发光器件及其制造方法

专利名称：发光器件及其制造方法
技术领域：
本发明的示范性实施例涉及一种采用晶片接合方法制造的发光器件，以及采用晶
片接合方法制造发光器件置的方法。
背景技术：
发光二极管(LED)包括例如III族氮化物半导体材料或Zn-Mg-0基半导体材料的 半导体材料，其可以制作得相对小且轻，并且具有相对长的寿命。已经开发了增加LED效率 的各种技术。近来，为了使用作为常规发光器件的LED,已经进行了对高输出和高亮度LED 的研究。然而，由于LED的结构，当向LED提供高功率时，与向LED提供低功率相比，LED的 效率降低。 因此，已经提出了具有有效电流施加结构的垂直型LED。与水平型LED不同，垂直 型LED可以直接定位在半导体层的上表面和下表面中，其中在水平型LED中半导体层的一 部分被刻蚀且电极形成在该被刻蚀的部分中。因此，与水平型LED相比，垂直型LED具有改 善的效率并且具有较高的输出。与水平LED相比，垂直型LED也更易于被冷却，这是因为其 运行期间产生的热更易于辐射到外部。 另一方面，在垂直型LED的情况下，因为电极应当定位在半导体层的上表面和下 表面中，所以垂直型LED需要与水平型LED不同的制造工艺。例如，在半导体层生长在诸如 蓝宝石的生长基板(growth substrate)上之后，去除生长基板以便实施后续工艺。在去除 生长基板前，对半导体层实施电镀(通过电镀法)或晶片接合(通过晶片接合方法)，以便 牢固地固定将要从其去除生长基板的半导体层。 在采用电镀时，由于电镀金属薄膜的平坦度和坚固性(solidity)的降低，在实施 整个工艺时会出现困难。当采用晶片接合时，由于诸如蓝宝石的生长基板与新的接合基板 的膨胀系数的差别，在晶片接合后实施的冷却工艺期间，在半导体层中会产生裂纹。而且， 半导体层的整体结构会弯曲或翘曲。

发明内容
示范性实施例包括通过采用晶片接合方法制造的弯曲或翘曲减少的发光器件以
及采用晶片接合方法制造发光器件的方法。其它方面将部分在下面的描述中予以阐述，并
且通过描述而部分地显而易见，或者可以通过示范性实施例的实践而知悉。 根据示范性实施例，发光器件可以包括半导体层，包括用于发光的有源区域和第
一电极；第二电极，在半导体层上；以及第一应力弛豫层，接合到第一电极的表面，且由金
属形成。 发光器件还可以包括在第一应力弛豫层下方的接合基板。发光器件还可以包括在 第一电极和第一应力弛豫层之间以及在第一应力弛豫层和接合基板之间的接合材料层。接 合材料层的厚度范围可以为约0. 5 m至约3 m。第一应力弛豫层可以由熔点大于接合材 料层的材料形成。
发光器件还可以包括在第一应力弛豫层和接合基板之间且由金属形成的第二应 力弛豫层。发光器件还可以包括在第一电极和第一应力弛豫层之间以及在第一应力弛豫层 和第二应力弛豫层之间的接合材料层。 接合基板可以是导电基板。发光器件还可以包括在接合基板下方的第一接合金属 层和第二电极上的第二接合金属层。接合基板可以是非导电基板，其热膨胀系数的范围为
约4X 10—6 A/K至约8X 10—6 A/K。接合基板可以是玻璃基板。 发光器件还可以包括在半导体层侧部上的构造为电连接到第一电极的第一接合
