显示基板及其制造方法
【专利摘要】本发明提供了一种显示基板及其制造方法。该显示基板在同一基板(100)上设置位于像素电极(20)上方且与像素电极(20)重叠的公共电极(10)；所述公共电极(10)具有相互对称设置的第一开口(OP1)、第二开口(OP2)、第三开口(OP3)与第四开口(OP4)；所述第一开口(OP1)具有沿倾斜方向延伸的第11延伸部(OP11)、垂直于所述第11延伸部(OP11)的第12延伸部(OP12)、及垂直于所述第11延伸部(OP11)的第13延伸部(OP13)，能够使液晶分子沿不同的方向排列，在多个像素区中形成多个畴，从而能够改善色偏，同时减少或防止由于各畴的边界附近形成液晶纹理而导致的显示亮度下降。
【专利说明】显示基板及其制造方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及显示【技术领域】，尤其涉及一种显示基板及其制造方法。
【背景技术】
[0002]随着显示技术的发展，液晶显示器(Liquid Crystal Display，LCD)等平面显示装置因具有高画质、省电、机身薄、无辐射等优点，而被广泛的应用于手机、电视、个人数字助理、数字相机、笔记本电脑、台式计算机等各种消费性电子产品，成为显示装置中的主流。
[0003]现有市场上的液晶显示器大部分为背光型液晶显示器，其包括壳体、设于壳体内的液晶显示面板及设于壳体内的背光模组(Backlight module)。
[0004]传统的液晶显示面板是由一片薄膜晶体管阵列基板(Thin Film TransistorArray Substrate，TFT Array Substrate)与一片彩色滤光片基板(Color Filter，CF)贴合而成，分别在TFT基板和CF基板上形成像素电极和公共电极，并在TFT基板与CF基板之间灌入液晶，其工作原理是通过在像素电极与公共电极之间施加驱动电压，利用像素电极与公共电极之间形成的电场来控制液晶层内的液晶分子的旋转，将背光模组的光线折射出来产生画面。传统的液晶显示面板具有视角狭窄的缺陷，且在大视角下存在色偏现象。
[0005]为了扩大液晶显示面板的视角，提出了一种面到线切换(Plane-to-LineSwitching，PLS)型的液晶显示面板。该PLS型的液晶显示面板将像素电极和公共电极设置在同一基板上，利用像素电极与公共电极之间形成的横向电场驱动液晶分子在与基板平行的方向上旋转，以扩大视角。但是，在该PLS型的液晶显示面板中由于所有的液晶分子仅沿同一方向排列，会造成该PLS型的液晶显示面板呈现的颜色会随着观察角度的不同而改变，产生色偏现象。通常采用在单个像素区中形成多个畴的方法来改善色偏问题，然而该方法应用于PLS型的液晶显示面板时，会在各畴的边界附近形成液晶纹理，从而降低显示亮度，影响显不效果。
【发明内容】
[0006]本发明的目的在于提供一种显示基板，能够使液晶分子沿不同的方向排列，在多个像素区中形成多个畴，从而能够改善色偏，同时减少或防止由于各畴的边界附近形成液晶纹理而导致的显示亮度下降。
[0007]本发明的目的还在于提供一种显示基板制造方法，使用该方法制造的显示基板，能够使液晶分子沿不同的方向排列，在多个像素区中形成多个畴，从而能够改善色偏，同时减少或防止由于各畴的边界附近形成液晶纹理而导致的显示亮度下降。
[0008]为实现上述目的，本发明提供一种显示基板，包括:基板、设于所述基板上的呈阵列式排布的多个TFT、电性连接至所述TFT且沿水平方向设置的栅极线、电性连接至所述TFT且沿竖直方向设置的数据线、电性连接至所述TFT的像素电极、设于所述像素电极上方且与所述像素电极重叠的公共电极；
[0009]所述栅极线与数据线相互交叉限定出呈阵列式排布的多个像素区，每一像素区内具有一像素电极，每一 TFT对应驱动一个像素区；
