口方向相反，具有倒锥角，不但难于加工，且不容易精确控制加工精度。因此，有必要继续对现有的蒸镀罩进行改进。
实用新型内容本实用新型所要解决的技术问题是提供一种用于OLED镀膜的蒸镀罩，不但能够避免镀膜时造成有机材料颗粒的遮挡，提高蒸镀层的均匀性和蒸镀质量，而且结构简单，易于蚀刻加工并能精确控制开口锥角和高度。本实用新型为解决上述技术问题而采用的技术方案是提供一种用于OLED镀膜的蒸镀罩，所述蒸镀罩的一面为ITO接触面，另一面为镀膜面，所述蒸镀罩上设有多个狭长沟槽，其中，所述狭长沟槽包括两个首位贯穿相连且开口一致的八字形沟槽，所述八字形沟槽贯穿整个蒸镀罩，所述ITO接触面上的沟槽宽度小于镀膜面上的沟槽宽度。上述的用于OLED镀膜的蒸镀罩,其中，所述蒸镀罩为八边形金属板,厚度为20 180 μ m，所述多个八字形沟槽等间隔平行分布在蒸镀罩上。上述的用于OLED镀膜的蒸镀罩，其中，所述多个平行分布的八字形沟槽横向通过若干个实桥相连。上述的用于OLED镀膜的蒸镀罩，其中，所述八字形沟槽分别为形成在ITO接触面上的第一八字形沟槽和形成在镀膜面上的第二八字形沟槽，所述第一八字形沟槽的开口锥角小于第二八字形沟槽的开口锥角，所述第一八字形沟槽的高度小于第二八字形沟槽的高度。上述的用于OLED镀膜的蒸镀罩，其中，所述第一八字形沟槽的开口锥角为6 15度，所述第二八字形沟槽的开口锥角为40 45度。上述的用于OLED镀膜的蒸镀罩，其中，所述第一八字形沟槽的高度为3 18 μ m。上述的用于OLED镀膜的蒸镀罩，其中，所述蒸镀罩的材料为不锈钢、纯镍、镍钴合金、镍铁合金或因瓦合金。本实用新型对比现有技术有如下的有益效果:本实用新型提供的用于OLED镀膜的蒸镀罩，通过在蒸镀罩上设置首位贯穿相连的八字形沟槽，不但能够避免镀膜时造成有机材料颗粒的遮挡，提高蒸镀层的均匀性和蒸镀质量，而且结构简单，易于蚀刻加工并能精确控制开口锥 角和高度。
图1为现有的一种用于OLED镀膜的蒸镀罩结构不意图；图2为现有的另一种用于OLED镀膜的蒸镀罩结构不意图；图3为本实用新型用于OLED镀膜的蒸镀罩结构示意图；图4为本实用新型用于OLED镀膜的蒸镀罩上的沟槽分布示意图。图中:I狭长沟槽 2IT0玻璃基板 3单层掩膜板4IT0接触面 5镀膜面6第一倒锥角沟槽7第二锥角沟槽8第一八字形沟槽9第二八字形沟槽
具体实施方式
以下结合附图和实施例对本实用新型作进一步的描述。图3为本实用新型用于OLED镀膜的蒸镀罩结构示意图。请参见图3，本实用新型提供的用于OLED镀膜的蒸镀罩，所述蒸镀罩的一面为ITO接触面4，另一面为镀膜面5，所述蒸镀罩上设有多个狭长沟槽，其中，所述狭长沟槽包括两个首位贯穿相连且开口一致的八字形沟槽，所述八字形沟槽贯穿整个蒸镀罩，所述ITO接触面4上的沟槽宽度小于镀膜面5上的沟槽宽度。本实用新型提供的用于OLED镀膜的蒸镀罩，通过在蒸镀罩上设置首位贯穿相连的八字形沟槽，由于第一八字形沟槽8和第二八字形沟槽9首位贯穿相连且开口朝向一致，从而易于蚀刻加工，保证两面开口的中心重合并精确控制开口锥角和高度。具体来说，所述八字形沟槽分别为形成在ITO接触面4上的第一八字形沟槽8和形成在镀膜面5上的第二八字形沟槽9，所述第一八字形沟槽8的开口锥角小于第二八字形沟槽9的开口锥角，所述第一八字形沟槽8的高度小于第二八字形沟槽9的高度。