专利名称：液晶显示器、液晶显示器基板及其形成方法
技术领域：
本发明涉及TFT-LCD (薄膜晶体管液晶显示器)制造技术领域，尤其涉及液晶显示器、液晶显示器基板及其形成方法。
背景技术：
目前，液晶显示器的液晶单元内通常包含上基板和下基板，而其中一个基板上形成有TFT电路。 现有液晶显示器基板的形成工艺具体如下如图1所示，提供包含焊盘区111、像素单元区II和短路棒区域I的衬底100 ;在像素单元区II的衬底上形成栅极103a，在焊盘区III和短路棒区域I的衬底100上形成栅金属层103b，所述栅极103a和栅金属层103b由铝或铝合金层104和金属钼层105层叠而成；在衬底100上形成栅极绝缘层102，且栅极绝缘层102覆盖栅极103，所述栅极绝缘层102的材料为氮化硅；用物理气相沉积法依次于栅极绝缘层102上形成非晶硅层106和掺杂n型离子非晶硅层107。 如图2所示，刻蚀掺杂n型离子非晶硅层107和非晶硅层106，去除像素单元区II的栅极103对应位置以外的所有掺杂n型离子非晶硅层107和非晶硅层106。在栅极绝缘层102及掺杂n型离子非晶硅层107上形成金属钼层；刻蚀金属钼层，在短路棒区域I形成源/漏极金属层109a ;刻蚀金属钼层和掺杂n型离子非晶硅层107，在像素单元区II形成源/漏极109b ;将焊盘区III上的金属钼层完全去除。 如图3所示，在栅极绝缘层102、源/漏极金属层109a和源/漏极109b上形成钝化层IIO，所述钝化层110的材料为氮化硅。刻蚀钝化层110及栅极绝缘层102，在短路棒区域I形成露出栅金属层103b的第一接触孔112和露出源/漏极金属层109a的第二接触孔114，在焊盘区III形成露出栅金属层103b的第三接触孔113，在像素单元区II形成露出源极109b的第四接触孔115。 参考图4，在钝化层IIO上形成像素电极层120后，进行刻蚀工艺，在短路棒区域I将栅金属层103b和源/漏极金属层109a进行连接，保留焊盘区III的第三接触孔113内壁的像素电极层120，在像素单元区II形成像素电极。 上述工艺会产生以下缺点1、在TFT-LCD制造工艺上使用由源/漏极金属层105和铝钕合金层104层叠作为栅极103a和栅金属层103b，这是因为源/漏极金属层105能起到金属缓冲的作用，保证与后续像素电极层120形成良好的接触特性，从而避免像素电极层120与铝钕合金层104直接接触时因两层之间的接触电阻太大而发生的烧毁现象。也就是说，现有工艺中，在制作栅极103a和栅金属层103b时，需要镀两层金属，即铝钕合金层104和源/漏极金属层105，由于要经过两次沉积步骤，会使产能下降33%左右；另外在刻蚀形成栅极103a和栅金属层103b过程中，铝钕合金层104和源/漏极金属层105两层金属连接在一起，会由于原电池反应产生腐蚀现象从而形成显示器亮度不均匀造成的水渍痕迹现象。 2、在短路棒区域I刻蚀钝化层110及栅极绝缘层102，分别于栅金属层103b和源/漏极金属层109a区形成接触孔，由于形成接触孔114只需刻蚀钝化层110，而形成接触孔112则需要刻蚀钝化层110和栅极绝缘层102，并且在焊盘区III形成接触孔113也需要刻蚀钝化层IIO和栅极绝缘层102 ;由于形成接触孔114与接触孔112、 113时，刻蚀膜层厚度不相同，所以会出现在短路棒区域I的源/漏极金属层109a被过刻蚀的现象，造成源极或漏极金属层109a区域的源/漏极金属层被过刻后残留的钼厚度太薄或者钼全部刻掉，致使表面状况(比如粗糙度)恶化或者引发腐蚀问题，进而使器件可靠性变差；而如果刻蚀时间过长而过刻量较大，还会把栅金属层103b区域的源/漏极金属层过刻蚀掉，可能造成像素电极层120和铝钕合金层104直接接触，引起接触电阻太大会发生烧毁现象。如果要在源/漏极金属层109a区域不出现过刻蚀现象，那么在短路棒区域I和焊盘区III的栅金属层103b区域就会出现欠刻蚀的情况，即栅极绝缘层102产生残留，从而可能导致栅金属层103b与后续的像素电极层120不能正常接触，发生信号不正常的现象。
