传片基板保护方法与流程

本发明涉及液晶显示制造技术领域，特别是涉及一种传片基板保护方法。

背景技术

随着液晶显示面板的品质提升，tft(thinfilmtransistor，薄膜晶体管)的阵列分布的精准性直接影响液晶显示面板的显示画质，其中tft的刻蚀采用等离子刻蚀机来完成。而在恢复、清洁完毕及新工艺导入前，需要用传片基板确认设备的稳定性，在传片的过程中由于要开启rf(radiofrequency)射频电源，射频电源产生的等离子轰击传片基板的表面，使得传片基板在rf能量的作用下传片5次左右，边缘容易出现发白的现象，传片基板一旦出现边缘发白的现象，篮子内的传感器便会感应不到传片基板，使得机械手无法取出传片基板。

出现这种情况后，传片基板只能报废，由于一片传片基板使用5次左右就要报废，使得传片基板的使用寿命较短，无形中提高了生产成本。

技术实现要素：

基于此，有必要提供一种延长传片基板使用寿命的传片基板保护方法。

一种传片基板保护方法，包括：对表面涂覆有保护膜的传片基板进行一次干法刻蚀，并获取传片基板的当前状态条件；判断传片基板的当前状态条件是否满足预设条件，当传片基板的当前状态条件满足预设条件，则对传片基板的表面进行脱膜处理；在传片基板的表面重新涂覆一层第一膜厚值的保护膜；将传片基板放置于闲置区内以待下一次干法刻蚀。

在其中一个实施例中，所述保护膜的材质包括光刻胶。

在其中一个实施例中，所述判断传片基板的当前状态条件是否满足预设条件之后还包括：当传片基板的当前状态条件不满足预设条件，将传片基板放置于闲置区内以待下一次干法刻蚀。

在其中一个实施例中，所述第一膜厚值为15000～25000埃。

在其中一个实施例中，所述当前状态条件包括累计刻蚀次数，所述预设条件包括预设刻蚀次数。

在其中一个实施例中，所述判断传片基板的当前状态条件是否满足预设条件，当传片基板的当前状态条件满足预设条件，则对传片基板的表面进行脱膜处理包括：判断累计刻蚀次数是否大于预设刻蚀次数，当累计刻蚀次数大于预设刻蚀次数，则对传片基板的表面进行脱膜处理。

在其中一个实施例中，所述预设刻蚀次数为17～30次。

在其中一个实施例中，所述当前状态条件包括保护膜的当前膜厚值，所述预设条件包括第二膜厚值。

在其中一个实施例中，所述判断传片基板的当前状态条件是否满足预设条件，当传片基板的当前状态条件满足预设条件，则对传片基板的表面进行脱膜处理包括：判断保护膜的当前膜厚值是否小于第二膜厚值，当保护膜的当前膜厚值小于第二膜厚值，则对传片基板的表面进行脱膜处理。

在其中一个实施例中，所述第二膜厚值为800～1600埃。

上述传片基板保护方法，通过在传片基板上涂覆一层光刻胶，光刻胶作为吸收射频电源发射的能量的保护层，使得传片基板在反应腔室内进行等离子刻蚀时可以避免被等离子体直接轰击基板表面，从而避免了传片基板经过多次传片后便会产生发白的现象，进而延长了传片基板的使用寿命。

附图说明

图1为一实施例的传片基板保护方法的流程示意图；

图2为另一实施例的传片基板保护方法的流程示意图；

图3为又一实施例的传片基板保护方法的流程示意图。

具体实施方式

为了便于理解本发明，下面将参照相关附图对本发明进行更全面的描述。附图中给出了本发明的较佳实施方式。但是，本发明可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施方式。相反地，提供这些实施方式的目的是使对本发明的公开内容理解的更加透彻全面。

需要说明的是，当元件被称为“设置于”另一个元件，它可以直接在另一个元件上或者也可以存在居中的元件。当一个元件被认为是“连接”另一个元件，它可以是直接连接到另一个元件或者可能同时存在居中元件。本文所使用的术语“垂直的”、“水平的”、“左”、“右”以及类似的表述只是为了说明的目的，并不表示是唯一的实施方式。