[0010]所述公共电极具有第一开口、及与所述第一开口关于栅极线对称的第二开口 ；所述第一开口与多个像素区中的第一像素区重叠，所述第二开口与在竖直方向上邻近所述第一像素区的第二像素区重叠；
[0011]所述第一开口具有沿倾斜方向延伸的第11延伸部、自所述第11延伸部的一端延伸并垂直于所述第11延伸部的第12延伸部、自所述第11延伸部的另一端延伸并垂直于所述第11延伸部的第13延伸部；且所述第12延伸部与第13延伸部的延伸方向相反。
[0012]所述第11延伸部、第12延伸部及第13延伸部均与所述像素电极重叠。
[0013]所述公共电极还具有与所述第一开口关于数据线对称的第三开口、及与所述第二开口关于数据线对称的第四开口 ；所述第三开口与在水平方向上邻近所述第一像素区的第三像素区重叠，所述第四开口与在竖直方向上邻近所述第三像素区且在水平方向上邻近所述第二像素区的第四像素区重叠。
[0014]所述显示基板还包括:设于所述基板上的遮光层、设于所述遮光层上的第一绝缘层、设于所述第一绝缘层上的半导体层、设于所述半导体层上的第二绝缘层、设于所述第二绝缘层上的栅极、设于所述栅极上的第三绝缘层、分别设于所述栅极两侧并通过第二绝缘层与第三绝缘层隔开的源极与漏极；
[0015]所述源极与漏极均接触所述半导体层，与所述半导体层形成电性连接；
[0016]所述栅极线与栅极位于同一层；所述数据线与源极和漏极位于同一层；
[0017]所述半导体层、栅极、源极及漏极共同形成所述TFT。
[0018]所述源极、漏极分别通过贯穿所述第二绝缘层与第三绝缘层的第一过孔、第二过孔接触所述半导体层。
[0019]所述栅极线电性连接于TFT的栅极，所述数据线电性连接于TFT的源极。
[0020]所述显示基板还包括设于所述源极、漏极上的第四绝缘层、设于所述第四绝缘层与像素电极之间的第五绝缘层、设于像素电极与公共电极之间的第六绝缘层、设于所述公共电极上的下取向层；
[0021 ] 所述像素电极接触漏极，形成电性连接。
[0022]所述像素电极通过贯穿第四绝缘层与第五绝缘层上的第三过孔接触漏极。
[0023]本发明还提供一种显示基板制造方法，包括以下步骤:
[0024]步骤1、提供一基板，在所述基板上依次形成遮光层、第一绝缘层、半导体层、第二绝缘层；
[0025]步骤2、在所述第二绝缘层上形成第一金属层，并对该第一金属层图案化，形成栅极与栅极线；
[0026]所述栅极线电性连接于栅极；
[0027]步骤3、在所述第二绝缘层上形成覆盖栅极与栅极线的第三绝缘层，并对第二绝缘层与第三绝缘层图案化，形成分别位于栅极两侧的第一过孔、与第二过孔；
[0028]步骤4、在所述第三绝缘层上形成第二金属层，并对该第二金属层图案化，形成源极、漏极、与数据线；
[0029]所述源极、漏极分别通过所述第一过孔、第二过孔接触所述半导体层，与所述半导体层形成电性连接；
[0030]所述数据线电性连接于源极；
[0031]所述半导体层、栅极、源极及漏极共同形成TFT ;
[0032]所述栅极线与数据线相互交叉限定出呈阵列式排布的多个像素区，每一 TFT对应驱动一个像素区；
[0033]步骤5、在所述第三绝缘层上依次形成覆盖所述源极、漏极与数据线的第四绝缘层、及覆盖所述第四绝缘层的第五绝缘层，并对所述第四绝缘层与第五绝缘层图案化，形成第三过孔；
[0034]步骤6、在所述第五绝缘层上形成并图案化像素电极，使每一像素区内具有一像素电极；
[0035]所述像素电极通过第三过孔接触漏极，形成电性连接；
[0036]步骤7、在所述第五绝缘层上形成覆盖像素电极的第六绝缘层；
[0037]步骤8、在所述第六绝缘层上形成并图案化公共电极；
[0038]所述公共电极位于所述像素电极上方且与所述像素电极重叠；
