和外收集桶326。内收集桶322和外收集桶326的每一个可构造为选择性地收集在基板处理工艺中使用的处理溶液中的相应一种。内收集桶322可提供为具有包围旋转台340的圆环形结构，外收集桶326可提供为具有包围内收集桶322的圆环形结构。内收集桶322的内部空间可用作第一进入口 322a，其允许处理溶液被射入内收集桶322。内收集桶322和外收集桶326之间的空间可用作第二进入口 326a，其允许处理溶液被射入外收集桶326。在一些实施例中，第一进入口 322a和第二进入口 326a可布置在不同的水平面上。收集管线322b和326b可分别连接至第一进入口 322a和第二进入口 326a的底表面。通过内收集桶322和外收集桶326收集的处理溶液可通过收集管线322b和326b传输至外部处理溶液回收装置(未示出)并可进行回收。
[0041]在基板处理工艺中，旋转台340可构造为支撑并旋转基板W，因此，可作为基板支撑单元。旋转台340可包括主体342、支撑销344、卡盘销346和支撑轴348。当在俯视图中观察时，主体342可提供为具有圆形上表面。支撑轴348可固定结合至主体342的底表面，且驱动部件349可构造为旋转支撑轴348。
[0042]旋转台340可包括多个支撑销344。支撑销344可提供为沿主体342上表面的边缘以特定距离彼此间隔开，且可具有从主体342向上的突起。整体而言，支撑销344可布置为形成圆环形排列。支撑销344可提供为支撑基板W底表面的边缘部分，这可使基板W将以预定距离与主体342的上表面分离开成为可能。
[0043]旋转台340可包括多个卡盘销346。卡盘销346可布置为比支撑销344距离主体342的中心更远。卡盘销346可提供为从主体342向上突起。卡盘销346可支撑基板W的侧壁，这使得在旋转台340旋转时，能够防止基板W在横向上偏离其标准位置。卡盘销346可这样构造:它们在主体342的径向上直线地移动(例如，在等待位置和支撑位置之间)。等待位置比支撑位置距离主体342的中心更远。当基板W装载到旋转台340上或从旋转台340上卸载时，卡盘销346可位于等待位置，而当在基板W上进行基板处理工艺时，卡盘销346可位于支撑位置。当卡盘销346位于支撑位置时，它可以与基板W的侧壁相接触。
[0044]提升单元360可构造为允许处理容器320在垂直方向上直线移动。处理容器320的垂直移动可导致处理容器320相对于旋转台340的垂直位置的改变。提升单元360可包括支架362、移动轴364和驱动单元366。支架362可固定连接到处理容器320的外表面，此外，它也可固定连接到移动轴364，该移动轴构造为由驱动单元366驱动以在垂直方向上移动。当将基板W装载到旋转台340上或从旋转台340上提起时，处理容器320可在向下方向上移动，因此，旋转台340可从处理容器320中向上突出。在某些实施例中，根据基板处理工艺中将要使用的处理溶液的类型，可控制处理容器320的垂直位置选择性地通过内收集桶322和外收集桶326中的预定一个来收集处理溶液。在一些实施例中，提升单元360可构造为在垂直方向上移动旋转台340。
[0045]溶液供给单元380可将处理溶液提供至基板W上。溶液供给单元380可包括喷嘴移动元件381、第一喷嘴391和第二喷嘴392。第一喷嘴391和第二喷嘴392中的每一个均可通过喷嘴移动元件381移动至处理位置或等待位置。在此，在处理位置时，第一喷嘴391和第二喷嘴392可朝向装载在旋转台340上的基板W，而在等待位置时，第一喷嘴391和第二喷嘴392可远离处理位置。喷嘴移动元件381可包括旋转轴386、驱动单元388和支撑臂382。旋转轴386可布置在处理容器320的一侧。旋转轴386可具有棒状结构，且可具有平行于第三方向16的长度方向。旋转轴386可通过驱动单元388进行旋转。例如，旋转轴386可通过驱动单元388产生的驱动力绕其中心轴旋转。支撑臂382可将第一喷嘴391和第二喷嘴392连接至旋转轴386。由于旋转轴386的旋转，支撑臂382、第一喷嘴391和第二喷嘴392可绕旋转轴386的中心轴旋转。旋转轴386的旋转能够使喷嘴在处理位置和等待位置之间移动。