除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本发明的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本发明的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施方式的目的，不是旨在于限制本发明。本文所使用的术语“及/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。

本发明涉及一种传片基板保护方法。例如，一种传片基板保护方法，包括：对表面涂覆有保护膜的传片基板进行一次干法刻蚀，并获取传片基板的当前状态条件；判断传片基板的当前状态条件是否满足预设条件，当传片基板的当前状态条件满足预设条件，则对传片基板的表面进行脱膜处理；在传片基板的表面重新涂覆一层第一膜厚值的保护膜；将传片基板放置于闲置区内以待下一次干法刻蚀。上述传片基板保护方法，通过在传片基板上涂覆一层光刻胶，光刻胶作为吸收射频电源发射的能量的保护层，使得传片基板在反应腔室内进行等离子刻蚀时可以避免被等离子体直接轰击基板表面，从而避免了传片基板经过多次传片后便会产生发白的现象，进而延长了传片基板的使用寿命。

下面结合附图描述根据本发明实施例的传片基板保护方法。

请参阅图1，其为本发明一实施例的传片基板保护方法的流程示意图。

一种传片基板保护方法包括如下步骤：

步骤110：对表面涂覆有保护膜的传片基板进行一次干法刻蚀，并获取传片基板的当前状态条件。

所述传片基板通过机械手臂传送至反应腔室内，待干法刻蚀完成之后，等离子刻蚀机记录并存储当前所述传片基板的状态数据，所述传片基板的当前状态数据用于判断所述保护膜是否即将耗尽，即所述传片基板的当前状态数据用于直接或者间接获取所述保护膜的厚度值。

在本实施例中，所述保护膜附着于所述传片基板上，当所述传片基板传送至反应腔室内时，射频电源产生高能量的离子团，其中最为活跃的电子附着于所述保护膜上，正离子在电场的作用下朝向所述保护膜运动，并轰击所述保护膜的表面。所述保护膜充当与正离子接触的表面层，所述保护膜避免了正离子直接与所述传片基板之间的碰撞，避免了所述传片基板被等离子体直接轰击基板表面，即避免了所述传片基板出现发白的情况。所述保护膜具有吸收能量的功能，而为了降低制造成本，所述保护膜的材质为光刻胶，光刻胶作为液晶显示制造领域内较为常见的树脂材料，其获取途径较为方便。而且，在显示面板的制作过程中，采用曝光线中的涂覆单元进行光刻胶的涂覆，使得在所述传片基板上进行光刻胶的涂覆更加方便，从而降低了制作成本。在其他实施例中，所述保护膜还包括树脂、酸脂以及乳胶中的至少一种，其作用与光刻胶一样，均为吸收射频电源发射的等离子的电荷能量，此处不再赘述。

步骤120：判断传片基板的当前状态条件是否满足预设条件，当传片基板的当前状态条件满足预设条件，则对传片基板的表面进行脱膜处理。

在一个实施例中，请参阅图2，步骤120包括如下步骤：

步骤121：判断累计刻蚀次数是否大于预设刻蚀次数；

步骤122：当累计刻蚀次数大于预设刻蚀次数，则对传片基板的表面进行脱膜处理。

其中，所述累计刻蚀次数为传片基板涂覆有保护膜后进行干法刻蚀的次数，即每进行一次传片工艺进行一次干法刻蚀，并将上一次累计的刻蚀次数进行加一以获得当前累计刻蚀次数。当每进行一次传片工艺之后，将所述预设刻蚀次数和当前获取的累计刻蚀次数比较，即当前获取的累计刻蚀次数与所述预设刻蚀次数进行作差处理，也即所述预设刻蚀次数减去当前获取的累计刻蚀次数。如若，累计刻蚀次数大于预设刻蚀次数，即所述预设刻蚀次数减去累计刻蚀次数为负数，则对传片基板的表面进行脱膜处理，从而便于后续进行重新贴膜。

