本发明涉及一种真空镀膜设备以及镀膜方法。
背景技术：
将高分子材料裂解成纳米分子后在真空环境内均匀无间隙附着在产品表面形成纳米保护膜，称之为真空气相沉积纳米镀膜。这种工艺的纳米镀膜与传统镀膜或者喷油、喷漆具有以下特性：1、防水防潮无细孔，密封性好；2、镀膜耐酸碱、绝缘等级高、防静电产生；3、镀膜表面平顺，防污脏物粘附，摩擦力小，易擦洗；4、外观色泽，可根据需求调整，从高透明到其它颜色。5、镀膜厚度是从0.1微米到50微米以上皆可；6、镀膜附着力好，无内内应力，气泡孔，镀膜适应环境温度±200℃，不脱落不起皱。
纳米镀膜时，原料在材料室内经过150℃的汽化形成气态后进入到高温650℃左右的裂解炉，分解成纳米级分子。进入到常温的镀膜室，在真空状态下以气相沉积防水形成薄膜，均匀覆盖产品表面针孔及间隙。它与金属喷镀及喷油漆不同之处在于，只要产品表面与空气接触都能被真空气相沉积纳米镀膜，均匀覆盖，形成无针孔、致密均匀、高透明的薄膜。
由于纳米镀膜时，需镀膜的产品表面都要与空气接触，因此，如何对镀膜设备进行改进以适应不同产品镀膜是一个有待解决的技术问题。
技术实现要素：
本发明提供一种真空镀膜设备、数据线支架以及镀膜方法，能够对数据线实行批量真空纳米镀膜，提高数据线真空纳米镀膜的效率以及镀膜效果。
为解决上述技术问题，本发明提供的一种技术方案是：提供一种真空镀膜设备，用于对数据线进行真空镀膜，所述数据线一端设置有第一数据线接头，所述真空镀膜设备包括气相沉积室以及设置于所述气相沉积室内的支架，所述支架包括多个第一支架接头，所述第一支架接头能够与所述第一数据线接头适配且彼此接插固定，进而将所述数据线设置于所述气相沉积室内；所述真空镀膜设备进一步包括设置于所述气相沉积室侧壁的入口以及设置于所述气相沉积室内与所述入口正对着的降温分流挡板，所述入口用于引入高分子材料裂解气体，所述高分子材料裂解气体经所述降温分流挡板冷却后扩散于所述气相沉积室内。
其中，所述支架进一步包括支架柱以及多个第一支撑杆，所述多个第一支撑杆设置于所述支架柱上且沿所述支架柱的径向方向放射状延伸，所述第一支架接头间隔设置于所述第一支撑杆上。
其中，所述第一支撑杆上间隔设置有多个第一卡槽，所述第一支架接头固定于所述第一卡槽内。
其中，所述数据线的另一端设置有第二数据线接头，所述支架进一步包括多个第二支架接头以及多个第二支撑杆，所述多个第二支撑杆沿所述支架柱的轴向方向相对于所述第一支撑杆间隔设置于所述支架柱上且沿所述支架柱的径向方向放射状延伸，所述第二支架接头间隔设置于所述第二支撑杆上，所述第二支架接头与所述第二数据线接头适配且能够彼此接插固定，进而将所述数据线设置于所述第一支撑杆和所述第二支撑杆之间。
其中，所述第二支撑杆上间隔设置有多个第二卡槽，所述第二支架接头固定于所述第二卡槽内。
其中，所述第一支架接头和所述第二支架接头对称设置，以使得设置于所述第一支撑杆和所述第二支撑杆之间的所述数据线平行于所述支架柱的轴向方向。
其中，所述第一支撑杆和所述第二支撑杆中的至少一者沿所述支架柱的轴向方向的位置可调，进而使得所述第一支撑杆与所述第二支撑杆沿所述支架柱的轴向方向的间距可调。
其中，所述支架进一步包括第一主支撑环和第二主支撑环，所述第一主支撑环和所述第二主支撑环分别与所述支架柱嵌套设置且沿所述支架柱的轴向方向间隔固定于所述支架柱上，所述第一支撑杆包括多个第一主支撑杆，所述多个第一主支撑杆设置于所述第一主支撑环上且向所述第一主支撑环的外侧放射状延伸，所述第二支撑杆包括多个第二主支撑杆，所述多个第二主支撑杆设置于所述第二主支撑环上且向所述第二主支撑环的外侧放射状延伸。
