专利名称：发光器件及其制造方法
技术领域：
本发明涉及一种发光器件及其制造方法。
背景技术：
发光二极管(LED)是一种将电能转换为光的半导体器件。与诸如荧光灯或辉光灯的传统光源相比，LED在功耗、寿命、响应速度、安全性、以及环保要求方面是有利的。在此方面，已经进行了各种研究来用LED代替传统光源。LED正日益用作诸如各种灯、液晶显示器、电子标识牌、以及街灯等的照明装置的光源。
发明内容
实施例提供了一种能够提高可靠性的发光器件及其制造方法。实施例提供了一种能够防止发光结构损坏(例如破裂)的发光器件及其制造方法。实施例提供了一种能够提高发光效率的发光器件及其制造方法。根据实施例，制造发光器件的方法包括以下步骤在衬底上形成化合物半导体层， 该衬底包括芯片区域和隔离区域；选择性地蚀刻该化合物半导体层，以在芯片区域上形成发光结构并在隔离区域上形成缓冲结构；在发光结构和缓冲结构上形成导电支撑构件；通过使用激光剥离工艺来移除所述衬底；以及对导电支撑构件进行分割，以形成芯片区域的多个芯片，其中，所述缓冲结构与发光结构间隔开。根据实施例，发光器件包括导电支撑构件；芯片区域，所述芯片区域限定所述导电支撑构件上的发光结构；隔离区域，该隔离区域位于导电支撑构件上的多个芯片区域之间；以及至少一个缓冲结构，该至少一个缓冲结构位于所述隔离区域处，其中，所述发光结构和缓冲结构包括第一导电半导体层、有源层、以及第二导电半导体层。
图1是示出根据第一实施例的发光器件的截面图；图2A至图2C是示出图1的发光器件的平面图；图3至图10是示出根据第一实施例的发光器件的制造过程的截面图；图11是示出根据第二实施例的发光器件的截面图；图12是示出根据实施例的包括发光器件的、发光器件封装的截面图；图13是示出根据实施例的显示装置的分解透视图；图14是示出根据实施例的显示装置的视图；并且
图15是示出根据实施例的照明单元的透视图。
具体实施例方式在实施例的描述中，应当理解，当一个层(或膜)、区域、图案、或结构被称为在另一衬底、另一层(或膜)、另一区域、另一垫、或另一图案“上”或“下”时，它可以“直接”或 “间接”位于另一衬底、层(或膜)、区域、垫、或图案上，或者也可以存在有一个或多个中间层。已经参考附图描述了层的这种位置。出于方便或清楚的目的，附图所示的每一层的厚度和尺寸可以被夸大、省略、或示意性绘制。另外，元件的尺寸并不完全反映真实尺寸。图1是示出根据第一实施例的发光器件100的截面图，而图2A至图2C是示出图 1的发光器件100的平面图。参考图1和图2，根据第一实施例的发光器件100包括导电支撑构件160 ；发光结构120，该发光结构120形成在导电支撑构件160上以产生光；以及至少一个缓冲结构180， 该缓冲结构180形成在导电支撑构件160上，使得该缓冲结构180与发光结构120隔开一段预定距离d，并且防止发光结构120在发光器件100的制造过程中损坏。发光结构120包括第一粘附层158 ；反射层157，该反射层157位于第一粘附层 158上；扩散阻挡层159，该扩散阻挡层159位于第一粘附层158和反射层157的侧表面处； 多个化合物半导体层145，所述多个化合物半导体层145形成在反射层157上以发射光；以及电极170，该电极170形成在化合物半导体层145上，以与导电支撑构件160 —起将电力供应到发光结构120。电极170可以包括至少一个电极焊盘。另外，电极170可以具有臂电极结构。缓冲结构180和发光结构120可以具有由相同的层堆叠而成的堆叠结构或具有相同高度。至少一个缓冲结构180可以与发光结构120的侧表面隔开一段预定距离d。例如，距离d可以在大约5μπι至大约50μπι的范围内。另外，缓冲结构180的宽度wl可以在大约5 μ m至大约50 μ m的范围内。然而，该距离d和宽度wl可以根据发光器件100的设计而变化，本实施例不限于此。缓冲结构180可以不产生光，而是吸收在根据本实施例的发光器件100的制造过程中可能出现的冲击，从而能够防止发光结构120损坏。换言之，形成有缓冲结构180，从而能够提高根据实施例的发光器件100的可靠性以及制造该发光器件100的方法的可靠性， 下面将描述其细节。在下文中，将详细描述根据实施例的发光器件100，但仅专注于该发光器件100的部件和操作。在导电支撑构件160与电极170 —起将电力供应到发光结构120的同时，导电支撑构件160对发光结构120和缓冲结构180进行支撑。