发光器件、发光器件包装和光设备的制作方法
【专利摘要】根据本发明的发光器件包含：发光结构，所述发光结构包含第一导电半导体层、在所述第一导电半导体层下的有源层和在所述有源层下的第二导电半导体层；反射电极，所述反射电极布置在所述发光结构下并具有在所述第二导电半导体层下的第一区域和从所述第一区域延伸并穿过所述第二导电半导体层和所述有源层的第二区域；以及电连接到所述第一导电半导体层的电极。
【专利说明】发光器件、发光器件包装和光设备
【技术领域】
[0001 ] 本发明涉及一种发光器件、发光器件包装和光设备。
【背景技术】
[0002]发光二极管(LED)已经被广泛用作发光器件中的一种。所述LED通过使用复合半导体的特性将电信号转化成光的形式如近红外光、紫外光和可见光。
[0003]随着发光器件光效率的提高，已经将LED用于各种领域如显示装置和照明电器中。
【发明内容】
[0004]技术问题
[0005]本发明提供一种能够在提高光强度的同时控制光的取向角的发光器件、发光器件包装和光设备。
[0006]技术方案
[0007]根据本发明的发光器件包括:发光结构，所述发光结构包括第一导电半导体层、在所述第一导电半导体层下的有源层和在所述有源层下的第二导电半导体层；反射电极，所述反射电极设置在所述发光结构下并包括在所述第二导电半导体层下的第一区域和从所述第一区域延伸穿过所述第二导电半导体层和所述有源层的第二区域；以及电连接到所述第一导电半导体层的电极。
[0008]根据本发明的发光器件包装包括:主体；在所述主体上的发光器件；以及电连接到所述发光器件的第一引线电极和第二引线电极，其中所述发光器件包括:发光结构，所述发光结构包括第一导电半导体层、在所述第一导电半导体层下的有源层和在所述有源层下的第二导电半导体层；反射电极，所述反射电极设置在所述发光结构下并包括在所述第二导电半导体层下的第一区域和从所述第一区域延伸穿过所述第二导电半导体层和所述有源层的第二区域；以及电连接到所述第一导电半导体层的电极。
[0009]根据本发明的光设备包括:基材；在所述基材上的发光器件；和光学构件，所述光学构件充当发射自所述发光器件的光的光学通道，其中所述发光器件包括:发光结构，所述发光结构包括第一导电半导体层、在所述第一导电半导体层下的有源层和在所述有源层下的第二导电半导体层；反射电极，所述反射电极设置在所述发光结构下并包括在所述第二导电半导体层下的第一区域和从所述第一区域延伸穿过所述第二导电半导体层和所述有源层的第二区域；以及电连接到所述第一导电半导体层的电极。
[0010]有益效果
[0011]本发明的发光器件、发光器件包装和光设备具有能够调整取向角并改善光强度的优点。
【专利附图】
【附图说明】
[0012]图1是显示根据本发明的发光器件的视图。
[0013]图2和3是显示应用于根据本发明的发光器件的反射电极和绝缘层的布置的视图。
[0014]图4?8是显示制造根据本发明的发光器件的方法的视图。
[0015]图9是显示改进的根据本发明的发光器件的视图。
[0016]图10是显示根据本发明的发光器件包装的视图。
[0017]图11是显示根据本发明的显示装置的视图。
[0018]图12是显示根据本发明的显示装置的另一个实例的视图。
[0019]图13?15是显示根据本发明的发光装置的视图。
[0020]图16和17是显示根据本发明的发光装置的另一个实例的视图。
【具体实施方式】
[0021]在本发明的说明书中，应理解，当指层(或膜)、区域、图案或结构在另一个基材、另一个层(或膜)、另一个区域、另一个垫或另一个图案“上”或“下”时，其能够“直接”或“间接”地在其它基材、层(或膜)、区域、垫或图案上方，或还可存在一个或多个插入层。已经参考附图对所述层的这种位置进行了描述。
[0022]为了方便或清晰，示于附图中的各个层的厚度和尺寸可以放大、省略或示意性绘制。另外，元件的尺寸不完全反应实际尺寸。
[0023]下文中，将参考附图对根据本发明的发光器件、发光器件包装、光设备和制造所述发光器件的方法进行详细说明。
[0024]图1是显示根据本发明的发光器件的视图。
[0025]如图1中所示，根据本发明的发光器件可以包括发光结构10、反射电极17和电极80。
[0026]发光结构10可以包括第一导电半导体层11、有源层12和第二导电半导体层13。所述有源层12可以设置在第一导电半导体层11与第二导电半导体层13之间。有源层12可以设置在第一导电半导体层11之下，且第二导电半导体层13可以设置在有源层12之下。
[0027]例如，第一导电半导体层11可以包含掺杂有充当第一导电掺杂剂的N型掺杂剂的N型半导体层，且第二导电半导体层13可以包含掺杂有充当第二导电掺杂剂的P型掺杂剂的P型半导体层。另外，第一导电半导体层11可以包含P型半导体层，且第二导电半导体层13可以包含N型半导体层。
[0028]例如，第一导电半导体层11可以包含N型半导体层。第一导电半导体层11可以通过使用复合半导体来实现。第一导电半导体层11可以通过使用II?VI族复合半导体、或III?V族复合半导体来实现。
[0029]例如，第一导电半导体层11可以通过使用具有组成式为InxAlyGa^N(O彡x彡1，O y 1,0 ^ x+y ( I)的半导体材料来实现。例如，第一导电导体层11可以包含掺杂有N型掺杂剂的选自如下物质中的一种:GaN、AIN、AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs、GaP、GaAs、GaAsP 和 AlGaInP，所述 N 型掺杂剂为例如 S1、Ge、Sn、Se 和 Te。
[0030]有源层12利用通过第一导电半导体层11注入的电子(或空穴)与通过第二导电半导体层13注入的空穴(或电子)的组合来发光，所述光的波长与构成有源层12的材料的能隙差相对应。有源层12可以具有如下结构中的一种:单量子阱(SQW)结构、多量子阱(MQff)结构、量子点结构和量子线结构，但本发明不限制于此。
[0031]有源层12可以通过使用复合半导体来实现。有源层12可以通过使用具有组成式为InxAlyGa^N(O彡x彡1，0彡y彡1，0彡x+y彡I)的半导体材料来实现。当有源层12具有MQW结构时，有源层12可以通过堆叠多个阱层和多个阻挡层来形成。例如，有源层12可以具有InGaN阱层/GaN阻挡层的循环。
[0032]例如，第二导电半导体层13可以包含P型半导体层。第二导电半导体层13可以通过使用复合半导体来实现。例如，第二导电半导体层13可以通过使用II?VI族复合半导体或II?V族复合半导体来实现。
[0033]例如，第二导电半导体层13可以通过使用具有组成式为InxAlyGa^N (O彡x彡1，O ^ y ^ I, O ^ x+y ( I)的半导体材料来实现。例如第二导电半导体层13可以包含掺杂有P型掺杂剂的选自如下物质中的一种:GaN、AIN、AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs、GaP、GaAs, GaAsP 和 AlGalnP，所述 P 型掺杂剂为例如 Mg、Zn、Ca、Sr 和 Ba。
