专利名称：Tft阵列基板及其制造方法
TFT阵列基板及其制造方法
技术领域：
本发明是关于一种TFT阵列基板制造方法，特别有关于一种TFT阵列基板制造方 法，可克服铜导线与玻璃基板之间附着性不佳的问题。
背景技术：
随着高科技之发展，视讯产品，诸如数位化之视讯或影像装置，已经成为在一般日 常生活中所常见的产品。该数位化之视讯或影像装置中，其液晶显示面板为一重要元件，以 显示相关资讯。使用者可由该液晶显示面板读取所需之资讯。参考图1、2，一种现有液晶显示面板10包含一TFT(THIN FILMTRANSISTOR)阵列基 板20、一彩色滤光片基板40及一液晶层12。该液晶层12位于该TFT阵列基板20与彩色 滤光片基板40之间。该TFT阵列基板20包含数个闸极22 (gate electrode)、一闸极绝缘 层24、数个通道元件25、数个汲极(drain electrode) 26、数个源极(sourceelectrode) 28、 一护层30及数个像素电极32，依序形成于一玻璃基板34上，其中每一间极22、间极绝缘层 24、通道元件25、汲极26及源极28形成一薄膜电晶体21。该通道元件25包含第一及第二 半导体层25a、25b，该第一半导体层25a为主动层(active layer)，该第二半导体层25b为 含N型掺杂物质的欧姆接触层(ohmic contact layer)。数个间极线52配置于该玻璃基板 34上。该间极绝缘层24覆盖该些间极线52。数个资料线54是配置该间极绝缘层24上。 相邻的两个闸极线52及两个资料线54定义了一像素(pixel) 56。该护层30覆盖该些资料 线54。数个像素电极32是配置于该护层30上，并分别位于该些像素56内。该彩色滤光片 基板40包含数个黑色矩阵48、一彩色滤光片层42及一相应的透明电极层44，依序形成于 另一玻璃基板46上。目前液晶显示面板所使用的导线材料是以铝(Al)或铝合金(Al alloy)为主，其 原因在于其低阻值及可制造性。然而，随着大尺寸液晶显示面板愈来愈普及，更低阻值的导 线材质开发已是当务之急，而铜(Cu)将可能成为导线材料的主流。发展铜导线制程首先要克服的是铜导线与玻璃基板之间附着性不佳的问题。解决 此问题的办法为增加一粘层(adhesion layer)在该铜导线与玻璃基板之间，用以帮助该铜 导线与玻璃基板之附着性。然而，该粘层的材质的阻值通常不低，如此将会增加该铜导线的 阻值；或者，该粘层与铜在进行蚀刻制程时，不具有类似被蚀刻的特性，如此将增加制程成 本。另外，铜导线制程亦须克服铜导线与具有N型掺杂物质的半导体层间会有铜原子 与硅原子的互相扩散问题。因此，便有需要提供一种TFT阵列基板制造方法，能够解决前述的问题。
发明内容为了解决前述现有技术的技术问题，本发明提供一种TFT阵列基板及其制造方法。
本发明提供一种TFT阵列基板制造方法，包含下列步骤提供一基板；将至少一闸极线及一闸极形成于该基板上，其中该闸极线及闸极的形成包含下列 步骤将一第一导体层形成于该基板上，其中该第一导体层是含钼氮化合物；将一第二导体层形成于该第一导体层上，其中该第二导体层是含有铜元素；以及将该第一及第二导体层图案化成该闸极线及闸极；将一闸极绝缘层形成于该闸极线及闸极及该基板上；将一第一半导体层形成于该闸极绝缘层上；将一第二半导体层形成于该第一半导体层上，其中该第二半导体层是含N型掺杂 物质；将第一及第二半导体层图案化成至少一通道元件；以及将至少一源极及一汲极形成于该通道元件上，且同时将至少一资料线形成于该闸 极绝缘层上。本发明还提供一种TFT阵列基板，包含一基板；至少一闸极线及一闸极，配置于该基板上，其中该闸极线及闸极皆包含第一及第 二导体层，该第一导体层形成于该基板上，该第一导体层是含钼氮化合物，该第二导体层形 成于该第一导体层上，且该第二导体层是含有铜元素；一闸极绝缘层，配置于该闸极线、闸极及基板上；至少一通道元件，配置于该间极绝缘层上，其中该通道元件包含第一及第二半导 体层，该第一半导体层形成于该间极绝缘层上，该第二半导体层形成于该第一半导体层上， 且该第二半导体层是含N型掺杂物质；以及至少一源极及一汲极，配置于该通道元件上，且至少一资料线，配置于该闸极绝缘层上。