例如，导电支撑构件160可以包括从由以下项组成的组中选择的至少一个钛 (Ti)、铬(Cr)、镍(Ni)、铝(Al)、钼(Pt)、金(Au)、钨(W)、铜(Cu)、钼(Mo)、以及载具晶圆 (包括 Si、Ge、GaAs、ZnO、SiC、SiGe、或 GaN)。在导电支撑构件160的顶表面上可以形成有第二粘附层161。第二粘附层161可以包括呈现出优异的粘附强度的AuSruAuh或NiSn，以将发光结构120和缓冲结构180牢固地结合到导电支撑构件160上。发光结构120和缓冲结构180可以形成在导电支撑构件160上。缓冲结构180可以与发光结构120的侧表面隔开一段距离d。缓冲结构180和发光结构120可以具有由相同的层堆叠而成的堆叠结构或具有相同高度。如图2A所示，缓冲结构180可以与发光结构120的边缘区域间隔开一段距离d。如图2B和图2C所示，多个缓冲结构180可以设置成彼此分开或者可以彼此一体形成，同时与发光结构120的边缘区域及发光结构120的侧表面间隔开。换言之，“一体形成”是指缓冲结构180彼此不分开，而是彼此沿着发光结构120的每个侧表面连续相连。距离d可以根据缓冲结构180的位置而变化。换言之，缓冲结构180与发光结构 120的边缘区域之间的距离dl可以大于发光结构120的侧表面与缓冲结构180之间的距离 d2。例如，距离d可以在大约5 μ m至大约50 μ m的范围内。在根据本实施例的发光器件100的制造过程中，可以根据所形成的隔离区域的宽度来确定该距离d，所述隔离区域用于以单个芯片为单位对多个芯片进行划分，下面将详细描述其细节。例如，缓冲结构180的宽度wl可以在大约5 μ m至大约30 μ m的范围内。缓冲结构 180的宽度wl可以根据制发光器件100的制造工艺或设计而变化，但本实施例不限于此。另外，缓冲结构180的顶表面可以具有十字形状、圆形、菱形、扇形、半圆形、多边形或环形，但本实施例不限于此。缓冲结构180可以不产生光，而是吸收在根据本实施例的发光器件100的制造过程中可能出现的冲击，从而能够防止发光结构120损坏。详细地，替代该发光结构120，缓冲结构180吸收通过在LLO (激光剥离)过程中使用的激光的能量移除衬底而引起的冲击。换言之，在未采用缓冲结构180的典型LLO工艺中，由于在LLO工艺中使用的激光能量而引起的冲击，在发光结构120的边缘区域或侧表面中可能出现损坏(例如破裂)。相比之下，根据本实施例的发光器件100包括了缓冲结构180来吸收激光能量所引起的冲击， 由此防止了在发光结构120中出现诸如破裂等的损坏。发光结构120和缓冲结构180可以在同一制造工艺中同时形成。在这样的情况下， 上述结构的堆叠结构的至少一部分可以具有彼此相同的层。在下文中，将对实施例进行描述，但仅专注于如下这种情况S卩，上述结构的堆叠结构的至少一部分具有彼此相同的层。然而，缓冲结构180和发光结构120可以通过不同的制造工艺而形成且可以包括不同材料，但本实施例不限于此。发光结构120和缓冲结构180可以包括第一粘附层158 ；反射层157，该反射层 157位于第一粘附层158上；扩散阻挡层159，该扩散阻挡层159位于第一粘附层158及反射层157的侧表面上；以及化合物半导体层145，该化合物半导体层145位于反射层157上。第一粘附层158的材料可以与第二粘附层161的材料相同。例如，第一粘附层158 可以包括呈现出优异的粘附强度的AuSn、AuIn或NiSn。第一粘附层158被结合到第二粘附层161，以将发光结构120和导电支撑构件160牢固地结合到缓冲结构180。反射层157介于化合物半导体层145与导电支撑构件160之间，以反射由发光结构120的化合物半导体层145产生的光。因此，能够提高发光器件100的发光效率。
例如，反射层157可以包括如下项中的一种银(Ag)、银合金、铝(Al)、以及铝合金，但本实施例不限于此。当反射层157不与化合物半导体层145欧姆接触时，可以在反射层157和化合物半导体层145之间另外增加一个欧姆层(未示出)。扩散阻挡层159可以形成在第一粘附层158及反射层157的侧表面上。扩散阻挡层159能够防止第一粘附层158、反射层157、第二粘附层161以及导电支撑构件160由于内部扩散而发生劣化。扩散阻挡层159可以具有多层结构或单层结构， 其包括从由以下项组成的组中选择的至少一个Ti、Ni、W以及Pt，但本实施例不限于此。化合物半导体层145可以形成在反射层157上。化合物半导体层145可以包括III 至V族化合物半导体，并且可以包括具有^iAlyGEt1TyN(0彡χ彡1，0彡y彡1，0彡x+y彡1) 复合化学式的半导体材料，但本实施例不限于此。