公共电极和公共电极线时，具体的，由于公共电极通常采用ITO等材料，而公共电极线通常采用Al (铝)、Mo (钼)、Cr (铬)、Cu(铜)、Ti (钛)等金属材料，可就是说，公共电极与公共电极线所采用的材料通常不同，通常不在同一次构图工艺中一起制作完成。但与实施例一中将公共电极与数据线同层设计类似，将公共电极与公共电极线同层设置同样可以简化制作阵列的结构及工艺制备流程，且有利于显示装置的轻薄化。当然，在上述阵列基板中，将公共电极与公共电极线异层设置，也在本发明实施例的保护范围之内。
[0068]可选地，在本发明实施例中，同层设置的公共电极与公共电极线之间可以通过金属线连接，这样金属线就与公共电极以及公共电极线同层设置。优选地，金属线可以与公共电极线采用同种材料，且与公共电极线一起制作完成。当然，同层设置的公共电极与公共电极之间也可以采用其它方式进行连接，这里通过金属线连接仅是举例说明。
[0069]需要说明的是，在实际生产应用中，对应于大尺寸显示产品(例如电视)和小尺寸显示产品(例如手机)，阵列基板也有大尺寸和小尺寸阵列基板。与小尺寸阵列基板相比，大尺寸阵列基板的电阻较大，通过过孔将阵列基板中的公共电极与公共电极线相连将不能保证公共电极电压的稳定性，公共电极通常通过金属线与公共电极线连接，以保证公共电极电压的稳定性，因而大尺寸阵列基板通常采用如图3所示的结构。
[0070]进一步地，在本发明实施例提供的阵列基板中，公共电极、公共电极线、栅线与栅极可以同层设置。与实施例一中将公共电极和数据线同层设置类似，可以简化制作阵列的结构及工艺制备流程，且有利于显示装置的轻薄化。
[0071]此外，当阵列基板中包括金属线时，还可以将金属线与公共电极、公共电极线、栅线以及栅极同层设置。
[0072]示例性的，本发明实施例提供的一种阵列基板中部分结构俯视图，以表明栅极03c、栅线10、公共电极线11、金属线12以及公共电极05的相对位置，示意图可以参见图4，且图2、图3中的栅极03c和公共电极05是沿图4A-A向剖视得到的。另外，其他例如像素电极等结构并未在图4中绘出。
[0073]本发明实施例提供一种阵列基板，由于阵列基板中至少形成于衬底基板上对应数据线的区域的屏蔽电极与公共电极无电性连接，因而当数据线对屏蔽电极的串扰使得屏蔽电极的电压不稳时，公共电极的电压不会随着屏蔽电极电压的变化而变化，因而与现有技术中和屏蔽电极电性连接的公共电极会随着屏蔽电极的电压一起变化不同，能够解决现有技术中公共电极容易受到数据线的串扰而导致公共电极电压不稳，从而影响整个阵列基板的画质的问题。
[0074]本发明实施例还提供了一种显示装置，包括上述实施例一和实施例二提供的阵列基板。
[0075]该显示装置可以为液晶显示器、电子纸、有机发光二极管(Organic Light-Emitting D1de, 0LED)显示器等显示器件，以及包括这些显示器件的电视、数码相机、手机、平板电脑等任何具有显示功能的产品或者部件，其中的阵列基板的具体实施可以参照上述对阵列基板的描述，这里不再赘述。
[0076]上述显示装置中，由于阵列基板中至少形成于衬底基板上对应数据线的区域的屏蔽电极与公共电极无电性连接，因而当数据线对屏蔽电极的串扰使得屏蔽电极的电压不稳时，公共电极的电压不会随着屏蔽电极电压的变化而变化，因而与现有技术中和屏蔽电极电性连接的公共电极会随着屏蔽电极的电压一起变化不同，能够解决现有技术中公共电极容易受到数据线的串扰而导致公共电极电压不稳，从而影响整个阵列基板的画质的问题。
[0077]实施例三
[0078]本发明实施例提供一种实施例一中阵列基板的制备方法，参见图5，主要步骤可以包括:
[0079]101、在衬底基板上形成第一导电层图案，第一导电层图案包括位于像素区域的公共电极。
[0080]其中，衬底基板可以为康宁、旭硝子玻璃、石英玻璃等材质。第一导电层图案通常通过构图工艺形成，所谓的构图工艺可以包括:成膜、曝光、显影等工艺，当然可以进一步包括刻蚀、剥离等工艺。在本发明实施例中，构图工艺并不限于此，只要在衬底基板上能够形成第一导电层图案的工艺均应在本发明实施例的保护范围内。
[0081]可选地，在步骤101中，第一导电层图案还可以包括与公共电极同层设置的数据线、源极和漏极。其中，公共电极通常为透明材料，而数据线、源极和漏极通常为同一金属材料。此时，步骤101可以采用以下任一种方案实现。
