技术总结
本发明提供了一种三维氧缺陷铜锰氧纳米微球及制备和应用，铜箔置于碱溶液中，转入反应釜，产物洗涤烘干得A；将A浸渍于酸溶液中，将铜箔取出，洗涤烘干得B；将B煅烧得到掺杂Cu+的CuO；将掺杂Cu+的CuO浸渍在锰盐溶液中得C；将C用乙醇和去离子水洗涤烘干后，置于马弗炉中，煅烧得纯CuMn2O4；将纯CuMn2O4置于氢气气氛中，以1~2℃/min的升温和降温速率在350~450℃煅烧得CuMn2O4‑x（0<x≤2）。三维的纳米微球结构具有较大的比表面积，能够与电解液充分接触；缺氧型缺陷对提高材料的导电性起着很重要的作用，进而可以提高材料的电化学性能。
技术研发人员：何丹农;吴晓燕;张春明;段磊;王严;魏国栋;金彩虹
受保护的技术使用者：上海纳米技术及应用国家工程研究中心有限公司
文档号码：201610975187
技术研发日：2016.11.07
技术公布日：2017.03.22