电极170可以形成在化合物半导体层145的顶表面上，该化合物半导体层145形成在发光结构120中。通过电极170和导电支撑构件160来供应电力，从而能够从化合物半导体层145产生光。例如，化合物半导体层145可以包括第二导电半导体层150 ；有源层140，该有源层140位于第二导电半导体层150上；以及第一导电半导体层130，该第一导电半导体层 130位于有源层140上。例如，第二导电半导体层150可以包括具有P型掺杂物的P型半导体层。该P型半导体层可以包括具有hxAly(iai_x_yN(0彡χ彡1，0彡y彡1，0彡x+y彡1)复合化学式的半导体材料，例如InAlGaN, GaN, AlGaN, InGaN, AlInN, AlN或InN。另外，该P型半导体层可以掺杂有诸如Mg、Zn、Ca、Sr或Ba等的P型掺杂物。有源层140可以形成在第二导电半导体层150上。通过第一导电半导体层130注入的电子(或空穴)可以在有源层140处与通过第二导电半导体层150注入的空穴(或电子)复合，从而有源层140发射如下波长的光，该波长基于根据有源层140的本征材料的能带的带隙差。有源层140可以具有单量子阱结构、多量子阱(MQW)结构、量子线结构或量子点结构，但本实施例不限于此。有源层140可以包括具有Ιη/ ρει^ΜΟ彡χ彡1，0彡y彡1，0彡x+y彡1)复合化学式的半导体材料。如果有源层140具有MQW结构，则有源层140可以具有由多个阱层和多个势垒层堆叠而成的堆叠结构。例如，有源层140可以具有InGaN阱层/GaN势垒层堆叠而成的堆叠结构。在有源层140上和/或下方可以形成有掺杂了 N型或P型掺杂物的包覆层(未示出)。该包覆层可以包括MGaN层或IniUGaN层。第一半导体层130可以形成在有源层140上。第一半导体层130仅包括第一导电半导体层，或者包括形成在第一导电半导体层上的未掺杂的半导体层，但本实施例不限于此。例如，该第一导电半导体层可以包括含有N型掺杂物的N型半导体层。该N型半导体层可以包括具有h/lyGhnNO)彡X彡1，0彡y彡1，0彡x+y ( 1)复合化学式的半导体材料，例如InAlGaN、GaN、AlGaN、AlInN、InGaN、AlN或InN。另外，该N型半导体层可以掺杂有诸如Si、Ge或Sn等的N型掺杂物。由于未掺杂的半导体层未掺杂有导电掺杂物，所以与第二导电半导体层150相比，该未掺杂的半导体层可以具有相当低的导电性，并且可以形成该未掺杂的半导体层来提高第一导电半导体层的结晶性。不同于前述实施例，该第一导电半导体层130也可以包括含有P型掺杂物的P型半导体层，而第二导电半导体层150可以包括含有N型掺杂物的N型半导体层。另外，还可以在第一半导体层130上形成包括N型掺杂物或P型掺杂物的第三导电半导体层(未示出)。因此，发光器件100可以具有如下结构中的至少一种N-P结结构、P-N结结构、N-P-N 结结构、以及P-N-P结结构。第一导电半导体层130和第二导电半导体层150的导电掺杂物的掺杂浓度可以是不规则的或者是均勻的。换言之，化合物半导体层145可以具有各种结构，但本实施例不限于此。在化合物半导体层145的侧表面处可以形成有第一保护层155。第一保护层155 可以包括从由以下项组成的组中选择的至少一个Six0y、Si3N4、SixNy、Si0xNy、Al203、Ti02、& 及MgF2。因此，能够防止化合物半导体层145与导电支撑构件160电气短路。同时，如图1所示，在不产生光的缓冲结构180的侧表面处可以不形成第一保护层 155。在缓冲结构180及发光结构120的侧表面处以及导电支撑构件160上可以形成有第二保护层165。详细地，在第一保护层155的侧表面、扩散阻挡层159的侧表面、以及第二粘附层161的顶表面上可以形成有第二保护层165。可以形成第二保护层165来应对该第一保护层155在发光器件100的制造过程中的损坏。换言之，第二保护层165能够防止发光结构120由于第一保护层155破裂而与导电支撑构件160或缓冲结构180电气短路。第二保护层165可以包括与第一保护层155的材料相同的材料。例如，通过使用从由以下项组成的组中选择的至少一个Si02、SixOy, Si3N4, SixNy、SiOxNy、A1203、TiO2、以及 MgF2，可以通过沉积方案来形成第二保护层165，但本实施例不限于此。