本发明还提供一种TFT阵列基板制造方法，包含下列步骤提供一基板；将至少一闸极线及一闸极形成于该基板上；将一闸极绝缘层形成于该闸极线及闸极及该基板上；将一第一半导体层形成于该闸极绝缘层上；将一第二半导体层形成于该第一半导体层上，其中该第二半导体层是含N型掺杂 物质；将第一及第二半导体层图案化成至少一通道元件；以及将至少一源极及一汲极形成于该通道元件上，且同时将至少一资料线形成于该闸 极绝缘层上，其中该源极、汲极及资料线的形成包含下列步骤将一第三导体层形成于该通道元件的第二半导体层及间极绝缘层上，其中该第三 导体层是含钼氮化合物；将一第四导体层形成于该第三导体层上，其中该第四导体层是含有铜元素；以及将该第三及第四导体层图案化成该源极、汲极及资料线。
本发明还提供一种TFT阵列基板，包含一基板；至少一闸极线及一闸极，配置于该基板上，其中该闸极线及闸极皆包含第一及第 二导体层，该第一导体层形成于该基板上，该第一导体层是含钼氮化合物，该第二导体层形 成于该第一导体层上，且该第二导体层是含有铜元素；一闸极绝缘层，配置于该闸极线、闸极及基板上；至少一通道元件，配置于该间极绝缘层上，其中该通道元件包含第一及第二半导 体层，该第一半导体层形成于该间极绝缘层上，该第二半导体层形成于该第一半导体层上， 且该第二半导体层是含N型掺杂物质；以及至少一源极及一汲极，配置于该通道元件上，且至少一资料线，配置于该闸极绝缘 层上，其中该源极、汲极及资料线皆包含第三及第四导体层，该第三导体层形成于该通道元 件的第二半导体层及间极绝缘层上，该第三导体层是含钼氮化合物，该第四导体层形成于 该第三导体层上，且该第四导体层是含有铜元素。本发明提供一种TFT阵列基板，包含一基板、至少一闸极线及一闸极、一闸极绝缘 层、至少一通道元件、至少一源极、一汲极及一资料线。该闸极线及闸极配置于该基板上，其 中该间极线及间极皆包含第一及第二导体层，该第一导体层形成于该基板上，该第一导体 层是含钼氮化合物，该第二导体层形成于该第一导体层上，且该第二导体层是含有铜元素。 该闸极绝缘层配置于该间极线、间极及基板上。该通道元件配置于该间极绝缘层上，其中该 通道元件包含第一及第二半导体层，该第一半导体层形成于该间极绝缘层上，该第二半导 体层形成于该第一半导体层上，且该第二半导体层是含N型掺杂物质。该源极及汲极配置 于该通道元件上，且该资料线配置于该闸极绝缘层上。本发明由铜金属层及钼氮化合物层所组成之闸极线及闸极可克服铜导线与玻璃 基板之间附着性不佳的问题。该钼氮化合物层可作为一粘层(adhesion layer)在该铜金 属层与玻璃基板之间，用以帮助该铜金属层与玻璃基板之附着性。再者，根据本发明的闸极 线及闸极，其钼氮化合物层的材质与铜金属层皆具有低阻值，如此将不会增加该铜导线的 阻值；且该钼氮化合物与铜金属层在进行蚀刻制程时皆具有类似被蚀刻的特性，如此将减 少制程成本。另外，本发明在该闸极线及闸极的铜金属层形成后，可提供去氧化剂去除氧化 铜，如此以避免增加该闸极线及闸极的阻值。为了让本发明的上述和其他目的、特征、和优点能更明显，下文将配合所附图示， 作详细说明如下。
图1为先前技术的液晶显示面板的部分立体分解示意图。图2为先前技术的TFT阵列基板的部分剖面示意图。图3为本发明的一实施例的TFT阵列基板的部分剖面示意图。图4至图8为本发明的一实施例的TFT阵列基板制造方法的部分剖面示意图。10 液晶显示面板 12 液晶层20 TFT阵列基板 21 薄膜电晶体22 闸极24 闸极绝缘层
25通道元件
25a半导体层25a半导体层
26汲极28源极
30护层32像素电极
34基板40彩色滤光片基板
42彩色滤光片层44透明电极层
46基板48黑色矩阵
52闸极线54资料线
56像素
120TFT阵列基板121薄膜电晶体
122闸极122a导体层
