一种移位寄存器、栅极驱动电路及显示装置的制造方法_3

文档序号:9867782阅读:来源:国知局
在此不作限定。
[0100]具体地,在本发明实施例提供的上述移位寄存器中,如图3a至图4b所示,第二输出模块5具体可以包括:第九开关晶体管M9;其中,
[0101]第九开关晶体管M9的栅极与第二节点B相连,源极与参考信号端VSS相连,漏极与驱动信号输出端Output相连。
[0102]在具体实施时,在本发明实施例提供的上述移位寄存器中,当输入信号端Input的有效脉冲信号为高电位时,如图3a和图3b所示,第九开关晶体管M9可以为N型开关晶体管;或者,当输入信号端Input的有效脉冲信号为低电位时,如图4a和图4b所示,第九开关晶体管M9可以为P型开关晶体管,在此不作限定。
[0103]在具体实施时,在本发明实施例提供的上述移位寄存器中,当第九开关晶体管在第二节点的控制下处于导通状态时,将参考信号端的信号提供给驱动信号输出端。
[0104]以上仅是举例说明移位寄存器中第二输出模块的具体结构,在具体实施时,第二输出模块的具体结构不限于本发明实施例提供的上述结构,还可以是本领域技术人员可知的其他结构,在此不作限定。
[0105]具体地,在本发明实施例提供的上述移位寄存器中,如图3a至图4b所示,削角控制模块6具体可以包括:第十开关晶体管MlO和电阻R;其中,
[0106]第十开关晶体管MlO的栅极与第一节点A相连,源极与削角控制信号端CKC相连,漏极与电阻R的第一端相连;
[0107]电阻R的第二端与驱动信号输出端Output相连。
[0108]在具体实施时,在本发明实施例提供的上述移位寄存器中,当输入信号端Input的有效脉冲信号为高电位时,如图3a和图3b所示,第十开关晶体管MlO可以为N型开关晶体管;或者,当输入信号端Input的有效脉冲信号为低电位时,如图4a和图4b所示,第十开关晶体管MlO可以为P型开关晶体管,在此不作限定。
[0109]在具体实施时,在本发明实施例提供的上述移位寄存器中,当第十开关晶体管在第一节点的控制下处于导通状态时,将削角控制信号端的削角控制信号通过电阻提供给驱动信号输出端,由于电阻和电容的共同作用使输出扫描信号的电位逐渐改变以形成具有斜率的削角波形。
[0110]在具体实施时,在本发明实施例提供的上述移位寄存器中,当选择的电阻的阻值较小时,得到的扫描信号的削角波形的斜率较大;当选择的电阻的阻值较大时,得到的扫描信号的削角波形的斜率会较小。
[0111]在具体实施时,在本发明实施例提供的上述移位寄存器中,在第一时钟信号的一个周期内,当输入信号端的有效脉冲信号为高电位时,在削角控制信号的下降沿越靠近第一时钟信号的上升沿时,得到的扫描信号中削角的宽度越大;当输入信号端的有效脉冲信号为低电位时,在削角控制信号的上升沿越靠近第一时钟信号的下降沿时,得到的扫描信号中削角的宽度越小。
[0112]以上仅是举例说明移位寄存器中削角控制模块的具体结构,在具体实施时,削角控制模块的具体结构不限于本发明实施例提供的上述结构,还可以是本领域技术人员可知的其他结构,在此不作限定。
[0113]进一步地,在具体实施时,当扫描信号输出完成后,为了进一步保证驱动信号输出端Output的电位能够及时的输出与输入信号端Input的有效脉冲信号电位相反的扫描信号,在本发明实施例提供的上述移位寄存器中,如图1b和图2b所示,还包括:第二复位模块7;其中,
[0114]第二复位模块7的第一端与复位信号端Reset相连,第二端与参考信号端VSS相连,第三端与驱动信号输出端Output相连;第二复位模块7用于在复位信号端Reset的控制下将参考信号端VSS的信号提供给驱动信号输出端Output。
[0115]在具体实施时,在本发明实施例提供的上述移位寄存器中,如图3b和图4b所示,第二复位模块具体包括:第十一开关晶体管Ml I;其中,
[0116]第十一开关晶体管Mll的栅极与复位信号端Reset相连,源极与参考信号端VSS相连,漏极与驱动信号输出端Output相连。