3、如图5所示，在短路棒区域I，刻蚀钝化层110时，由于刻蚀液的侧向刻蚀，容易形成倒梯形状的结构，最后在像素电极层120进行覆盖时，在台阶处因倒梯形结构容易形成断层130 (图5a为在电子扫描显示微下观察到的断层130截面)情况，这将在进行显示性能的测试时，导致无法正常区分出是屏内的数据线断线问题还是短路棒区域信号不能正常接入的问题，对于产品的分级和测试人员的工作造成极大的困扰，而且常常导致产品缺陷误判，造成不必要的质量成本浪费。
发明内容
本发明解决的问题是提供一种液晶显示器、液晶显示器基板及其形成方法，防止
显示器亮度不均匀造成的水渍痕迹、信号不正常或烧毁现象的产生以及防止产品缺陷误判。 为解决上述问题，本发明一种液晶显示器基板的形成方法，包括在衬底上的短路棒区域和焊盘区形成栅金属层，在像素单元区形成栅极；在衬底上依次形成覆盖栅金属层和栅极的栅极绝缘层和非晶硅复合层；刻蚀短路棒区域和焊盘区的非晶硅复合层和栅极绝缘层至露出栅金属层，形成短路棒区接触孔和焊盘区接触孔；刻蚀非晶硅复合层，保留像素单元区栅极对应位置非晶硅复合层；在栅极绝缘层、非晶硅复合层上及短路棒区接触孔和焊盘区接触孔内形成源/漏极金属层；刻蚀源/漏极金属层，在像素单元区形成源/漏极和导电沟道，在短路棒区域使栅极金属层和源/漏极金属层电连接。 本发明还提供一种液晶显示器基板，包含像素单元区、焊盘区和短路棒区域，所述像素单元区包括开关元件和像素电极，所述开关元件包括栅极、源极和漏极，所述焊盘区包括焊盘区接触孔，所述短路棒区域包括短路棒区接触孔，所述焊盘区接触孔和所述短路棒区接触孔均位于栅金属层上，所述短路棒区接触孔内壁形成有直接和栅金属层电连接的源/漏极金属层。 本发明还提供一种包括上述液晶显示器基板的液晶显示器。 与现有技术相比，本发明具有以下优点1、在形成非晶硅复合层后，直接刻蚀短路棒区域和焊盘区的非晶硅复合层和栅极绝缘层至露出栅金属层，形成短路棒区接触孔和焊盘区接触孔；形成接触孔过程中，由于刻蚀膜层的厚度一致，因此不会产生由于形成接触孔的深度不同，而导致的过刻蚀或刻蚀不足的现象；另外，源/漏极金属层是在接触孔形成之后沉积的，因此不会产生由于刻蚀问题而导致的源/漏极金属层被刻除或厚度刻得过薄，避免了源/漏极金属层表面状况(比如粗糙度)恶化或者引发腐蚀问题，进而提高了器件
可靠性。 2、在短路棒区域由于栅金属层与源/漏极金属层直接连接，而不需要以铟锡氧化物为材料的像素电极层去连接，避免了像素电极层和铝钕合金层直接接触的可能性，进而避免烧毁现象的产生。同时，由于只需用源/漏极金属层就可与栅金属层进行连接，减少了静电或接触电阻，提高了器件的可靠性。 3、沉积完源/漏极金属层后，源/漏极金属层直接及与短路棒区接触孔内栅金属
层连接。因此，在短路棒区域不会产生源/漏极金属层与栅金属层在连接时产生断线的现
象。在产品测试过程中，能准确确定产品的缺陷，提高产品质量分析的效率。 进一步，栅极采用铝或铝合金的单层结构，在刻蚀形成栅极过程中，不会产生两层
金属连接导致的原电池反应，避免了显示器亮度不均匀造成的水渍痕迹现象，提高了显示
器的质量。
图1至图4是根据现有工艺形成的液晶显示器基板示意图； 图5是现有工艺形成的液晶显示器基板中产生断线的示意图； 图5a是图5中断层区域的电镜图； 图6是本发明形成液晶显示器基板的流程图； 图7至图13是根据本发明方法形成液晶显示器基板的示意图。