[0039]所述公共电极具有第一开口、及与所述第一开口关于栅极线对称的第二开口 ；所述第一开口与多个像素区中的第一像素区重叠，所述第二开口与在竖直方向上邻近所述第一像素区的第二像素区重叠；
[0040]所述第一开口具有沿倾斜方向延伸的第11延伸部、自所述第11延伸部的一端延伸并垂直于所述第11延伸部的第12延伸部、自所述第11延伸部的另一端延伸并垂直于所述第11延伸部的第13延伸部；且所述第12延伸部与第13延伸部的延伸方向相反；
[0041]步骤9、在所述公共电极上形成下取向层。
[0042]所述第11延伸部、第12延伸部及第13延伸部均与所述像素电极重叠；所述公共电极还具有与所述第一开口关于数据线对称的第三开口、及与所述第二开口关于数据线对称的第四开口 ；所述第三开口与在水平方向上邻近所述第一像素区的第三像素区重叠，所述第四开口与在竖直方向上邻近所述第三像素区且在水平方向上邻近所述第二像素区的第四像素区重叠。
[0043]本发明的有益效果:本发明提供的一种显示基板及其制造方法，在同一基板上设置位于像素电极上方且与像素电极重叠的公共电极，公共电极具有相互对称设置的第一开口、第二开口、第三开口与第四开口，且第一开口具有沿倾斜方向延伸的第11延伸部、垂直于所述第11延伸部的第12延伸部、及垂直于所述第11延伸部的第13延伸部，能够使液晶分子沿不同的方向排列，在多个像素区中形成多个畴，从而能够改善色偏，同时减少或防止由于各畴的边界附近形成液晶纹理而导致的显示亮度下降。
【专利附图】
【附图说明】
[0044]下面结合附图，通过对本发明的【具体实施方式】详细描述，将使本发明的技术方案及其它有益效果显而易见。
[0045]附图中，
[0046]图1为本发明的显示基板的剖面图；
[0047]图2为本发明的显示基板的平面图；
[0048]图3为排列在本发明的显示基板上的液晶分子的偏转方向的平面示意图；
[0049]图4为本发明的显示基板制造方法的流程图。
【具体实施方式】
[0050]为更进一步阐述本发明所采取的技术手段及其效果，以下结合本发明的优选实施例及其附图进行详细描述。
[0051]本发明首先提供一种显不基板，该显不基板应用于PLS型液晶显不面板。请同时参阅图1、图2，本发明的显示基板包括:基板100、设于所述基板100上的呈阵列式排布的多个TFT、电性连接至所述TFT且沿水平方向设置的栅极线GL、电性连接至所述TFT且沿竖直方向设置的数据线DL、电性连接至所述TFT的像素电极20、设于所述像素电极20上方且与所述像素电极20重叠的公共电极10。所述栅极线GL与数据线DL相互交叉限定出呈阵列式排布的多个像素区，每一像素区内具有一像素电极20，每一 TFT对应驱动一个像素区。
[0052]所述公共电极10具有第一开口 OP1、及与所述第一开口 OPl关于栅极线GL对称的第二开口 0P2。所述第一开口 OPl与多个像素区中的第一像素区PXl重叠，所述第二开口0P2与在竖直方向上邻近所述第一像素区PXl的第二像素区PX2重叠。
[0053]所述第一开口 OPl具有沿倾斜方向延伸的第11延伸部0P11、自所述第11延伸部OPll的一端延伸并垂直于所述第11延伸部OPll的第12延伸部0P12、自所述第11延伸部OPll的另一端延伸并垂直于所述第11延伸部OPll的第13延伸部0P13。所述第11延伸部OPll、第12延伸部0P12及第13延伸部0P13均与所述像素电极20重叠，且所述第11延伸部OPll的延伸方向不同于栅极线GL与数据线DL的方向，即相对于水平方向与竖直方向均倾斜，所述第12延伸部0P12与第13延伸部0P13的延伸方向相反。
[0054]所述第二开口 0P2与第一开口 OPl关于栅极线GL对称，相应的，所述第二开口 0P2具有第21延伸部0P21、自所述第21延伸部0P21的一端延伸并垂直于所述第21延伸部0P21的第22延伸部0P22、自所述第21延伸部0P21的另一端延伸并垂直于所述第21延伸部0P21的第23延伸部0P23。