[0034]同时，第一导电半导体层11可以包括P型半导体层且第二导电半导体层13可以包括N型半导体层。另外，包括N型或P型半导体层的半导体层可以另外设置在第二导电半导体层13之下。因此，第一发光结构10可以具有选自如下结构中的至少一种:NP结结构、PN结结构、NPN结结构或PNP结结构。另外，可以在均一或不均一的掺杂浓度下将杂质掺杂入第一导电半导体层11和第二导电半导体层13中。换言之，第一发光结构10可以具有各种结构，且本发明不限制于此。
[0035]另外，在第一导电半导体层11与有源层12之间可以形成第一导电InGaN/GaN超晶格结构或InGaN/InGaN超晶格结构。另外，可以在第二导电半导体层13与有源层12之间形成第二导电AlGaN层。
[0036]反射电极17可以设置在发光结构10之下。反射电极17的第一区域17A可以设置在第二导电半导体层13之下。反射电极17的第二区域17B可以从第一区域17A延伸。反射电极17的第三区域17C可以从第二区域17B延伸。反射电极17的第三区域17C可以是反射电极17的最上层。
[0037]例如，反射电极17的第二区域17B可以从第一区域17A向上延伸。反射电极17的第二区域17B可以从第一区域17A延伸穿过第二导电半导体层13。反射电极17的第二区域17B可以从第一区域17A延伸穿过有源层12。反射电极17的第三区域17C可以设置在第一导电半导体层11中。反射电极17的最上层可以设置在第一导电半导体层11中。
[0038]反射电极17的第二区域17B可以在向上的方向上反射发射自有源层12的光。反射电极17的第二区域17B可以围绕有源层12。反射电极17的第二区域17B可以围绕第二导电半导体层13。
[0039]反射电极17可以电连接到第二导电半导体层13。反射电极17的一部分可以与第二导电半导体层13接触。反射电极17的一部分可以与第二导电半导体层13的底面接触。
[0040]绝缘层30可以设置在反射电极17的第二区域17B与第一导电半导体层11之间。绝缘层30可以设置在反射电极17的第二区域17B的顶面上。绝缘层30可以设置在反射电极17的第二区域17B的横向侧面上。绝缘层30可以与反射电极17的第二区域17B的横向侧面接触。绝缘层30可以设置在反射电极17与有源层12之间。绝缘层30可以设置在反射电极17的第二区域17B与有源层12之间。
[0041]绝缘层30可以由氧化物或氮化物形成。绝缘层30可以包含绝缘离子植入层。例如，绝缘层30可以通过植入工艺植入Ar、O和N离子来形成。
[0042]欧姆接触层15可以设置在反射电极17与第二导电半导体层13之间。欧姆接触层15可以设置在反射电极17的第一区域17A与第二导电半导体层13之间。
[0043]欧姆接触层15可以与发光结构10实现欧姆接触。反射电极17可以反射从发光结构10向其入射的光以提高提取到外部的光的量。
[0044]例如，欧姆接触层15可以包含透明导电氧化物。例如，欧姆接触层15可以包括选自如下物质中的至少一种:ITO (铟锡氧化物)、IZO (铟锌氧化物)、AZO (铝锌氧化物)、AGZO (铝镓锌氧化物)、IZTO (铟锌锡氧化物)、IAZO (铟铝锌氧化物)、IGZO (铟镓锌氧化物)、IGTO (铟镓锡氧化物)、ΑΤ0 (锑锡氧化物)、GZ0 (镓锌氧化物)、IZON (ΙΖ0的氮化物)、ZnO> IrOx、RuOx、N1、Pt 和 Ag。
[0045]反射电极17可以包含具有高反射率的材料。例如，反射电极17可以包含金属或其合金，所述金属包括Ag、N1、Al、Rh、Pd、Ir、Ru、Mg、Zn、Pt、Cu、Au和Hf中的至少一种。另夕卜，反射电极17可以以多层所述金属或其合金和透射导电材料的形式形成，所述透射导电材料为例如ITO (铟-锡-氧化物)、IZO (铟-锌-氧化物)、IZTO (铟-锌-锡-氧化物)、IAZO (铟-招-锌-氧化物)、IGZ0 (铟-镓-锌-氧化物)、IGT0 (铟-镓-锡-氧化物)、AZO (铝-锌-氧化物)或ATO (锑-锡-氧化物)。例如，根据本发明，反射电极17可以包含如下物质中的至少一种:Ag、Al、Ag-Pd-Cu合金和Ag-Cu合金。
[0046]根据本发明的发光器件可以包括设置在反射电极17之下的金属层50。金属层50可以与反射电极17的第一区域17A接触。金属层50可以与反射电极17的第一区域17A的底面接触。金属层50可以与反射电极17的第二区域17B接触。金属层50可以与反射电极17的第二区域17B的横向侧面接触。金属层50的第一区域可以高于有源层12。金属层50的顶面可以高于有源层12。
[0047]金属层50的第二区域可以与第二导电半导体层13的底面接触。金属层50的第三区域可以从第二区域向外延伸。金属层50的第三区域可以暴露于发光结构10的下外围部。金属层50可以设置在发光结构10的下部周围以形成金属通道层。由此，根据本发明的发光器件可以具有优异的电和结构可靠性。
[0048]例如,暴露的金属层50的宽度可以为30 μ m?40 μ m。例如,暴露于第二反射电极30下外围部的金属层50的宽度可以为35 μ m。
[0049]金属层50可以包括Cu、N1、T1、T1-W、Cr、W、Pt、V、Fe和Mo中的至少一种。金属层50可以充当扩散阻挡层。可以在金属层50之下设置结合层60和支持构件70。
[0050]金属层50在结合层60的设置过程中可以防止包含在结合层60中的材料扩散入反射电极17中。金属层50可以防止包含在结合层60中的材料如Sn对反射电极17施加影响。
[0051]结合层60可以包含阻挡金属或结合金属。例如，结合层60可以包含T1、Au、Sn、N1、Cr、Ga、In、B1、Cu、Ag、Nb、Pd和Ta中的至少一种。支持构件70可以在发挥热辐射功能的同时支持根据本发明的发光结构10。结合层60可以以籽晶层的形式实现。
[0052]支持构件70可以包含植入有T1、Cr、N1、Al、Pt、Au、W、Cu、Mo、Cu-W或杂质的至少一种的半导体基材(例如S1、Ge、GaN、GaAs、ZnO、SiC和SiGe基材)。例如，支持构件70可以由绝缘材料形成。
[0053]同时，根据本发明的发光器件可以包含电连接到第一导电半导体层11的电极80。例如，电极80可以形成在第一导电半导体层11上。
[0054]根据本发明，可以通过反射电极17和电极80将电力施加到发光结构10。根据本发明，电极80可以包含欧姆层、中间层和上层。欧姆层可以包含选自如下材料中的材料以实现欧姆接触:Cr、V、W、Ti和Zn。中间层可以通过使用选自N1、Cu和Al中的材料来实现。例如，上层可以包含Au。电极80可以包含Cr、V、W、T1、Zn、Cu、Al和Au中的至少一种。
[0055]在发光结构10的顶面上可以形成粗糙度。可以将光提取图案设置在发光结构10的顶面上。可以将凹-凸图案设置在发光结构10的顶面上。例如，通过PEC(光电化学)刻蚀工艺工艺可以形成设置在发光结构10上的光提取图案。因此，根据本发明，能够提高向外部的光提取效果。