[0117]在具体实施时,在本发明实施例提供的上述移位寄存器中,如图3b所示,第十一开关晶体管Mll可以为N型开关晶体管;或者,如图4b所示,第十一开关晶体管Mll也可以为P型开关晶体管,在此不作限定。当第十一开关晶体管Mll为N型开关晶体管时,复位信号端Reset为高电位时,第十一开关晶体管Mll处于导通状态,并将参考信号端VSS的信号提供给驱动信号输出端Output;当第十一开关晶体管Mll为P型开关晶体管时,复位信号端Reset为低电位时,第十一开关晶体管Mll处于导通状态,并将参考信号端VSS的信号提供给驱动信号输出端Output。
[0118]以上仅是举例说明移位寄存器中第二复位模块的具体结构,在具体实施时,第二复位模块的具体结构不限于本发明实施例提供的上述结构,还可以是本领域技术人员可知的其他结构,在此不作限定。
[0119]较佳地,为了降低制备工艺,在具体实施时,在本发明实施例提供的上述移位寄存器中,如图3a和图3b所示,所有开关晶体管均可以为N型开关晶体管;或者,如图4a和图4b所示,所有开关晶体管均可以为P型开关晶体管,在此不作限定。
[0120]进一步的,在具体实施时,在本发明实施例提供的上述移位寄存器中4型开关晶体管在高电位作用下导通,在低电位作用下截止;P型开关晶体管在高电位作用下截止,在低电位作用下导通。
[0121]需要说明的是,本发明上述实施例中提到的开关晶体管可以是薄膜晶体管(TFT,Thin Film Transistor),也可以是金属氧化物半导体场效应管(MOS,Metal OxideSemiconductor),在此不作限定。在具体实施中,这些晶体管的源极和漏极根据晶体管类型以及输入信号的不同,其功能可以互换,在此不做具体区分。
[0122]下面结合电路时序图对本发明实施例提供的上述移位寄存器的工作过程作以描述。下述描述中以I表示高电位信号,O表示低电位信号,其中,I和O代表其逻辑电位,仅是为了更好的解释本发明实施例提供的上述移位寄存器的工作过程,而不是在具体实施时施加在各开关晶体管的栅极上的电位。
[0123]实施例一、
[0124]以图3b所示的移位寄存器的结构为例对其工作过程作以描述,其中,在图3b所示的移位寄存器中,所有开关晶体管均为N型开关晶体管,各N型开关晶体管在高电位作用下导通,在低电位作用下截止;参考信号端VSS的电位为低电位,对应的输入输出时序图如图5a所示,具体地,选取如图5a所示的输入输出时序图中的第一阶段Tl、第二阶段T2、第三阶段T3、第四阶段T4和第五阶段T5五个阶段。
[0125]在第一阶段Tl,Input= I,Reset = 0,CK1 = 0,CK2 = I,CKC= I。
[0126]由于Reset= O,因此第七开关晶体管M7和第十一开关晶体管Ml I均截止;由于Input = I,因此第六开关晶体管M6导通;由于第六开关晶体管M6导通并将输入信号端Input的高电位的信号提供给第一节点A,因此第一节点A的电位为高电位,电容C开始充电;由于第一节点A的电位为高电位,因此第四开关晶体管M4、第五开关晶体管M5、第八开关晶体管M8和第十开关晶体管MlO均导通;由于第五开关晶体管M5导通并将参考信号端VSS的低电位的信号提供给第三开关晶体管M3的栅极,保证第三开关晶体管M3处于截止状态,以不影响第二节点B的电位;由于第四开关晶体管M4导通并将参考信号端VSS的低电位的信号提供给第二节点B,因此第二节点B的电位为低电位;由于第二节点B的电位为低电位,因此第一开关晶体管Ml和第九开关晶体管M9均截止;由于第八开关晶体管M8导通并将第一时钟信号端CKl的低电位的第一时钟信号提供给驱动信号输出端Output,因此驱动信号输出端Output输出低电位的扫描信号;由于第十开关晶体管MlO导通并将削角控制信号端CKC的高电位的信号通过电阻R提供给驱动信号输出端Output,由于削角控制信号端CKC的信号处于高电位时的电压与第一时钟信号端CKl的第一时钟信号处于低电位时的电压相等,因此在此时间段削角控制信号端CKC的信号对驱动信号输出端Output输出的扫描信号没有影响。