在下文中，将详细描述根据实施例的发光器件100的制造过程，并且将不再进一步描述或者将简要描述与前述实施例中相同的结构和部件。图3至图10是示出根据第一实施例的发光器件100的制造过程的视图。参考图3，可以从衬底110上生长出化合物半导体层145。例如，化合物半导体层 145可以包括第一半导体层130 ；有源层140，该有源层140位于第一半导体层130上；以及第二导电半导体层150，该第二导电半导体层150位于有源层140上。可以利用MOCVD (金属有机化学气相沉积)、CVD (化学气相沉积)、PECVD (等离子体增强化学气相沉积)、MBE (分子束外延)、或者HVPE (氢化物气相外延)方案来形成化合物半导体层145，但本实施例不限于此。参考图4和图5A至图5C，化合物半导体层145被选择性地移除，从而可以形成多个第一结构120a和多个第二结构180a。例如，可以通过蚀刻工艺来选择性地移除化合物半导体层145，但本实施例不限于此。通过该制造工艺，第一结构120a和第二结构180a分别形成为发光结构120和缓冲结构180。
第一结构120a之间的宽度、即隔离区域M的宽度χ可以在大约5 μ m至大约IOOym 的范围内，该隔离区域M用于以单个芯片(1芯片)为单位来划分出多个芯片区域，其中每个芯片区域均具有一个芯片。该隔离区域M的宽度χ可以由相邻芯片之间的距离限定。另外，第二结构180a可以形成在隔离区域M的中间部分处，S卩，形成在与隔离区域M的宽度χ 的1/2相对应的区域处。因此，在下述过程中形成的发光结构120和缓冲结构180可以彼此间隔开一段距离d，该距离d大致对应于隔离区域M的宽度χ的1/2。同时，第二结构180a的顶表面可以具有如图5A和图5B所示的圆形或多边形形状，或者可以具有沿着如图5c所示的沿着第一结构120a的侧表面形成的格子形状。然而， 根据本实施例，第二结构180a的形状不限于此。参考图6，反射层157、第一粘附层158、以及扩散阻挡层159形成在第一结构120a 和第二结构180a上，从而能够提供根据实施例的、发光结构120和缓冲结构180。另外，在形成反射层157之前，可以在发光结构120及缓冲结构180的侧表面上形成第一保护层155。参考图7，导电支撑构件160可以形成在发光结构120和缓冲结构180上。例如，能够以片状板的形式来制备导电支撑构件160，并且将导电支撑构件160结合到发光结构120和缓冲结构180。在这样的情况下，第二粘附层161可以形成在导电支撑构件160的底表面上。第二粘附层161可以结合到缓冲结构180和发光结构120的顶表面上的第一粘附层158。参考图8，可以通过LLO(激光剥离)工艺来移除衬底110。该LLO工艺用于通过施加到衬底110的底表面上的激光能量来将化合物半导体层 145与衬底110分离。根据传统的LLO工艺，由于激光能量所引起的冲击，在发光结构的边缘或侧表面处可能出现损坏(例如破裂)。然而，在根据本实施例的发光器件100中，由于形成有缓冲结构180来吸收由激光能量引起的冲击，所以通过缓冲结构180吸收了要施加到发光结构120的边缘区域和侧表面的冲击，由此防止发光结构120中出现损坏(例如破裂)。由于缓冲结构180吸收激光能量，所以缓冲结构180能够防止损坏(例如破裂)。参考图9，在发光结构120及缓冲结构180的侧表面上以及导电支撑构件160上可以形成有第二保护层165。例如，可以沿着移除衬底110时露出的表面、使用沉积工艺来形成第二保护层 165。第二保护层165可以对在LLO工艺中可能损坏的第一保护层155进行补充。电极170可以形成在发光结构120的底表面上。电极170可以具有单层结构或多层结构，其包括从由以下项组成的组中选择的至少一个铝(Al)、钛(Ti)、铬(Cr)、镍(Ni)、 铜(Cu)、以及金(Au)。参考图10，执行芯片分离工艺，以单个芯片(1芯片)为单位来划分多个芯片，从而能够提供根据本实施例的发光器件100。该芯片分离工艺可以包括如下工艺中的至少一种使用刀具进行的裂片工艺、包括干法蚀刻工艺或湿法蚀刻工艺在内的蚀刻工艺、以及使用激光的激光划片工艺，但本实施例不限于此。通过该芯片分离工艺，可以沿着芯片边界分离或移除缓冲结构180。图11是示出根据第二实施例的发光器件的截面图。除了根据第二实施例的缓冲结构180包括齐纳器件之外，第二实施例具有与第一实施例相同的结构。因此，在第二实施例中，将使用相同的附图标记来表示与第一实施例中相同的元件，并且将省略其细节。