供应部4520将超临界流体供应到腔室4100中。然后可通过上部流体供应部4510将超临界流体供应到腔室4100中。在超临界干燥工艺的初始阶段，第二工艺腔室4000的内部空间可能具有低于临界压力的压力。在这种情况下，供应到第二工艺腔室4000中的超临界流体可能被液化。在重力作用下，液化的流体可能落到基板S上，从而造成基板S的损坏。
[0091]为了避免上述技术问题，可首先通过下部流体供应部4520供应超临界流体。例如，可通过下部流体供应部4520将超临界流体供应到第二工艺腔室4000中，直到第二工艺腔室4000的内压达到临界压力。如果第二工艺腔室4000的内压变得高于临界压力，则可开始通过上部流体供应单元4510供应超临界流体。由于首先通过下部流体供应部4520供应超临界流体，而不是通过上部流体供应部4510，因此能够防止超临界流体液化，从而防止超临界流体落到基板S上。
[0092]阻隔构件4600可构造为防止通过流体供应单元4500供应的超临界流体直接喷射到基板S的下表面上。阻隔构件4600可包括挡板4610和支架4620。
[0093]挡板4610可位于腔室4100的处理空间中。挡板4610可设置在支撑单元4300和下部流体供应部4520之间。挡板4610可以以圆板的形式设置。挡板4610可具有与基板S半径相似、或大于基板S半径的半径。基板S放置在支撑单元4300上，挡板4610可位于基板S的下表面的下方，这能够防止通过下部流体供应部4520供应的超临界流体直接喷射到基板S的下表面上。在挡板4610的半径与基板S的半径相似、或大于基板S的半径的情况下，能够有效地防止超临界流体直接喷射到基板S上。
[0094]在某些实施例中，挡板4610可设置为具有小于基板S半径的半径。即使在这种情况下，也能够防止超临界流体直接喷射到基板S上。此外，在这种情况下，能够抑制超临界流体速度减慢，从而使得超临界流体容易到达基板S。换言之，在将挡板4610设置为具有小于基板S半径的半径情况下，可在基板S上有效地执行超临界干燥工艺。
[0095]支架4620可支撑挡板4610。例如，支架4620可设置为支撑挡板4610的背面。支架4620可垂直地安装在腔室4100的底壁上。支架4620和挡板4610可彼此连接，而无需任何其它连接构件；例如，挡板4610可在重力的作用下放置在支架4620上。
[0096]在某些实施例中，支架4620和挡板4610可连接到连接构件(例如，螺母和螺栓)。可替代地，支架4620和挡板4610可一体形成。
[0097]排出构件4700可构造为将超临界流体从第二工艺腔室4000中排出。排出构件4700可连接到排出管线4750，以将超临界流体排出到外部。这里，排出构件4700或排出管线4750上可安装有阀(未示出)，以控制超临界流体的排出量或排出速率。在一些实施例中，可将通过排出管线4750排出的超临界流体释放到大气中或供应到超临界流体循环系统(未不出)。
[0098]在一些实施例中，排出构件4700可形成为穿过下壳体4120。在超临界干燥工艺的最终阶段，可将超临界流体从第二工艺腔室4000排出，由此，第二工艺腔室4000的内压可降低到流体的临界压力以下，从而可使流体液化。在重力的作用下，上述液化的超临界流体可通过下壳体4120的排出构件4700排放。
[0099]控制器4900可控制阀4570和加热器4400。在一些实施例中，控制器4900可控制阀4570和加热器4400，以使得腔室4100的内部空间具有适合于超临界工艺的压力和温度。例如，控制器4900可以以这种方式控制阀4570:在超临界干燥工艺期间，维持腔室4100的压力，以使得供应到腔室4100内的二氧化碳的相从气态直接转变为超临界状态。此外，控制器4900可以以这种方式控制加热器4400:在超临界干燥工艺期间，维持腔室4100的温度，以使得供应到腔室4100内的二氧化碳的相从气态直接转变为超临界状态。
[0100]图5为示出了当在传统基板处理系统中执行超临界流体工艺时发生的工艺流体相变的曲线；图6为示出了当在根据本发明构思的示例性实施例的基板处理系统中执行超临界流体工艺时发生的工艺流体相变的曲线；图7为示出了当在图2中的第二工艺腔室中执行基板处理工艺时，颗粒数量与工艺流体的温度和压力之间的关系的曲线。