其中，所述支架进一步包括第一辅支撑环、第二辅支撑环、多个第一辅支撑杆和多个第二辅支撑杆，所述第一辅支撑环设置于所述第一主支撑杆上且沿所述支架柱的径向方向与所述第一主支撑环间隔嵌套设置，所述多个第一辅支撑杆设置于所述第一辅支撑环上且向所述第一辅支撑环的外侧放射状延伸，所述第二辅支撑环设置于所述第二主支撑杆上且沿所述支架柱的径向方向与所述第二主支撑环间隔嵌套设置，所述多个第二辅支撑杆设置于所述第二辅支撑环上且向所述第二辅支撑环的外侧放射状延伸。
其中，所述真空镀膜设备进一步包括排气柱，所述排气柱呈中空状且在所述排气柱的侧壁上设置有多个第一通气孔，所述支架柱呈中空状且所述支架柱的侧壁上设置有多个第二通气孔，所述排气柱从所述支架柱的一端插入所述支架柱，所述支架柱嵌套设置于所述排气柱外侧且能够绕所述排气柱进行转动，所述高分子材料裂解气体经所述第一通气孔和所述第二通气孔均匀扩散并沉积于所述数据线上。
其中，所述第二通气孔设置于沿所述支架柱的轴向方向相邻设置的第一主支撑杆之间以及沿所述支架柱的轴向方向相邻设置的第二主支撑杆之间。
其中，所述真空镀膜设备进一步包括磁性转动组件，所述磁性转动组件包括设置于所述气相沉积室外侧的第一旋转磁体以及设置于所述气相沉积室内侧的第二旋转磁体，所述第一旋转磁体与所述第二旋转磁体磁性耦合，旋转驱动马达驱动所述第一旋转磁体转动，并带动所述第二旋转磁体进行转动，进而带动所述支架柱能够绕所述排气柱进行转动。
其中，所述排气柱贯穿所述气相沉积室设置，所述第一旋转磁体和所述第二旋转磁体分别转动承座于所述排气柱上且能够绕所述排气柱进行转动。
其中，所述排气柱贯穿设置于所述气相沉积室的底壁上且沿竖直方向延伸，所述支架柱沿所述竖直方向嵌套至所述排气柱外侧且承座于所述第二旋转磁体上。
为解决上述技术问题，本发明提供的还有一种技术方案是：提供一种数据线的真空镀膜方法，所述真空镀膜方法通过使用以上任一所述的真空镀膜设备对所述数据线进行真空镀膜，所述方法包括：将所述数据线的数据线接头与支架的支架接头彼此接插固定；将所述支架放置于所述真空镀膜设备的气相沉积室内，以使所述数据线设置于所述气相沉积室内；将高分子材料裂解气体引入所述气相沉积室并沉积于所述数据线上。
本发明的有益效果是：区别于现有技术，提供一种真空镀膜设备、数据线支架以及镀膜方法，通过与数据线结构配套的设计，从而能够对数据线实行批量真空镀膜，提高数据线真空纳米镀膜的效率以及镀膜效果，而且在镀膜过程中还能保护数据线接头部分。
附图说明
图1是本发明实施例提供的一种真空镀膜设备的结构示意图；
图2是本发明实施例提供的一种真空镀膜设备的排气柱的结构示意图；
图3是本发明实施例提供的一种真空镀膜设备的支架柱的结构示意图；
图4是本发明实施例提供的另一种真空镀膜设备的结构示意图；
图5是本发明实施例提供的一种数据线的真空镀膜方法的流程图。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本发明进行详细说明。
请参阅图1，图1是本发明实施例提供的一种真空镀膜设备的结构示意图，如图所示，本实施例的真空镀膜设备用于对数据线进行真空镀膜，其中数据线一端设置有第一数据线接头，真空镀膜设备包括气相沉积室1以及设置于气相沉积室内的支架2，支架2包括多个第一支架接头21，第一支架接头21能够与第一数据线接头适配且彼此接插固定，进而将数据线设置于气相沉积室2内。