在本实施例中，由于所述传片基板的传片工艺的操作时间是固定的，而在所述传片基板的传片工艺中只进行一次干法刻蚀，通过记录所述传片基板的刻蚀次数，从而计算出所述传片基板上的所述保护膜的剩余厚度值，进而便于与预设条件的判断。

所述传片基板的当前状态条件为累计刻蚀次数，即所述传片基板的当前状态条件为传片工艺次数的累加，也即通过计算操作时间与单次传片工艺时间的比值获取刻蚀总次数，而每一次传片工艺中的干法刻蚀对所述保护膜的消减厚度值是固定值，例如，单次传片工艺所述保护膜的消减厚度值为750～1600埃；又如，单次传片工艺所述保护膜的消减厚度值为800埃。根据累计刻蚀次数即可获取所述保护膜的当前厚度值，以便在所述保护膜完全消减之前进行相应的脱膜和重新贴膜操作。

所述预设条件为预设刻蚀次数，根据所述第一膜厚值与单次传片工艺所述保护膜的消减厚度值之间的比值，从而获取所述预设刻蚀次数，而且，所述预设刻蚀次数比实际计算出来的所述第一膜厚值与单次传片工艺所述保护膜的消减厚度值之间的比值小，例如，所述预设刻蚀次数比实际计算出来的所述第一膜厚值与单次传片工艺所述保护膜的消减厚度值之间的比值小1。这样，使得所述保护膜在下一次传片工艺消耗完毕之前进行脱膜和重新贴膜的处理，从而避免所述传片基板表面直接与等离子碰撞而产生发白的情况。

在本实施例中，所述第一膜厚值根据射频电源的功率决定，所述预设刻蚀次数根据所述第一膜厚值和单次传片工艺所述保护膜的消减厚度值决定，例如，所述第一膜厚值为15000～25000埃，则所述预设刻蚀次数为17～30次；又如，所述第一膜厚值为20000～25000埃，则所述预设刻蚀次数为24～30次；又如，所述第一膜厚值为25000埃，则所述预设刻蚀次数为30次。

步骤121之后还包括如下步骤：

当传片基板的当前状态条件不满足预设条件，将传片基板放置于闲置区内以待下一次干法刻蚀。

所述传片基板的当前状态条件为累计刻蚀次数，所述预设条件为预设刻蚀次数。当所述传片基板的累计刻蚀次数小于所述预设刻蚀次数时，所述传片基板被机械手臂传输至闲置区，即当传片基板的当前状态条件不满足预设条件，执行步骤140，以便于进行下一次传片工艺的干法刻蚀。而由于所述保护膜未被完全刻蚀，即所述传片基板上残留有一定厚度的所述保护膜，使得射频电源产生的等离子无法直接轰击所述传片基板的表面，从而避免了所述传片基板被等离子体直接轰击基板表面，进而避免了所述传片基板上出现发白的情况。这样，在进行下一次干法刻蚀时，所述传片基板易于被闲置区内的传感器识别，使得所述传片基板易于被机械手臂抓取并送至反应腔室内，从而便于对所述传片基板的使用。

在另一实施例中，通过膜厚测试仪对所述传片基板上的保护膜的厚度进行实时监测，以确保所述传片基板的重复使用。

请参阅图3，步骤120包括如下步骤：

步骤125：判断保护膜的当前膜厚值是否小于第二膜厚值；

步骤126：当保护膜的当前膜厚值小于第二膜厚值，则对传片基板的表面进行脱膜处理。

所述当前状态条件包括保护膜的当前膜厚值，当每完成一次传片工艺，膜厚测试仪对所述传片基板上的保护膜进行厚度检测，将获取的厚度值覆盖上一次记录的厚度值，并将其更新为所述保护膜的当前厚度值。

所述预设条件包括第二膜厚值，由于每进行一次传片工艺所述保护膜的消减厚度值为固定数值，膜厚测试仪对所述保护膜的当前厚度的实时检测，通过所述保护膜的当前厚度值与所述第二膜厚值的比较，即所述保护膜的当前厚度值与所述第二膜厚值作差，也即所述保护膜的当前厚度值减去所述第二膜厚值。如若，所述保护膜的当前膜厚值小于第二膜厚值，即所述保护膜的当前厚度值减去所述第二膜厚值为负数，则对传片基板的表面进行脱膜处理，以便于后续进行重新贴膜处理。

