基板处理装置及方法
【技术领域】
[0001]本发明构思的示例性实施例涉及基板处理装置及方法，尤其涉及使用两种或多种处理溶液的基板处理装置及方法。
【背景技术】
[0002]为了制造半导体器件或液晶显示器，在基板上执行多步工艺(例如光刻工艺、刻蚀工艺、灰化工艺、离子注入工艺、薄膜沉积工艺和清洗工艺)是有必要的。通过对形成在基板上的薄膜层(例如，金属层、氧化层、多晶硅层或光刻胶层)进行刻蚀工艺，能够形成具有预期形状的图案。
[0003]刻蚀工艺可分为两种方法:湿法刻蚀方法和干法刻蚀方法。在湿法刻蚀方法中，使用处理溶液刻蚀基板或薄膜层，而在干法刻蚀方法中，使用等离子体或离子束刻蚀基板或薄膜层。
[0004]通常，湿法刻蚀方法可包括在旋转基板的中央区域提供刻蚀溶液的步骤。提供至基板中央区域的刻蚀溶液在离心力的作用下扩散至基板的整个区域。然而，刻蚀过程可能经受不一致的刻蚀速率；例如，在基板上可能形成刻蚀不够或过度刻蚀的区域。在基板被过度刻蚀的情况下，可在基板的过度刻蚀区域上形成氧化层。
[0005]为了解决上述问题，参照图1，可进一步执行刻蚀工艺以对基板W的边缘区域进行刻蚀；例如，可将刻蚀溶液提供在基板W的边缘区域上。然而，在刻蚀边缘区域过程中，基板W的中央区域可能会变干，这将导致受损图案的形成。此外，提供至基板W边缘区域的刻蚀溶液可能会朝着基板W的中央区域部分地溅射，这可能会导致处理失败。
【发明内容】
[0006]本发明构思的示例性实施例提供了一种在对基板的边缘区域进行刻蚀工艺时，能够防止基板的中央区域变干的装置和方法。
[0007]本发明构思的其它示例性实施例提供了一种在对基板的边缘区域进行刻蚀工艺时，能够防止基板的中央区域被刻蚀的装置和方法。
[0008]根据本发明构思的示例性实施例的装置和方法，可使用两种或多种处理溶液处理基板。基板处理装置可包括:处理容器，所述处理容器提供有处理空间；基板支撑单元，所述基板支撑单元提供在处理容器内以支撑基板；以及溶液供给单元，所述溶液供给单元将处理溶液提供至由基板支撑单元支撑的基板上。溶液供给单元可包括:刻蚀溶液供给喷嘴，所述刻蚀溶液供给喷嘴将刻蚀溶液提供至由基板支撑单元支撑的基板的边缘区域；以及防刻蚀溶液(EPS)供给喷嘴，所述防刻蚀溶液供给喷嘴将防刻蚀溶液提供至由基板支撑单元支撑的基板的中央区域。
[0009]在示例性实施例中，溶液供给单元可进一步包括:支撑臂，所述支撑臂支撑刻蚀溶液供给喷嘴和EPS供给喷嘴；旋转轴，所述旋转轴支撑所述支撑臂；以及驱动单元，所述驱动单元旋转所述旋转轴。所述支撑臂可包括:结合至旋转轴的第一臂，所述第一臂的长度方向平行于特定方向；以及结合至第一臂的第二臂，在俯视图中观察时，第二臂的长度方向不同于特定方向。刻蚀溶液供给喷嘴和EPS供给喷嘴可提供在第二臂上。第二臂可被提供为具有多个连接端口，多个连接端口允许刻蚀溶液供给喷嘴和EPS供给喷嘴连接至此，且多个连接端口可沿第二臂的长度方向排列。第二臂可被提供为相对于第一臂是可移动的。
[0010]在示例性实施例中，溶液供给单元可进一步包括:支撑臂，所述支撑臂支撑刻蚀溶液供给喷嘴；旋转轴，所述旋转轴支撑所述支撑臂；以及驱动单元，所述驱动单元旋转所述旋转轴。EPS供给喷嘴可结合至处理容器，以相对于处理容器是固定的。
[0011 ] 在示例性实施例中，溶液供给单元可进一步包括:第一支撑臂，所述第一支撑臂支撑刻蚀溶液供给喷嘴；第一旋转轴，所述第一旋转轴支撑第一支撑臂；第一驱动单元，所述第一驱动单元旋转第一旋转轴；第二支撑臂，所述第二支撑臂支撑EPS供给喷嘴；第二旋转轴，所述第二旋转轴支撑第二支撑臂；第二驱动单元，所述第二驱动单元旋转第二旋转轴。