参考图11，根据第二实施例的发光器件200包括导电支撑构件160 ；发光结构 120，该发光结构120形成在导电支撑构件160上以产生光；以及至少一个缓冲结构180，该至少一个缓冲结构180位于导电支撑构件160上，与发光结构120间隔开一段距离d，以防止发光结构120在发光器件200的制造过程中损坏。发光结构120可以包括第一粘附层158 ；反射层157，该反射层157位于第一粘附层158上；扩散阻挡层159，该扩散阻挡层159位于第一粘附层158及反射层157的侧表面上；化合物半导体层145，该化合物半导体层145位于反射层157上以发射光；以及电极 170，该电极170形成在化合物半导体层145上，以与导电支撑构件160 —起将电力供应到发光结构120。缓冲结构180和发光结构120可以具有由相同的层堆叠而成的堆叠结构，或者可以具有相同高度。例如，缓冲结构180可以包括第一粘附层158和化合物半导体层145。至少一个缓冲结构180可以与发光结构120的侧表面间隔开一段距离d。缓冲结构180可以不产生光。而是，缓冲结构180吸收在根据实施例的发光器件 100的制造过程中可能出现的冲击，以防止发光结构120损坏。换言之，形成该缓冲结构 180，从而能够提高根据实施例的发光器件200及其制造方法的可靠性。在导电支撑构件160与电极170 —起将电力供应到发光结构120的同时，导电支撑构件160对发光结构120和缓冲结构180进行支撑。发光结构120和缓冲结构180可以在同一制造工艺中同时形成。在这样的情况下， 上述发光结构120和缓冲结构180的堆叠结构的至少一部分可以是彼此相同的层。在发光结构120及缓冲结构180的侧表面上以及导电支撑构件160上可以形成有第二保护层165。详细地，在第一保护层155的侧表面、扩散阻挡层159的侧表面、以及第二粘附层161上可以形成有第二保护层165。绝缘层210可以在发光结构120和缓冲结构180之间形成在第二粘附层161上， 或者形成在导电支撑构件160上。绝缘层210可以形成在发光结构120的第二保护层165 的侧表面、导电支撑构件160或第二粘附层161的顶表面、以及缓冲结构180的反射层157 及第一粘附层158的侧表面上。绝缘层210可以包括从由以下项组成的组中选择的至少一个Si02、SixOy, Si3N4, SixNy、SiOxNy、A1203、TiO2,以及 MgF20缓冲结构180可以包括齐纳器件。为此，第一齐纳电极220和第二齐纳电极230 可以电连接到缓冲结构180。第一齐纳电极220可以电连接到缓冲结构180的第二导电半导体层150。第一齐纳电极220可以与缓冲结构180的第二导电半导体层150的侧表面接触。与第二导电半导体层150连接的第一齐纳电极220可以电连接到发光结构120的第一导电半导体层130。第一齐纳电极220可以在缓冲结构180的第二导电半导体层150与发光结构120 的第一导电半导体层130之间形成在绝缘层210和第二保护层165上。绝缘层210可以具有与第二保护层165相同的材料，但本实施例不限于此。第二齐纳电极230可以电连接到缓冲结构180的第一导电半导体层130。第二齐纳电极230可以电连接到缓冲结构180的第一导电半导体层130以及导电支撑构件160。第二齐纳电极230形成在第二保护层165上，并且可以穿过第二粘附层161电连接到导电支撑构件160。通过第二齐纳电极230，第二保护层165能够防止第一导电半导体层130与第二导电半导体层150电气短路。第一齐纳电极220和第二齐纳电极230可以包括与发光结构120相同的材料，或者可以包括与发光结构120不同的材料。例如，第一齐纳电极220和第二齐纳电极230可以具有单层结构或多层结构，其包括从由以下项组成的组中选择的至少一个:A1、Ti、Cr、Ni、 Cu、以及Au。如上所述，因为缓冲结构180包括齐纳器件，如果施加大的反向电压，则电流流向缓冲结构180的齐纳器件。因此，电流没有流向发光结构120，由此防止发光结构120损坏。图12是根据实施例的包括发光器件的发光器件封装30。参考图12，发光器件封装30包括主体20 ；安装在主体20中的第一引线电极31 和第二引线电极32 ；发光器件100，该发光器件100设置在主体20上并且电连接到第一引线电极31和第二引线电极32 ；以及成型构件40，该成型构件40包围主体20上的发光器件 100。主体20可以包括硅、合成树脂或金属材料。当从顶部观察时，主体20具有如下腔体该腔体具有敞口上部并且形成有倾斜内壁。第一引线电极31和第二引线电极32彼此电气隔离，并且穿过主体20。