其中R1和R2连接在一起形成环。
3. 根据权利要求1的有机氨基硅烷，其包含具有式A的化合物，其中R 1和R2相同并选 自甲基、乙基、异丙基、正丙基和仲丁基，且其中R3选自亚甲基和亚乙基；η = 1 ;和m = 0。
4. 根据权利要求1的有机氨基硅烷，其包含具有式D的化合物，其中当R 3是亚乙基或 亚丙基时R1不是异丙基（Pr 〇。
5. 根据权利要求1的有机氨基硅烷，其包含具有式A的化合物，其中所述化合物是选 自以下的至少一种：1-二甲基氨基-1，3-二硅杂丙烷、二异丙基氨基-1，3-二硅杂丙烷、 1-二仲丁基氛基-1，3_二娃杂丙烷、1_二异丁基氛基_1，3_二娃杂丙烷、1_二叔戊基氛 基 _1，3- 二娃杂丙烷、1_ ^乙基氣基_1，3- 二娃杂丙烷、1_ ^甲基氣基_1，4- 二娃杂丁 烧、1_ ^乙基氣基_1，4- 二娃杂丁烧、1_ ^异丙基氣基_1，4- 二娃杂丁烧、1，3-双（二甲 基氨基）-1，3-二硅杂丙烷、1，3-双（二异丙基氨基）-1，3-二硅杂丙烷、1，3-双（二仲丁 基氨基）_1，3-二硅杂丙烷、1，3-双（二异丁基氨基-1，3-二硅杂丙烷、1，3-双（二叔戊 基氨基）_1，3-二硅杂丙烷、1，3-双（二乙基氨基）-1，3-二硅杂丙烷、1，4-双（二甲基氨 基）-1，4_二娃杂丁烧、1，4_双（二乙基氛基）-1,4-二娃杂丁烧、1，4_双（二异丙基氛 基）-1，3-二硅杂丁烷、1，4-双（二仲丁基氨基）-1，4-二硅杂丁烷、1，4-双（二异丁基氨 基）-1，4- 一娃杂丁烧、1，4-双（异丙基-正丙基-氣基）-1，4 - 一娃杂丁烧、1，3-双（乙 基甲基氨基）_1，3-二硅杂丁烷和1，4-双（乙基甲基氨基）-1，4-二硅杂丁烷。
6. 根据权利要求1的有机氨基硅烷，其选自1-二异丙基氨基-1，4-二硅杂丁烷、 1-乙基甲基氨基-1，4-二硅杂丁烷、1-二仲丁基氨基-1，4-二硅杂丁烷、1-苯基甲基氨 基-1，4-二硅杂丁烷、2, 6-二甲基哌啶子基-1，4-二硅杂丁烷、苯基乙基氨基-1，4-二硅杂 丁烧、1_ ^异丙基氣基_1，3-二娃杂丙烷、1_乙基甲基氣基_1，3 - 二娃杂丙烷、1_ ^仲丁基 氨基-1，3-二硅杂丙烷、1-苯基甲基氨基-1，3-二硅杂丙烷、2, 6-二甲基哌啶子基-1，3-二 硅杂丙烷和苯基乙基氨基-1，3-二硅杂丙烷。
7. -种组合物，其包含 (a) 至少一种包含由下式A-E之一表示的化合物的有机氨基硅烷：
其中R1选自直链或支链C ^Cltl烷基、直链或支链C 3-C1(l烯基、直链或支链C 3-C1(l炔基、 C3-Cltl环烷基、和C 5-C1(l芳基；其中R 2选自氢、直链或支链C ^Cltl烷基、直链或支链C 3-Cjt 基、直链或支链C3-Cltl炔基、C 3-C1(l环烷基、和C 5-C1(l芳基，R 3和R4各自独立地选自直链或支 链C1-Cltl亚烷基、直链或支链C 3-C6亚烯基、直链或支链C 3-C6亚炔基、C 3-C1(l亚环烷基、C 3-C1Q 亚杂环烷基、C5-Cltl亚芳基、和C 5-C1(l亚杂芳基；式A中的η等于1或2;式A中的m等于O、 1、2或3;式E中的p和q等于1或2;且任选其中式D中的R 3形成选自具有两个硅原子和 至少一个氮原子的四元、五元或六元环的环；和 (b) 溶剂，其中所述溶剂具有沸点且其中所述溶剂的沸点和至少一种有机氨基硅烷的 沸点之差为40 °C或更小。
8. 根据权利要求7的组合物，其包含选自以下的至少一种有机氨基硅烷前体：1-二甲 基氣基_1，4- 二娃杂丁烧、1_ ^乙基氣基_1，4- 二娃杂丁烧、1_乙基甲基氣基_1，4- 二娃 杂丁烷、1-二异丙基氨基-1，4-二硅杂丁烷、1-二仲丁基氨基-1，4-二硅杂丁烷、1-苯基甲 基氨基-1，4-二硅杂丁烷、2, 6-二甲基哌啶子基-1，4-二硅杂丁烷、苯基乙基氨基-1，4-二 娃杂丁烧、1_ ^甲基氣基_1，3- 二娃杂丙烷、1_ ^乙基氣基_1，3- 二娃杂丙烷、1_乙基甲基 氛基-1，3_二娃杂丙烷、二异丙基氛基_1，3_二娃杂丙烷、1-二仲丁基氛基_1，3_二娃杂丙 烷、1-苯基甲基氨基-1，3-二硅杂丙烷、2, 6-二甲基哌啶子基-1，3-二硅杂丙烷和苯基乙 基氨基-1，3-二硅杂丙烷。
