1.一种纳米线场效应晶体管的形成方法，其特征在于，包括：
提供基底，所述基底上形成有锗层和锗锡层交替堆叠的堆叠结构，且每一层锗锡层位于相应层的锗层表面上方，所述堆叠结构包括纳米线区域、分别位于纳米线区域两侧的源极区域和漏极区域；
在所述堆叠结构上形成图形化的掩膜层，所述图形化的掩膜层暴露出堆叠结构的纳米线区域的部分表面；
进行各向异性的第一刻蚀工艺，刻蚀去除纳米线区域的部分顶层锗锡层，形成顶层纳米线；
进行各向同性的第二刻蚀工艺，刻蚀去除顶层纳米线底部的一层锗层，形成凹槽，使得顶层纳米线悬空；
循环进行各向异性的第一刻蚀工艺和各向同性的第二刻蚀工艺，依次循环刻蚀下层的锗锡层和锗层，形成相应的下层纳米线以及形成使得对应的下层纳米线悬空的凹槽。
2.如权利要求1所述的纳米线场效应晶体管的形成方法，其特征在于，所述各向异性的第一刻蚀工艺为干法刻蚀工艺。
3.如权利要求2所述的纳米线场效应晶体管的形成方法，其特征在于，所述各向异性的第一刻蚀工艺采用的气体包括Cl2和O2，Cl2的流量为50～500sccm，O2的流量0～100sccm，腔室压力为50～200mtorr，射频源功率为100～1000W，偏置源功率为0～500W，刻蚀时的占空比为10％～100％，频率为0.1Khz～100Khz。
4.如权利要求3所述的纳米线场效应晶体管的形成方法，其特征在于，每一层锗锡层的厚度为5～10nm。
5.如权利要求4所述的纳米线场效应晶体管的形成方法，其特征在于，所述干法刻蚀工艺的时间为10～60S。
6.如权利要求1所述的纳米线场效应晶体管的形成方法，其特征在于，进行干法刻蚀工艺时，过刻蚀去除底部部分厚度的锗层。
7.如权利要求1所述的纳米线场效应晶体管的形成方法，其特征在于，各向同性的第二刻蚀工艺为微波刻蚀工艺或湿法刻蚀工艺。
8.如权利要求7所述的纳米线场效应晶体管的形成方法，其特征在于，所述微波刻蚀工艺采用的气体包括CF4，微波源的功率为500～2000W，微波源的频率为2～3Ghz，腔室压力为100-1000mTorr，CF4的流量为50～500sccm。
9.如权利要求8所述的纳米线场效应晶体管的形成方法，其特征在于，每一层锗层的厚度为5～500nm。
10.如权利要求9所述的纳米线场效应晶体管的形成方法，其特征在于，所述微波刻蚀工艺的时间为10～60S。
11.如权利要求1所述的纳米线场效应晶体管的形成方法，其特征在于，所述掩膜层的材料为硅。
12.如权利要求2所述的纳米线场效应晶体管的形成方法，其特征在于，所述硅掩膜层的顶部表面晶向指数为(110)，垂直于顶部表面方向的晶面指数为(111)。
13.如权利要求12所述的纳米线场效应晶体管的形成方法，其特征在于，图形化所述硅掩膜层的工艺为湿法刻蚀。
14.如权利要求13所述的纳米线场效应晶体管的形成方法，其特征在于，所述湿法刻蚀采用的刻蚀溶液为TMAH溶液。
15.如权利要求14所述的纳米线场效应晶体管的形成方法，其特征在于，所述TMAH溶液的质量百分比浓度为1％～5％。
16.如权利要求1所述的纳米线场效应晶体管的形成方法，其特征在于，在纳米线的表面形成栅介质层，在栅介质层上形成栅电极。
17.如权利要求16所述的纳米线场效应晶体管的形成方法，其特征在于，在栅电极的侧壁形成侧墙。
18.如权利要求17所述的纳米线场效应晶体管的形成方法，其特征在于，在栅电极和侧墙两侧的源区区域和漏区区域注入杂质离子，形成源区和漏区。
19.如权利要求1所述的纳米线场效应晶体管的形成方法，其特征在于，所述 堆叠结构中锗层和锗锡层的层数均≥2层。
20.如权利要求19所述的纳米线场效应晶体管的形成方法，其特征在于，所述堆叠结构中锗层和锗锡层的层数均为3层，包括位于基底上的第一锗层、位于第一锗层上的第一锗锡层、位于第一锗锡层上的第二锗层、位于第二锗层上的第二锗锡层、位于第二锗锡层上的第三锗层、位于第三锗层上的第三锗锡层。