[0055]所述公共电极10进一步具有与所述第一开口 OPl关于数据线DL对称的第三开口0P3、及与所述第二开口 0P2关于数据线DL对称的第四开口 0P4。所述第三开口 0P3与在水平方向上邻近所述第一像素区PXl的第三像素区PX3重叠，所述第四开口 0P4与在竖直方向上邻近所述第三像素区PX3且在水平方向上邻近所述第二像素区PX2的第四像素区PX4重叠。所述第三开口 0P3与所述第二开口 0P2的形状基本相同，相应的具有第31延伸部0P31、自所述第31延伸部0P31的一端延伸并垂直于所述第31延伸部0P31的第32延伸部0P32、自所述第31延伸部0P31的另一端延伸并垂直于所述第31延伸部0P31的第33延伸部0P33 ;所述第四开口 0P4与所述第一开口 OPI的形状基本相同，相应的，具有第41延伸部0P41、自所述第41延伸部0P41的一端延伸并垂直于所述第41延伸部0P41的第42延伸部0P42、自所述第41延伸部0P41的另一端延伸并垂直于所述第41延伸部0P41的第43延伸部 0P43。
[0056]所述公共电极10具有重复单元，该重复单元对应于相邻两行、与该相邻两行交叉的相邻两列中的四个像素区。
[0057]所述显示基板还包括:设于所述基板100上的遮光层40、设于所述遮光层40上的第一绝缘层31、设于所述第一绝缘层31上的半导体层60、设于所述半导体层60上的第二绝缘层32、设于所述第二绝缘层32上的栅极70、设于所述栅极70上的第三绝缘层33、分别设于所述栅极70两侧并通过第二绝缘层32与第三绝缘层33隔开的源极80与漏极90、设于所述源极80、漏极90上的第四绝缘层34、设于所述第四绝缘层34与像素电极20之间的第五绝缘层35、设于像素电极20与公共电极10之间的第六绝缘层36、设于所述公共电极10上的下取向层50。
[0058]所述源极80与漏极90分别通过贯穿所述第二绝缘层32与第三绝缘层33的第一过孔801、第二过孔901接触所述半导体层60，与所述半导体层60形成电性连接。
[0059]所述栅极线GL与栅极70位于同一层，且所述栅极线GL电性连接于TFT的栅极70 ;所述数据线DL与源极80和漏极90位于同一层，且所述数据线DL电性连接于TFT的源极80。
[0060]所述半导体层60、栅极70、源极80及漏极90共同形成所述TFT。
[0061]所述像素电极20通过贯穿第四绝缘层34与第五绝缘层35上的第三过孔201接触漏极90，形成电性连接。
[0062]如图3所示，当向所述像素电极10施加电压时，液晶分子LC依据由像素电极10和公共电极20之间形成的电场进行偏转。由于所述公共电极20具有第一开口 OP1、第二开口 OP2、第三开口 OP3、与第四开口 0P4，且第一开口 OPl具有沿倾斜方向延伸的第11延伸部OP11、垂直于所述第11延伸部OPll的第12延伸部0P12、及垂直于所述第11延伸部OPll的第13延伸部0P13，对应位于第一像素区PX1、第二像素区PX2、第三像素区PX3、第四像素区PX4内的液晶分子LC沿不同的方向排列，形成多个畴，从而能够改善色偏，同时减少或防止由于各畴的边界附近形成液晶纹理而导致的显示亮度下降。
[0063]请参阅图4，同时结合图1、图2，本发明还提供一种显示基板制造方法，包括以下步骤:
[0064]步骤1、提供一基板100，在所述基板100上依次形成遮光层40、第一绝缘层31、半导体层60、第二绝缘层32。
[0065]步骤2、在所述第二绝缘层32上形成第一金属层，并对该第一金属层图案化，形成栅极70与栅极线GL ；
[0066]所述栅极线GL电性连接于栅极70。
