技术特征：
技术总结
本发明提出了一种氢源装置，包括硅基腔以及在中压状态下封装在硅基腔中储氢材料，所述硅基腔上设有向氢原子频标输送氢源的出口，所述储氢材料为在过饱和氢气环境中吸附氢后的储氢材料。本发明提出了一种氢源装置的制造方法，包括步骤：将储氢材料在中压状态下生长在硅基腔中；向硅基腔中注入过饱和氢气；将硅基腔封装；在所述硅基腔上设置向氢原子频标输送氢源的出口。本发明提出了一种氢原子频标，包括所述氢源装置。本发明使氢源微型化，同时，在氢原子频标中使氢气循环利用，实现了氢源的闭环微系统，解决传统开放式原子制备系统效率不高的缺点，促使氢原子频标实现芯片级体积。
技术研发人员：王立坤
受保护的技术使用者：王立坤
技术研发日：2017.07.18
技术公布日：2017.10.03