[0056]根据本发明，从反射电极17的第二区域17B延伸的反射电极17的第三区域17C可以与电极80在垂直方向上重叠。反射电极17的第三区域17C可以充当反射电极17的最上层。
[0057]反射电极17的最上层的宽度可以是电极80的宽度的一到四倍。例如，电极的宽度为15μπι?18μπι。反射电极17的最上层的宽度为15μπι?70μπι。例如，反射电极17的最上层的宽度为30 μ m?55 μ m。
[0058]根据本发明，反射电极17的第一区域17A可以设置在发光结构10之下，且反射电极17的第二区域17B可以围绕有源层12。由此，发射自有源层12的光能够从反射电极17的第二区域17B被反射，从而能够向上提取光。因此，根据本发明，光的取向角能够控制且在向上方向上的光提取效率能够被提高。
[0059]例如，第一导电半导体层11、反射电极17、绝缘层30和金属层50可以构造为如图2或图3中所示。图2和3是沿图1中所示的发光器件的直线A-A截取的平面视图。
[0060]参考图1和2，根据本发明的发光器件可以包含设置在发光器件外部外围部分和中心部分处的反射电极17。绝缘层30可以设置在反射电极17周围。例如，绝缘层30可以包含绝缘离子植入层并可以将反射电极17与第一导电半导体层11电绝缘。金属层50可以设置在发光器件的边缘区域。金属层50可以设置在发光结构10的下部周围。
[0061]参考图1和3，根据本发明的发光器件可以包含设置在发光器件外部外围部分的反射电极17。具有预定线宽度的反射电极17的一部分可以设置在发光器件的中心处。绝缘层30可以设置在反射电极17的周围。例如，绝缘层30可以包含绝缘离子植入层并将反射电极17与第一导电半导体层11电绝缘。反射电极17可以围绕第一导电半导体层11。金属层50可以设置在发光器件的边缘区域。金属层50可以设置在发光结构10的下部周围。
[0062]下文中，将参考图4?8对制造根据本发明的发光器件的方法进行说明。
[0063]根据制造本发明的发光器件的方法，如图3中所示，可以在基材5上形成第一导电半导体层U、有源层12和第二导电半导体层13。可以将第一导电半导体层U、有源层12和第二导电半导体层13定义为发光结构10。
[0064]例如,基材5可以包含如下基材中的至少一种:蓝宝石基材(Al2O3)、SiC、GaAs、GaN、ZnO, S1、GaP、InP和Ge，但本发明不限制于此。可以将缓冲层设置在第一导电半导体层11与基材5之间。
[0065]例如，第一导电半导体层11可以包含掺杂有充当第一导电掺杂剂的N型掺杂剂的N型半导体层，且第二导电半导体层13可以包含掺杂有充当第二导电掺杂剂的P型掺杂剂的P型半导体层。另外，第一导电半导体层11可以包含P型半导体层，且第二导电半导体层13可以包含N型半导体层。
[0066]例如，第一导电半导体层11可以包含N型半导体层。第一导电半导体层11可以包含具有组成式为InxAlyGa^N(O彡x彡1，O彡y彡1，O彡x+y彡I)的半导体材料。例如，第一导电半导体层I Ia可以包含掺杂有N型掺杂剂的选自如下物质中的一种:InAlGaN、GaN, AlGaN, AlInN, InGaN, AlN InN，所述 N 型掺杂剂为例如 S1、Ge、Sn、Se 和 Te。
[0067]有源层12利用通过第一导电半导体层11注入的电子(或空穴)与通过第二导电半导体层13注入的空穴(或电子)的组合来发光，所述光的波长与构成有源层12的材料的能隙差相对应。有源层12可以具有如下结构中的一种:单量子阱(SQW)结构、多量子阱(MQff)结构、量子点结构和量子线结构，但本发明不限制于此。
[0068]有源层12可以通过使用具有组成式为InxAlyGai_x_yN(O彡x彡1，0彡y彡1，O ^ x+y ^ I)的半导体材料来实现。当有源层12具有MQW结构时，有源层12可以通过堆叠多个阱层和多个阻挡层来形成。例如，有源层12可以具有InGaN阱层/GaN阻挡层的循环。
[0069]例如，第二导电半导体层13可以通过使用P型半导体来实现。第二导电半导体层13可以通过使用具有组成式为InxAlyGa1^N(O ^ x ^ I, O ^ y ^ I, O ^ x+y ^ I)的半导体材料来实现。例如第二导电半导体层13可以包含掺杂有P型掺杂剂的选自如下物质中的一种:InAlGaN、GaN、AlGaN、InGaN、Α1ΙηΝ、Α1Ν 和 InN，所述 P 型掺杂剂为例如 Mg、Zn、Ca、Sr 和 Ba。
[0070]同时，第一导电半导体层11可以包括P型半导体层且第二导电半导体层13可以包括N型半导体层。另外，包括N型或P型半导体层的半导体层可以另外设置在第二导电半导体层13之上。因此，发光结构10可以具有选自如下结构中的至少一种:NP结结构、PN结结构、NPN结结构或PNP结结构。另外，可以在均一或不均一的掺杂浓度下将杂质掺杂入第一导电半导体层11和第二导电半导体层13中。换言之，发光结构10可以具有各种结构，且本发明不限制于此。
[0071]另外，在第一导电半导体层11与有源层12之间可以形成第一导电InGaN/GaN超晶格结构或InGaN/InGaN超晶格结构。另外，可以在第二导电半导体层13与有源层12之间形成第二导电AlGaN层。
[0072]接下来，如图5中所示，在发光结构10中形成开槽33。开槽33可以通过台面腐蚀工艺来形成。开槽33可以通过第二导电半导体层13和有源层12形成。开槽33可以通过对第一导电半导体层11进行部分腐蚀来形成。
[0073]然后，如图6中所示，在开槽33的区域中形成绝缘层30。所述绝缘层30由氧化物或氮化物形成。另外，绝缘层30可以包含绝缘离子植入层。例如，绝缘层30可以通过植入工艺植入Ar、O和N离子来形成。
[0074]另外，如图6中所示，欧姆接触层15与反射电极17可以设置在发光结构10上。将欧姆接触层15形成在第二导电半导体层13上。反射电极17形成在绝缘层30上。反射电极17形成在开槽33中。反射电极17的一部分形成在第二导电半导体层13上。反射电极17的另一部分形成在欧姆接触层15上。
[0075]例如，欧姆接触层15可以包含透明导电氧化物层。例如，欧姆接触层15可以包括选自如下物质中的至少一种:ITO (铟锡氧化物)、IZO (铟锌氧化物)、AZO (铝锌氧化物)、AGZO (铝镓锌氧化物)、IZTO (铟锌锡氧化物)、IAZO (铟铝锌氧化物)、IGZO (铟镓锌氧化物)、IGTO (铟镓锡氧化物)、ΑΤ0 (锑锡氧化物)、GZ0 (镓锌氧化物)、IZON (ΙΖ0的氮化物)、ZnO> IrOx、RuOx、N1、Pt 和 Ag。
[0076]反射电极17可以包含具有高反射率的材料。例如，反射电极17可以包含金属或其合金，所述金属包括Ag、N1、Al、Rh、Pd、Ir、Ru、Mg、Zn、Pt、Cu、Au和Hf中的至少一种。另外，反射电极17可以以多层金属或其合金和透射导电材料的形式形成，所述透射导电材料为例如ITO (铟-锡-氧化物)、IZO (铟-锌-氧化物)、IZTO (铟-锌-锡-氧化物)、IAZO (铟-招-锌-氧化物)、IGZ0 (铟-镓-锌-氧化物)、IGT0 (铟-镓-锡-氧化物)、AZO (铝-锌-氧化物)或ATO (锑-锡-氧化物)。例如，根据本发明，反射电极17可以包含如下物质中的至少一种:Ag、Al、Ag-Pd-Cu合金和Ag-Cu合金。