[0101]为简单起见，以下描述将参照本实施例的示例，在该示例中，二氧化碳用作为超临界流体。参见图5，将二氧化碳供应到传统基板处理系统的腔室中。在供应步骤的初始阶段，供应到腔室中的二氧化碳具有使得上述二氧化碳具有超临界状态的压力和温度。如果超临界二氧化碳被供应到腔室中，则超临界二氧化碳被绝热膨胀。绝热膨胀的结果为，二氧化碳具有较低温度，这可能引起二氧化碳相变。例如，二氧化碳可包括彼此混合的气态部分和液态部分。此后，如果提高腔室中二氧化碳的压力，则二氧化碳具有超临界相，这样，基板处理工艺可正常执行。图5的曲线①和②示出了二氧化碳的这种相变的示例。
[0102]然而，在二氧化碳相变为包含有气态部分和液态部分的情况下，在基板处理工艺中可能会产生许多颗粒，这些颗粒会导致工艺失败。图5的工艺过程中产生的颗粒的数量在图7的区域“B”中示出。
[0103]根据本发明构思的示例性实施例，在基板处理工艺过程中，供应到腔室中的二氧化碳的量和腔室的温度可由控制器控制，并且，例如，这种控制能够使得供应的二氧化碳从气态直接转变为超临界状态。图6的曲线示出了根据本发明构思的示例性实施例的基板处理工艺的进程。
[0104]在如图6所示的二氧化碳的压力和温度均被控制的情况下，工艺过程中产生的颗粒的数量减少了，这使得能够使用超临界流体提高基板处理工艺中的工艺效率。图6的工艺过程中产生的颗粒的数量在图7的区域“A”中示出。
[0105]根据本发明构思的示例性实施例，当使用超临界流体执行基板清洗工艺时，能够控制超临界流体的温度和压力，从而能够提高基板处理工艺的效率。
[0106]根据本发明构思的其他示例性实施例，当使用超临界流体执行基板清洗工艺时，能够控制超临界流体的温度和压力，这使得能够减少基板处理工艺中产生的颗粒的数量，从而能够提高基板清洗工艺的效率。
[0107]虽然本发明构思的示例性实施例已被详细示出和描述，但本领域普通技术人员应当理解的是，在不脱离所附上的权利要求书的精神和范围的情况下，可得到形式上和细节上的各种变型。
【主权项】
1.一种处理基板的方法，其特征在于，包括:将超临界二氧化碳供应到腔室中以处理基板，其中，当将二氧化碳供应到所述腔室中时，维持所述腔室的温度和压力，以使得所述二氧化碳从气态直接转变为超临界状态。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述基板的处理包括:使用所述超临界二氧化碳干燥所述基板。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述基板的干燥被执行以将有机溶剂从所述基板的各图案之间的缝隙中去除。4.一种基板处理系统，其特征在于，包括: 腔室，所述腔室中设置有处理空间； 支撑单元，设置在所述处理空间中以支撑基板； 流体供应单元，配置为将超临界二氧化碳供应到所述处理空间中； 加热器，配置为加热所述腔室；和 控制器，配置为控制所述加热器； 其中，所述控制器以这种方式控制所述加热器:当将二氧化碳供应到所述腔室中时，维持所述腔室的温度，以使得所述二氧化碳从气态直接转变为超临界状态。5.根据权利要求4所述的基板处理系统，其特征在于，所述流体供应单元包括阀，所述阀配置为控制将被供应到所述腔室中的流体的量，以及 所述控制器控制所述阀， 其中，所述控制器以这种方式控制所述阀:当将二氧化碳供应到所述腔室中时，维持所述腔室的压力，以使得所述二氧化碳从气态直接转变为超临界状态。
【专利摘要】公开的是用于处理基板的系统和方法。上述方法可包括将超临界二氧化碳供应到腔体以处理基板。这里，当将二氧化碳供应到所述腔室中时，维持所述腔室的温度和压力，以使得二氧化碳从气态直接变为超临界状态。
【IPC分类】H01L21/67, H01L21/02
【公开号】CN105590836
【申请号】CN201510755928
【发明人】李暎熏, 林义相, 李载明
【申请人】细美事有限公司
【公开日】2016年5月18日
【申请日】2015年11月9日
【公告号】US20160133454