1.一种集热膜的真空镀膜方法，其特征在于，包括步骤
S1、镀膜前准备：准备基片箔膜，对所述基片箔膜清洗、烘干，再将所述基片箔膜绕卷于滚筒组上，所述滚筒组放置于密闭腔室内，于所述腔室内设置弧源，所述弧源包括阴极和阳极，所述阴极上安装有用于朝所述基片箔膜溅射金属等离子体的靶材；
S2、膜层镀制：
A、抽真空：采用抽空装置对所述腔室抽真空，真空度为1×10-3Pa～5×10-3Pa；
B、通反应气：往所述腔室内通入氩气、氧气及氮气的混合气体，所述氩气的流量为600～1000mL/min，所述氧气的流量为200～500mL/min，所述氮气的流量为0～300mL/min，通气后，所述腔室内的气压为0.1Pa～10Pa；
C、控速：驱使所述滚筒组匀速转动，使得所述基片箔膜的移动线速度为200～280mm/min；
D、通电：所述弧源的电流为30～50A，给所述基片箔膜施加负偏电压，所述负偏电压为40～120V。
2.如权利要求1所述的集热膜的真空镀膜方法，其特征在于，所述步骤S1中，所述靶材的材料为镍铬；所述步骤S2中，所述氩气的流量为800mL/min，所述氧气的流量为300mL/min，所述氮气的流量为0mL/min，所述基片箔膜的移动线速度为260mm/min，所述弧源的电流为33A，所述负偏电压为80V。
3.如权利要求1或2所述的集热膜的真空镀膜方法，其特征在于，所述步骤S1中，所述滚筒组包括放料筒、收料筒及设于所述放料筒和所述收料筒之间的中间卷筒，所述基片箔膜依序沿所述放料筒、所述中间卷筒及所述收料筒卷绕传动。
4.如权利要求3所述的集热膜的真空镀膜方法，其特征在于，所述步骤S2中，还包括E、均匀度调节：所述基片箔膜具有卷绕于所述中间卷筒的弧段， 与所述弧段相对的位置上设有用于产生磁场以使所述金属等离子体均匀溅射于所述弧段上的磁性元件。
5.如权利要求4所述的集热膜的真空镀膜方法，其特征在于，所述均匀度调节中，所述磁性元件成对设置于所述弧段两侧且位于所述弧段的中心线上。
6.真空镀膜设备，其特征在于，包括腔体，所述腔体具有密闭腔室，所述腔室中设有滚筒组、卷绕于所述滚筒组上的基片箔膜以及与所述基片箔膜相对设置的弧源，所述弧源包括阴极和阳极，所述阴极上设有用于朝所述基片箔膜溅射金属等离子体的靶材，所述腔室连接有用于控制所述弧源电流的控制箱、用于对所述腔室抽真空的抽空装置和用于往所述腔室内通入氩气、氧气及氮气的混合气体的储气装置。
7.如权利要求6所述的真空镀膜设备，其特征在于，所述滚筒组包括放料筒、收料筒及设于所述放料筒和所述收料筒之间的中间卷筒，所述基片箔膜依序沿所述放料筒、所述中间卷筒及所述收料筒卷绕传动。
8.如权利要求6所述的真空镀膜设备，其特征在于，所述基片箔膜具有卷绕于所述中间卷筒的弧段，与所述弧段相对的位置上设有用于产生磁场以使所述金属等离子体均匀溅射于所述弧段上的磁性元件。
9.如权利要求8所述的真空镀膜设备，其特征在于，所述磁性元件成对设置于所述弧段两侧且位于所述弧段的中心线上。
10.如权利要求8或9所述的真空镀膜设备，其特征在于，所述靶材与所述弧段相对设置且位于所述弧段的中心线上。