专利名称：喹喔啉衍生物以及使用它的有机半导体元件、电致发光元件以及电子仪器的制作方法
技术领域：
本发明涉及作为有机化合物材料的喹喔啉衍生物、以及使用了上述喹喔啉衍生物的有机半导体元件。另外，还涉及使用了上述喹喔啉衍生物的电致发光元件。
背景技术：
有机化合物与无机化合物相比，材料体系多样，并且具有可以通过适当的分子设计合成具有各种功能的材料的可能性。另外，膜等形成物还具有富于柔软性、并通过进一步高分子化，加工性也优异的特长。由于这些优点，近年来，使用功能性有机材料的光子学或电子学受到广泛的注目。例如，作为使用有机化合物材料作为功能性有机材料的电子器件的例子，可以举出太阳电池或电致发光元件、有机晶体管。这些是有效地利用了有机化合物材料的电性能 (载流子传输性(# Y U 7輸送性))以及光性能(光吸收或发光)的仪器，其中，特别是电致发光元件显示了惊人的发展。已知作为电致发光元件的最基本的仪器结构，是将层叠了由空穴传输性有机化合物构成的空穴传输层和由电子传输性有机化合物的构成电子传输层的合计约IOOnm左右的薄膜用电极夹持的结构(例如，参照非专利文献1)。如果在此元件上施加电压，可以获得由兼具发光性的电子传输性有机化合物的发光。另外，这种结构一般被称为单异质(SH)结构。另外，非专利文献1中的电致发光元件，可以说是进行了空穴的传输通过空穴传输层来进行、电子的传输以及发光是通过电子传输层来进行的功能分离。此后，以进一步改善起因于在层叠层的界面上产生的相互作用(例如，激基复合物的形成等)的发光光谱变化或发光效率的降低为目标，此功能分离的概念进一步发展为将发光层夹持在空穴传输层和电子传输层之间的双异质(DH)结构的设想(例如，参照非专利文献2)。在如非专利文献2记载的电致发光元件中，为了进一步抑制在界面产生的相互作用，优选使用具有电子传输性以及空穴传输性两种性能的双极性的材料来形成发光层。可是，大部分有机化合物材料都是偏向空穴传输性或电子传输性的单极性的材料。例如下述专利文献1所示的材料也只是被作为电子注入层来使用。因此，要求新开发具有双极性的有机化合物材料。专利文献1 日本特开2003-40873号公报非专利文献1 :C. W.夕 >等1人，应用物理快报U A卜·' 7 ^夕夕7 l·夕一文)，Vol. 51，No. 12,913-915(1987)非专利文献2 f “ Y 7夕·· f等3人，日本应用物理杂志( M 二一 m—于卟才 7.· 了 7°，4 卜·、7 4 夕夕叉)，Vol. 27，No. 2，L269-L271 (1988)
发明内容
(发明要解决的课题)本发明的课题在于提供一种具有双极性，并且还具有发光性的有机化合物材料。 另外，还提供使用上述有机化合物材料的有机半导体元件，特别是通过使用上述有机化合物材料降低绝缘破坏等元件不良或提高发光性的电致发光元件。(解决课题的手段)本发明提供了通式⑴表示的喹喔啉衍生物。
权利要求
1.晶体管，其包含夹持在源电极和漏电极之间的由喹喔啉衍生物构成的薄膜状的活性层，以及埋入所述活性层中的门电极。
2.权利要求1的晶体管，其中，在不施加门电压的状态下在所述源电极和漏电极之间施加电压时，所述晶体管为ON状态；并且其中，在施加门电压时，所述晶体管为OFF状态。
3.权利要求1的晶体管，其中，所述门电极连接至用于施加门电压的装置。
4.权利要求1的晶体管，其中，所述源电极和漏电极连接至用于控制所述源电极和漏电极之间的电压的装置。
5.权利要求1的晶体管，其中，所述喹喔啉衍生物具有双极性，并且在成膜时难以含有微晶成分。
6.权利要求1的晶体管，其中，所述喹喔啉衍生物由通式(2)表示
7.晶体管，其包含夹持在源电极和漏电极之间的由喹喔啉衍生物构成的薄膜状的活性层，以及埋入所述活性层中的门电极；其中，所述喹喔啉衍生物具有发光性。
8.权利要求7的晶体管，其中，在不施加门电压的状态下在所述源电极和漏电极之间施加电压时，所述晶体管为ON状态；并且其中，在施加门电压时，所述晶体管为OFF状态。
9.权利要求7的晶体管，其中，所述门电极连接至用于施加门电压的装置。
10.权利要求7的晶体管，其中，所述源电极和漏电极连接至用于控制所述源电极和漏电极之间的电压的装置。
11.权利要求7的晶体管，其中，所述喹喔啉衍生物具有双极性，并且在成膜时难以含有微晶成分。
12.权利要求7的晶体管，其中，所述喹喔啉衍生物显示蓝-蓝绿色的发光。
13.权利要求7的晶体管，其中，所述喹喔啉衍生物由通式(2)表示
全文摘要
本发明提供一种具有双极性的有机化合物材料。具体地说，提供通式(1)所示的喹喔啉衍生物，式中，R1～R12各自独立，表示氢原子、卤原子、低级烷基、烷氧基、酰基、硝基、氰基、氨基、二烷基氨基、二芳基氨基、乙烯基、芳基、或杂环残基的任意一种，R9和R10、R10和R11、R11和R12各自独立，或分别互相键合而形成芳环。Ar1～Ar4各自独立，表示芳基、或杂环残基的任意一种，Ar1、Ar2、Ar3、Ar4各自独立，或Ar1和Ar3、Ar3和Ar4分别互相直接键合，或者Ar1和Ar2、Ar3和Ar4通过氧(O)、硫(S)或者羰基中的任意一种进行键合。
文档编号H05B33/14GK102386330SQ20111020337
公开日2012年3月21日 申请日期2004年4月7日 优先权日2003年4月18日
发明者下垣智子, 安部宽子, 德田笃史, 濑尾哲史, 野村亮二 申请人:株式会社半导体能源研究所