详细地，第一引线电极31和第二引线电极32的一端布置在腔体50中，而第一引线电极31和第二引线电极32的另一端附着到主体20的外表面并暴露于外部。第一引线电极31和第二引线电极32将电力供应到发光器件100，并且通过反射从发光器件100发射的光来提高光效率。此外，第一引线电极31和第二引线电极32将发光器件100产生的热量散发到外部。发光器件100能够安装在主体20上，或者安装在第一引线电极31或第二引线电极32上。成型构件40包围发光器件100，以保护该发光器件100。另外，成型构件40可以包括荧光材料，以通过该荧光材料来改变从发光器件100发射的光的波长。根据实施例的发光器件或发光器件封装可以应用于灯单元。该灯单元具有由多个发光器件或多个发光器件封装排列而成的阵列结构。该灯单元可以包括如图13和图14所示的显示装置以及如图15所示的照明装置。另外，灯单元可以包括照明灯、信号灯、车辆头灯、以及电子标识牌。
图13是示出根据实施例的显示装置的分解透视图。参考图13，显示装置1000包括导光板1041 ；发光模块1031，该发光模块1031用于将光提供给导光板1041 ；反射构件1022，该反射构件1022设置在导光板1041下方；光学片1051，该光学片1051设置在导光板1041上方；显示面板1061，该显示面板1061设置在光学片1051上方；以及底盖1011，该底盖1011用于容纳导光板1041、发光模块1031、以及反射构件1022。然而，本实施例不限于上述结构。底盖1011、反射构件1022、导光板1041以及光学片1051可以组成灯单元1050。导光板1041使从发光模块1031供应的光扩散，以提供表面光。导光板1041可以包括透明材料。例如，导光板1041可以包括如下项中的一种诸如PMMA(聚甲基丙烯酸甲酯)等的丙烯基树脂、PET (聚对苯二甲酸乙二酯)、PC (聚碳酸酯)、C0C (环烯烃共聚合物) 以及PEN(聚萘二甲酸乙二酯)树脂。发光模块1031布置在导光板1041的一侧，以将光供应给导光板1041的至少一侧。发光模块1031用作该显示装置的光源。至少一个发光模块1031设置成从导光板1041的一侧直接或间接供应光。发光模块1031可以包括根据上述实施例的发光器件封装30和基板1033。多个发光器件封装30 布置在基板1033上，同时以预定的间隔彼此隔开。基板1033可以包括印刷电路板(PCB)， 但本实施例不限于此。另外，基板1033还可以包括金属芯PCB (MCPCB)或柔性PCB (FPCB)， 但本实施例不限于此。如果发光器件封装30安装在底盖1011的侧面或安装在散热板上， 则可以省略该基板1033。该散热板部分地接触底盖1011的顶表面。因此，由发光器件封装 30产生的热量能够通过散热板散发到底盖1011。另外，发光器件封装30布置成使得发光器件封装30的出光表面与导光板1041间隔开一段预定距离，但本实施例不限于此。发光器件封装30可以将光直接或间接地供应给光入射表面(它是导光板1041的一个侧面)，但本实施例不限于此。反射构件1022布置在导光板1041下方。反射构件1022把穿过导光板1041的底表面向下行进的光朝着显示面板1061反射，由此提高显示面板1061的亮度。例如，反射构件1022可以包括PET、PC或PVC树脂，但本实施例不限于此。反射构件1022可以用作底盖 1011的顶表面，但本实施例不限于此。底盖1011可以将导光板1041、发光模块1031以及反射构件1022容纳在其内。为此，底盖1011具有盒形形状的容纳部1012，该盒形形状具有敞口的顶表面，但本实施例不限于此。底盖1011能够与顶盖(未示出)联接，但本实施例不限于此。能够通过使用金属材料或树脂材料，通过压制工艺或挤出工艺来制造底盖1011。 另外，底盖1011可以包括具有优异导热性的金属或非金属材料，但本实施例不限于此。例如，显示面板1061是IXD面板，它包括彼此相对的第一透明基板和第二透明基板，以及介于该第一基板和第二基板之间的液晶层。偏振板能够附接到显示面板1061的至少一个表面，但本实施例不限于此。显示面板1061通过阻挡从发光模块1031产生的光或者允许该光穿过来显示信息。显示装置1000能够应用于各种便携式终端、笔记本计算机的监视器、膝上电脑的监视器、以及电视。光学片1051布置在显示面板1061和导光板1041之间，并且至少包括一个透射片。例如，光学片1051包括如下项中的至少一种漫射片、水平和竖直棱镜片、以及亮度增强片。