金属层和在第二电极上的第二接合金属层。发光器件还可以包括第一应力弛豫层下方的第 一接合金属层和第二电极上的第二接合金属层。 第一应力弛豫层可以包括选自由铬(Cr)、镍(Ni)、锡(Sn)、钼(Mo)、钛(Ti)、铜 (Cu)及其合金组成的组中的至少一个。第一应力弛豫层可以形成为厚度范围为约10iim至 约lmmc 根据示范性实施例，制造发光器件的方法可以包括在生长基板上形成半导体层， 该半导体层包括用于发光的有源区域和第一电极；将接合基板接合到第一电极的表面；去 除生长基板；以及处理半导体层，其中由金属形成的第一应力弛豫层接合在第一电极和接 合基板之间。 第一应力弛豫层可以通过在第一电极和第一应力弛豫层之间以及在第一应力弛 豫层和接合基板之间插设接合材料层而接合。由金属形成的第二应力弛豫层还可以接合在 第一应力弛豫层和接合基板之间。第一应力弛豫层和第二应力弛豫层可以通过在第一电极和第一应力弛豫层之间 以及在第一应力弛豫层和第二应力弛豫层之间插设接合材料层而接合。第二应力弛豫层可 以在接合基板上。 第一应力弛豫层可以通过在第一电极和第一应力弛豫层之间插设接合材料层而 被接合，在示范性实施例中，第一应力弛豫层可以在接合基板上。该方法还可以包括去除接 合基板。处理半导体层可以包括在半导体层上形成第二电极。


通过结合附图的下述详细描述，示范性实施例将更加易于理解。图l-8B表示这里 描述的非限定的示范性实施例。 图1是图解根据示范性实施例在其中半导体层生长在生长基板上的结构的示意 性截面图； 图2是图解根据示范性实施例用于将半导体层接合到接合基板的工艺的示意性 截面图； 图3是图解根据示范性实施例用于将图1的半导体层接合到接合基板的工艺的示 意性截面图； 图4是图解根据示范性实施例用于将图1的半导体层接合到接合基板的工艺的示 意性截面图； 图5是图解根据示范性实施例在接合图4的接合基板后通过剥离工艺去除生长基 板的工艺的示意性截面5
图6是图解示解根据示范性实施例在去除生长基板后通过后续工艺完成的发光 二极管(LED)的示意性截面图； 图7A和7B是图解根据示范性实施例在去除生长基板后制造LED的工艺的示意性 截面图；和 图8A和8B是图解根据示范性实施例在去除生长基板后制造LED的工艺的示意性 截面图。 应当注意的是，这些图旨在图解本发明特定实施例中采用的方法、结构和/或材 料的一般特性，并且旨在补充下面提供的文字说明。然而，这些附图没有按比例绘制，并且 可能不会精确地反映任何给定实施例的精确结构或性能特性，并且不应当被解释为限定或 局限本发明示范性实施例涉及的值或特性的范围。为了清楚起见，例如，可以縮小或放大分 子、层、区域和/或结构元件的相对厚度和位置。各图中采用的类似或相同的附图标记旨在 表示类似或相同元件或特征的存在。
具体实施例方式
现在，将详细地描述示范性实施例，附图中图解了示范性实施例的示例，其中相似 的附图标记通篇表示相似的元件。就此而言，示范性实施例可以具有不同的形式，并且不应 当解释为限于在此阐述的描述。因此，下面仅参考附图描述示范性实施例，来说明本描述的
各方面。在附图中，为了清楚起见，夸大了各层的厚度和宽度。 应当理解，当称元件或层"在"另一元件或层"上"、"连接到"或"耦接到"另一元件 或层时，该元件或层可以直接在另一元件或层上、直接连接到或直接耦接到另一元件或层， 或者可以存在插入的元件或层。相反，当称元件"直接在"另一元件或层上、"直接连接到" 或"直接耦接到"另一元件或层时，则不存在插入的元件或层。如此处所用的，术语"和/或" 包括一个或多个所列相关项目的任何及所有组合。 应当理解，虽然这里可使用术语第一、第二、第三等描述各种元件、组件、区域、层 和/或部分，但这些元件、组件、区域、层和/或部分不应受限于这些术语。这些术语仅用于 将一个元件、组件、区域、层或部分与另一区域、层或部分区别开。因此，以下讨论的第一元 件、组件、区域、层或部分可以被称为第二元件、组件、区域、层或部分而不背离本发明示范 性实施例的教导。 为了便于描述，此处可以使用诸如"在…之下"、"在…下面"、"下(lower)"、"在… 之上"、"上(upper)"等空间相对性术语来描述如附图所示的一个元件或特征与另一个 (些)元件或特征之间的关系。