阵列基板的制造方法及制造装置的制造方法
【技术领域】
[0001] 本发明涉及金属氧化物半导体技术领域，特别涉及一种阵列基板的制造方法及制 造装置。
【背景技术】
[0002] 在制造金属氧化物半导体阵列基板的过程中，金属氧化物半导体会随着沟道长度 的减小而产生热电子效应，造成漏电流较大，降低金属氧化物半导体的电学性能，影响金属 氧化物半导体阵列基板的制造效果。因此，需要对漏电流进行抑制。
[0003] 现有技术中，主要是通过控制轻掺杂汲极（英文：LightlyDopedDrain;简称： LDD)的长度来对漏电流进行抑制。LDD位于阵列基板的有源层，且位于栅极的下方，LDD的 长度由栅极线宽来确定。具体的，可以通过延长或缩短曝光LDD的时间来控制LDD的长度， 或者可以通过延长或缩短刻蚀栅极的时间来控制栅极线宽的长度，进而控制LDD的长度， 最终达到抑制漏电流的目的。
[0004] 但是在控制LDD的长度时，一方面，刻蚀栅极需要考虑栅极线宽的计算精度和稳 定程度，同时，当栅极线宽确定了，LDD长度也被确定了，从而无法再对LDD长度进行调变； 另一方面，曝光LDD和刻蚀栅极两个工艺无法同时进行，控制栅极线宽的条件要求和控制 LDD长度的条件要求是相互制约的，需要牺牲一方的条件要求来满足另一方的条件要求，即 在制作过程中无法同时满足栅极线宽的条件要求和LDD长度的条件要求，因此，现有的阵 列基板的制造方法对LDD长度的控制灵活度较低，且可行性较差。
【发明内容】
[0005] 为了解决现有的阵列基板的制造方法对LDD长度的控制灵活度较低，且可行性较 差的问题，本发明提供了一种阵列基板的制造方法及制造装置。所述技术方案如下：
[0006] 第一方面，提供了一种阵列基板的制造方法，所述方法包括：
[0007] 在基板上依次形成有源层、栅极绝缘层和栅极金属层；
[0008] 在形成有所述栅极金属层的基板上形成带有栅极光刻胶图形的栅极图形，所述栅 极光刻胶图形的宽度大于所述栅极图形的宽度；
[0009] 改变所述栅极光刻胶图形的温度，使所述栅极光刻胶图形的宽度变化；
[0010] 在形成有变化后的栅极光刻胶图形的基板的有源层的预设区域两侧形成轻掺杂 汲极LDD，所述预设区域为所述栅极图形在所述有源层的投影区域，每个所述LDD的长度为 (a-b)/2,其中，a为变化后的栅极光刻胶图形的宽度，b为所述栅极图形的宽度；
[0011] 剥离所述变化后的光刻胶。
[0012] 可选的，所述改变所述栅极光刻胶图形的温度，使所述栅极光刻胶图形的宽度变 化，包括：
[0013] 对所述栅极光刻胶图形进行加热处理，使所述栅极光刻胶图形的宽度变长。
[0014] 可选的，所述改变所述栅极光刻胶图形的温度，使所述栅极光刻胶图形的宽度变 化，包括：
[0015] 对所述栅极光刻胶图形进行降温处理，使所述栅极光刻胶图形的宽度变短。
[0016] 可选的，在所述改变所述栅极光刻胶图形的温度，使所述栅极光刻胶图形的宽度 变化之前，所述方法还包括：
[0017] 获取所述栅极光刻胶图形的热胀冷缩系数；
[0018] 确定需要得到的LDD的长度；
[0019] 根据所述栅极光刻胶图形的热胀冷缩系数和所述需要得到的LDD的长度，确定光 刻胶处理温度；
[0020] 所述改变所述栅极光刻胶图形的温度，使所述栅极光刻胶图形的宽度变化，包括：
[0021] 采用所述光刻胶处理温度处理所述栅极光刻胶图形，使所述栅极光刻胶图形的宽 度变化。
[0022] 可选的，在所述改变所述栅极光刻胶图形的温度，使所述栅极光刻胶图形的宽度 变化之前，所述方法还包括：
[0023] 根据所述栅极光刻胶图形的热胀冷缩系数和所述需要得到的LDD的长度，确定处 理时长；
[0024] 所述改变所述栅极光刻胶图形的温度，使所述栅极光刻胶图形的宽度变化，包 括：
[0025] 在所述处理时长中，改变所述栅极光刻胶图形的温度，使所述栅极光刻胶图形的 宽度变化。
[0026] 可选的，所述在形成有所述栅极金属层的基板上形成带有栅极光刻胶图形的栅极 图形，包括：
[0027] 依次通过涂敷工艺、曝光工艺、显影工艺在形成有所述栅极金属层的基板上形成 所述栅极光刻胶图形；