[0082]方案一、步骤101可以采用一次掩膜构图工艺完成，具体包括:在衬底基板上形成第一导电层，该第一导电层包括:依次形成的透明导电薄膜、金属薄膜。之后，在第一导电层上形成光刻胶、对第一导电层采用半色调或灰度掩膜板进行曝光、显影、刻蚀等工艺，得到第一导电层图案。需要强调的是，采用这种工艺形成的数据线、源极、漏极均包含两层，一层是靠近衬底基板的透明导电图案，另一层是位于透明导电图案上的金属图案。其中，透明导电薄膜可以是ITO等材料，金属薄膜可以是Al、Mo、Cr、Cu、Ti等材料。
[0083]方案二、步骤101可以采用两次掩膜构图工艺完成，具体包括:(I)在衬底基板上形成透明导电薄膜；之后，通过涂胶、掩膜曝光、显影、刻蚀工艺得到公共电极的图案，该公共电极的图案上保留有未去除的光刻胶。(2)在形成了公共电极的衬底基板上形成金属薄膜，并通过涂胶、掩膜曝光、显影、刻蚀工艺得到数据线、源极、漏极的图案。之后，再通过剥离工艺将数据线、源极、漏极的图案，以及公共电极的图案上的光刻胶剥离，从而得到包含同层设置的公共电极、数据线、源极、漏极的第一导电层图案。
[0084]需要说明的是，在进行步骤(2)时，由于步骤⑴中公共电极的图案上的光刻胶并没有去除，因此，该光刻胶可以保护公共电极在步骤(2)中不被刻蚀。
[0085]另外，采用两次掩膜构图工艺形成第一导电层图案的过程中，所使用的掩膜板可以是普通掩膜板(即仅包括透光、不透光区域的掩膜板)。这种掩膜板相对与半色调或灰度掩膜版的造价相对较低，可以节约成本。
[0086]方案三、步骤101可以采用两次掩膜构图工艺完成，具体包括:(I)在衬底基板上形成金属薄膜；之后，通过涂胶、掩膜曝光、显影、刻蚀工艺得到数据线、源极、漏极的图案，该数据线、源极、漏极的图案上保留有未去除的光刻胶。(2)在形成了数据线、源极、漏极的图案的衬底基板上形成透明导电薄膜，并通过涂胶、掩膜曝光、显影、刻蚀工艺得到公共电极的图案。之后，再通过剥离工艺将公共电极的图案，以及数据线、源极、漏极的图案上的光刻胶剥离，从而得到包含同层设置的公共电极、数据线、源极、漏极的图案的第一导电层图案。
[0087]与上述方案二同理，在进行步骤(2)时，由于步骤⑴中公共电极上的光刻胶并没有去除，因此，该光刻胶可以保护公共电极在步骤(2)中不被刻蚀。
[0088]在本步骤中，由于形成的第一导电层图案包括同层设置的公共电极、数据线、源极和漏极，因而可以节省将公共电极与数据线、源极和漏极异层设置时需要的绝缘层，从而简化了阵列基板的结构及工艺制备流程，且有利于显示装置的轻薄化。
[0089]102、形成覆盖第一导电层图案的绝缘层。
[0090]其中，这里的绝缘层可以采用氧化硅、氮化硅及有机材料等绝缘材料。
[0091]103、在绝缘层上形成第二导电层图案，第二导电层图案包括相互无电性连接的像素电极和屏蔽电极，像素电极位于像素区域内，屏蔽电极至少形成于衬底基板上对应数据线的区域，且与公共电极无电性连接。
[0092]在本步骤中，形成的第二导电层图案包括相互无电性连接的像素电极和屏蔽电极，即像素电极与屏蔽电极同层设置，因而与像素电极和屏蔽电极异层设置相比，可以简化阵列基板的结构及工艺制备流程。其中，在同层设置像素电极和屏蔽电极时，同为电极的像素电极与屏蔽电极可以为同一材料，因而可以通过同一次构图工艺一起制作完成。
[0093]示例性的，通过本发明实施例提供的方法制备获得的阵列基板的结构示意图可以参见图2。其中，步骤102中的绝缘层可以为图2中的绝缘层08，漏极03a与像素电极04通过绝缘层08上的过孔09相连。
[0094]进一步地，屏蔽电极的宽度可以大于数据线的宽度，从而能够更好地屏蔽数据线信号的串扰。屏蔽电极还可以形成于衬底基板上对应栅线的区域，以便于屏蔽栅线信号的串扰。
[0095]在本发明实施例提供的阵列基板的制备方法中，由于分别形成的第一导电层图案中的公共电极和第二导电层图案中的屏蔽电极无电性连接，因而当数据线对屏蔽电极的串扰使得屏蔽电极的电压不稳时，公共电极的电压不会随着屏蔽电极电压的变化而变化，因而与现有技术中和屏蔽电极电性连接的公共电极会随着屏蔽电极的电压一起变化不同，能够解决现有技术中公共电极容易受到数据线的串扰而导致公共电极电压不稳，从而影响整个阵列基板的画质的问题。
[0096]实施例四
[0097]本发明实施例提供一种实施例二中阵列基板的制备方法，参见图6，主要步骤可以包括:
[0098]201、在衬底基板上形成第一导电层图案，第一导电层图案包括位于像素区域的公共电极。
[0099]可选地，在步骤201中，第一导电层图案还可