[0067]步骤3、在所述第二绝缘层32上形成覆盖栅极70与栅极线GL的第三绝缘层33，并对第二绝缘层32与第三绝缘层33图案化，形成分别位于栅极70两侧的第一过孔801、与第二过孔901。
[0068]步骤4、在所述第三绝缘层33上形成第二金属层，并对该第二金属层图案化，形成源极80、漏极90、与数据线DL。
[0069]所述源极80、漏极90分别通过所述第一过孔801、第二过孔901接触所述半导体层60，与所述半导体层60形成电性连接。
[0070]所述数据线DL电性连接于源极80。
[0071]所述半导体层60、栅极70、源极80及漏极90共同形成TFT。
[0072]所述栅极线GL与数据线DL相互交叉限定出呈阵列式排布的多个像素区，每一 TFT对应驱动一个像素区。
[0073]步骤5、在所述第三绝缘层33上依次形成覆盖所述源极80、漏极90与数据线DL的第四绝缘层34、及覆盖所述第四绝缘层34的第五绝缘层35，并对所述第四绝缘层34与第五绝缘层35图案化，形成第三过孔201。
[0074]步骤6、在所述第五绝缘层35上形成并图案化像素电极，使每一像素区内具有一像素电极20。
[0075]所述像素电极20通过第三过孔201接触漏极90，形成电性连接。
[0076]步骤7、在所述第五绝缘层35上形成覆盖像素电极20的第六绝缘层36。
[0077]步骤8、在所述第六绝缘层36上形成并图案化公共电极10。
[0078]所述公共电极10位于所述像素电极20上方且与所述像素电极20重叠。
[0079]所述公共电极10具有第一开口 OP1、及与所述第一开口 OPl关于栅极线GL对称的第二开口 OP2 ;所述第一开口 OPl与多个像素区中的第一像素区PXl重叠，所述第二开口0P2与在竖直方向上邻近所述第一像素区PXl的第二像素区PX2重叠。
[0080]所述第一开口 OPl具有沿倾斜方向延伸的第11延伸部0P11、自所述第11延伸部OPll的一端延伸并垂直于所述第11延伸部OPll的第12延伸部0P12、自所述第11延伸部OPll的另一端延伸并垂直于所述第11延伸部OPll的第13延伸部OP13 ;且所述第12延伸部0P12与第13延伸部0P13的延伸方向相反。
[0081]进一步的，所述第11延伸部0P11、第12延伸部0P12及第13延伸部0P13均与所述像素电极20重叠。
[0082]所述公共电极10还具有与所述第一开口 OPl关于数据线DL对称的第三开口 0P3、及与所述第二开口 0P2关于数据线DL对称的第四开口 0P4。所述第三开口 0P3与在水平方向上邻近所述第一像素区PXl的第三像素区PX3重叠，所述第四开口 0P4与在竖直方向上邻近所述第三像素区PX3且在水平方向上邻近所述第二像素区PX2的第四像素区PX4重叠。
[0083]步骤9、在所述公共电极10上形成下取向层50。
[0084]通过该方法制造的显示基板，能够使液晶分子沿不同的方向排列，在多个像素区中形成多个畴，从而能够改善色偏，同时减少或防止由于各畴的边界附近形成液晶纹理而导致的显示亮度下降。
[0085]综上所述，本发明的显示基板及其制造方法，在同一基板上设置位于像素电极上方且与像素电极重叠的公共电极，公共电极具有相互对称设置的第一开口、第二开口、第三开口与第四开口，且第一开口具有沿倾斜方向延伸的第11延伸部、垂直于所述第11延伸部的第12延伸部、及垂直于所述第11延伸部的第13延伸部，能够使液晶分子沿不同的方向排列，在多个像素区中形成多个畴，从而能够改善色偏，同时减少或防止由于各畴的边界附近形成液晶纹理而导致的显示亮度下降。
[0086]以上所述，对于本领域的普通技术人员来说，可以根据本发明的技术方案和技术构思作出其他各种相应的改变和变形，而所有这些改变和变形都应属于本发明权利要求的保护范围。
【权利要求】