[0077]另外，如图7中所示，金属层50、结合层60和支持构件70可以形成在反射层17上。
[0078]金属层50可以包括Cu、N1、T1、T1-W、Cr、W、Pt、V、Fe和Mo中的至少一种。金属层50在结合层60的设置过程中可以防止包含在结合层60中的材料扩散入反射电极17中。金属层50可以防止包含在结合层60中的材料如Sn对反射电极17发挥影响。
[0079]结合层60可以包含阻挡金属或结合金属。例如，结合层60可以包括T1、Au、Sn、N1、Cr、Ga、In、B1、Cu、Ag、Nb、Pd和Ta中的至少一种。支持构件70可以在发挥热辐射功能的同时支持根据本发明的发光结构10。结合层60可以以籽晶层的形式实现。
[0080]支持构件70可以包含植入有T1、Cr、N1、Al、Pt、Au、W、Cu、Mo、Cu-W或杂质的至少一种半导体基材(例如S1、Ge、GaN, GaAs, ZnO, SiC和SiGe基材)。另外，支持构件70可以由绝缘材料形成。
[0081]然后，将基材5从第一导电半导体层11除去。根据一个实例，通过激光剥离(LLO)工艺将基材5除去。所述LLO工艺是通过将激光照射到基材5的底面将基材5从第一导电半导体层11分层的工艺。
[0082]然后，如图8中所示，通过隔离腐蚀工艺对发光结构10的横向侧面进行腐蚀以露出一部分金属层30。隔离腐蚀工艺可以通过干腐蚀工艺如电感耦合等离子体(ICP)工艺来实施，但本发明不限制于此。
[0083]在发光结构10的顶面上可以形成粗糙度。可以将光提取图案设置在发光结构10的顶面上。可以将凹-凸图案设置在发光结构10的顶面上。例如，通过PEC(光电化学)蚀刻工艺可以形成设置在发光结构10上的光提取图案。因此，根据本发明，能够提高向外部的光提取效果。
[0084]然后，如图8中所示，电极80可以形成在发光结构10上。电极80可以电连接到第一导电半导体层11。电极80的一部分可以与第一导电半导体层11接触。根据本发明，通过反射电极17和电极18向发光结构10施加电力。
[0085]电极80可以包含欧姆层、中间层和上层。欧姆层可以包含选自如下材料中的材料以实现欧姆接触:Cr、V、W、Ti和Zn。中间层可以通过使用选自N1、Cu和Al中的材料来实现。例如，上层可以包含Au。电极80可以包含Cr、V、W、T1、Zn、Cu、Al和Au中的至少一种。
[0086]同时，上述工艺仅是示例性目的，且工艺的顺序可以发生各种改变。
[0087]根据本发明，反射电极17可以设置在发光结构10之下。反射电极17的第一区域17A可以设置在第二导电半导体层13之下。反射电极17的第二区域17B可以从第一区域17A延伸。反射电极17的第三区域17C可以从第二区域17B延伸。反射电极17的第三区域17C可以是反射电极17的最上层。
[0088]例如，反射电极17的第二区域17B可以从第一区域17A向上延伸。反射电极17的第二区域17B可以从第一区域17A延伸穿过第二导电半导体层13。反射电极17的第二区域17B可以从第一区域17A延伸穿过有源层12。反射电极17的第三区域17C可以设置在第一导电半导体层11中。反射电极17的最上层可以设置在第一导电半导体层11中。
[0089]反射电极17的第二区域17B可以在向上的方向上反射发射自有源层12的光。反射电极17的第二区域17B可以围绕有源层12。反射电极17的第二区域17B可以围绕第二导电半导体层13。
[0090]反射电极17可以电连接到第二导电半导体层13。反射电极17的一部分可以与第二导电半导体层13接触。反射电极17的一部分可以与第二导电半导体层13的底面接触。
[0091]绝缘层30可以设置在反射电极17的第二区域17B与第一导电半导体层11之间。绝缘层30可以设置在反射电极17的第二区域17B的顶面上。绝缘层30可以设置在反射电极17的第二区域17B的横向侧面上。绝缘层30可以与反射电极17的第二区域17B的横向侧面接触。绝缘层30可以设置在反射电极17与有源层12之间。绝缘层30可以设置在反射电极17的第二区域17B与有源层12之间。
[0092]欧姆接触层15可以设置在反射电极17与第二导电半导体层13之间。欧姆接触层15可以设置在反射电极17的第一区域17A与第二导电半导体层13之间。
[0093]欧姆接触层15可以与发光结构10实现欧姆接触。反射电极17可以反射从发光结构10向其入射的光以提高提取到外部的光的量。
[0094]根据本发明的发光器件可以包括设置在反射电极17之下的金属层50。金属层50可以与反射电极17的第一区域17A接触。金属层50可以与反射电极17的第一区域17A的底面接触。金属层50可以与反射电极17的第二区域17B接触。金属层50可以与反射电极17的第二区域17B的横向侧面接触。金属层50的第一区域可以高于有源层12。金属层50的顶面可以高于有源层12。
[0095]金属层50的第二区域可以与第二导电半导体层13的底面接触。金属层50的第三区域可以从第二区域向外延伸。金属层50的第三区域可以暴露于发光结构10的下外围部。金属层50可以设置在发光结构10的下部周围以形成金属通道层。由此，根据本发明的发光器件可以具有优异的电和结构可靠性。
[0096]例如,暴露的金属层50的宽度可以为30 μ m?40 μ m。例如,暴露于第二反射电极30下外围部的金属层50的宽度可以为35 μ m。
[0097]根据本发明，从反射电极17的第二区域17B延伸的反射电极17的第三区域17C可以与电极80在垂直方向上重叠。反射电极17的第三区域17C可以充当反射电极17的最上层。
[0098]反射电极17的最上层的宽度可以是电极80的宽度的一到四倍。例如，所述电极的宽度为15μπι?18μπι。反射电极17的最上层的宽度为15μπι?70μπι。例如，反射电极17的最上层的宽度为30 μ m?55 μ m。
[0099]根据本发明，反射电极17的第一区域17A可以设置在发光结构10之下，且反射电极17的第二区域17B可以围绕有源层12。由此，发射自有源层12的光能够从反射电极17的第二区域17B被反射，从而能够向上提取光。因此，根据本发明，光的取向角能够控制且在向上方向上的光提取效率能够被提高。
[0100]图9是显示根据本发明的发光器件的另一个实例的视图。在关于图9中所示发光器件的如下说明中，为了避免冗余，对与参考图1所述相同的元件和结构不再进一步说明。
[0101]如图9中所示，根据本发明的发光器件可以包含设置在发光结构10的外部外围部分的反射电极17。图1显示了设置在发光结构10中心区域上的反射电极17的最上面17C。然而，根据另一个实施方案，如图9中所示，反射电极17的第三区域17C可以不在发光结构10的中心区域上突出。