应当理解，空间相对性术语是用来概括除附图所示取向之外 的使用或操作中的器件的不同取向的。例如，如果附图中的器件翻转过来，则被描述为"在" 其他元件或特征"之下"或"下面"的元件将会取向在其他元件或特征的"上方"。这样，示 范性术语"在…下面"就能够涵盖之上和之下两种取向。器件可以采取其他取向(旋转90 度或在其他取向)，此处所用的空间相对性描述符做相应解释。 在此采用的术语仅为了描述具体实施例的目的，并且不旨在限制本发明的示范性 实施例。正如这里所使用的，单数形式"一个(a、an)"和"所述(the)"也旨在包括复数 形式，除非上下文中清楚地另有示意。还应当理解，术语"包括(comprise)"和/或"包括 (comprising)"，当在本说明书中使用时，指定了所述特征、整体、步骤、操作、元件和/或组件的存在，但并不排除一个或多个其他特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或其组合的 存在或增加。 这里参照截面图描述本发明的示范性实施例，这些图为理想化示范性实施例(和
中间结构)的示意图。因而，举例来说，可以预期由制造技术和/或公差引起的插图形状的
变化。因此，示范性实施例不应被解释为仅限于此处示出的区域的特定形状，而是包括由例
如制造引起的形状偏差在内。例如，图示为矩形的被注入区域通常在其边缘处具有圆形或
弯曲的特征和/或注入浓度的梯度而不是从注入区到非注入区的二元变化。类似地，通过
注入形成的掩埋区可以在掩埋区与注入通过其发生的表面之间的区域中引起某些注入。因
此，附图所示的区域实质上是示意性的，它们的形状并非要展示器件的区域的实际形状，也 并非要限制本发明的范围。 除非另行定义，否则此处使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)都具有本 发明所属领域的普通技术人员所通常理解的同样的含义。还应当理解，诸如通用词典中所 定义的术语，除非此处加以明确定义，否则应当被解释为具有与它们在相关领域的语境中 的含义相一致的含义，而不应被解释为理想化的或过度形式化的意义。
参考图l，第一半导体层21、有源层22和第二半导体层23可以依次生长在生长基 板11上，并且第一电极24可以生长在第二半导体层23上。生长基板11可以是蓝宝石基 板。第一半导体层21、有源层22和第二半导体层23可以由例如III族氮化物半导体(其 是GaN-AlN-InN的组合)的半导体材料或Zn-Mg-0基半导体材料形成。第一半导体层21 可以是掺杂有n型材料的n半导体层，第二半导体层23可以是掺杂有p型材料的p半导体 层。有源层22是用于通过电子和空穴的复合而产生光的有源区域，其可以具有单个或多个 量子阱结构。当第二半导体层23是p半导体层时，第一电极24可以是p型电极。
尽管图1中没有示出，但是用于改善晶体质量的缓冲层可以附加地插设在生长基 板11与第一半导体层21之间。而且，尽管图1中没有示出，但是为了在一个生长基板11 上形成多个LED芯片，第一半导体层21、有源层22、第二半导体层23和第一电极24可以被 部分地蚀刻而分成多个区域。因为上述工艺与常规LED制造工艺相同，所以省略其详细描 述。 在实施制造LED的后续工艺之前，根据晶片接合方法，接合基板可以接合到图1所 示的结构。现在将描述将接合基板接合到图l所示结构的各种示范性实施例。在下文，为 了方便起见，第一半导体层21、有源层22、第二半导体层23和第一电极24将称为半导体层 20。从而，为了方便起见，在下面的附图描述中，仅说明表示为半导体层20的一层。