1.一种显示基板，其特征在于，包括:基板(100)、设于所述基板(100)上的呈阵列式排布的多个TFT、电性连接至所述TFT且沿水平方向设置的栅极线(GL)、电性连接至所述TFT且沿竖直方向设置的数据线(DL)、电性连接至所述TFT的像素电极(20)、设于所述像素电极(20)上方且与所述像素电极(20)重叠的公共电极(10)； 所述栅极线(GL)与数据线(DL)相互交叉限定出呈阵列式排布的多个像素区，每一像素区内具有一像素电极(20)，每一 TFT对应驱动一个像素区； 所述公共电极(10)具有第一开口(OPl)、及与所述第一开口(OPl)关于栅极线(GL)对称的第二开口(0P2);所述第一开口(OPl)与多个像素区中的第一像素区(PXl)重叠，所述第二开口(0P2)与在竖直方向上邻近所述第一像素区(PXl)的第二像素区(PX2)重叠； 所述第一开口(OPl)具有沿倾斜方向延伸的第11延伸部(OPll)、自所述第11延伸部(OPll)的一端延伸并垂直于所述第11延伸部(OPll)的第12延伸部(0P12)、自所述第11延伸部(OPll)的另一端延伸并垂直于所述第11延伸部(OPll)的第13延伸部(0P13);且所述第12延伸部(0P12)与第13延伸部(0P13)的延伸方向相反。
2.如权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述第11延伸部(OPll)、第12延伸部(0P12)及第13延伸部(0P13)均与所述像素电极(20)重叠。
3.如权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述公共电极(10)还具有与所述第一开口(OPl)关于数据线(DL)对称的第三开口(0P3)、及与所述第二开口(0P2)关于数据线(DL)对称的第四开口(0P4);所述第三开口(0P3)与在水平方向上邻近所述第一像素区(PXl)的第三像素区(PX3)重叠，所述第四开口(0P4)与在竖直方向上邻近所述第三像素区(PX3)且在水平方向上邻近所述第二像素区(PX2)的第四像素区(PX4)重叠。
4.如权利要求1所述的显示基板，其特征在于，还包括:设于所述基板(100)上的遮光层(40)、设于所述遮光层(40)上的第一绝缘层(31)、设于所述第一绝缘层(31)上的半导体层(60)、设于所述半导体层(60)上的第二绝缘层(32)、设于所述第二绝缘层(32)上的栅极(70)、设于所述栅极(70)上的第三绝缘层(33)、分别设于所述栅极(70)两侧并通过第二绝缘层(32)与第三绝缘层(33)隔开的源极(80)与漏极(90); 所述源极(80)与漏极(90)均接触所述半导体层(60)，与所述半导体层￠0)形成电性连接； 所述栅极线(GL)与栅极(70)位于同一层；所述数据线(DL)与源极(80)和漏极(90)位于同一层； 所述半导体层(60)、栅极(70)、源极(80)及漏极(90)共同形成所述TFT。
5.如权利要求4所述的显示基板，其特征在于，所述源极(80)、漏极(90)分别通过贯穿所述第二绝缘层(32)与第三绝缘层(33)的第一过孔(801)、第二过孔(901)接触所述半导体层(60)。
6.如权利要求5所述的显示基板，其特征在于，所述栅极线(GL)电性连接于TFT的栅极(70)，所述数据线(DL)电性连接于TFT的源极(80)。
7.如权利要求6所述的显示基板，其特征在于，还包括设于所述源极(80)、漏极(90)上的第四绝缘层(34)、设于所述第四绝缘层(34)与像素电极(20)之间的第五绝缘层(35)、设于像素电极(20)与公共电极(10)之间的第六绝缘层(36)、设于所述公共电极(10)上的下取向层(50)； 所述像素电极(20)接触漏极(90)，形成电性连接。
8.如权利要求7所述的显示基板，其特在在于，所述像素电极(20)通过贯穿第四绝缘层(34)与第五绝缘层(35)上的第三过孔(201)接触漏极(90)。
