、或信号发生器。在一个实施例中，斜波产生器221包括恒流源，该恒流源向电容器充电以获得向上斜变和/或向下斜变，例如图7中的一个实施例描述的那样。在一个实施例中，斜波产生器221包括比较器从而当达到预定电压时切断电流源。在各实施例中，斜波产生器221可包括本领域普通技术人员已知的任何合适电路。在一些实施例中，可使用电流镜电路以动态地维持流过记忆单元的最大电流。
[0105]峰值编程或擦除电压可高于或低于供电电压。编程和擦除电路可包括用于生成高于供电电压的电荷泵电路，或生成低于供电电压的降压调节器等。在一些实施例中，编程和擦除电路还可从外部电路接收编程信号和擦除信号中的一者或多者。在一些实施例中，编程和擦除电路可包括物理上与擦除电路分离的编程电路。
[0106]图9B示出存储设备的又一实施例。存储设备包括如图9A描述的编程和擦除电路220和存储单元阵列200。存取电路可包括列解码器230和行解码器240。响应于地址数据，列和行解码器230和240可选择存储单元组用于读取、编程、擦除。此外，存储设备可包括与编程和擦除电路220分离的读取电路250。该读取电路250可包括电流和/或电压感测放大器。存储设备可进一步包括寄存器260，用于存储来自存储单元阵列200的读数据值或存储将被写入记忆单元阵列200的数据。在各实施例中，寄存器260可并行地输入和输出数据(即，字节、字和其它)。在一些实施例中，寄存器260可通过串行数据路径被存取。
[0107]输入/输出(I/O)电路270可接收地址值和写数据值，并输出读数据值。所接收的地址值可被应用于列和行解码器230和240以选择存储单元。来自寄存器260的读数据可在I/O电路270上被输出。类似地，I/O电路270上的写数据可被存储在寄存器260中。命令解码器290可接收命令数据，该命令数据可被传到控制逻辑280。控制逻辑280可提供信号以控制存储设备的各个电路。
[0108]尽管已参照解说性实施例对本发明进行了描述，然而这种说明不旨在以限制意义作出解释。解说性实施例的各种修正和组合以及本发明的其它实施例是本领域内技术人员在参照说明书后容易理解的。作为示例，图2-7中描述的实施例在各实施例中可彼此组合。因此，所附权利要求旨在涵盖任何这样的修正或实施例。
[0109]虽然已经详细描述了本发明及其优势，但应当理解，可在其中作出各种改变、替换以及变化，而不背离所附权利要求书所限定的本发明的精神和范围。例如，本领域内技术人员将容易理解，本文描述的许多特征、功能、工艺和材料可改变并仍然在本发明的范围内。
[0110]而且，本申请的范围不旨在受限于在说明书中描述的工艺、机器、制造、物质组分、手段、方法以及步骤的具体实施例。就像本领域普通技术人员容易从本发明公开内容中理解的那样，根据本发明可采用执行与本文中描述的相应实施例基本相同功能或实现基本相同结果的现有或以后开发出来的工艺、机器、制造、物质组分、手段、方法或步骤。因此，所附权利要求旨在将这样的工艺、机器、制造、物质组分、手段、方法或步骤包括在所附权利要求范围内。
【主权项】
1.一种操作存储单元的方法，所述存储单元包括具有第一端子和第一端子的阻性开关器件以及具有第一存取端子和第二存取端子的存取器件，所述第二存取端子耦合至所述阻性开关器件的第一端子，所述方法包括: 在具有第一节点和第二节点的选择晶体管的栅极处施加选择脉冲，所述第一节点耦合至所述存取器件的所述第一存取端子，所述第二节点耦合至位线电位节点； 对具有第一板和第二板的电容器充电，在所述选择脉冲期间所述第一板耦合至所述选择晶体管的所述第一节点并耦合至所述存取器件的所述第一存取端子； 在对所述电容器充电后激活所述存取器件； 在激活所述存取器件后停用所述选择晶体管；以及 通过所述阻性开关器件对已充电的电容器放电。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，用第一脉冲来激活和停用所述选择晶体管，其中用第二脉冲来激活所述存取器件，并且其中所述第一脉冲的后沿与所述第二脉冲的前沿重合。
3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，用第一脉冲来激活和停用所述选择晶体管，其中用第二脉冲来激活所述存取器件，且其中所述第二脉冲比所述电容器的电容与所述阻性开关器件的电阻之积更长。
4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述阻性开关器件包括导电桥存储器。