对于一般厚度为20 180 μ m的蒸镀罩，所述第一八字形沟槽8的开口锥角为6 15度，所述第二八字形沟槽9的开口锥角为40 45度；所述第一八字形沟槽8的高度为3 18 μ m。两个八字形沟槽可以采用双面蚀刻，也可以采用单面分两次蚀刻，在此不再意义赘述。本实用新型提供的用于OLED镀膜的蒸镀罩，其中，所述蒸镀罩优选为八边形金属板，厚度为20 180 μ m ;蒸镀罩的材料可以为不锈钢、纯镍、镍钴合金、镍铁合金或因瓦合金。因瓦合金，也称为殷钢，是一种镍铁合金，其成分为镍36%,铁63.8%,碳0.2%,它的热膨胀系数极低，能在很宽的温度范围内保持固定长度。所述多个八字形沟槽最好等间隔平行分布在蒸镀罩上，横向通过若干个实桥相连，如图4所示。虽然本实用新型已以较佳实施例揭示如上，然其并非用以限定本实用新型，任何本领域技术人员，在不脱离本实用新型的精神和范围内，当可作些许的修改和完善，因此本实用新型的保护范围 当以权利要求书所界定的为准。
权利要求1.一种用于OLED镀膜的蒸镀罩，所述蒸镀罩的一面为ITO接触面(4)，另一面为镀膜面(5)，所述蒸镀罩上设有多个狭长沟槽，其特征在于，所述狭长沟槽包括两个首位贯穿相连且开口一致的八字形沟槽，所述八字形沟槽贯穿整个蒸镀罩，所述ITO接触面(4)上的沟槽宽度小于镀膜面(5)上的沟槽宽度。
2.如权利要求1所述的用于OLED镀膜的蒸镀罩，其特征在于，所述蒸镀罩为八边形金属板，厚度为20 180 μ m，所述多个八字形沟槽等间隔平行分布在蒸镀罩上。
3.如权利要求2所述的用于OLED镀膜的蒸镀罩，其特征在于，所述多个平行分布的八字形沟槽横向通过若干个实桥相连。
4.如权利要求1所述的用于OLED镀膜的蒸镀罩，其特征在于，所述八字形沟槽分别为形成在ITO接触面(4)上的第一八字形沟槽(8)和形成在镀膜面(5)上的第二八字形沟槽(9)，所述第一八字形沟槽(8)的开口锥角小于第二八字形沟槽(9)的开口锥角，所述第一八字形沟槽(8)的高度小于第二八字形沟槽(9)的高度。
5.如权利要求4所述的用于OLED镀膜的蒸镀罩，其特征在于，所述第一八字形沟槽(8)的开口锥角为6 15度，所述第二八字形沟槽(9)的开口锥角为40 45度。
6.如权利要求4所述的用于OLED镀膜的蒸镀罩，其特征在于，所述第一八字形沟槽(8)的闻度为3 18 μ m。
7.如权利要求1 6任一项所述的用于OLED镀膜的蒸镀罩，其特征在于，所述蒸镀罩的材料为不锈 钢、纯镍、镍钴合金、镍铁合金或因瓦合金。
专利摘要本实用新型公开了一种用于OLED镀膜的蒸镀罩，所述蒸镀罩的一面为ITO接触面，另一面为镀膜面，所述蒸镀罩上设有多个狭长沟槽，其中，所述狭长沟槽包括两个首位贯穿相连且开口一致的八字形沟槽，所述八字形沟槽贯穿整个蒸镀罩，所述ITO接触面上的沟槽宽度小于镀膜面上的沟槽宽度。本实用新型提供的用于OLED镀膜的蒸镀罩，通过在蒸镀罩上设置首位贯穿相连的八字形沟槽，不但能够避免镀膜时造成有机材料颗粒的遮挡，提高蒸镀层的均匀性和蒸镀质量，而且结构简单，易于蚀刻加工并能精确控制开口锥角和高度。
文档编号C23C14/04GK203128642SQ20132010743
公开日2013年8月14日 申请日期2013年3月11日 优先权日2013年3月11日
发明者唐军, 钱超 申请人:钱超