122b导体层124闸极绝缘层
125通道元件125a半导体层
125b半导体层
126汲极126a导体层
126b导体层128源极
128a导体层128b导体层
130护层132像素电极
131贯穿孔
134基板154资料线
154a导体层154b导体层
具体实施方式
参考图3，其显示本发明的一实施例的TFT(THIN FILM TRANSISTOR)阵列基板 120。该TFT阵列基板120包含一基板(诸如玻璃基板134)。至少一闸极线(可参见图1 之标号52)及一闸极122配置于该玻璃基板134上。该闸极线及闸极122皆包含第一导体 层122a及第二导体层122b，该第一导体层122a形成于该玻璃基板134上，该第一导体层 122a是含钼氮化合物(诸如氮化钼)。该第二导体层122b形成于该第一导体层122a上，且 该第二导体层122b是含有铜元素。该第二导体层是可为铜金属层或铜合金层。该铜合金 层是含有铜元素大于95%，且含有少量金属元素是选自钛(Ti)、钽(Ta)、铬(Cr)、镍(Ni)、 钕(Nd)、铟(In)及铝(Al)所构成之群组中至少一者。一闸极绝缘层124配置于该玻璃基 板134上，并覆盖该闸极线及闸极122。该闸极线及闸极122的该第二导体层122b及第一 导体层122a分别接触于该间极绝缘层124及玻璃基板134。一通道元件125配置于该闸极 绝缘层124上。该通道元件125包含第一及第二半导体层125a、125b，该第一半导体层125a 形成于该间极绝缘层124上，该第一半导体层125a是可为主动层(active layer)，该第二 半导体层125b形成于该第一半导体层125a上，且该第二半导体层125b是可为含N型掺杂 物质的欧姆接触层(ohmic contact layer)。至少一汲极126及一源极128配置于该通道 元件125上，且至少一资料线154配置于该闸极绝缘层124上。该汲极126、源极128及资 料线154皆包含第三导体层126a、128a、154a及第四导体层126b、128b、154b，该第三导体层126a、128a、154a形成于该通道元件125及闸极绝缘层124上，该第三导体层126a、128a、 154a是含钼氮化合物(诸如氮化钼)，该第四导体层126b、128b、154b形成于该第三导体层 126a、128a、154a上，且该第四导体层126b、128b、154b是含有铜元素。该第四导体层是可 为铜金属层或铜合金层。该铜合金层含有铜元素大于95 %，且含有少量金属元素是选自钛 (Ti)、钽(Ta)、铬(Cr)、镍(Ni)、钕(Nd)、铟(In)及铝(Al)所构成之群组中至少一者。一 护层130配置于该汲极126、源极128、资料线154及该闸极绝缘层124上。该汲极126及 源极128的该第四导体层126b、128b及第三导体层126a、128a分别接触于该护层130及通 道元件125，且该资料线154的该第四导体层154b及第三导体层154a分别接触于该护层 130及闸极绝缘层124。一像素电极132配置于该护层130上，并电性连接于该汲极126。参考图4至图8，其显示本发明的一实施例的TFT阵列基板制造方法。参考图4， 提供一基板(诸如玻璃基板134) 134。将至少一闸极线(可参见图1之标号52)及一闸极 122形成于该玻璃基板134上，其中该闸极线及闸极122的形成包含下列步骤借由一第一 溅镀制程，将一第一导体层122a形成于该玻璃基板134上，其中该第一导体层122a是含钼 氮化合物；借由一第二溅镀制程，将一第二导体层122b形成于该第一导体层122a上，其中 该第二导体层122b含有铜元素；以及将该第一及第二导体层122a、122b图案化成该间极线 及闸极122。在该第二导体层(诸如铜金属层)122b形成后，通常在该铜金属表面会产生氧 化。若提供一去氧化剂去除氧化铜，则可避免增加该闸极线及闸极122的阻值。参考图5，将一闸极绝缘层124形成于该闸极线及闸极122及玻璃基板134上。