板S上的处理溶液。当通过喷嘴构件3200将处理溶液供应到基板S上时，可通过支撑构件3100旋转基板S，在这种情况下，基板S的整个区域可均匀地覆盖有处理溶液。基板S的旋转可使得处理溶液向外散射。收集构件3300可构造为回收从基板S散落的一部分处理溶液。
[0064]例如，收集构件3300可包括收集筒3310、收集管线3320、升降杆3330和升降致动器 3340。
[0065]收集筒3310可设置为具有环绕支撑板3110的圆环形结构。在一些实施例中，收集构件3300可包括多个收集筒3310。这些收集筒3310可设置为具有直径和高度，在远离支撑板3110的方向上，这些收集桶3310的直径和高度增加，以及，当在俯视图中观察时，每个收集筒3310可具有环形结构。收集筒3310越高，距离支撑板3110越远。在各收集筒3310之间可形成有收集孔3311，因而可通过收集孔3311将从基板S散落的一部分处理溶液回收。
[0066]收集管线3320可通过收集筒3310的底面连接到收集筒3310。收集筒3310收集的处理溶液可通过收集管线3320供应到处理溶液回收系统(未示出)。
[0067]升降杆3330可连接到收集筒3310。动力可从升降致动器3340传输到升降杆3330，这种动力可用于改变收集筒3310的竖直位置。在设置有多个收集筒3310的情况下，升降杆3330可连接到最外层的一个收集筒3310。升降致动器3340可控制升降杆3330，以调节收集筒3310的竖直位置，这能够使得通过选定的一个收集孔3311大体上收集处理溶液的散落部分。
[0068]在下文中，将描述与第二工艺腔室4000相关的技术特征。
[0069]第二工艺腔室4000可构造为使用超临界流体执行超临界干燥工艺。例如，可在第二工艺腔室4000中执行从基板S的各图案之间的缝隙中去除有机溶剂的超临界干燥工艺。在某些实施例中，第二工艺腔室4000可构造为除了执行超临界干燥工艺外，还执行超临界工艺。
[0070]在下文中，将参照图4对根据本发明构思的示例性实施例的第二工艺腔室4000进行详细描述。
[0071]图4为示出图2的第二工艺腔室的示例的剖视图。
[0072]参见图4，第二工艺腔室4000可包括腔室4100、升降单元4200、支撑单元4300、加热器4400、流体供应单元4500、阻隔构件4600、排出构件4700和控制器4900。
[0073]腔室4100可提供有处理空间，在该处理空间中将执行超临界干燥工艺。腔室4100可由能够经受高于临界压力的压力的材料构成。
[0074]腔室4100可包括上壳体4110和下壳体4120。上壳体4110可设置在下壳体4120上方，且可与下壳体4120竖直地分开。
[0075]上壳体4110可固定地连接到外部结构。下壳体4120可构造为相对于上部壳体4110可竖直移动。如果下壳体4120向下移动以与上壳体4110间隔开，则设置在第二工艺腔室4000中的处理空间可被打开。可将基板S插入到第二工艺腔室4000的开放处理空间中或将基板S从第二工艺腔室4000的开放处理空间卸载。当第一工艺腔室3000中的有机溶剂工艺完成后，基板S被引入到第二工艺腔室4000，因此有机溶剂可能残留在将被引入到第二工艺腔室4000中的基板S上。如果下壳体4120向上移动以与上壳体4110相接触，则第二工艺腔室4000中的处理空间可被密封地关闭。可在关闭的处理空间中执行超临界干燥工艺。在某些实施例中，腔室4100可以以这种方式构造:下壳体4120是固定的，上壳体4110是竖直方向上可移动的。
[0076]升降单元4200可构造为改变下壳体4120的竖直位置。升降单元4200可包括升降缸4210和升降杆4220。升降缸4210可连接到下壳体4120，以将竖直驱动力施加到下壳体4120。在超临界干燥工艺期间，在第二工艺腔室4000的高内压(例如，高于临界压力)下，由升降缸4210施加的竖直驱动力的强度可高到足以防止在上壳体4110和下壳体4120之间形成任何泄露通道，从而气密密封第二工艺腔室4000。升降杆4220可具有竖直延伸结构，该竖直延伸结构包括插入到升降缸4210的端部和结合到上壳体4110的对置端部。如果对升降缸4210施加驱动力，则升降缸4210和升降杆4220可竖直地移动，以改变结合到升降缸4210的下壳体4120的竖直位置。当升降缸4210改变了下壳体4120的竖直位置时，升降杆4220可防止上壳体4110和下壳体4120横向移动，并可沿竖直方向引导上壳体4110和下壳体4120，即，升降杆4220可防止上壳体4110和下壳体4120偏离它们的正常位置。