图2是图解根据示范性实施例将图1的半导体层20接合到接合基板31的示意性 截面图。如上所述，当采用晶片接合方法时，在冷却工艺期间，由于生长基板11和接合基板 31间的热膨胀系数的差别会产生弯曲或翘曲。如图2所示，根据示范性实施例，为了减轻或 者防止弯曲或翘曲，由金属片形成的附加的应力弛豫层33可以设在半导体层20和接合基 板31之间。例如，接合材料层32可以插设在接合基板31和应力弛豫层33之间，并且接合 材料层34可以插设在应力弛豫层33和半导体层20之间。接合材料层32和34可以被熔 化以接合这些层。 接合材料层34a和34b可以分别涂覆在应力弛豫层33和半导体层20彼此面对的 表面上，并且接合材料层34a和34b可以被熔化以形成接合材料层34并将应力弛豫层33接合到半导体层20。在图2中，生长基板11和半导体层20图解为与图1图解的位置颠倒。 具体地，接合材料层34可以插设在第一 电极24和应力弛豫层33之间，从而，应力弛豫层33 可以接合到第一电极24的表面。 根据示范性实施例，因为应力弛豫层33吸收接合基板31和生长基板11之间的热 膨胀系数差，所以在接合工艺后的冷却工艺期间可以减轻或防止弯曲或翘曲。为此，由金属 片形成且具有改善的柔性的材料可以用作应力弛豫层33。 当具有柔性的金属片插设在接合基板31和生长基板11之间时，即使接合基板31 和生长基板11在冷却工艺期间不同地收縮，则由于插设在其间的金属片的柔性，接合基板 31和生长基板11也不会彼此影响。为了能使接合基板31和生长基板11之间的热膨胀系 数之差被充分吸收，应力弛豫层33需要足够厚。例如，由金属片形成的应力弛豫层33可以 形成为厚度范围为约10 y m至约lmm，更具体地，厚度范围为从约50 y m至约300 y m。
应力弛豫层33可以具有导电性，以便将从外部施加的电流传输到半导体层20。应 力弛豫层33的熔点也可以大于接合材料层32和34的熔点，以使其在接合工艺中不发生 改变。满足上述条件的用于形成应力弛豫层33的材料可以是铬(Cr)、镍(Ni)、锡(Sn)、钼 (Mo)、钛(Ti)、铜(Cu)或其合金。在图2中，应力弛豫层33被图示为单层，但是其可以以多 层结构形成，其中堆叠每一个都由不同材料形成的多层。 接合材料层32和34可以由易熔(eutectic)接合材料例如具有导电性的AuSn合 金或者AuGe合金形成。接合材料层32和34可以通过电子束沉积(e-beam d印osition)、 原子层沉积(ALD)、化学气相沉积(CVD)或物理气相沉积(PVD)形成，并且接合材料层32 和34可以形成为具有约0. 5 ii m至约3 ii m的厚度范围。应力弛豫层33可以通过熔化接合 材料层32和34而接合到接合基板31和半导体层20 二者。AuSn合金的熔点为约280°C， AuGe合金的熔点在约300°C以上。常规地，为了最小化或者降低冷却工艺期间的弯曲和翘 曲，相对低温熔化的AuSn合金主要用作接合材料。 在示范性实施例中，为了防止或者减少在稳定LED的运行的热处理中接合材料的 改变，可以实施低于约300°C的低温热处理。另一方面，在示范性实施例中，因为通过应力弛 豫层33可以防止或减少弯曲或翘曲，所以熔点相对高的AuGe合金可以用作接合材料层32 和34。因为在LED的后续热处理工艺中可以实施约30(TC以上的高温热处理，所以可以改 善LED的质量和运行稳定性。 接合基板31通常可以采用具有导电性的硅基板。然而，接合基板31不限于硅基 板，而是可以采用由各种材料形成的各种基板。