技术总结
本发明公开了一种立方氮化硼薄膜的制备方法，属于超硬薄膜材料领域，该制备方法以Si晶片为衬底、hBN为靶材进行射频溅射，包括以下步骤：（1）衬底预溅射：溅射气体为惰性气体，溅射功率160‑400W，衬底负偏压‑280~‑350V，衬底温度500℃，预真空度1.3×10‑3~2×10‑3Pa，工作气压1.3~2Pa，溅射时间5~15min；（2）薄膜成核：溅射气体为惰性气体与N2的混合气体，溅射功率100‑400W，衬底负偏压‑200~‑300V，衬底温度400~600℃，预真空度1×10‑3~2×10‑3Pa，工作气压1.33~2Pa，溅射时间15~45min；（3）薄膜生长：溅射气体为氮气或惰性气体与N2的混合气体溅射功率200‑400W，衬底负偏压‑130~‑200V，衬底温度200~300℃，预真空度1×10‑3~2×10‑3Pa，工作气压0.6~1.5Pa，溅射时间45‑120min；（4）退火。
技术研发人员：李丙文;马宁
受保护的技术使用者：富耐克超硬材料股份有限公司
文档号码：201610914489
技术研发日：2016.10.20
技术公布日：2017.02.15