具体实施例方式
本发明采用单层的铝或铝合金作为栅极及栅金属层材料，减少了沉积步骤，提高了产能，且有效解决了湿法刻蚀形成栅极时，使用两层金属膜会产生原电池反应导致腐蚀和显示器亮度不均匀造成的水渍痕迹现象。 在将源/漏极金属层与栅金属层连接后，再沉积钝化层，在刻蚀过程中只刻钝化层，可以避免现有技术中刻蚀形成深度不同的接触孔而造成源/漏极金属层过刻问题；本发明连接与栅金属层连接的源/漏极金属层表面平整，没有因刻蚀问题造成的损伤，提高了器件的可靠性。 在短路棒区域，通过沉积源/漏极金属层直接与栅金属层进行连接，也就是不会产生由于刻蚀溶液的缺陷产生侧向过刻蚀，使边缘台阶角度过大，形成倒梯形状的结构，在像素电极层进行覆盖时，在台阶处的像素电极层产生断裂也不会造成信号不能正常接入的情况，提高了连线间的接触性能。 图6是本发明形成液晶显示器基板的流程图。如图6所示，执行步骤Sll，在衬底上的短路棒区域和焊盘区形成栅金属层，在像素单元区形成栅极；执行步骤S12，在衬底上依次形成覆盖栅金属层和栅极的栅极绝缘层和非晶硅复合层；执行步骤S13，刻蚀短路棒区域和焊盘区的非晶硅复合层和栅极绝缘层至露出栅金属层，形成短路棒区接触孔和焊盘区接触孔；执行步骤S14，刻蚀非晶硅复合层，保留像素单元区栅极对应位置非晶硅复合层；执行步骤S15，在栅极绝缘层、非晶硅复合层上及短路棒区接触孔和焊盘区接触孔内形成源/漏极金属层；执行步骤S16，刻蚀源/漏极金属层，在像素单元区形成源/漏极和导电沟道，在短路棒区域使栅极金属层和源/漏极金属层电连接。 形成液晶显示器基板的步骤还包括在源/漏极金属层、栅极绝缘层及栅金属层
上形成钝化层；刻蚀像素区域和焊盘区的钝化层，露出像素单元区的源极或漏极和焊盘区
接触孔内的栅金属层；在源/漏极金属层、栅金属层和钝化层上形成像素电极层后，对其进
行刻蚀在像素单元区形成像素电极，在焊盘区刻蚀去除全部像素电极层。 形成液晶显示器基板的步骤还可以是包括在源/漏极金属层、栅极绝缘层及栅
金属层上形成钝化层；刻蚀像素区域和焊盘区的钝化层，露出像素单元区的源极或漏极和
焊盘区接触孔内的栅金属层；在源/漏极金属层、栅金属层和钝化层上形成像素电极层后，
对其进行刻蚀在像素单元区形成像素电极，在焊盘区保留接触孔内的像素电极层。 形成液晶显示器基板的步骤还可以是包括在源/漏极金属层、栅极绝缘层上形
成钝化层；刻蚀像素区域和焊盘区的钝化层，露出像素单元区的源极或漏极和焊盘区接触
孔内的源/漏极金属层；在源/漏极金属层和钝化层上形成像素电极层后，对其进行刻蚀在
像素单元区形成像素电极，在焊盘区刻蚀去除全部像素电极层。 形成液晶显示器基板的步骤还可以是包括在源/漏极金属层、栅极绝缘层上形成钝化层；刻蚀像素区域和焊盘区的钝化层，露出像素单元区的源极或漏极和焊盘区接触孔内的源/漏极金属层；在源/漏极金属层和钝化层上形成像素电极层后，对其进行刻蚀在像素单元区形成像素电极，在焊盘区保留接触孔内的像素电极层。 基于上述实施方式形成的液晶显示器基板，包含像素单元区、焊盘区和短路棒区域，所述像素单元区包括开关元件和像素电极，所述开关元件包括栅极、源极和漏极，所述焊盘区包括焊盘区接触孔，所述短路棒区域包括短路棒区接触孔，所述焊盘区接触孔和所述短路棒区接触孔均位于栅金属层上，所述短路棒区接触孔内壁形成有直接和栅金属层电连接的源/漏极金属层。 其中焊盘区接触孔内的结构可以是直接曝露出栅金属层。还可以在焊盘区接触孔
内壁形成有和栅金属层连接的源/漏极金属层。还可以在焊盘区接触孔内壁形成有和栅金
属层连接的源/漏极金属层，在源漏极金属层上形成有像素电极层。还可以在焊盘区接触
孔内壁形成有和栅金属层连接的像素电极层。 下面结合附图对本发明的具体实施方式