参 考图6，将一第一半导体层125a形成于该间极绝缘层124上；将一第二半导体层125b形成 于该第一半导体层125a上，其中该第二半导体层125b是含N型掺杂物质，以及将第一及第 二半导体层125a、125b图案化成至少一通道元件125。参考图7，将至少一汲极126及一源极128形成于该通道元件125上，且同时将至 少一资料线154形成于该闸极绝缘层124上。该汲极126、源极128及资料线154之形成 包含下列步骤借由一第三溅镀制程，将一第三导体层126a、128a、154a形成于该通道元件 125及闸极绝缘层124上，其中该第三导体层126a、128a、154a是含钼氮化合物；借由一第 四溅镀制程，将一第四导体层126b、128b、154b形成于该第三导体层126a、128a、154a上，其 中该第四导体层126b、128b、154b是含有铜元素；以及将该第三导体层126a、128a、154a及 第四导体层126b、128b、154b图案化成该汲极126、源极128及资料线154。在该第四导体 层(诸如铜金属层)126b、128b、154b形成后，通常在该铜金属表面会产生氧化。若提供一 去氧化剂去除氧化铜，则亦可避免增加该汲极126、源极128及资料线154之阻值。参考图8，将一护层130形成于该汲极126、源极128、资料线154及闸极绝缘层124 上。然后，将一贯穿孔131形成于护层130上。最后，将一像素电极132形成于该护层130 上，并电性连接于该汲极126，如此以形成本发明的TFT阵列基板120，如图3所示。本发明由铜金属层及钼氮化合物层所组成的闸极线及闸极可克服铜导线与玻璃 基板之间附着性不佳的问题。该钼氮化合物层可作为一粘层(adhesion layer)在该铜金 属层与玻璃基板之间，用以帮助该铜金属层与玻璃基板之附着性。再者，根据本发明的闸极 线及间极，其钼氮化合物层的材质与铜金属层皆具有低阻值，如此将不会增加该铜导线之 阻值；且该钼氮化合物与铜金属层在进行蚀刻制程时皆具有类似被蚀刻的特性，如此将减 少制程成本。另外，本发明在该闸极线及闸极的铜金属层形成后，可提供去氧化剂去除氧化铜，如此以避免增加该闸极线及闸极的阻值。本发明由铜金属层及钼氮化合物层所组成的汲极、源极及资料线可克服铜导线与 具有N型掺杂物质的半导体层间会有铜原子与硅原子的互相扩散问题。该钼氮化合物层可 作为一粘层(adhesion layer)在该铜金属层与具有N型掺杂物质的半导体层间，用以阻止 铜原子与硅原子的互相扩散。再者，根据本发明的汲极、源极及资料线，其钼氮化合物层的 材质与铜金属层皆具有低阻值，如此将不会增加该铜导线的阻值；且该钼氮化合物与铜金 属层在进行蚀刻制程时皆具有类似被蚀刻的特性，如此将减少制程成本。另外，本发明在 汲极、源极及资料线的铜金属层形成后，可提供去氧化剂去除氧化铜，如此以避免增加该汲 极、源极及资料线的阻值。虽然本发明已以前述实施例揭示，然其并非用以限定本发明，任何本发明所属技 术领域中具有通常知识者，在不脱离本发明之精神和范围内，当可作各种之更动与修改。因 此本发明之保护范围当视申请专利范围所界定者为准。
权利要求
一种TFT阵列基板制造方法，包含下列步骤提供一基板；将至少一闸极线及一闸极形成于该基板上，其中该闸极线及闸极的形成包含下列步骤将一第一导体层形成于该基板上，其中该第一导体层是含钼氮化合物；将一第二导体层形成于该第一导体层上，其中该第二导体层含有铜元素；以及将该第一及第二导体层图案化成该闸极线及闸极；将一闸极绝缘层形成于该闸极线及闸极及该基板上；将一第一半导体层形成于该闸极绝缘层上；将一第二半导体层形成于该第一半导体层上，其中该第二半导体层是含N型掺杂物质；将第一及第二半导体层图案化成至少一通道元件；以及将至少一源极及一汲极形成于该通道元件上，且同时将至少一资料线形成于该闸极绝缘层上。
2.如权利要求1所述的阵列基板制造方法，其特征在于该第二导体层为一铜金属层。
3.如权利要求1所述的阵列基板制造方法，其特征在于该第二导体层为一铜合金层。