[0077]支撑单元4300可设置在腔室4100的处理空间中以支撑基板S。
[0078]支撑单元4300可包括从上壳体4110的下表面向下竖直延伸的竖直部，以及从竖直部的底端朝上壳体4110的中心横向延伸的另一部。支撑单元4300可支撑基板S的边缘区域。由于支撑单元4300可与基板S的边缘区域接触以支撑基板S，所以可在基板S的整个上表面和大部分下表面上执行超临界干燥工艺。这里，在基板S中，上表面可作为设置有图案的活性表面，以及下表面可作为无任何图案的惰性表面。
[0079]支撑单元4300可结合到上壳体4110。当下壳体4120在竖直方向上移动时，支撑单元4300可构造为以相对稳定的方式支撑基板S。
[0080]设置有支撑单元4300的上壳体4110中可设置有水平调节构件4111。水平调节构件4111可构造为调节上壳体4110的水平面或水平状态。对上壳体4110的水平面的调节能够实现对放置在支撑单元4300上的基板S的水平面或水平状态的调节。
[0081]如果在超临界干燥工艺过程中基板S是倾斜的，则残留在基板S上的有机溶剂可沿着基板S的斜面向下流。在这种情况下，基板S的某部分可能不够干燥或过度干燥，这可能导致基板S的损坏。由于基板S的水平面可通过水平调节构件4111来控制，因此能够防止上述技术问题。在上壳体4110可竖直移动且下壳体4120固定或将支撑单元4300安装到下壳体4120的情况下，可将水平调节构件4111安装到下壳体4120上。
[0082]加热器4400可构造为提高第二工艺腔室4000的内部温度。例如，供应到第二工艺腔室4000的超临界流体可由加热器4400加热以具有预设温度(例如，高于临界温度)，使得超临界流体维持在其超临界状态。换言之，如果超临界流体的温度降低，加热器4400可加热第二工艺腔室4000，以使得超临界流体维持在其超临界状态。加热器4400可嵌入在上壳体4110和下壳体4120的至少一个的壁中。加热器4400可构造为使用外部供应的电功率产生热量。
[0083]流体供应单元4500可构造为将流体供应到第二工艺腔室4000。例如，上述流体可为二氧化碳。
[0084]流体供应单元4500可包括上部流体供应部4510、下部流体供应部4520、供应管线4550 和阀 4570。
[0085]上部流体供应部4510可构造为将超临界流体供应到基板S的上表面上。上部流体供应部4510可连接到上壳体4110。例如，上部流体供应部4510可连接到上壳体4110的面向基板S上表面的中央区域的部分。
[0086]下部流体供应部4520可构造为将超临界流体供应到基板S的下表面上。下部流体供应部4520可连接到下壳体4120。下部流体供应部4520可连接到下壳体4120的面向基板S下表面的中央区域的部分。
[0087]如果通过上部流体供应部4510和下部流体供应部4520将超临界流体供应到基板S的中心区域，则超临界流体可从基板S的中央区域朝边缘区域扩散，因此，超临界流体可均匀覆盖基板S的大致整个区域。
[0088]供应管线4550可连接到上部流体供应部4510和下部流体供应部4520。供应管线4550可用于将超临界流体从外部供应到上部流体供应部4510和下部流体供应部4520。
[0089]阀4570可安装在供应管线4550上。阀4570可用于控制将被供应到上部流体供应部4510和下部流体供应部4520的超临界流体的流量。在某些实施例中，可设置控制器4900以控制阀4570的开关操作，这能够更精确地调节将被供应到腔室4100中的超临界流体的流量或流速。
[0090]流体供应单元4500可以以这样方式被控制:首先通过下部流体