做详细的说明。 图7至图13是采用本发明方法形成液晶显示器基板的示意图。如图7所示，提供衬底200，所述衬底200包含焊盘区ni、像素单元区II和短路棒区域I，在像素单元区II的衬底200上形成有栅极204b，在短路棒区域I和焊盘区III的衬底200上形成有栅金属层204a。 根据本发明的一个实施例的主要工艺如下在衬底200上用物理气相沉积法形成厚度为2000埃 4000埃的铝钕合金层；然后，在铝钕合金层上旋涂光刻胶层，在光刻工艺后，在光刻胶层上定义出栅极图形及栅金属层图形；以光刻胶层为掩膜，沿栅极图形用干法刻蚀法刻蚀铝钕合金层至部分区域露出衬底200，在像素单元区II的衬底200上形成栅极204b，在短路棒区域I和焊盘区III的衬底200上形成栅金属层204a。
继续参考图7，在衬底200上形成栅极绝缘层202，且栅极绝缘层202覆盖栅金属层204a和栅极204b，所述栅极绝缘层202的 料可以为氮化硅、氧化硅或氮氧化硅等无机材料中的一种或组合或有机材料，形成工艺可以是物理气相沉积法或化学气相沉积法。
参考图7，用物理气相沉积法依次于栅极绝缘层202上形成厚度为1000埃 4000埃的非晶硅层206和厚度为1000埃 4000埃的掺杂n型离子非晶硅层207。
如图8所示，在掺杂n型离子非晶硅层207上旋涂光刻胶层209，在像素单元区II采用半色调网点光罩300，在短路棒区域I和焊盘区III采用常规光罩310，经过曝光后，在像素单元区II的有源区域形成光刻胶未曝光区，其余区域形成光刻胶部分曝光区；在短路棒区域I和焊盘区III的后续接触孔位置形成光刻胶完全曝光区，在接触孔位置区域以外形成光刻胶部分曝光区。 继续参考图8，在经过显影液显影后，在像素单元区II的有源区域的光刻胶基本完全保留厚度，其余区域的光刻胶部分显影去除；在焊盘区III的后续接触孔位置的光刻胶完全显影去除，形成接触孔图形开口 ；在短路棒区域I的后续接触孔位置的光刻胶完全显影去除，露出掺杂n型离子非晶硅层207，形成接触孔图形开口 。 如图9所示，以光刻胶层209为掩膜，沿接触孔图形开口刻蚀掺杂n型离子非晶硅层207、非晶硅层206和栅极绝缘层202至露出栅金属层204a，在短路棒区域I形成接触孔210a，在焊盘区III形成接触孔210b，所述刻蚀方法为干法刻蚀。 参考图IO，灰化法去除光刻胶层，由于在像素单元区II的有源区域的光刻胶层未被显影，因此其厚度比其它区域部分显影后留下的厚度来得厚，在其它区域的光刻胶层完全灰化去除后，在有源区域仍残留部分光刻胶层209a。 如图11所示，以残留光刻胶层209a为掩膜，用干法刻蚀法刻蚀掺杂n型离子非晶硅层207和非晶硅层206，保留像素单元区II有源区域的掺杂n型离子非晶硅层207a和非晶硅层206a。 如图12所示，用湿法刻蚀法剥除残留光刻胶层。在像素单元区II的栅极绝缘层202和掺杂n型离子非晶硅层207a上，在短路棒区域I和焊盘区III的栅极绝缘层202和接触孔210a， 210b内壁用物理气相沉积法形成厚度为500埃 2000埃的源/漏极金属层，所述源/漏极金属层的材料为金属钼。 继续参考图12，在源/漏极金属层上形成光刻胶层，经过曝光显影工艺后，在光刻胶层上定义出源/漏极图形以及在短路棒区域I定义出栅金属层与源/漏极金属层的电连接图形，在焊盘区III定义出栅极焊盘图形。以光刻胶层为掩膜，刻蚀源/漏极金属层，在像素单元区II形成源/漏极212a，在短路棒区域I使源/漏极金属层212b与栅金属层204a的电连接，在焊盘区III的接触孔内保留源/漏极金属层212c。 另一实施例，在源/漏极金属层上形成光刻胶层，经过曝光显影工艺后，在光刻胶层上定义出源/漏极图形以及在短路棒区域I定义出栅金属层与源/漏极金属层的电连接图形，曝露出焊盘区III。