其中，为了避免由于干刻设备的不稳定产生的过度刻蚀的情况，即干刻设备刻蚀所述保护膜的厚度大于每进行一次传片工艺所述保护膜的消减厚度值为固定数值，所述第二膜厚值大于每进行一次传片工艺所述保护膜的消减厚度值，例如，所述第二膜厚值为800～1600埃；又如，所述第二膜厚值为900～1200埃；又如，所述第二膜厚值为1000埃。为了确保所述保护膜在最后一次被完全消减之前，单次传片工艺所述保护膜的消减厚度值不大于所述第二膜厚值。这样，当进行完最后一次干法刻蚀之后，所述保护膜的厚度值仍然大于单次传片工艺所述保护膜的消减厚度值，即使出现误判的情况下，剩余的所述保护膜还可以进行一次保护，使得所述保护膜起到双重保护所述传片基板的效果，避免了干法刻蚀中等离子直接对所述传片基板的表面进行轰击，从而避免了所述传片基板表面发白情况。

在一个实施例中，步骤125之后还包括如下步骤：

当传片基板的当前状态条件不满足预设条件，将传片基板放置于闲置区内以待下一次干法刻蚀。

所述传片基板的当前状态条件为保护膜的当前膜厚值，所述预设条件为第二膜厚值。当所述第二膜厚值小于所述保护膜的当前膜厚值时，所述传片基板被机械手臂传输至闲置区，即当所述第二膜厚值小于所述保护膜的当前膜厚值时，执行步骤140，以便于进行下一次传片工艺的干法刻蚀。而由于所述保护膜未被完全刻蚀，即所述传片基板上残留有一定厚度的所述保护膜，使得射频电源产生的等离子无法直接轰击所述传片基板的表面，从而避免了所述传片基板被等离子体直接轰击基板表面，进而避免了所述传片基板上出现发白的情况。这样，在进行下一次干法刻蚀时，所述传片基板易于被闲置区内的传感器识别，使得所述传片基板易于被机械手臂抓取并送至反应腔室内，从而便于对所述传片基板的使用。

步骤130：在传片基板的表面重新涂覆一层第一膜厚值的保护膜。

在此步骤之前，所述传片基板经过脱膜机的处理，清除了所述传片基板的表面的残留保护膜，即使得所述传片基板的表面光滑。而在此步骤中，所述传片基板通过曝光线中的涂覆单元在其表面上重新形成一层保护膜。为了简化操作步骤，重新形成的保护膜的厚度值为所述第一膜厚值，即所述传片基板上重现涂覆一层厚度为15000～25000埃的光刻胶，这样，重新涂覆的保护膜与最开始涂覆的保护膜的厚度相同，使得所述预设条件的设置不发生改变，从而便于所述传片基板进行设备稳定性检测的循环使用。

步骤140：将传片基板放置于闲置区内以待下一次干法刻蚀。通过机械手臂将重新附着有一层光刻胶的传片基板放置于闲置区，这样，当需要使用传片进行干法刻蚀时，机械手臂直接从闲置区内选取重新附着有光刻胶的传片基板，便于在不进行干法刻蚀时，传片基板处于反应腔室外，避免了传片基板的光刻胶损失速率过快。

上述传片基板保护方法，通过在传片基板上涂覆一层光刻胶，光刻胶作为吸收射频电源发射的能量的保护层，使得传片基板在反应腔室内进行等离子刻蚀时可以避免等离子体直接轰击基板表面，从而避免了传片基板经过多次传片后便会产生发白的现象，进而延长了传片基板的使用寿命。而且，通过设置多种判断方式实现对所述保护膜的当前状态的检测，以及在所述保护膜即将刻蚀耗尽之前重新涂覆一层保护膜，避免了所述保护膜的过度刻蚀造成的所述传片基板出现发白情况，从而使得所述传片基板重复循环使用，进而延长了所述传片基版的使用寿命。

以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。

以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。