[0102]根据本发明，反射电极17可以设置在发光结构10之下。反射电极17的第一区域17A可以设置在第二导电半导体层13之下。反射电极17的第二区域17B可以从第一区域17A延伸。反射电极17的第三区域17C可以从第二区域17B延伸。反射电极17的第三区域17C可以是反射电极17的最上层。
[0103]例如，反射电极17的第二区域17B可以从第一区域17A向上延伸。反射电极17的第二区域17B可以从第一区域17A延伸穿过第二导电半导体层13。反射电极17的第二区域17B可以从第一区域17A延伸穿过有源层12。反射电极17的第三区域17C可以设置在第一导电半导体层11中。反射电极17的最上层可以设置在第一导电半导体层11中。
[0104]反射电极17的第二区域17B可以在向上的方向上反射发射自有源层12的光。反射电极17的第二区域17B可以围绕有源层12。反射电极17的第二区域17B可以围绕第二导电半导体层13。
[0105]反射电极17可以电连接到第二导电半导体层13。反射电极17的一部分可以与第二导电半导体层13接触。反射电极17的一部分可以与第二导电半导体层13的底面接触。
[0106]绝缘层30可以设置在反射电极17的第二区域17B与第一导电半导体层11之间。绝缘层30可以设置在反射电极17的第二区域17B的顶面上。绝缘层30可以设置在反射电极17的第二区域17B的横向侧面上。绝缘层30可以与反射电极17的第二区域17B的横向侧面接触。绝缘层30可以设置在反射电极17与有源层12之间。绝缘层30可以设置在反射电极17的第二区域17B与有源层12之间。
[0107]欧姆接触层15可以设置在反射电极17与第二导电半导体层13之间。欧姆接触层15可以设置在反射电极17的第一区域17A与第二导电半导体层13之间。
[0108]欧姆接触层15可以与发光结构10实现欧姆接触。反射电极17可以反射从发光结构10向其入射的光以提高提取到外部的光的量。
[0109]根据本发明的发光器件可以包括设置在反射电极17之下的金属层50。金属层50可以与反射电极17的第一区域17A接触。金属层50可以与反射电极17的第一区域17A的底面接触。金属层50可以与反射电极17的第二区域17B接触。金属层50可以与反射电极17的第二区域17B的横向侧面接触。金属层50的第一区域可以高于有源层12。金属层50的顶面可以高于有源层12。
[0110]金属层50的第二区域可以与第二导电半导体层13的底面接触。金属层50的第三区域可以从第二区域向外延伸。金属层50的第三区域可以暴露于发光结构10的下外围部。金属层50可以设置在发光结构10的下部周围以形成金属通道层。由此，根据本发明的发光器件可以具有优异的电和结构可靠性。
[0111]例如，暴露的金属层50的宽度可以为30 μ m?40 μ m。例如,暴露于第二反射电极30下外围部的金属层50的宽度可以为35 μ m。
[0112]根据本发明，从反射电极17的第二区域17B延伸的反射电极17的第三区域17C可以与电极80在垂直方向上重叠。反射电极17的第三区域17C可以充当反射电极17的最上层。
[0113]反射电极17的最上层的宽度可以是电极80的宽度的一到四倍。例如，电极的宽度为15μπι?18μπι。反射电极17的最上层的宽度为15μπι?70μπι。例如，反射电极17的最上层的宽度为30 μ m?55 μ m。
[0114]根据本发明，反射电极17的第一区域17A可以设置在发光结构10之下，且反射电极17的第二区域17B可以围绕有源层12。由此，发射自有源层12的光能够从反射电极17的第二区域17B被反射，从而能够向上提取光。因此，根据本发明，光的取向角能够控制且在向上方向上的光提取效率能够提高。
[0115]图10是显示应用根据本发明的发光器件的发光器件包装的视图。
[0116]参考图10，根据本发明的发光器件包装可以包含主体120、形成在主体120上的第一引线电极和第二引线电极131和132、设置在主体120上并电连接到第一引线电极和第二引线电极131和132的发光器件100以及围绕所述发光器件100的成型构件140。
[0117]主体120包括硅、合成树脂或金属材料，且可以在发光器件100附近形成倾斜表面。
[0118]第一引线电极和第二引线电极131和132相互电隔离以将电力供应至发光器件100。第一引线电极和第二引线电极131和132通过反射发射自发光器件100的光而能够提高光效率。此外，所述第一引线电极和第二引线电极131和132可以将产生自发光器件100的热排放至外部。
[0119]发光器件100能够安装在主体120或第一或第二引线电极131或132上。
[0120]发光器件100可以通过线方案、倒装芯片方案和芯片结合方案中的一种电连接到第一引线电极和第二引线电极131和132。
[0121]成型构件140可以围绕发光器件100以保护发光器件100。另外，成型构件140可以包含无机发光材料荧光粉以改变发射自发光器件100的光的波长。
[0122]将根据本发明的多个发光器件或发光器件包装布置在基材上，并将包括透镜、光导板、棱镜片或漫射片的光学构件设置在发射自发光器件包装的光的光学路径上。所述发光器件包装、基材和光学构件可以充当光设备。所述光设备可以以顶视图类型或侧视图类型的方式实现并以各种方式设置在便携式终端和膝上型计算机的显示装置或发光装置和指示器装置中。另外，根据另一个实施方案的发光装置能够包括发光器件或根据本发明的发光器件包装。例如，发光装置可以包括灯、信号灯、电光标志牌和车辆的前灯。
[0123]根据本发明的发光器件可以应用于光设备。光设备具有其中排列多个发光器件的结构。光设备可以包括如图11和12中所示的显示装置和如图13?17中所示的发光装置。
[0124]参考图11，根据本发明的显不装置1000包括导光板1041、用于向导光板1041供应光的发光模块1031、设置在导光板1041之下的反射构件1022、设置在光导板1041之上的光学片1051、设置在光学片1051之上的显不面板1061和用于接收导光板1041、发光模块1031和反射构件1022的底盖1011。然而，本发明不限制于上述结构。
[0125]底盖1011、反射构件1022、导光板1041和光学片1051构成光设备1050。
[0126]导光板1041使光漫射以提供表面光。导光板1041可以包括透明材料。例如，导光板1041可以包括丙烯酰基类树脂如PMMA(聚甲基丙烯酸甲酯)、PET(聚对苯二甲酸乙二醇酯)、PC(聚碳酸酯)、C0C(环状烯烃共聚物)和PEN(聚萘二甲酸乙二醇酯)树脂中的一种。
[0127]发光模块1031将光供应到导光板1041的至少一侧上。发光模块1031充当显示装置的光源。
[0128]以从导光板1041的一侧直接或间接供应光的方式设置至少一个发光模块1031。发光模块1031可以包含基材1033和发光装置100或上述根据本发明的发光器件包装200。将发光包装200排列在基材1033上，同时以预定间隔相互隔开一定空间。