在本发明实施例一的基础上，本发明进一步提出支架结构的一种实施方式，其中，支架2还进一步包括支架柱22以及多个第一支撑杆23，多个第一支撑杆23设置于支架柱22上且沿支架柱的径向方向呈放射状延伸，第一支架接头21间隔设置于第一支撑杆23上，该实施方式仅为支架结构的一种较好的实施方式示例，并不构成对本发明保护范围的限制，凡是依据本发明的技术实质对本实施例所作的任何修改、等同变化与修饰，均仍属于本发明技术方案的范围内。
第一支撑杆23上间隔设置有多个第一卡槽24，第一支架接头21固定于第一卡槽24内。
其中，数据线的另一端还设置有第二数据线接头，支架2进一步包括多个第二支架接头25以及多个第二支撑杆26，多个第二支撑杆26沿支架柱22的轴向方向相对于第一支撑杆23间隔设置于支架柱22上且沿支架柱22的径向方向呈放射状延伸，第二支架接头25间隔设置于第二支撑杆26上，第二支架接头25与第二数据线接头适配且能够彼此接插固定，进而将数据线设置于第一支撑杆23和第二支撑杆26之间。
第二支撑杆26上间隔设置有多个第二卡槽27，第二支架接头25固定于第二卡槽27内。
第一支架接头21和第二支架接头25对称设置，以使得设置于第一支撑杆23和第二支撑杆26之间的数据线平行于支架柱22的轴向方向。
第一支撑杆23和第二支撑杆26中的至少一者沿支架柱22的轴向方向的位置可调，进而使得第一支撑杆23与第二支撑杆26沿支架柱22的轴向方向的间距可调。
其中，支架2进一步包括第一主支撑环28和第二主支撑环29，第一主支撑环28和第二主支撑环29分别与支架柱22嵌套设置且沿支架柱的轴向方向间隔固定于支架柱22上，第一支撑杆23包括多个第一主支撑杆231，多个第一主支撑杆231设置于第一主支撑环28上且向第一主支撑环28的外侧呈放射状延伸，第二支撑杆26包括多个第二主支撑杆261，多个第二主支撑杆261设置于第二主支撑环29上且向第二主支撑环29的外侧呈放射状延伸。
其中，支架2进一步包括第一辅支撑环30、第二辅支撑环31、多个第一辅支撑杆232和多个第二辅支撑杆261，第一辅支撑环30设置于第一主支撑杆231上且沿支架柱22的径向方向与第一主支撑环28间隔嵌套设置，多个第一辅支撑杆232设置于第一辅支撑环30上且向第一辅支撑环30的外侧呈放射状延伸，第二辅支撑环31设置于第二主支撑杆261上且沿支架柱22的径向方向与第二主支撑环29间隔嵌套设置，多个第二辅支撑杆261设置于第二辅支撑环31上且向第二辅支撑环31的外侧呈放射状延伸。
通过支架2上的第一主支撑环28以及第二主支撑环29，第一辅支撑环30、第二辅支撑环31，能够设置尽可能多的支撑杆，从而设置尽可能多的支架接头。
其中，本实施例的真空镀膜设备进一步包括设置于气相沉积室1侧壁的入口37以及设置于气相沉积室内与入口37正对着的降温分流挡板38，经裂解的高分子材料气体经入口37引入，并经降温分流挡板38冷却后扩散于气相沉积室1内。降温分流挡板38能够避免高温高分子材料气体直接碰到待镀膜的产品上，并且裂解后的高分子材料纳米气体遇到降温分流挡板38后冷却至室温并向四周扩散。
其中，本实施例的真空镀膜设备进一步包括导气柱排气柱32，导气柱排气柱32呈中空状且在排气柱32的侧壁上设置有多个第一通气孔(图未示出)，支架柱22呈中空状且支架柱22的侧壁上设置有多个第二通气孔221，排气柱32从支架柱22的一端插入支架柱22，支架柱22嵌套设置于排气柱32外侧且能够绕排气柱32进行转动，高分子材料裂解气体经第一通气孔和第二通气孔221均匀扩散并沉积于数据线上。
