技术总结
一种纳米线场效应晶体管的形成方法，包括：提供基底，所述基底上形成有锗层和锗锡层交替堆叠的堆叠结构，堆叠结构包括纳米线区域、分别位于纳米线区域两侧的源极区域和漏极区域；在所述堆叠结构上形成图形化的掩膜层，所述图形化的掩膜层暴露出堆叠结构的纳米线区域的部分表面；进行干法刻蚀工艺，刻蚀去除纳米线区域的部分顶层锗锡层，形成顶层纳米线；进行微波刻蚀工艺，刻蚀去除顶层纳米线底部的一层锗层，形成凹槽，使得顶层纳米线悬空；循环进行各向异性的第一刻蚀工艺和各向同性的第二刻蚀工艺，依次刻蚀下层的锗锡层和锗层，形成相应的下层纳米线以及形成使得对应的下层纳米线悬空的凹槽。本发明的方法使得每一层的纳米线尺寸保持一致。
技术研发人员：张海洋
受保护的技术使用者：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
文档号码：201510136675
技术研发日：2015.03.26
技术公布日：2016.11.23