[0129]基材1033可以是包含电路图案的印刷线路板(PCB)。另外，基材1033可以还包含金属芯PCB (MCPCB)或柔性PCB (FPCB)以及PCB，但本发明不能限制于此。如果将发光器件包装200安装在底盖1011横向侧面上或散热板上，则基材1033可以省略。所述散热板可以部分与底盖1011的顶面接触。
[0130]另外，以发光器件包装200的出光面与导光板1041隔开预定距离的方式安装发光器件包装200，但本发明不限制于此。发光器件包装200可以直接或间接地将光供应至光入射部，所述光入射部是导光板1041的一个侧面，但本发明不限制于此。
[0131]反射构件1022可以设置在导光板1041之下。反射构件1022将通过导光板1041的底面向下传播的光向上反射，由此提高光设备1050的亮度。例如，反射构件1022可以包括PET、PC或PVC树脂，但本发明不限制于此。反射构件1022可以充当底盖1011的顶面，但本发明不限制于此。
[0132]底盖1011可以将导光板1041、发光模块1031和反射构件1022接收在其中。为此，底盖1011具有接收部分1012，所述接收部分1012呈具有开放顶面的箱形，但本发明不限制于此。底盖1011能够与顶盖(未示出)耦合，但本发明不限制于此。
[0133]底盖1011能够使用金属材料或树脂材料通过压制工艺或挤出工艺来制造。另外，底盖1011可以包含具有优异热导率的金属或非金属材料，但本发明不限制于此。
[0134]显示面板1061例如为IXD面板,所述IXD面板包含彼此相对的第一和第二透明基材、和设置在所述第一和第二基材之间的液晶层。起偏振板能够连接到显示面板1061的至少一个表面，但本发明不限制于此。显示面板1061通过使用穿过光学片1051的光来显示信息。显示装置1000能够应用于各种便携式终端、笔记本计算机和膝上型计算机的显示器以及电视。
[0135]光学片1051设置在显不面板1061与导光板1041之间并包含至少一种透射片。例如，光学片1051包括漫射片、水平和竖直棱镜片以及亮度增强片中的至少一种。漫射片对入射光进行漫射，水平和/或竖直棱镜片将入射光聚焦在显示区域上，且亮度增强片通过将损失的光重新利用而提高亮度。另外，能够将保护片设置在显示面板1061上，但本发明不限制于此。
[0136]导光板1041和光学片1051能够设置在发光模块1031的光学路径上以作为光学构件，但本发明不限制于此。
[0137]图12是显示根据本发明的显示装置的另一个实例的视图。
[0138]参考图12，显示装置1100包含底盖1152、在其上布置发光器件100的基材1020、光学构件1154和显不面板1155。
[0139]基材1020和发光器件包装200可以构成发光模块1060。光设备可以包含底盖1152、至少一个发光模块1060和光学构件154。
[0140]底盖1152能够在其中具有接收部分1153，但本发明不限制于此。
[0141]在此情况中，光学构件1154可以包含透镜、导光板、漫射片、水平和竖直棱镜片以及亮度增强片中的至少一种。导光板可以包含PC或PMMA(聚甲基丙烯酸甲酯)。导光板能够被省略。漫射片对入射光进行漫射，水平和竖直棱镜片将入射光聚焦在显示区域上，且亮度增强片通过将损失的光重新利用而提高亮度。
[0142]光学构件1154设置在发光模块1060之上以将发射自发光模块1060的光转换为表面光。另外，光学构件1154可以漫射或收集光。
[0143]图13?15是显示根据本发明的发光装置的视图。
[0144]图13是发光装置的顶部透视图，图14是图13中所示发光装置的底部透视图且图15是图13中所示发光装置的放大透视图。
[0145]参考图13?15，根据本发明的发光装置可以包含盖2100、光源模块2200、辐射体2400、电力供应部2600、内壳(inner case) 2700和帽窝(socket) 2800。根据本发明的发光装置可以还包含构件2300和固定器2500中的至少一种。光源模块2200可以包含根据本发明的发光器件包装。
[0146]例如，盖2100可以呈泡形或半球形。盖2100可以具有部分打开的中空结构。盖2100可以与光源模块2200光学耦合。例如，盖2100可以漫射、散射或激发由光源模块2200所提供的光。盖2100可以为光学构件。盖2100可以与辐射体2400耦合。盖2100可以包含与辐射体2400耦合的耦合部。
[0147]盖2100可以包含涂布有乳白色颜料的内表面。乳白色颜料可以包含漫射材料以漫射光。盖2100的内表面的粗糙度可以大于盖2100的外表面的粗糙度。设置表面粗糙度是为了充分散射并漫射源自光源模块2200的光。
[0148]盖2100可以包含玻璃、塑料、聚丙烯(PP)、聚乙烯(PE)或聚碳酸酯(PC)。在上述材料中聚碳酸酯(PC)具有优异的耐光性、耐热性和强度。盖2100可以透明，从而使用者可以从外部观察光源模块2200，或所述盖2100可以不透明。盖2100可以通过吹塑方案来形成。
[0149]光源模块2200可以设置在福射体2400的一个表面上。因此,源自光源模块2200的热传递到辐射体2400。光源模块2200可以包含光源2210、连接板2230和连接器2250。
[0150]构件2300设置在辐射体2400的顶面上，并包含导槽2310，在所述导槽2310中插入多个光源2210和连接器2250。导槽2310与光源2210和连接器2250的基材相对应。
[0151]构件2300的表面可以涂布有光反射材料。例如，构件2300的表面可以涂布有白色颜料。构件2300再次将光反射到盖2100的方向，所述光通过盖2100的内表面反射并返回光源模块2200的方向。因此，根据本发明的发光装置的光效率可以提高。
[0152]例如，构件2300可以包含绝缘材料。光源模块2200的连接板2230可以包含导电材料。因此，辐射体2400可以电连接到连接板2230。构件2300可以由绝缘材料形成，由此防止连接板2230与辐射体2400电短路。辐射体2400接收源自光源模块2200和电力供应部2600的热并散热。
[0153]固定器2500覆盖内壳2700的绝缘部2710的接收凹槽2719。因此，对接收在内壳2700的绝缘部2710中的电力供应部2600进行密封。固定器2500包括导凸2510。所述导凸2510具有孔且电力供应部2600的凸起延伸穿过所述孔。
[0154]电力供应部2600对接收自外部的电信号进行加工或转换并向光源模块2200提供加工的或转换的电信号。将电力供应部2600接收在内壳2700的接收凹槽2719中，并通过固定器2500密封在内壳2700内。
[0155]电力供应部2600可以包含凸起2610、导向部2630、底座2650和延伸部2670。
[0156]导向部2630具有从底座2650 —侧突出到外部的形状。导向部2630可以插入固定器2500中。将多个部件设置在底座2650的一个表面上。例如，部件可以包括:DC变流器，用于将由外部电源提供的AC电力转换为DC电力；驱动芯片，用于控制光源模块2200的驱动；和用于保护光源模块2200的静电释放(ESD)保护装置，但本发明不限制于此。