5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在对所述电容器充电后激活所述存取器件包括断言在共同耦合至多个相似存储单元的存取器件的字线上的电位。
6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，对已充电的电容器放电包括将脉冲施加至所述阻性开关器件，所述脉冲具有第一斜坡、第二斜坡、和第三斜坡；其中 第二和第三斜坡与所述第一斜坡处于不同的方向上。
7.如权利要求6所述的方法，其特征在于，第一斜坡上升、第二斜坡下降、并且第三斜坡下降，并且 所述第一斜坡相比所述第二斜坡下降以更快的速率上升。
8.如权利要求1所述的方法，其特征在于，通过所述阻性开关器件对已充电的电容器放电包括如果所述阻性开关器件并未已经处于或接近第二、更高的电阻，则所述阻性开关器件从第一电阻变化至所述第二、更高的电阻。
9.如权利要求1所述的方法，其特征在于，通过所述阻性开关器件对已充电的电容器放电包括如果所述阻性开关器件并未已经处于或接近第二、更低的电阻则所述阻性开关器件从第一电阻变化至所述第二、更低的电阻。
10.如权利要求1所述的方法，其特征在于，通过所述阻性开关器件对已充电的电容器放电包括生成电流来流动通过所述阻性开关器件的固体电解质层。
11.如权利要求1所述的方法，其特征在于，通过所述阻性开关器件对已充电的电容器放电包括使导电离子移动通过所述阻性开关器件中的层。
12.—种设备，包括: 至少一个存储单元，包括: 阻性开关器件，其具有第一端子和第二端子；以及 存取器件，具有第一存取端子和第二存取端子，所述第二存取端子耦合至所述阻性开关器件的所述第一端子； 选择器件，具有耦合至所述存取器件的所述第一存取端子的第一节点、耦合至位线的第二节点、以及被配置成接收选择脉冲的控制节点，所述选择器件响应所述选择脉冲提供第一和第二节点之间的电压路径；以及 充电电容器，所述电容器具有第一板，所述第一板耦合至所述选择晶体管的所述第一节点并耦合至所述存取器件的所述第一存取端子，其中 所述存取器件被配置成在所述充电电容器被充电后启用从所述电容器至所述阻性开关器件的放电路径。
13.如权利要求12所述的设备，其特征在于，还包括耦合至所述存取器件的控制节点的字线驱动器；其中响应于所述字线驱动器断言在所述存取器件的控制节点处的启用电位而启用所述存取器件。
14.如权利要求13所述的设备，其特征在于，一旦所述选择器件截止，所述字线驱动器就断言在所述存取器件的控制节点处的所述启用电位。
15.如权利要求13所述的设备，其特征在于: 所述至少一个存储单元包括多个存储单元，每个存储单元使得它们的存取器件的控制节点共同耦合至同一字线；以及 所述字线驱动器断言所述字线上的所述启用电位。
16.如权利要求1所述的设备，其特征在于，所述至少一个存储单元包括多个存储单元，每个存储单元使得它们的选择器件的第二节点共同地耦合至同一位线。
17.如权利要求1所述的设备，其特征在于，所述至少一个存储单元包括多个存储单元，每个存储单元使得它们的阻性开关器件的第二端子共同地耦合至同一选择线，并且每个存储单元使得它们的存取器件的控制节点共同地耦合至同一字线，所述选择线不同于所述字线。
18.如权利要求1所述的设备，其特征在于，所述阻性开关器件包括固体电解质层。
19.如权利要求1所述的设备，其特征在于，所述阻性开关器件包括从下组中选取的材料:铜(Cu)掺杂的 TO^Cu/Ci^S'Cu/TaA'Cu/S1rAg/ZnxCdhS'Cu/ZnxCdhS'Zn/ZnxCdhS、GeTe、GST、AsUP ZnxCdhS0
20.如权利要求1所述的设备，其特征在于，所述阻性开关器件包括从下组中选取的材料:冊3、Ta2O5' Ti02、ZrO2、和 S120
【专利摘要】一种操作存储单元的方法，可包括在具有第一节点和第二节点的选择晶体管的栅极处施加选择脉冲，该第一节点耦合至存取器件的第一存取端子，其中第二节点耦合至位线电位节点；对具有第一板和第二板的电容器充电，在该选择脉冲期间该第一板耦合至该选择晶体管的第一节点并耦合至存取器件的第一存取端子；在对电容器充电后激活存取器件；在激活存取器件之后停用该选择晶体管；并通过阻性开关器件对已充电的电容器放电。
【IPC分类】G11C11-24
【公开号】CN104756191
【申请号】CN201380047372
【发明人】F·S·考珊, M·A·范巴斯柯克
【申请人】Adesto技术公司
【公开日】2015年7月1日
【申请日】2013年9月10日
【公告号】WO2014043137A1