请进一步参阅图2，图2是本发明实施例提供的一种真空镀膜设备的导气柱排气柱的结构示意图，如图所示，导气柱排气柱32侧壁上的多个第一通气孔321为长度方向沿导气柱排气柱的轴向方向设置的条形孔。更进一步地，沿导气柱排气柱32的轴向方向相邻设置的第一通气孔321沿导气柱排气柱32的轴向方向彼此错开。以便设置尽可能多的第一通气孔321。
请参阅图1并结合参阅图3，图3是本发明实施例提供的一种真空镀膜设备的支架柱的结构示意图，支架柱22侧壁上设置的多个第二通气孔221为圆形孔，且设置于沿支架柱22的轴向方向相邻设置的第一主支撑杆231之间以及沿支架柱22的轴向方向相邻设置的第二主支撑杆261之间。以使得气相沉积室1内经真空沉积后的残余气体能够均匀地经第一通气孔321以及第二通气孔221从排气柱32中抽出。
请继续参阅图1，优选地，支架2进一步包括密封设置于支架柱22的另一端的顶盖33，通过顶盖33可以方便提取支架2。
其中，本实施例的真空镀膜设备还进一步包括设置于气相沉积室1外侧并与排气柱32连接的冷却塔39，气相沉积后的残余气体经过第二通气孔221和第一通气孔321进入排气柱32，进一步通过导气柱排气柱32导入到冷却塔39中。以避免残余气体向外扩散，同时冷却塔39内还装设有传感器，通过传感器可以检测残余气体中高分子材料裂解气体的含量，并根据残余气体中高分子材料裂解气体的含量调节入口37，以减少或增加引入气相沉积室1的高分子裂解气体的量。
其中，本实施例的真空镀膜设备进一步包括磁性转动组件，磁性转动组件包括设置于气相沉积室1外侧的第一旋转磁体34以及设置于气相沉积室1内侧的第二旋转磁体，第一旋转磁体34与第二旋转磁体35相互磁性耦合，旋转驱动马达(未示出)带动第一旋转磁体34转动，第一旋转磁体34带动第二旋转磁体35进行转动，进而带动支架柱22能够绕排气柱32进行转动。
排气柱32贯穿气相沉积室1设置，第一旋转磁体34和第二旋转磁体分别转动承座于排气柱32上且能够绕排气柱32进行转动。
排气柱32贯穿设置于气相沉积室的底壁上且沿竖直方向延伸，支架柱22沿竖直方向嵌套至排气柱32外侧且承座于第二旋转磁体35上。
其中，更进一步地，气相沉积室1的顶部上设置有开口36，支架2可以通过开口36放置于气相沉积室2中或者从气相沉积室2中取出。
请参阅图4，图4是本发明实施例提供的另一种真空镀膜设备，如图所示，本实施例的真空镀膜设备包括原料存储罐3、裂解炉4、气相沉积室1以及设置于气相沉积室内的支架2、降温分流挡板38、真空泵5、单向阀6、旋转驱动马达7、以及冷却塔39。
其中，原料存储罐3用于存储用于原料，即用于真空镀膜的高分子材料，比如Parylene N(聚对二甲苯)、Parylene C(聚一氯对二甲苯)和Parylene D(聚二氯对二甲苯)的至少一种材料的裂解气体，其中最优选是聚对二甲苯裂解气体。并利用其内一级加热炉(图未示出)将原料加热到150度后形成气态高分子材料，导入到裂解炉中。
裂解炉4与原料存储罐3连接，接收经一级加热成气态的高分子材料，并进行二级加热到650度后裂解成高分子材料纳米气体，通过气相沉积室1侧壁的入口37将高分子材料纳米气体导入到气相沉积室1中。
高分子材料纳米气体从入口37进入后，经过降温分流挡板降温38，以避免650度的气体直接碰到待镀膜的产品上，裂解后的高分子材料纳米气体遇到降温分流挡板38后向四周扩散。
真空镀膜设备进一步包括排气柱32、旋转组件7、气相沉积室1以及设置于气相沉积室1内的支架2，这些构成部分的具体组成以及功能请参阅上述实施例的详细描述，本实施例不一一标注说明。