[0157]延伸部2670具有从底座2650的相对侧突出到外部的形状。延伸部2670被插入内壳2700的连接部2750内，并从外部接收电信号。例如，延伸部2670的宽度可以小于或等于内壳2700的连接部2750的宽度。“+电线”和电线”的第一端子电连接到延伸部2670且“+电线”和电线”的第二端子电连接到帽窝2800。
[0158]内壳2700在其中包括成型部以及电力供应部2600。所述成型部通过成型液体的硬化来制备，且电力供应部2600可以通过成型部而固定在内壳2700内。
[0159]图16和17是显示根据本发明的发光装置的另一个实例的视图。
[0160]图16是根据本发明的发光装置的透视图且图17是图16中所示发光装置的放大透视图。
[0161]参考图16和17，根据本发明的发光装置可以包含盖3100、光源部3200、辐射体3300、电路部3400、内壳3500和帽窝3600。光源部3200可以包含根据本发明的发光器件或发光器件模块。
[0162]盖3100可以呈中空泡形。盖3100具有开口 3110。光源部3200和构件3350可以通过开口 3110插入。
[0163]盖3100可以与辐射体3300耦合并可以围绕光源部3200和构件3350。通过盖3100与辐射体3300之间的耦合，可以将光源部3200和构件3350从外部阻断。盖3100可以通过胶粘剂或各种方案如旋转耦合方案和吊钩耦合方案而与辐射体3300耦合。旋转耦合方案是如下所述的方案:盖3100的螺纹与辐射体3300的螺旋凹槽耦合，且盖3100通过盖3100的旋转而与辐射体3300耦合。吊钩耦合方案是如下所述的方案:将盖3100的凸起插入辐射体3300的凹槽中，使得盖3100与辐射体3300耦合。
[0164]盖3100可以光耦合到光源部3200。具体地，盖3100可以对发射自发光器件3230的光进行漫射、散射或激发。盖3100可以是一种光学构件。荧光粉可以设置在盖3100的内/外表面或外表面上以激发发射自光源部3200的光。
[0165]盖3100可以包含涂布有乳白色颜料的内表面。乳白色颜料可以包含漫射材料以漫射光。盖3100的内表面的粗糙度可以大于盖3100的外表面的粗糙度。设置表面粗糙度是为了充分散射并漫射源自光源部3200的光。
[0166]盖3100可以包含玻璃、塑料、聚丙烯(PP)、聚乙烯(PE)或聚碳酸酯(PC)。在上述材料中聚碳酸酯(PC)具有优异的耐光性、耐热性和强度。盖3100可以透明，从而使用者可以从外部观察光源部3200，或所述盖3100可以不透明。盖3100可以通过吹塑方案来形成。
[0167]光源部3200设置在辐射体3300的构件3350处，且可以设置多个光源部3200。具体地，光源部3200可以设置在构件3350的至少一个侧表面上。另外，光源部3200可以设置在构件3350侧表面的上部。
[0168]参考图17，光源部3200可以设置在构件3350六个侧表面中的三个侧表面处。然而，本发明不限制于此，且光源部3200可以设置在构件3350的所有侧表面处。光源部3200可以包含基材3210和发光器件3230。发光器件3230可以设置在基材3210的一个表面上。
[0169]基材3210具有矩形板形状，但本发明不限制于此。基材3210可以具有各种形状。例如，基材3210可以具有圆形板形状或多边形板形状。基材3210可以通过在绝缘体上印刷电路图案来提供。例如，基材3210可以包含典型的印刷电路板(PCB)、金属芯PCB、柔性PCB和陶瓷PCB。另外，基材可以呈COB (芯片在板上)型，其中未包装的LED芯片直接结合在PCB上。
[0170]另外，基材3210可以包含适合反射光的材料，或基材的表面可以具有诸如白色或银色的颜色以有效反射光。基材3210可以电连接到接收在辐射体3300中的电路部3400。例如，基材3210和电路部3400可以通过电线相互连接。电线通过穿过辐射体3300可以相互连接基材3210和电路部3400。
[0171]发光器件3230可以是发光二极管芯片，其发射红、绿、蓝或UV光。发光二极管芯片可以是横向型或垂直型且发光二极管芯片可以发射蓝、红、黄或绿光。
[0172]发光器件3230可以包含发光材料。发光材料可以包含如下材料中的至少一种:石榴石类荧光粉(YAG或TAG)、硅酸盐类荧光粉、氮化物类荧光粉和氮氧化物类荧光粉。发光材料可以包含如下材料中的至少一种:红色发光材料、黄色发光材料和绿色发光材料。
[0173]辐射体3300与盖3100耦合，并可以辐射源自光源部3200的热。辐射体3300具有预定体积，并包含顶面3310和侧面3330。构件3350可以设置在辐射体3300的顶面3310上。辐射体3300的顶面3100可以与盖3100耦合。辐射体3300的顶面3310可以具有与盖3100的开口 3110相对应的形状。
[0174]可以将多个热福射销(heat radiat1n pins) 3370设置在福射体3300的侧面3330处。热辐射销3370可以从辐射体3300的侧面3330向外延伸或可以连接到辐射体3300的侧面3330。通过提高辐射体3300的热辐射面积，热辐射销3370可以提高热辐射效率。侧面3330可以不包括热辐射销3370。
[0175]构件3350可以设置在辐射体3300的顶面上。构件3350可以与辐射体3300的顶面3310集成或耦合。构件3350可以具有多边形棱镜的形状。具体地，构件3350可以具有六面体棱镜的形状。具有六面体棱镜形状的构件3350包含顶面、底面和六个侧面。构件3350可以具有圆形棱镜的形状或椭圆形棱镜的形状以及六面体棱镜的形状。当构件3350具有圆形棱镜的形状或椭圆形棱镜的形状时，光源部3200的基材3210可以为柔性基材。
[0176]光源部3200可以设置在构件3350的六个侧面处。光源部3200可以设置在构件3350六个侧面的全部或一部分上。光源部3200设置在构件3350的六个侧面中的三个上。
[0177]基材3210设置在构件3350的侧面处。构件3350的侧面可以与辐射体3300的顶面3310基本垂直。因此，基材3210和辐射体3300的顶面3310可以相互基本垂直。
[0178]构件3350可以包含具有热导率的材料。由此，源自光源部3200的热能够快速转移到构件3350。例如，用于构件3350的材料可以包括金属如铝(Al)、镍(Ni)、铜(Cu)、镁(Mg)、银(Ag)或锡(Sn)的合金。另外，构件3350可以包含具有热导率的塑料材料。具有热导率的塑料材料的优势在于，其比金属更轻并在单一方向上具有热导率。
[0179]电路部3400从外部接收电力，并将接收的电力转换为适用于光源部3200。电路部3400将转换的电力提供至光源部3200。电路部3400可以设置在辐射体3300处。具体地，电路部3400可以被接收在内壳3500中，并可以与内壳3500 —起被接收在辐射体3300内。电路部3400可以包含电路板3410和安装在电路板3410上的多个部件。