该漫射片使入射光漫射，水平和竖直棱镜片使入射光集中到显示面板1061上，而亮度增强片通过重新使用所损耗的光来提高亮度。另外，在显示面板1061上可以设置有保护片，但本实施例不限于此。导光板1041和光学片1051能够设置在发光模块1031的光路径中以作为光学构件，但本实施例不限于此。图14是示出根据实施例的显示装置的截面图。参考图14，显示装置1100包括底盖1152、基板1120、光学构件1154、以及显示面板1155，发光器件封装30布置在该基板1120上。基板1120和发光器件封装30可以组成发光模块1060。另外，底盖1152、至少一个发光模块1060、以及光学构件IlM可以构成灯单元(未示出)。底盖1152可以设置有容纳部1153，但本实施例不限于此。光学构件IlM可以包括如下项中的至少一个透镜、导光板、漫射片、水平和竖直棱镜片、以及亮度增强片。该导光板可以包括PC或PMMA(聚甲基丙烯酸甲酯)。该导光板可以省略。该漫射片使入射光漫射，水平和竖直棱镜片使入射光集中到显示面板1巧5上， 而亮度增强片通过重新使用所损耗的光来提高亮度。光学构件IlM布置在发光模块1060上方，以将从发光模块1060发射的光转换为表面光。另外，光学构件IlM可以漫射或聚集光。图15是示出根据实施例的照明装置的透视图。参考图15，照明装置1500包括外壳1510 ；发光模块1530，该发光模块1530安装在外壳1510中；以及连接端子1520，该连接端子1520安装在外壳1510中以从外部电源接收电力。优选地，外壳1510包括具有优异散热性的材料。例如，外壳1510包括金属材料或树脂材料。发光模块1530可以包括基板1532和安装在该基板1532上的发光器件封装30。 这些发光器件封装30彼此间隔开或者布置成矩阵的形式。基板1532包括印制有电路图案的绝缘构件。例如，基板1532包括普通PCB、MCPCB、 FPCB、陶瓷 PCB、FR-4 基板。另外，基板1532可以包括能够有效反射光的材料。在基板1532的表面上可以形成有涂层。这时，该涂层具有能够有效反射光的白色或银色。至少一个发光器件封装30安装在基板1532上。每个发光器件封装30可以包括至少一个LED(发光二极管)芯片。该LED芯片可以包括发射红色光、绿色光、蓝色光或白色光等可见光带的光的LED，以及发射UV光的UV (紫外线)LED。发光模块1530的发光器件封装30能够不同地布置，以提供多种颜色和亮度。例如，能够布置白光LED、红光LED以及绿光LED来实现高显色指数(CRI)。连接端子1520电连接到发光模块1530，以将电力提供给发光模块1530。连接端子1520具有与外部电源螺纹联接的插座形状，但本实施例不限于此。例如，能够以插入到外部电源中的插头的形式来制备该连接端子1520，或者该连接端子1520可通过电线连接到外部电源。根据实施例，发光器件包括与发光结构间隔开的至少一个缓冲结构，由此防止发光结构由于在LLO工艺中施加的冲击而损坏(例如，破裂)。根据实施例，在与发光结构的每个侧表面或每个边缘区域间隔开的同时，所述缓冲结构可以彼此分开或彼此一体形成。上文已经描述过该“一体形成”。如上所述，充分地确保了这些缓冲结构，从而能够防止发光结构破裂。因此，能够提高发光结构的可靠性。根据实施例，缓冲结构和发光结构具有由相同的层堆叠而成的堆叠结构，从而能够容易地执行制造工艺。根据实施例，第一保护层设置在化合物半导体层的侧表面上，从而能够防止该化合物半导体层与导电支撑构件电气短路。根据实施例，第一粘附层和第二粘附层形成在导电支撑构件和化合物半导体层之间，从而能够使化合物半导体和导电支撑构件之间的粘附性能最大化。根据实施例，反射层设置在第一粘附层和第二粘附层上，从而向上反射由化合物半导体层发射的光，由此提高发光效率。根据实施例，发光器件设置在与隔离区域的宽度的大约1/2相对应的区域处，由此防止发光结构由于LLO工艺中施加的冲击而损坏(例如，破裂)。在本说明书中对于“一个实施例”、“一实施例”、“示例性实施例”等的任何引用均意味着结合该实施例描述的特定特征、结构或特性被包括在本发明的至少一个实施例中。 在说明书中各处出现的这类短语不必都指向同一实施例。此外，当结合任一实施例描述特定特征、结构或特性时，认为结合这些实施例中的其它实施例来实现这样的特征、结构或特性也是本领域技术人员所能够想到的。虽然已经参照本发明的多个示例性实施例描述了实施例，但应当理解，本领域的技术人员可以想到许多将落入本公开原理的精神和范围内的其它修改和实施例。更特别地，在本公开、附图和所附权利要求的范围内，主题组合布置结构的组成部件和/或布置结构方面的各种变化和修改都是可能的。对于本领域的技术人员来说，除了组成部件和/或布置结构方面的变化和修改之外，替代用途也将是显而易见的。