9. 根据权利要求7或8所述的组合物，其包含选自醚、叔胺、烷烃、芳烃、和叔氨基醚中 的至少一种溶剂。
10. -种通过选自化学气相沉积工艺和原子层沉积工艺的沉积工艺在衬底的至少一个 表面上形成含硅膜的方法，所述方法包括： 在反应室中提供所述衬底的所述至少一个表面； 引入至少一种包含由下式A-E之一表示的化合物的有机氨基硅烷前体：
其中R1选自直链或支链C ^Cltl烷基、直链或支链C 3-C1(l烯基、直链或支链C 3-C1(l炔基、 C3-Cltl环烷基、和C 5-C1(l芳基；其中R 2选自氢、直链或支链C ^Cltl烷基、直链或支链C 3-Cjt 基、直链或支链C3-Cltl炔基、C 3-C1(l环烷基、和C 5-C1(l芳基，R 3和R4各自独立地选自直链或支 链C1-Cltl亚烷基、直链或支链C 3-C6亚烯基、直链或支链C 3-C6亚炔基、C 3-C1(l亚环烷基、C 3-C1Q 亚杂环烷基、C5-Cltl亚芳基、和C 5-C1(l亚杂芳基；式A中的η等于1或2;式A中的m等于0、 1、2或3;式E中的p和q等于1或2;且任选其中式D中的R 3形成选自具有两个硅原子和 至少一个氮原子的四元、五元或六元环的环；和 向所述反应器中引入含氮源，其中所述至少一种有机氨基硅烷前体和所述含氮源反应 以在所述至少一个表面上形成膜。
11. 一种通过原子层沉积（ALD)工艺形成含硅膜的方法，所述方法包括以下步骤： a. 在ALD反应器中提供衬底； b. 向所述ALD反应器中提供至少一种包含由下式A-E之一表示的化合物的有机氨基硅 烷前体：
其中R1选自直链或支链C ^Cltl烷基、直链或支链C 3-C1(l烯基、直链或支链C 3-C1(l炔基、 C3-Cltl环烷基、和C 5-C1(l芳基；其中R 2选自氢、直链或支链C ^Cltl烷基、直链或支链C 3-Cjt 基、直链或支链C3-Cltl炔基、C 3-C1(l环烷基、和C 5-C1(l芳基，R 3和R4各自独立地选自直链或支 链C1-Cltl亚烷基、直链或支链C 3-C6亚烯基、直链或支链C 3-C6亚炔基、C 3-C1(l亚环烷基、C 3-C1Q 亚杂环烷基、C5-Cltl亚芳基、和C 5-C1(l亚杂芳基；式A中的η等于1或2;式A中的m等于O、 1、2或3;式E中的p和q等于1或2;且任选其中式D中的R 3形成选自具有两个硅原子和 至少一个氮原子的四元、五元或六元环的环； c. 用惰性气体吹扫所述ALD反应器； d. 向所述ALD反应器中提供含氮源； e. 用惰性气体吹扫所述ALD反应器；和其中重复步骤b至e直到获得期望的膜厚度。
12. -种使用选自等离子体增强原子层沉积（PEALD)工艺和PECCVD工艺的沉积工艺在 衬底的至少一个表面上形成含硅膜的方法，所述方法包括： a. 在ALD反应器中提供衬底； b. 在ALD反应器中提供至少一种包含由下式A-E之一表示的化合物的有机氨基硅烷前 体：
其中R1选自直链或支链C ^Cltl烷基、直链或支链C 3-C1(l烯基、直链或支链C 3-C1(l炔基、 C3-Cltl环烷基、和C 5-C1(l芳基；其中R 2选自氢、直链或支链C ^Cltl烷基、直链或支链C 3-Cjt 基、直链或支链C3-Cltl炔基、C 3-C1(l环烷基、和C 5-C1(l芳基，R 3和R4各自独立地选自直链或支 链C1-Cltl亚烷基、直链或支链C 3-C6亚烯基、直链或支链C 3-C6亚炔基、C 3-C1(l亚环烷基、C 3-C1Q 亚杂环烷基、C5-Cltl亚芳基、和C 5-C1(l亚杂芳基；式A中的η等于1或2;式A中的m等于O、 1、2或3;式E中的p和q等于1或2;且任选其中式D中的R 3形成选