以光刻胶层为掩膜，刻蚀源/漏极金属层，在像素单元区II形成源/漏极212a，在短路棒区域I使源/漏极金属层212b与栅金属层204a的连接，去除焊盘区III的全部源/漏极金属层。 参考图12，在整个衬底区域涂覆光刻胶层，采用光刻技术，在像素单元区II定义出沟道图形；以光刻胶层为掩膜，沿沟道图形刻蚀掺杂n型离子非晶硅层207a和部分非晶硅层206a，在像素单元区II形成沟道区域。 如图13所示，用物理气相沉积法在像素单元区II的栅极绝缘层202及源/漏极212a上，在短路棒区域I的栅极绝缘层202和源/漏极金属层212b上，在焊盘区III的栅 极绝缘层202和源/漏极金属层212c上形成钝化层214，所述钝化层214的厚度为1000 埃 6000埃，材料为氮化硅。 另一实施例，用物理气相沉积法在像素单元区II的栅极绝缘层202及源/漏极 212a上，在短路棒区域I的栅极绝缘层202和源/漏极金属层212b上，在焊盘区III的栅 极绝缘层202和栅金属层204a上形成钝化层214。 继续参考图13，在像素单元区II的源极或漏极位置的钝化层214中形成露出源极 或漏极的接触孔213。 形成接触孔213具体工艺为在钝化层214上旋涂光刻胶层，在曝光工艺中，将光 掩膜版上的接触孔图形转移至光刻胶层上，以光刻胶层为掩膜，干法刻蚀钝化层214，在像 素单元区II的源极或漏极上形成接触孔213。 再参考图13，对钝化层214进行清洗，以去除其上面的杂质；然后，用物理气相沉 积法在钝化层214及接触孔213内壁形成像素电极层，所述像素电极层的材料为铟锡氧化 物。 如图13所示，于像素电极层上旋涂光刻胶层，经过曝光显影工艺，在像素单元区 II定义像素电极图形，在焊盘区III露出焊盘接触孔；以光刻胶层为掩膜，沿像素电极图形 刻蚀像素电极层至露出钝化层214，即去除像素电极图形和焊盘区接触孔以外的像素电极 层，在像素单元区II形成像素电极216a，在焊盘区III的接触孔内保留像素电极层216b。
另一实施例，于像素电极层上旋涂光刻胶层，经过曝光显影工艺，在像素单元区 II定义像素电极图形；以光刻胶层为掩膜，沿像素电极图形刻蚀像素电极层至露出钝化层 214，即去除像素电极图形以外的像素电极层，在像素单元区II形成像素电极216a。
参考图13，基于上述实施例形成的液晶显示器基板包含焊盘区ni、像素单元区 II和短路棒区域I。 其中，所述短路棒区域I包括位于衬底200上的栅金属层204a、覆盖所述栅金属层 204a的栅极绝缘层202、贯穿栅极绝缘层202且露出栅金属层204a的接触孔210a、位于接 触孔210a内壁和栅极绝缘层202的源/漏极金属层212b以及覆盖所述源/漏极金属层和 栅极绝缘层202的钝化层214。 具体地，所述源/漏极金属层212b与栅金属层204a电连接。 所述像素单元区II包括位于衬底200上的栅极204b、覆盖所述栅极204b的栅极 绝缘层202、位于栅极绝缘层202上且与栅极204b位置对应的非晶硅层206a、位于非晶硅 层206a上的掺杂n型离子非晶硅层207a、位于掺杂n型离子非晶硅层207a及栅极绝缘层 202上的源/漏极212a、位于所述源/漏极212a和栅极绝缘层202上的钝化层214、贯穿钝 化层214且与源极或漏极连通的接触孔213、位于钝化层214上及接触孔213内壁的像素电 极216a。其中，所述非晶硅层206a及其上的掺杂n型离子非晶硅层207a形成非晶硅复合 层。 所述焊盘区III包括位于衬底200上的栅金属层204a、覆盖所述栅金属层204a 的栅极绝缘层202、贯穿栅极绝缘层202且露出栅金属层204a的接触孔210b、位于接触孔 210b内壁和部分栅极绝缘层202上的源/漏极金属层212c、位于源/漏极金属层212c所 在区域以外的钝化层214、以及覆盖源/漏极金属层212c的像素电极层216b。