例如，接合基板31可以是非导电基板，如玻 璃基板，并且非导电基板可以由热膨胀系数的范围为约4X10—eA/K至约8X10—SA/K的材 料形成。 图3是图解根据示范性实施例用于将图1的半导体层接合到接合基板的工艺的示 意性截面图。图3与图2的区别在于，应力弛豫层不采用接合材料层接合到接合基板31，而 是应力弛豫层35直接沉积或生长在接合基板31上。关于其它方面，图2中的示范性实施 例可以与图3中描述的示范性实施例相同。从而，在示范性实施例中，先前形成在接合基板 31上的应力弛豫层35可以通过接合材料层34接合到半导体层20的表面。
图4是图解根据示范性实施例用于将图1的半导体层接合到接合基板的工艺的示 意性截面图。图4所示的示范性实施例包括图2和3所示的示范性实施例二者。就是说，如图4所示，第一应力弛豫层33可以通过在第一应力弛豫层33和半导体层20之间插设接 合材料层34而接合到半导体层20的表面。同时，第一应力弛豫层33可以通过在第一应力 弛豫层33和接合基板31之间插设接合材料层32而接合到接合基板31，其中第二应力弛豫 层35沉积在接合基板31的表面上。 接合材料层34a和34b可以分别涂覆在第一应力弛豫层33的表面和半导体层20 的表面上，并且可以熔化接合材料层34a和34b，以形成接合材料层34且将应力弛豫层33 接合到半导体层20。因此，第二应力弛豫层35、接合材料层32、第一应力弛豫层33、接合材 料层34、半导体层20和生长基板11可以依次堆叠在接合基板31上。 在该结构中，因为两个应力弛豫层33和35设置在半导体层20和接合基板31之 间，所以可以进一步减少弯曲或翘曲。第一应力弛豫层33和第二应力弛豫层35可以由相 同的材料或不同的材料形成。而且，应力弛豫层33和35可以形成为具有相同的厚度或不 同的厚度。 在采用图2或图4所示的晶片接合方法接合半导体层20和接合基板31后，如图 5所示，可以采用激光剥离(LL0)法去除生长基板ll。半导体层20可以外露。具体地，参 考图l，半导体层20的第一半导体层21外露。 在去除生长基板11后，可以根据常规的后续工艺通过处理半导体层20而完成 LED。例如，可以通过蚀刻法部分蚀刻或清洗半导体层20的表面。而且，对半导体层20的 表面实施纹理化以形成几何起伏结构(geometricalrelief structure)，从而增加光提取 效率。第二电极可以形成在半导体层20的表面上。 图6是图解根据示范性实施例通过去除生长基板后的后续工艺完成的LED的示意 性截面图。图6图解了通过对图4的结构实施后续工艺而获得的LED 10。然而，图6也可 以涉及根据图2和4中描述的示范性实施例形成的结构。参考图6，第二电极25可以设置 在半导体层20的表面上。例如，当图1所示的第一半导体层21为n半导体层时，第二电极 25为n型电极。第二电极25也可以是透射光的透明电极，并且第二电极25可以由铟锡氧 化物(ITO)形成。 第一接合金属层41可以设置在接合基板31下方，第二接合金属层42可以设置在 第二电极25上。在封装已完成的LED时，第一接合金属层41和第二接合金属层42可以与 连接到封装(未示出)引线框的引线(未示出)耦接。从而，通过引线从引线框施加的电 流可以分别通过第一接合金属层41和第二接合金属层42传送给第一电极24和第二电极 25。在示范性实施例中，接合基板31可以由诸如硅的导电基板形成。 如上所述，接合基板31可以是非导电基板。在示范性实施例中，第一接合金属层 41可以不设置在接合基板31下方。 图7A和7B图解了根据示范性实施例为非导电基板的接合基板31。图7A和7B图 解了对根据图4中描述的示范性实施例形成的结构实施后续工艺而获得的LED，但是图7A 和7B也可以涉及根据图2和3中描述的示范性实施例形成的结构。 如图7A所示，在处理半导体层20之后，可以去除接合基板31。通过诸如化学机 械抛光(CMP)的抛光可以更易于去除接合基板31，并且只有第一应力弛豫层33和第二应 力弛豫层35保留在半导体层20下方。如图7B所示，在形成第二电极25后，第一接合金属 层41可以设置在第二应力弛豫层35下方，第二接合金属层42可以设置在第二电极25上。