[0028] 通过刻蚀工艺在形成有所述栅极光刻胶图形的栅极金属层上形成所述栅极图形。
[0029] 可选的，在所述在基板上依次形成有源层、栅极绝缘层和栅极金属层之前，所述方 法还包括：
[0030] 在所述基板上形成缓冲层。
[0031] 可选的，所述光刻胶为DL-1000、DL-1000C和DTFR-JCW702中的任意一种。
[0032] 第二方面，提供了一种阵列基板的制造装置，所述阵列基板的制造装置包括：
[0033] 第一形成单元，用于在基板上依次形成有源层、栅极绝缘层和栅极金属层；
[0034] 第二形成单元，用于在形成有所述栅极金属层的基板上形成带有栅极光刻胶图形 的栅极图形，所述栅极光刻胶图形的宽度大于所述栅极图形的宽度；
[0035] 温度处理单元，用于改变所述栅极光刻胶图形的温度，使所述栅极光刻胶图形的 宽度变化；
[0036] 第三形成单元，用于在形成有变化后的栅极光刻胶图形的基板的有源层的预设区 域两侧形成轻掺杂汲极LDD，所述预设区域为所述栅极图形在所述有源层的投影区域，每个 所述LDD的长度为（a-b)/2,其中，a为变化后的栅极光刻胶图形的宽度，b为所述栅极图形 的宽度；
[0037] 剥离单元，用于剥离所述变化后的光刻胶。
[0038] 可选的，所述温度处理单元，包括：
[0039] 热处理子单元，用于对所述栅极光刻胶图形进行加热处理，使所述栅极光刻胶图 形的宽度变长。
[0040] 可选的，所述温度处理单元，包括：
[0041] 冷处理子单元，用于对所述栅极光刻胶图形进行降温处理，使所述栅极光刻胶图 形的宽度变短。
[0042] 可选的，所述阵列基板的制造装置还包括：
[0043] 获取单元，用于获取所述栅极光刻胶图形的热胀冷缩系数；
[0044] 第一确定单元，用于确定需要得到的LDD的长度；
[0045] 第二确定单元，用于根据所述栅极光刻胶图形的热胀冷缩系数和所述需要得到的 LDD的长度，确定光刻胶处理温度；
[0046] 所述温度处理单元，包括：
[0047] 第一处理子单元，用于采用所述光刻胶处理温度处理所述栅极光刻胶图形，使所 述栅极光刻胶图形的宽度变化。
[0048] 可选的，所述阵列基板的制造装置还包括：
[0049] 第三确定单元，用于根据所述栅极光刻胶图形的热胀冷缩系数和所述需要得到的 LDD的长度，确定处理时长；
[0050] 所述温度处理单元，包括：
[0051] 第二处理子单元，用于在所述处理时长中，改变所述栅极光刻胶图形的温度，使所 述栅极光刻胶图形的宽度变化。
[0052] 可选的，所述第二形成单元，包括：
[0053] 第一形成子单元，用于依次通过涂敷工艺、曝光工艺、显影工艺在形成有所述栅极 金属层的基板上形成所述栅极光刻胶图形；
[0054] 第二形成子单元，用于通过刻蚀工艺在形成有所述栅极光刻胶图形的栅极金属层 上形成所述栅极图形。
[0055] 可选的，所述阵列基板的制造装置还包括：
[0056] 第四形成单元，用于在所述基板上形成缓冲层。
[0057] 本发明提供了一种阵列基板的制造方法及制造装置，在形成有栅极金属层的基板 上形成带有栅极光刻胶图形的栅极图形，通过改变栅极光刻胶图形的温度，使栅极光刻胶 图形的宽度变化，然后在形成有变化后的栅极光刻胶图形的基板的有源层的预设区域两侧 形成满足长度要求的LDD，使LDD的长度得到控制，相较于现有阵列基板的制造方法对LDD 长度的控制方法，无需同时满足栅极线宽的条件要求和LDD长度的条件要求，因此，提高了 对LDD长度的控制灵活度和可行性。
[0058] 应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的，并不 能限制本发明。
【附图说明】
[0059] 为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使 用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于 本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他 的附图。
[0060] 图1-1是本发明实施例提