本实施例的真空镀膜设备还包括冷却塔39，冷却塔39设置于气相沉积室1外侧并与排气柱32连接，气相沉积后的残余气体经过支架的支架柱上的第二通气孔和排气柱32的第一通气孔进入排气柱，进一步通过排气柱32导入到冷却塔39中。经过冷却塔39把残余气体中的高分子材料气体迅速凝固，防止其对外扩散。
本实施例的真空镀膜设备进一步包括真空泵5，真空泵5与上述冷却塔39连接，以通过排气柱32对气相沉积室进行抽真空，使气相沉积室1形成真空负压，便于高效地实现气相沉积。
更进一步地，本实施例的真空镀膜设备还包括旋转驱动马达6，通过同步带与第一旋转磁体连接，用于驱动第一旋转磁体转动，带动第二旋转磁体，进而带动气相沉积室内的支架柱32进行转动。
需要说明的是，本发明实施例中的高分子材料可以是Parylene N(聚对二甲苯)、Parylene C(聚一氯对二甲苯)和Parylene D(聚二氯对二甲苯)的至少一种材料，其中最优选是聚对二甲苯。
本发明另一实施例提供一种用于真空镀膜设备的数据线支架，其中，数据线支架包括多个支架接头，支架接头与数据线的数据线接头适配且能够彼此接插固定，进而将数据线设置于真空镀膜设备的气相沉积室内。其中，数据线支架的具体构成以及结构请参阅上述实施例中提供的真空镀膜设备的支架的相关描述，在此不再赘述。
更进一步地，在以上提供的真空镀膜设备的基础上，本发明实施例还提供一种数据线的真空镀膜方法，该真空镀膜方法通过使用上述的真空镀膜设备对数据线进行真空镀膜。请参阅图5，图5是本发明实施例提供的一种数据线的真空镀膜方法的流程图，本实施例数据线真空镀膜的方法包括：
S101：将数据线的数据线接头与支架的支架接头彼此接插固定；
具体地，将数据线的第一数据线接头与支架的第一支架接头接插固定，数据线的第二数据线接头与支架的第二支架接头接插固定，并调整支架的第一支撑杆和第二支撑杆的至少一者沿支架柱的轴向方向的位置，使得设置于第一支撑杆和第二支撑杆之间的数据线平行于支架柱的轴向方向。
S102：将支架放置于真空镀膜设备的气相沉积室内，以使数据线设置于气相沉积室内；
打开真空镀膜设备的气相沉积室上的开口，将设置好数据线的支架放置于真空镀膜设备的气相沉积室内，以使得数据线设置于气相沉积室内。
S103：将高分子材料裂解气体引入气相沉积室并沉积于数据线上，并将残余气体从排气柱抽出。
从气相沉积室侧壁入口将高分子材料裂解气体引入气相沉积室，旋转驱动马达(图中未示出)驱动真空镀膜设备的第一旋转磁体进行转动，并带动第二旋转磁体进行转动，进而带动支架柱能够绕排气柱进行转动。高分子材料裂解气体经降温分流挡板冷却后扩散于气相沉积室内，旋转支架转动后在气相沉积室内均匀分布并沉积于数据线上。进一步通过排气柱的第一通气孔和支架的支架柱上的第二通气孔均匀抽出残余气体，并把残余气体从中心残余气体排出管排出。经过冷却塔降温后实时监测残余气体中高分子裂解气体的含量，及时调整650度裂解炉的管道开口大小，使之实现高分子沉积效率最大化。真空泵不断从气相沉积室抽取真空(抽取气相沉积后的残余气体)使之让650度裂解炉的裂解纳米有机高分子不断向气相沉淀炉扩散。
其中，本发明实施例中的高分子材料可以Parylene N(聚对二甲苯)、Parylene C(聚一氯对二甲苯)和Parylene D(聚二氯对二甲苯)的至少一种材料，其中最优选是聚对二甲苯。
以上本发明实施例提供的真空镀膜设备、数据线支架以及镀膜方法，通过与数据线结构配套的设计，从而能够对数据线实行批量真空镀膜，提高数据线真空纳米镀膜的效率以及镀膜效果，而且在镀膜过程中还能保护数据线的接头部分。