其中，所述栅金属层204a和栅极204b的材料可以为铝或铝合金，其厚度可以为 2000 ±矣 4000埃。 所述源/漏极金属层的材料可以是钼，厚度可以为500埃 2000埃。
本发明中所述像素电极的材料均可以为铟锡氧化物。 虽然本发明已以较佳实施例披露如上，但本发明并非限定于此。任何本领域技术 人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与修改，因此本发明的保护范围应 当以权利要求所限定的范围为准。
权利要求
一种液晶显示器基板的形成方法，包括在衬底上的短路棒区域和焊盘区形成栅金属层，在像素单元区形成栅极；在衬底上依次形成覆盖栅金属层和栅极的栅极绝缘层和非晶硅复合层；刻蚀短路棒区域和焊盘区的非晶硅复合层和栅极绝缘层至露出栅金属层，形成短路棒区接触孔和焊盘区接触孔；刻蚀非晶硅复合层，保留像素单元区栅极对应位置非晶硅复合层；在栅极绝缘层、非晶硅复合层上及短路棒区接触孔和焊盘区接触孔内形成源/漏极金属层；刻蚀源/漏极金属层，在像素单元区形成源/漏极和导电沟道，在短路棒区域使栅极金属层和源/漏极金属层电连接。
2. 如权利要求1所述液晶显示器基板的形成方法，其特征在于，所述刻蚀源/漏极金属 层，包括刻蚀去除所述焊盘区的所有源/漏极金属层。
3. 如权利要求1所述的液晶显示器基板的形成方法，其特征在于，所述刻蚀源/漏极金 属层，包括保留所述焊盘区接触孔内的源/漏极金属层。
4. 如权利要求2所述的液晶显示器基板的形成方法，其特征在于，刻蚀源/漏极金属层 后还包括步骤在源/漏极金属层、栅极绝缘层及栅金属层上形成钝化层；刻蚀像素区域和焊盘区的钝化层，露出像素单元区的源极或漏极和焊盘区接触孔内的 栅金属层；在源/漏极金属层、栅金属层和钝化层上形成像素电极层后，对其进行刻蚀在像素单 元区形成像素电极，在焊盘区刻蚀去除全部像素电极层。
5. 如权利要求2所述的液晶显示器基板的形成方法，其特征在于，刻蚀源/漏极金属层 后还包括步骤在源/漏极金属层、栅极绝缘层及栅金属层上形成钝化层；刻蚀像素区域和焊盘区的钝化层，露出像素单元区的源极或漏极和焊盘区接触孔内的 栅金属层；在源/漏极金属层、栅金属层和钝化层上形成像素电极层后，对其进行刻蚀在像素单 元区形成像素电极，在焊盘区保留接触孔内的像素电极层。
6. 如权利要求3所述的液晶显示器基板的形成方法，其特征在于，刻蚀源/漏极金属层 后还包括步骤在源/漏极金属层、栅极绝缘层上形成钝化层；刻蚀像素区域和焊盘区的钝化层，露出像素单元区的源极或漏极和焊盘区接触孔内的 源/漏极金属层；在源/漏极金属层和钝化层上形成像素电极层后，对其进行刻蚀在像素单元区形成像 素电极，在焊盘区刻蚀去除全部像素电极层。
7. 如权利要求3所述的液晶显示器基板的形成方法，其特征在于，刻蚀源/漏极金属层 后还包括步骤在源/漏极金属层、栅极绝缘层上形成钝化层；刻蚀像素区域和焊盘区的钝化层，露出像素单元区的源极或漏极和焊盘区接触孔内的源/漏极金属层；在源/漏极金属层和钝化层上形成像素电极层后，对其进行刻蚀在像素单元区形成像 素电极，在焊盘区保留接触孔内的像素电极层。
8. 如权利要求1至7中任一项所述液晶显示器基板的形成方法，其特征在于，所述源/ 漏极金属层的材料为钼。
9. 如权利要求8所述液晶显示器基板的形成方法，其特征在于，所述源/漏极金属层的 厚度为500埃 2000埃。
10. 如权利要求9所述液晶显示器基板的形成方法，其特征在于，形成源/漏极金属层 的方法为物理气相沉积法。