4.如权利要求3所述的阵列基板制造方法，其特征在于该铜合金层含有铜元素大于 95%，且含有少量金属元素是选自钛(Ti)、钽(Ta)、铬(Cr)、镍(Ni)、钕(Nd)、铟(In)及铝 (Al)所构成的群组中至少一者。
5.如权利要求1所述的阵列基板制造方法，其特征在于该基板为一玻璃基板。
6.如权利要求1所述的阵列基板制造方法，其特征在于该钼氮化合物为氮化钼。
7.如权利要求1所述的阵列基板制造方法，其特征在于该第一导体层借由一第一溅 镀制程而形成于该基板上，且该第二导体层借由一第二溅镀制程而形成于该第一导体层 上。
8.如权利要求1所述的阵列基板制造方法，其特征在于在该第二导体层的形成步骤 后，该阵列基板制造方法另包含下列步骤提供一去氧化剂，用以去除氧化铜。
9.如权利要求1所述的阵列基板制造方法，其特征在于该源极、汲极及资料线的形成 包含下列步骤将一第三导体层形成于该通道元件的第二半导体层及间极绝缘层上，其中该第三导体 层是含钼氮化合物；将一第四导体层形成于该第三导体层上，其中该第四导体层是含有铜元素；以及 将该第三及第四导体层图案化成该源极、汲极及资料线。
10.如权利要求9所述的阵列基板制造方法，其特征在于该第三导体层借由一第三溅 镀制程而形成于该通道元件的第二半导体层及间极绝缘层上，且该第四导体层借由一第四 溅镀制程而形成于该第三导体层上。
11.如权利要求10所述的阵列基板制造方法，其特征在于在该第四导体层的形成步 骤后，该阵列基板制造方法另包含下列步骤提供一去氧化剂，用以去除氧化铜。
12.如权利要求1所述的阵列基板制造方法，其特征在于另包含下列步骤将一护层形成于该源极、汲极、资料线及闸极绝缘层；以及将一像素电极形成于该护层上，并电性连接于该汲极。
13.一种TFT阵列基板，包含 一基板；至少一闸极线及一闸极，配置于该基板上，其中该闸极线及闸极皆包含第一及第二导体层，该第一导体层形成于该基板上，该第一导体层是含钼氮化合物，该第二导体层形成于 该第一导体层上，且该第二导体层含有铜元素；一闸极绝缘层，配置于该闸极线、闸极及基板上；至少一通道元件，配置于该间极绝缘层上，其中该通道元件包含第一及第二半导体层，该第一半导体层形成于该间极绝缘层上，该第二半导体层形成于该第一半导体层上，且该 第二半导体层是含N型掺杂物质；以及至少一源极及一汲极，配置于该通道元件上，且至少一资料线，配置于该闸极绝缘层上。
14.如权利要求13所述的阵列基板，其特征在于该第二导体层为一铜金属层。
15.如权利要求13所述的阵列基板，其特征在于该第二导体层为一铜合金层。
16.如权利要求15所述的阵列基板，其特征在于该铜合金层含有铜元素大于95%，且 含有少量金属元素是选自钛(Ti)、钽(Ta)、铬(Cr)、镍(Ni)、钕(Nd)、铟(In)及铝(Al)所 构成之群组中至少一者。
17.如权利要求13所述的阵列基板，其特征在于该基板为一玻璃基板。
18.如权利要求13所述的阵列基板，其特征在于该钼氮化合物为氮化钼。
19.如权利要求13所述的阵列基板，其特征在于该源极、汲极及资料线皆包含第三及 第四导体层，该第三导体层形成于该通道元件的第二半导体层及间极绝缘层上，该第三导 体层是含钼氮化合物，该第四导体层形成于该第三导体层上，且该第四导体层含有铜元素。
20.如权利要求13所述的阵列基板，其特征在于另包含 一护层，配置于该源极、汲极、资料线及闸极绝缘层上；以及 一像素电极，配置于该护层上，并电性连接于该汲极。
21.—种TFT阵列基板制造方法，包含下列步骤 提供一基板；将至少一闸极线及一闸极形成于该基板上； 将一间极绝缘层形成于该间极线及间极及该基板上； 将一第一半导体层形成于该间极绝缘层上；将一第二半导体层形成于该第一半导体层上，其中该第二半导体层是含N型掺杂物质；将第一及第二半导体层图案化成至少一通道元件；以及将至少一源极及一汲极形成于该通道元件上，且同时将至少一资料线形成于该闸极绝 缘层上，其中该源极、汲极及资料线的形成包含下列步骤将一第三导体层形成于该通道元件的第二半导体层及间极绝缘层上，其中该第三导体 层是含钼氮化合物；将一第四导体层形成于该第三导体层上，其中该第四导体层含有铜元素；以及 将该第三及第四导体层图案化成该源极、汲极及资料线。
