1.一种立方氮化硼薄膜的制备方法，其特征在于，以Si晶片为衬底、hBN为靶材进行射频溅射，包括以下步骤：
（1）衬底预溅射：溅射气体为惰性气体，溅射功率160-400W，衬底负偏压-280~-350V，衬底温度500℃，预真空度1.3×10-3~2×10-3Pa，工作气压1.3~2Pa，溅射时间5~15min；
（2）薄膜成核：溅射气体为惰性气体与N2的混合气体，溅射功率100-400W，衬底负偏压-200~-300V，衬底温度400~600℃，预真空度1×10-3~2×10-3Pa，工作气压1.33~2Pa，溅射时间15~45min；
（3）薄膜生长：溅射气体为氮气或惰性气体与N2的混合气体，溅射功率200-400W，衬底负偏压-130~ -200V，衬底温度200~300℃，预真空度1×10-3~2×10-3Pa，工作气压0.6~1.5Pa，溅射时间45-120min；
（4）退火。
2.根据权利要求1所述的立方氮化硼薄膜的制备方法，其特征在于，步骤（1）中，溅射气体为氩气或氦气；步骤（2）中，溅射气体为氩气与氮气的混合气体，氮气的体积分数为16.6%~18.2%，步骤（3）中，惰性气体与N2的混合气体中氮气的体积分数为10%以上。
3.根据权利要求1或2所述的立方氮化硼薄膜的制备方法，其特征在于，步骤（4）退火过程于2Pa真空度、400-1000℃下进行30-90min。
4.根据权利要求3所述的立方氮化硼薄膜的制备方法，其特征在于，所述Si晶片为P型或n型，硅晶片的电阻率为5-90Ω·cm。
5.根据权利要求4所述的立方氮化硼薄膜的制备方法，其特征在于，所述衬底与靶材的距离为5~7cm。
6.根据权利要求5所述的立方氮化硼薄膜的制备方法，其特征在于，将Si晶片进行清洗后再作为衬底使用，清洗过程为：依次用甲苯、丙酮、乙醇超声清洗硅晶片15min，最后将硅晶片浸泡在分析纯的乙醇中避光保存备用。