[0012]根据本发明构思的示例性实施例，提供了刻蚀基板表面的处理方法。该方法可包括:通过刻蚀溶液供给喷嘴将刻蚀溶液提供至基板的边缘区域，并通过防刻蚀溶液(EPS)供给喷嘴将防刻蚀溶液提供至基板的中央区域。
[0013]在示例性实施例中，可将刻蚀溶液和防刻蚀溶液同时提供至基板上。可通过EPS供给喷嘴将防刻蚀溶液提供至基板上，然后，可通过刻蚀溶液供给喷嘴将刻蚀溶液提供至基板上。在提供刻蚀溶液期间，可连续不断地将防刻蚀溶液提供到基板上。刻蚀溶液供给喷嘴和EPS供给喷嘴可结合至支撑臂。刻蚀溶液供给喷嘴和EPS供给喷嘴之间的距离可大体上等于基板的半径。刻蚀溶液供给喷嘴可由第一臂支撑，EPS供给喷嘴可由连接至第一臂的第二臂支撑，第二臂可构造为相对于第一臂是可移动的。
【附图说明】
[0014]从下述的简要说明结合附图将更清楚地理解示例性实施例。附图示出了本发明所描述的非限定性的示例性实施例。
[0015]图1是示出了传统的基板处理装置的俯视图；
[0016]图2是示出了根据本发明构思的示例性实施例的基板处理装置的俯视图；
[0017]图3是示出了图2的基板处理装置的剖视图；
[0018]图4是示出了图2的基板处理装置的俯视图；
[0019]图5是示出了图3的溶液供给单元的立体图；
[0020]图6是示出了图4的溶液供给单元的另一示例性例子的俯视图；
[0021]图7是示出了图4的溶液供给单元的另一示例性例子的俯视图；
[0022]图8是示出了图4的溶液供给单元的另一个示例性例子的俯视图；
[0023]图9是示出了图4的溶液供给单元的又一个示例性例子的俯视图。
[0024]应当理解的是，这些图意在说明在某些示例性实施例中所使用的方法、结构和/或材料的一般特征，并意在补充下面提供的文字描述。然而，这些图并不是成比例的，且不能精准体现出任何给出的实施例的精确结构或性能特征，且不应该被理解为限定或限制定示例性实施例所包含的值的范围或性能。例如，为了清楚起见，分子、层、区和/或结构元素的相对厚度和位置可被缩小或放大。在不同的图中使用相似或相同的附图标记意在说明有相似或相同的元件或特征。
【具体实施方式】
[0025]参照示出示例性实施例的附图，现在将更充分地描述本发明构思的示例性实施例。然而，本发明构思的示例性实施例可体现为多种不同形式，且不应当被理解为被限定为本文所描述的具体实施例；而是，提供这些示例性实施例以便本发明将是周密的和完整的，并将向本领域普通技术人员充分表达示例性实施例的构思。在附图中，为了清楚起见，层和区的厚度是被放大的。附图中相同的附图标记表示相同的元件，因此，它们的描述将被省略。
[0026]应当理解的是，当元件被描述为“连接到”或“结合到”另一元件时，可为直接连接或结合到另一元件，或者也可存在中介元件。与此相反，当元件被描述为“直接连接到”、“直接结合到”另一个元件时，则不存在中介元件。相同的标记自始至终表示相同的元件。本文中所用的术语“和/或”包括一个或多个相关联列举项的任意组合和全部组合。所使用的、描述多个元件或多个层之间的关系的其它词语应该以同样的方式理解(例如“之间”对“直接之间”，“相邻”对“直接相邻”，“在…上”对“直接在…上” )O
[0027]应当理解的是，虽然本文可使用术语“第一”、“第二”等来描述各种元件、组件、区域、层和/或部分，但是这些元件、组件、区域、层和/或部分不应当受限于这些术语。这些术语仅用于将一个元件、组件、区域、层或部分与另一个