22.如权利要求21所述的阵列基板制造方法，其特征在于该第四导体层为一铜金属层。
23.如权利要求21所述的阵列基板制造方法，其特征在于该第四导体层为一铜合金层。
24.如权利要求23所述的阵列基板制造方法，其特征在于该铜合金层含有铜元素大 于95%，且含有少量金属元素是选自钛(Ti)、钽(Ta)、铬(Cr)、镍(Ni)、钕(Nd)、铟(In)及 铝(Al)所构成之群组中至少一者。
25.如权利要求21所述的阵列基板制造方法，其特征在于该基板为一玻璃基板。
26.如权利要求21所述的阵列基板制造方法，其特征在于该钼氮化合物为氮化钼。
27.如权利要求21所述的阵列基板制造方法，其特征在于该第三导体层借由一第三 溅镀制程而形成于该通道元件的第二半导体层及间极绝缘层上，且该第四导体层借由一第 四溅镀制程而形成于该第三导体层上。
28.如权利要求21所述的阵列基板制造方法，其特征在于在该第四导体层的形成步 骤后，该阵列基板制造方法另包含下列步骤提供一去氧化剂，用以去除氧化铜。
29.如权利要求21所述的阵列基板制造方法，其特征在于另包含下列步骤 将一护层形成于该源极、汲极、资料线及闸极绝缘层；以及将一像素电极形成于该护层上，并电性连接于该汲极。
30.一种TFT阵列基板，包含 一基板；至少一闸极线及一闸极，配置于该基板上，其中该闸极线及闸极皆包含第一及第二导 体层，该第一导体层形成于该基板上，该第一导体层是含钼氮化合物，该第二导体层形成于 该第一导体层上，且该第二导体层含有铜元素；一闸极绝缘层，配置于该闸极线、闸极及基板上；至少一通道元件，配置于该间极绝缘层上，其中该通道元件包含第一及第二半导体层， 该第一半导体层形成于该间极绝缘层上，该第二半导体层形成于该第一半导体层上，且该 第二半导体层是含N型掺杂物质；以及至少一源极及一汲极，配置于该通道元件上，且至少一资料线，配置于该闸极绝缘层 上，其中该源极、汲极及资料线皆包含第三及第四导体层，该第三导体层形成于该通道元件 的第二半导体层及间极绝缘层上，该第三导体层是含钼氮化合物，该第四导体层形成于该 第三导体层上，且该第四导体层含有铜元素。
31.如权利要求30所述的阵列基板，其特征在于该第四导体层为一铜金属层。
32.如权利要求30所述的阵列基板，其特征在于该第四导体层为一铜合金层。
33.如权利要求32所述的阵列基板，其特征在于该铜合金层含有铜元素大于95%，且 含有少量金属元素是选自钛(Ti)、钽(Ta)、铬(Cr)、镍(Ni)、钕(Nd)、铟(In)及铝(Al)所 构成之群组中至少一者。
34.如权利要求30所述的阵列基板，其特征在于该基板为一玻璃基板。
35.如权利要求30所述的阵列基板，其特征在于该钼氮化合物为氮化钼。
36.如权利要求30所述的阵列基板，其特征在于另包含一护层，配置于该源极、汲极、资料线及闸极绝缘层上；以及一像素电极，配置于该护层 上，并电性连接于该汲极。
全文摘要
一种TFT阵列基板包含一基板、至少一闸极线及闸极、一闸极绝缘层、及至少一通道元件、源极、汲极及资料线。该闸极线及闸极配置于该基板上，其中该闸极线及闸极皆包含第一及第二导体层，该第一导体层形成于该基板上，该第一导体层是含钼氮化合物，该第二导体层形成于该第一导体层上，且该第二导体层含有铜元素。该闸极绝缘层配置于该闸极线、闸极及基板上。该通道元件配置于该闸极绝缘层上。该源极及汲极配置于该通道元件上，且该资料线配置于该闸极绝缘层上。本发明由铜金属层及钼氮化合物层所组成之闸极线及闸极可克服铜导线与玻璃基板之间附着性不佳的问题。
文档编号H01L21/84GK101989579SQ20091016540
公开日2011年3月23日 申请日期2009年7月30日 优先权日2009年7月30日
发明者胡宪堂, 萧建智, 蔡志鸿 申请人:瀚宇彩晶股份有限公司