[0180]电路板3410具有圆形形状，但本发明不限制于此。也就是，电路板3410可以具有各种形状。例如，电路板可以具有椭圆形形状或多边形形状。电路板3410可通过将电路图案印刷在绝缘体上来提供。电路板3410被电连接到光源部3200的基材3210。例如，电路板3410和基材3210可以通过电线相互连接。电线可以设置在辐射体3300内部以将基材3210连接到电路板3410。例如，多个部件3430可以包括:直流电变流器，用于将由外部电源提供的AC电力转换为DC电力；驱动芯片，用于控制光源部3200的驱动；和静电释放(ESD)保护装置。
[0181]内壳3500在其中接收电路部3400。内壳3500可以包含接收部3510以接收电路部3400。例如，接收部3510可以具有圆柱形形状。接收部3510的形状可以随辐射体3300的形状而变化。内壳3500可以被接收在辐射体3300内。内壳3500的接收部3510可以被接收在形成在辐射体3300底面处的接收部中。
[0182]内壳3500可以与帽窝3600耦合。内壳3500可以包含与帽窝3600耦合的连接部3530。连接部3530可以具有与帽窝3600的螺旋凹槽结构相对应的螺纹结构。内壳3500是绝缘体。因此，内壳3500防止电路部3400与辐射体3300之间的电短路。例如，内壳3500可以包含塑料或树脂材料。
[0183]帽窝3600可以与内壳3500耦合。具体地，帽窝3600可以与内壳3500的连接部3530耦合。帽窝3600可以具有与常规白炽光灯泡相同的结构。帽窝3600可以电连接到电路部3400。例如，电路部3400和帽窝3600可以通过电线相互连接。如果将外部电力施加到帽窝3600，则外部电力可以被传输到电路部3400。帽窝3600可以具有与连接部3550的螺纹结构相对应的螺旋凹槽结构。
[0184]该说明书中对“一个实施方案”、“实施方案”、“实例实施方案”等的所有参考都是指，结合实施方案所描述的特殊特征、结构或特性包含在本发明的至少一个实施方案中。说明书中各个位置处出现这种短语，不必都是指相同的实施方案。此外，当结合任一实施方案描述特殊特征、结构或特性时，可以认为其在本领域技术人员理解的范围内结合本发明的其它实施方案理解这种特征、结构或特性。
[0185]尽管已经参考本发明的示例性实施方案对本发明进行了描述，但是应理解，本领域技术人员能够提出大量其它修改和实施方案，所述修改和实施方案落在本发明原理的主旨和范围内。更特别地，在本发明、附图和从属权利要求的范围内在主旨组合排列的部件部分和/或排列方面的各种变体和修改是可能的。除了在组件部分和/或排列方面的变体和修改之外，替代性用途对本领域技术人员也是明显的。
[0186]工业应用性
[0187]本发明的发光器件、发光器件包装和光设备具有能够调整取向角并改善光强度的优点。
【权利要求】
1.一种发光器件，所述发光器件包含: 发光结构，所述发光结构包含第一导电半导体层、在所述第一导电半导体层下的有源层和在所述有源层下的第二导电半导体层； 反射电极，所述反射电极布置在所述发光结构下，并包含在所述第二导电半导体层下的第一区域和从所述第一区域延伸并穿过所述第二导电半导体层和所述有源层的第二区域；以及 电连接到所述第一导电半导体层的电极。
2.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述反射电极的最上面设置在所述第一导电半导体层中。
3.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述反射电极的第二区域以向上的方向对发射自所述有源层的光进行反射。
4.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述反射电极的第二区域包围所述有源层。
5.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述反射电极的第二区域包围所述第二导电半导体层。
6.根据权利要求1所述的发光器件，还包含在所述反射电极的第二区域与所述第一导电半导体层之间的绝缘层。
7.根据权利要求6所述的发光器件，其中所述绝缘层包含绝缘离子植入层。
8.根据权利要求6所述的发光器件，其中所述绝缘层设置在所述反射电极与所述有源层之间。
9.根据权利要求1所述的发光器件，还包含在所述反射电极的第一区域与所述第二导电半导体层之间的欧姆接触层。
10.根据权利要求1所述的发光器件，还包含与所述反射电极的第二区域接触的金属层，其中所述金属层的第一区域的位置高于所述有源层。
11.根据权利要求10所述的发光器件，其中所述金属层的第二区域与所述第二导电半导体层的底面接触，且所述金属层的第三区域从所述金属层的第二区域向外延伸。
12.根据权利要求11所述的发光器件，其中所述金属层的第三区域暴露于所述发光结构的下外围部。
13.根据权利要求10所述的发光器件，还包含在所述金属层下的结合层和支持构件。
14.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述电极与所述第一导电半导体层的顶面接触。
15.根据权利要求1所述的发光器件，其中从所述反射电极的第二区域延伸的所述反射电极的最上面与所述电极在垂直方向上重叠。
16.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述反射电极的最上面的宽度是所述电极的宽度的一到四倍。
17.一种发光器件包装，所述发光器件包装包含: 主体； 在所述主体上的发光器件；以及 电连接到所述发光器件的第一引线电极和第二引线电极， 其中所述发光器件包含: 发光结构，所述发光结构包含第一导电半导体层、在所述第一导电半导体层下的有源层和在所述有源层下的第二导电半导体层； 反射电极，所述反射电极布置在所述发光结构下，并包含在所述第二导电半导体层下的第一区域和从所述第一区域延伸并穿过所述第二导电半导体层和所述有源层的第二区域；以及 电连接到所述第一导电半导体层的电极。
18.根据权利要求17所述的发光器件包装，其中所述反射电极的最上面设置在所述第一导电半导体层中。
19.一种光设备，所述光设备包含: 基材； 在所述基材上的发光器件；和 光学构件，所述光学构件充当发射自所述发光器件的光的光学通道， 其中所述发光器件包含: 发光结构，所述发光结构包含第一导电半导体层、在所述第一导电半导体层下的有源层和在所述有源层下的第二导电半导体层； 反射电极，所述反射电极布置在所述发光结构下，并包含在所述第二导电半导体层下的第一区域和从所述第一区域延伸并穿过所述第二导电半导体层和所述有源层的第二区域；以及 电连接到所述第一导电半导体层的电极。
20.根据权利要求19所述的光设备，其中所述反射电极的最上面设置在所述第一导电半导体层中。
【文档编号】H01L33/36GK104303323SQ201380025710
【公开日】2015年1月21日 申请日期:2013年5月10日 优先权日:2012年5月16日
【发明者】丁焕熙, 金昭廷 申请人:Lg 伊诺特有限公司