[0046]支撑臂382可包括第一臂383和第二臂384。第一臂383可具有棒状结构，且可具有垂直于第三方向16的长度方向。因此，第一臂383可提供为具有平行于水平面的长度方向。第一臂383可包括固定结合至旋转轴386顶部的端部。第一臂383的对置端部可绕其该端部旋转。在一些实施例中，当在俯视图中观察时，第一臂383可这样被提供:其对置端部的移动路径通过基板W中央区域的上方。第二臂384可从第一臂383的对置端部延伸，且可具有棒状结构。当在俯视图中观察时，第二臂384可具有不同于第一臂383的长度方向。例如，第二臂384可在不同于第一臂383方向的方向上从第一臂383的对置端部延伸。于是，在俯视图中观察时，支撑臂382可具有倒转的“L”形。在俯视图中观察时，第二臂384可具有等于或长于基板W半径的长度。在一些实施例中，第二臂384的长度可等于基板W的半径。第一喷嘴391和第二喷嘴392可连接至第二臂384。第一喷嘴391和第二喷嘴392的每一个可固定结合至第二臂384的底表面。因此，第一喷嘴391和第二喷嘴392可一起移动。
[0047]第一喷嘴391和第二喷嘴392可构造为提供彼此不相同的处理溶液。例如，第一喷嘴391可提供第一处理溶液，而第二喷嘴392可提供第二处理溶液。在一些实施例中，第一处理溶液可包含用于刻蚀形成在基板W上的层的化学品，而第二处理溶液可以是用于稀释第一处理溶液的防刻蚀溶液(EPS)。作为一个例子，第一处理溶液可以是强酸溶液(例如，氢氟酸(HF)或磷酸(P2O5)),而第二处理溶液可以是去离子水。在某些实施例中，第二处理溶液可包含惰性气体。第一喷嘴391可用于提供刻蚀溶液，而第二喷嘴392可用于提供EPS。在俯视图中观察时，第一喷嘴391和第二喷嘴392可在第二臂384的长度方向上彼此间隔开。在一些实施例中，在俯视图中观察时，第一喷嘴391和第二喷嘴392之间的距离可相当于或等于基板W的半径。第一喷嘴391的处理位置可为朝向基板W的边缘区域的位置，而第二喷嘴392的处理位置可为朝向基板W的中央区域的位置。
[0048]在某些实施例中，第二臂384可在远离第一臂383的方向上向上或向下倾斜。
[0049]以下将描述使用基板处理装置300的基板W的处理工艺。在基板W装载在旋转台340的情况下，第一喷嘴391和第二喷嘴392的每一个均可移动至其处理位置，且基板W可以是旋转的。第二喷嘴392可构造为将第二处理溶液提供到基板W的中央区域。第二处理溶液在离心力作用下可扩散至基板W的整个区域以在基板W上形成液态膜。第一喷嘴391可构造为将第一处理溶液提供到覆盖有液态膜的基板W上。举例来说，第一喷嘴391可将第一处理溶液提供到基板W的边缘区域。结果，形成在基板W边缘区域的层可被刻蚀。当刻蚀基板W的工艺结束时，可中断通过第一喷嘴391提供的第一处理溶液。之后，通过第二喷嘴392提供的第二处理溶液也可中断。
[0050]根据先前描述的实施例，在刻蚀基板W边缘区域的过程中，第二处理溶液可提供在基板W的中央区域上。这可使得在基板处理过程中防止中央区域变干成为可能。
[0051]此外，由第二处理溶液形成的液态膜可形成在基板W的中央区域，这使得防止基板W