权利要求
1.一种制造发光器件的方法，包括在衬底上形成化合物半导体层，所述衬底包括芯片区域和隔离区域； 选择性地蚀刻所述化合物半导体层，以在所述芯片区域上形成发光结构并在所述隔离区域上形成缓冲结构；在所述发光结构和所述缓冲结构上形成导电支撑构件； 通过使用激光剥离工艺来移除所述衬底；以及对所述导电支撑构件进行分割，以形成所述芯片区域的多个芯片， 其中，所述缓冲结构与所述发光结构间隔开。
2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述缓冲结构包括与所述发光结构的边缘区域间隔开的至少一个结构。
3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述缓冲结构包括与所述发光结构的侧表面及边缘区域间隔开的多个结构。
4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述缓冲结构包括沿着所述发光结构的侧表面平行地连续形成的一个结构。
5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述发光结构和所述缓冲结构包括相同的层。
6.根据权利要求1所述的方法，还包括以下步骤 在所述发光结构的侧表面上形成保护层；以及在所述发光结构上形成电极。
7.根据权利要求1所述的方法，其中，所述缓冲结构位于与所述隔离区域的宽度的1/2 相对应的区域处。
8.一种发光器件，包括 导电支撑构件；芯片区域，所述芯片区域限定所述导电支撑构件上的发光结构； 隔离区域，所述隔离区域位于所述导电支撑构件上的所述芯片区域之间；以及至少一个缓冲结构，所述至少一个缓冲结构位于所述隔离区域处， 其中，所述发光结构和所述缓冲结构包括第一导电半导体层、有源层、以及第二导电半导体层。
9.根据权利要求8所述的发光器件，其中，所述缓冲结构与所述发光结构的边缘区域间隔开，并且所述缓冲结构彼此分开。
10.根据权利要求8所述的发光器件，其中，所述缓冲结构与所述发光结构的侧表面及边缘区域间隔开，并且所述缓冲结构沿着所述发光结构的侧表面形成在一条直线上。
11.根据权利要求8所述的发光器件，其中，所述发光结构和所述缓冲结构之间的距离在5μπι至50μπι的范围内。
12.根据权利要求8所述的发光器件，其中，所述缓冲结构的宽度在5μ m至30 μ m的范围内。
13.根据权利要求8所述的发光器件，其中，所述发光结构还包括第一保护层，所述第一保护层位于所述第一导电半导体层、所述有源层以及所述第二导电半导体层的侧表面上。
14.根据权利要求8所述的发光器件，其中，所述发光结构和所述缓冲结构还包括第一粘附层，所述第一粘附层位于所述导电支撑构件上； 第二粘附层，所述第二粘附层位于所述第一粘附层上； 反射层，所述反射层位于所述第二粘附层上；以及扩散阻挡层，所述扩散阻挡层位于所述第二粘附层及所述反射层的侧表面上。
15.根据权利要求14所述的发光器件，还包括第二保护层，所述第二保护层位于所述缓冲结构及所述发光结构的侧表面上。
16.根据权利要求8所述的发光器件，其中，所述缓冲结构位于与所述隔离区域的宽度的1/2相对应的区域处。
17.根据权利要求16所述的发光器件，其中，所述隔离区域的宽度在5μ m至100 μ m的范围内。
18.根据权利要求8所述的发光器件，其中，所述缓冲结构与所述发光结构的侧表面及边缘区域间隔开，并且所述缓冲结构彼此一体形成。
全文摘要
本发明公开了一种发光器件及其制造方法，其包括以下步骤在衬底上形成化合物半导体层，该衬底包括芯片区域和隔离区域；选择性地蚀刻该化合物半导体层，以在芯片区域上形成发光结构并在隔离区域上形成缓冲结构；在发光结构和缓冲结构上形成导电支撑构件；通过使用激光剥离工艺来移除所述衬底；以及对导电支撑构件进行分割，以形成芯片区域的多个芯片，其中，所述缓冲结构与发光结构间隔开。
文档编号H01L33/02GK102194932SQ201110058560
公开日2011年9月21日 申请日期2011年3月8日 优先权日2010年3月8日
发明者宋俊午, 宋大正, 崔光基, 朴径旭, 郑泳奎 申请人:Lg伊诺特有限公司