1.一种二氧化硅粉体的制备方法，包括以下步骤：
提供含氟离子溶液和硅的卤化物；
将硅的卤化物加入到上述的含氟离子溶液中，产生二氧化硅沉淀并得到含有二氧化硅沉淀的悬浮液；
过滤上述的含有二氧化硅沉淀的悬浮液并洗涤所得的二氧化硅沉淀，得到二氧化硅滤饼；
干燥上述的二氧化硅滤饼，得到二氧化硅粉体。
2.如权利要求1所述的二氧化硅粉体的制备方法，其特征在于，
在过滤上述的含有二氧化硅沉淀的悬浮液之前，还包括陈化的步骤。
3.如权利要求1所述的二氧化硅粉体的制备方法，其特征在于，
所述的硅的卤化物为氟化硅、氯化硅、溴化硅、碘化硅中的任一种或它们的任意组合。
4.如权利要求3所述的二氧化硅粉体的制备方法，其特征在于，
所述氯化硅为四氯化硅，所述四氯化硅为化学反应合成的或化学反应中的副产物四氯化硅。
5.如权利要求1所述的二氧化硅粉体的制备方法，其特征在于，
所述的含氟离子溶液为能够提供氟离子的含氟有机化合物、含氟无机物、含氟离子的可溶性水溶液、含氟离子的酸溶液、含氟离子的碱溶液中的任一种或它们的任意组合。
6.如权利要求5所述的二氧化硅粉体的制备方法，其特征在于，
所述的含氟离子溶液为氟离子浓度为大于0.001mol/L的所有溶液。
7.如权利要求6所述的二氧化硅粉体的制备方法，其特征在于，
所述氟离子浓度为0.02mol/L～0.8mol/L。
8.如权利要求5所述的二氧化硅粉体的制备方法，其特征在于，
所述的含氟离子溶液添加有添加剂。
9.如权利要求8所述的二氧化硅粉体的制备方法，其特征在于，
所述添加剂为阳离子表面活性剂、阴离子表面活性剂、两性表面活性剂、非离子表面活性剂中的任一种或它们的任意组合。
10.如权利要求9所述的二氧化硅粉体的制备方法，其特征在于，
所述添加剂为聚乙烯吡咯烷酮、曲拉通、吐温20、吐温80、十六烷基三甲基溴化铵中任一种或它们的任意组合。
11.如权利要求8所述的二氧化硅粉体的制备方法，其特征在于，
所述添加剂的添加量从0～对应添加剂的临界胶束浓度。
12.如权利要求11所述的二氧化硅粉体的制备方法，其特征在于，所述添加剂的溶度为0-10g/L。
13.如权利要求1所述的二氧化硅粉体的制备方法，其特征在于，
每升含氟溶液中四氯化硅的加入量为150～600g。
14.如权利要求1所述的二氧化硅粉体的制备方法，其特征在于，
将硅的卤化物加入到上述含氟溶液中的反应温度为25℃～55℃。
15.如权利要求2所述的二氧化硅粉体的制备方法，其特征在于，
所述洗涤二氧化硅沉淀的步骤中，当滤液中测不出氯离子和氟离子时，停止洗涤上述的二氧化硅沉淀。
16.如权利要求1所述的二氧化硅粉体的制备方法，其特征在于，
干燥可采用喷雾干燥、离心干燥、真空干燥、鼓风干燥箱。。
17.一种根据权利要求1-7中任一项所制备的二氧化硅粉体，其中所述二氧化硅粉体具有中孔结构而没有微孔。
18.一种根据权利要求8-12中任一项所制备的二氧化硅粉体，其中所述二氧化硅粉体以微孔为主。
19.根据权利要求18所述的二氧化硅粉体，其中所述二氧化硅粉体孔隙结构通过加入表面活性剂，同时控制表面活性剂在二氧化硅制备过程中的不同阶段添加进行调整。