9.一种显示基板制造方法，其特征在于，包括以下步骤: 步骤1、提供一基板(100)，在所述基板(100)上依次形成遮光层(40)、第一绝缘层(31)、半导体层(60)、第二绝缘层(32); 步骤2、在所述第二绝缘层(32)上形成第一金属层，并对该第一金属层图案化，形成栅极(70)与栅极线(GL); 所述栅极线(GL)电性连接于栅极(70); 步骤3、在所述第二绝缘层(32)上形成覆盖栅极(70)与栅极线(GL)的第三绝缘层(33)，并对第二绝缘层(32)与第三绝缘层(33)图案化，形成分别位于栅极(70)两侧的第一过孔(801)、与第二过孔(901)； 步骤4、在所述第三绝缘层(33)上形成第二金属层，并对该第二金属层图案化，形成源极(80)、漏极(90)、与数据线(DL); 所述源极(80)、漏极(90)分别通过所述第一过孔(801)、第二过孔(901)接触所述半导体层(60)，与所述半导体层￠0)形成电性连接； 所述数据线(DL)电性连接于源极(80); 所述半导体层(60)、栅极(70)、源极(80)及漏极(90)共同形成TFT ; 所述栅极线(GL)与数据线(DL)相互交叉限定出呈阵列式排布的多个像素区，每一TFT对应驱动一个像素区； 步骤5、在所述第三绝缘层(33)上依次形成覆盖所述源极(80)、漏极(90)与数据线(DL)的第四绝缘层(34)、及覆盖所述第四绝缘层(34)的第五绝缘层(35)，并对所述第四绝缘层(34)与第五绝缘层(35)图案化，形成第三过孔(201); 步骤6、在所述第五绝缘层(35)上形成并图案化像素电极，使每一像素区内具有一像素电极(20)； 所述像素电极(20)通过第三过孔(201)接触漏极(90)，形成电性连接； 步骤7、在所述第五绝缘层(35)上形成覆盖像素电极(20)的第六绝缘层(36); 步骤8、在所述第六绝缘层(36)上形成并图案化公共电极(10); 所述公共电极(10)位于所述像素电极(20)上方且与所述像素电极(20)重叠；所述公共电极(10)具有第一开口(OP1)、及与所述第一开口(OP1)关于栅极线(GL)对称的第二开口(OP2);所述第一开口(OP1)与多个像素区中的第一像素区(PX1)重叠，所述第二开口(OP2)与在竖直方向上邻近所述第一像素区(PX1)的第二像素区(PX2)重叠；所述第一开口(OP1)具有沿倾斜方向延伸的第11延伸部(OP11)、自所述第11延伸部(OP11)的一端延伸并垂直于所述第11延伸部(OP11)的第12延伸部(OP12)、自所述第11延伸部(OP11)的另一端延伸并垂直于所述第11延伸部(OP11)的第13延伸部(OP13);且所述第12延伸部(OP12)与第13延伸部(OP13)的延伸方向相反； 步骤9、在所述公共电极(10)上形成下取向层(50)。
10.如权利要求9所述的显示基板制造方法，其特征在于，所述第11延伸部(OP11)、第12延伸部(OP12)及第13延伸部(OP13)均与所述像素电极(20)重叠；所述公共电极(10)还具有与所述第一开口(0P1)关于数据线(DL)对称的第三开口(0P3)、及与所述第二开口(0P2)关于数据线(DL)对称的第四开口(0P4);所述第三开口(0P3)与在水平方向上邻近所述第一像素区(PX1)的第三像素区(PX3)重叠，所述第四开口(0P4)与在竖直方向上邻近所述第三像素区(PX3)且在水平方向上邻近所述第二像素区(PX2)的第四像素区(PX4)重叠。
【文档编号】G02F1/1343GK104503156SQ201410764697
【公开日】2015年4月8日 申请日期:2014年12月11日 优先权日:2014年12月11日
【发明者】吴欲志 申请人:深圳市华星光电技术有限公司