[0127]在第二阶段T2,Input= O,Reset = 0,CKl = I,CK2 = 0,CKC= I。
[0128]由于Input= O,因此第六开关晶体管M6截止;Reset = O,因此第七开关晶体管M7和第十一开关晶体管Mll均截止;由于CK2 = 0,因此第二开关晶体管M2截止;由于第二开关晶体管M2、第六开关晶体管M6和第七开关晶体管M7均截止,因此第一节点A处于浮接状态;由于第一节点A处于浮接状态,由于电容C的自举作用,为了维持电容C两端的电压差稳定,因此第一节点A的电位保持为高电位,以保证第四开关晶体管M4、第五开关晶体管M5、第八开关晶体管M8和第十开关晶体管MlO均导通;由于第五开关晶体管M5导通并将参考信号端VSS的低电位的信号提供给第三开关晶体管M3的栅极,因此第三开关晶体管M3截止;由于第四开关晶体管M4导通并将参考信号端VSS的低电位的信号提供给第二节点B,因此第二节点B的电位为低电位;由于第二节点B的电位为低电位,因此第一开关晶体管Ml和第九开关晶体管M9均截止;由于第八开关晶体管M8导通并将第一时钟信号端CKl的高电位的第一时钟信号提供给驱动信号输出端Ou t Pu t,因此驱动信号输出端Ou t P u t输出高电位的扫描信号;由于电容C的自举作用,为了维持电容C两端的电压差稳定,因此第一节点A的电位被进一步拉高,以保证第八开关晶体管M8完全导通;由于第八开关晶体管M8完全导通并将第一时钟信号端CKl的高电位的第一时钟信号提供给驱动信号输出端Output,因此驱动信号输出端Output输出高电位的扫描信号。
[0129]之后,Input= O,Reset = 0,CKl = I,CK2 = 0,CKC = O。
[0130]由于第二开关晶体管M2、第六开关晶体管M6和第七开关晶体管M7均截止,因此第一节点A仍处于浮接状态;并且由于电容C的自举作用,为了维持电容C两端的电压差稳定,因此第一节点A的电位仍被进一步拉尚,以保证第八开关晶体管M8和第十开关晶体管MlO完全导通;由于第八开关晶体管M8导通并将第一时钟信号端CKl的高电位的第一时钟信号提供给驱动信号输出端Output,因此驱动信号输出端Output输出高电位的扫描信号;由于第十开关晶体管MlO完全导通并将削角控制信号端CKC的低电位的削角控制信号通过电阻R提供给驱动信号输出端Output,由于削角控制信号端CKC的削角控制信号由高电位变为低电位,在电阻R和电容C的共同作用下,使驱动信号输出端Output输出的扫描信号的电位逐渐变小,直至该阶段结束。
[0131]在第三阶段了3,1即肚=0,1^86七=1,0(1=0,0(2= 1,0^=1。
[0132]由于Input= O,因此第六开关晶体管M6截止;Reset = I,因此第七开关晶体管M7和第十一开关晶体管Mll均导通;由于第十一开关晶体管Mll导通并将参考信号端VSS的低电位的信号提供给第一节点A,因此第一节点A的电位保持为低电位;由于第一节点A的电位保持为低电位,因此第四开关晶体管M4、第五开关晶体管M5、第八开关晶体管M8和第十开关晶体管MlO均截止;由于CK2= I,因此第二开关晶体管M2导通并将第二时钟信号端CK2的高电位的第二时钟信号提供给第三开关晶体管M3的栅极,以保证第三开关晶体管M3导通;由于第三开关晶体管M3导通并将第二时钟信号端CK2的高电位的第二时钟信号提供给第二节点B,因此第二节点B的电位为高电位;由于第二节点B的电位为高电位,因此第一开关晶体管Ml和第九开关晶体管M9均导通;由于第一开关晶体管Ml导通并将参考信号端VS
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