9施加给第一接合金属层41的电流可以通过第二应力弛豫层35、接合材料层32、第一应力弛豫层33和接合材料层34传送给半导体层20的第一 电极24 (见图1)，并且再通过第一 电极24传送给第二半导体层23(见图1)。施加给第二接合金属层42的电流也可以通过第二电极25传送给第一半导体层21 (见图1)。 图8A和8B图解了根据示范性实施例为非导电基板的接合基板31。图8A和8B是图解根据示范性实施例在去除生长基板后制造LED的工艺的示意性截面图。如上所述，图8A和8B图解了对根据图2和3所述的示范性实施例形成的结构通过实施后续工艺而获得的LED。 如图8A所示，在处理半导体层20且形成第二电极25后，蚀刻且因此而去除半导体层20和第二电极25的每一个的两边缘部分。半导体层20的两边缘部分可以完全去除而暴露接合材料层34a和34b的一部分。例如，可以实施蚀刻工艺直到暴露附着在第一应力弛豫层33上的接合材料层34a。作为选择，可以实施蚀刻工艺通过去除直到半导体层20的第二半导体层23而仅暴露第一电极24的一部分(见图1)。 如图8B所示，第一接合金属层41可以设置在半导体层20的两侧部分上，第二接合金属层42可以设置在第二电极25上。在图8B中，第一接合金属层41可以设置在半导体层20的两侧部分上，但是第一接合金属层41可以形成为围绕半导体层20周围的环形。在示范性实施例中，第一接合金属层41可以通过接合材料层34电连接到第一电极24。
作为选择，第一接合金属层41可以直接接触第一 电极24而电连接到第一 电极24。在图8B中，接合材料层34a可以保持在第一应力弛豫层33上，第一接合金属层41可以形成在接合材料层34a上。在示范性实施例中，施加给第一接合金属层41的电流可以通过接合材料层34a和34b传送给第一电极24。然而，在不同的条件下，可以实施蚀刻工艺直到暴露第一电极24的一部分，并且第一接合金属层41可以形成在第一电极24上。
应当理解的是，这里所描述的这些示范性实施例应看作仅为描述的目的，而不是为了限制的目的。每个示范性实施例中的特征或方面的描述应典型地看作适合于其它示范性实施例中的其它类似的特征或方面。
10
权利要求
一种发光二极管，包括半导体层，包括用于发光的有源区域和第一电极；第二电极，在所述半导体层上；以及第一应力弛豫层，接合到所述第一电极的表面，并且由金属形成。
2. 如权利要求l所述的发光二极管，还包括 接合基板，在所述第一应力弛豫层下方。
3. 如权利要求2所述的发光二极管，还包括接合材料层，在所述第一电极和所述第一应力弛豫层之间以及在所述第一应力弛豫层 和所述接合基板之间。
4. 如权利要求3所述的发光二极管，其中所述接合材料层形成为厚度范围为约0. 5 m 至约3 ii m。
5. 如权利要求3所述的发光二极管，其中所述第一应力弛豫层由熔点大于所述接合材 料层的材料形成。
6. 如权利要求2所述的发光二极管，还包括第二应力弛豫层，在所述第 一应力弛豫层和所述接合基板之间且由金属形成。
7. 如权利要求6所述的发光二极管，还包括接合材料层，在所述第一电极与所述第一应力弛豫层之间以及在所述第一应力弛豫层 与所述第二应力弛豫层之间。
8. 如权利要求2所述的发光二极管，其中所述接合基板是导电基板。