11. 如权利要求4至7中任一项所述液晶显示器基板的形成方法，其特征在于，所述像 素电极层的材料为铟锡氧化物。
12. 如权利要求1所述液晶显示器基板的形成方法，其特征在于，所述栅极和栅极金属 层为单层结构。
13. 如权利要求IO所述液晶显示器基板的形成方法，其特征在于，所述栅极和栅金属 层的材料为铝或铝合金。
14. 如权利要求11所述液晶显示器基板的形成方法，其特征在于，所述栅极和栅金属 层的厚度为2000埃 4000埃。
15. 如权利要求1所述液晶显示器基板的形成方法，其特征在于，所述非晶硅复合层由 非晶硅层和掺杂n型离子非晶硅层层叠而成。
16. 如权利要求1所述液晶显示器基板的形成方法，其特征在于，所述形成短路棒区接 触孔和焊盘区接触孔之前还包括步骤在非晶硅复合层上形成光刻胶层；在像素单元区采用半色调网点光罩，对光刻胶层进行曝光，经过显影后，形成与栅极位 置对应的岛状图形；在短路棒区域和焊盘区采用常规光罩，对光刻胶层进行曝光显影后，形 成接触孔图形。
17. —种液晶显示器基板，包含像素单元区、焊盘区和短路棒区域，所述像素单元区包 括开关元件和像素电极，所述开关元件包括栅极、源极和漏极，所述焊盘区包括焊盘区接触 孔，所述短路棒区域包括短路棒区接触孔，所述焊盘区接触孔和所述短路棒区接触孔均位 于栅金属层上，其特征在于，所述短路棒区接触孔内壁形成有直接和栅金属层电连接的源/ 漏极金属层。
18. 如权利要求17所述液晶显示器基板，其特征在于，所述焊盘区接触孔曝露出栅金属层。
19. 如权利要求17所述液晶显示器基板，其特征在于，所述焊盘区接触孔内壁形成有 和栅金属层连接的源/漏极金属层。
20. 如权利要求19所述液晶显示器基板，其特征在于，所述焊盘区接触孔内壁形成有 和栅金属层连接的源/漏极金属层，在源漏极金属层上形成有像素电极层。
21. 如权利要求17所述液晶显示器基板，其特征在于，所述焊盘区接触孔内壁形成有 和栅金属层连接的像素电极层。
22. 如权利要求21所述液晶显示器基板，其特征在于，其特征在于，所述源/漏极金属层的材料为钼。
23. 如权利要求22所述液晶显示器基板，其特征在于，所述源/漏极金属层的厚度为 500埃 2000埃。
24. 如权利要求17所述液晶显示器基板，其特征在于，所述栅极和栅极金属层为单层 结构。
25. 如权利要求24所述液晶显示器基板，其特征在于，所述栅极和栅金属层材料为铝 或铝合金。
26. 如权利要求24所述液晶显示器基板，其特征在于，所述栅极和栅金属层的厚度为 2000 ±矣 4000埃。
27. 如权利要求20所述液晶显示器基板，其特征在于，所述像素电极层的材料为铟锡 氧化物。
28. —种包括权利要求17至27中任一项所述液晶显示器基板的液晶显示器。
全文摘要
一种液晶显示器、液晶显示器基板及其形成方法。其中液晶显示器基板的形成方法，包括在衬底上的短路棒区域和焊盘区形成栅金属层，在像素单元区形成栅极；在衬底上依次形成覆盖栅金属层和栅极的栅极绝缘层和非晶硅复合层；刻蚀短路棒区域和焊盘区的非晶硅复合层和栅极绝缘层至露出栅金属层，形成短路棒区接触孔和焊盘区接触孔；刻蚀非晶硅复合层，保留像素单元区栅极对应位置非晶硅复合层；在栅极绝缘层、非晶硅复合层上及短路棒区接触孔和焊盘区接触孔内形成源/漏极金属层；刻蚀源/漏极金属层，在像素单元区形成源/漏极和导电沟道，在短路棒区域使栅极金属层和源/漏极金属层电连接。本发明提高了器件的可靠性和产品质量分析的效率。
文档编号H01L21/768GK101770982SQ20091004497
公开日2010年7月7日 申请日期2009年1月4日 优先权日2009年1月4日
发明者张容, 张根夏 申请人:上海天马微电子有限公司