本发明属于led灯制造技术领域，尤其涉及一种led蒸镀工艺。
背景技术：
led支架是led灯珠在封装之前的底基座，在led支架的基础上，将芯片固定进去，焊上正负电极，再用封装胶一次封装成形。目前，led灯存在亮度不够，面板透光率不高的问题。
技术实现要素：
本发明所要解决的技术问题在于提供一种提高led灯亮度、提高面板导电性和提高面板透光率的led蒸镀工艺。
为解决上述问题，本发明所述的一种led蒸镀工艺，包括以下步骤：
(1)选择衬底，使用锡为镀层将衬底进行一次蒸镀，蒸镀温度为160～180℃，蒸镀时间为2～3分钟，锡层厚度为1～2um；
(2)向一次蒸镀后的衬底表面涂上强化剂，然后进行烘烤，烘烤时间为45～55分钟，烘烤温度为75～85℃；
(3)对烘烤后的衬底进行二次蒸镀，二次蒸镀为真空状态，真空度为10-4～10-5pa，二次蒸镀温度为480～500℃，二次蒸镀时间为7～9分钟，锡层厚度为9～10um；
(4)二次蒸镀后将真空度调整为10-1～10-2pa，温度调整为210～220℃，保持时间为10～15分钟，使得蒸镀后锡层的稳定性高；
(5)将步骤(4)处理过的蒸镀衬底用风机冷却至常温，得到成品。
所述强化剂是锡酸钠和氢氧化钠，锡酸钠与氢氧化钠的比例为9:1或11:1。
与现有技术相比，本发明具有以下优点：本发明具有提高led灯亮度、提高面板导电性和提高面板透光率的特点，本发明提高led灯亮度，增强照明效果；本发明提高面板导电性和透光率，增强led的性能。
具体实施方式
实施例1
一种led蒸镀工艺，包括以下步骤：(1)选择衬底，使用锡为镀层将衬底进行一次蒸镀，蒸镀温度为160℃，蒸镀时间为2分钟，锡层厚度为1um；(2)向一次蒸镀后的衬底表面涂上强化剂，然后进行烘烤，烘烤时间为45分钟，烘烤温度为75℃；(3)对烘烤后的衬底进行二次蒸镀，二次蒸镀为真空状态，真空度为10-4pa，二次蒸镀温度为480℃，二次蒸镀时间为7分钟，锡层厚度为9um；(4)二次蒸镀后将真空度调整为10-1pa，温度调整为210℃，保持时间为10分钟，使得蒸镀后锡层的稳定性高；(5)将步骤(4)处理过的蒸镀衬底用风机冷却至常温，得到成品。
强化剂是锡酸钠和氢氧化钠，锡酸钠与氢氧化钠的比例为9:1。
实验证明，此参数下led灯亮度最高；面板导电性和透光率较高。
实施例2
一种led蒸镀工艺，包括以下步骤：(1)选择衬底，使用锡为镀层将衬底进行一次蒸镀，蒸镀温度为170℃，蒸镀时间为2分钟，锡层厚度为1um；(2)向一次蒸镀后的衬底表面涂上强化剂，然后进行烘烤，烘烤时间为50分钟，烘烤温度为80℃；(3)对烘烤后的衬底进行二次蒸镀，二次蒸镀为真空状态，真空度为10-4pa，二次蒸镀温度为490℃，二次蒸镀时间为8分钟，锡层厚度为10um；(4)二次蒸镀后将真空度调整为10-2pa，温度调整为215℃，保持时间为13分钟，使得蒸镀后锡层的稳定性高；(5)将步骤(4)处理过的蒸镀衬底用风机冷却至常温，得到成品。
强化剂是锡酸钠和氢氧化钠，锡酸钠与氢氧化钠的比例为11:1。
实验证明，此参数下led灯亮度最高；面板导电性和透光率最高。
因此，本实施例为本发明最佳实施例。
实施例3
一种led蒸镀工艺，包括以下步骤：(1)选择衬底，使用锡为镀层将衬底进行一次蒸镀，蒸镀温度为180℃，蒸镀时间为3分钟，锡层厚度为2um；(2)向一次蒸镀后的衬底表面涂上强化剂，然后进行烘烤，烘烤时间为55分钟，烘烤温度为85℃；(3)对烘烤后的衬底进行二次蒸镀，二次蒸镀为真空状态，真空度为10-5pa，二次蒸镀温度为500℃，二次蒸镀时间为9分钟，锡层厚度为10um；(4)二次蒸镀后将真空度调整为10-2pa，温度调整为220℃，保持时间为15分钟，使得蒸镀后锡层的稳定性高；(5)将步骤(4)处理过的蒸镀衬底用风机冷却至常温，得到成品。
强化剂是锡酸钠和氢氧化钠，锡酸钠与氢氧化钠的比例为11:1。
实验证明，此参数下led灯亮度较高；面板导电性和透光率最高。