9. 如权利要求8所述的发光二极管，还包括 第一接合金属层，在所述接合基板下方；以及 第二接合金属层，在所述第二电极上。
10. 如权利要求2所述的发光二极管，其中所述接合基板是非导电基板，其热膨胀系数的范围为约4xi(r6A/K至约8xi(r6A/K。
11. 如权利要求10所述的发光二极管，其中所述接合基板是玻璃基板。
12. 如权利要求10所述的发光二极管，还包括第一接合金属层，在所述半导体层侧部上且被构造为电连接到所述第一 电极；以及 第二接合金属层，在所述第二电极上。
13. 如权利要求l所述的发光二极管，还包括 第一接合金属层，设置在所述第一应力弛豫层下方；以及 第二接合金属层，设置在所述第二电极上。
14. 如权利要求1所述的发光二极管，其中所述第一应力弛豫层包括选自由铬、镍、锡、 钼、钛、铜及其合金组成的组中的至少一个。
15. 如权利要求1所述的发光二极管，其中所述第一应力弛豫层形成为厚度范围为约 10 u m至约lmm。
16. —种制造发光二极管的方法，所述方法包括在生长基板上形成半导体层，所述半导体层包括用于发光的有源层和第一电极；将接合基板接合到所述第一电极的表面；去除所述生长基板；以及处理所述半导体层，其中由金属形成的第一应力弛豫层接合在所述第一电极和所述接合基板之间。
17. 如权利要求16所述的方法，其中接合所述第一应力弛豫层包括在所述第一电极和 所述第一应力弛豫层之间以及在所述第一应力弛豫层和所述接合基板之间插设接合材料层。
18. 如权利要求17所述的方法，其中所述第一应力弛豫层由熔点大于所述接合材料层 的材料形成。
19. 如权利要求16所述的方法，还包括将由金属形成的第二应力弛豫层接合在所述第一应力弛豫层和所述接合基板之间。
20. 如权利要求19所述的方法，其中接合所述第一应力弛豫层和所述第二应力弛豫层 包括在所述第一电极和所述第一应力弛豫层之间以及在所述第一应力弛豫层和所述第二 应力弛豫层之间插设所述接合材料层。
21. 如权利要求19所述的方法，其中所述第二应力弛豫层在所述接合基板上。
22. 如权利要求16所述的方法，其中接合所述第一应力弛豫层包括在所述第一电极和 所述第一应力弛豫层之间插设所述接合材料层，所述第一应力弛豫层在所述接合基板上。
23. 如权利要求16所述的方法，其中所述接合基板是导电基板。
24. 如权利要求16所述的方法，其中所述接合基板是非导电基板，其热膨胀系数的范围为约4xlO-6A/K至8xlO-6A/K。
25. 如权利要求24所述的方法，其中所述接合基板是玻璃基板。
26. 如权利要求24所述的方法，还包括 去除所述接合基板。
27. 如权利要求16所述的方法，其中所述第一应力弛豫层包括选自由Cr、 Ni、 Sn、 Mo、 Ti、Cu及其合金组成的组中的至少一个。
28. 如权利要求16所述的方法，其中处理所述半导体层包括 在所述半导体层上形成第二电极。
全文摘要
本发明公开了一种发光器件及其制造方法。本发明提供一种采用晶片接合方法制造的发光二极管(LED)以及通过采用晶片接合方法制造LED的方法。晶片接合方法可以包括在半导体层和接合基板之间插设由金属形成的应力弛豫层。当采用应力弛豫层时，由于金属的柔性，接合基板和生长基板之间的应力可以被抵消，并且由此可以减少或防止接合基板的弯曲或翘曲。
文档编号H01L33/00GK101740694SQ20091022527
公开日2010年6月16日 申请日期2009年11月18日 优先权日2008年11月18日
发明者丁亨洙, 朴宰彻, 朴永洙, 梁炆承, 蔡秀熙, 金峻渊, 金庆国, 金泽 申请人:三星电子株式会社